一種錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于封裝材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002] 電子封裝材料起著固定密封、使電子設(shè)備免受外界環(huán)境的干擾、保護電子設(shè)備、提 高電子設(shè)備的壽命和增強電子設(shè)備環(huán)境適應(yīng)的能力。隨著電子設(shè)備的小型化、多功能化及 高性能化，對電子封裝材料的要求越來越高。
[0003]高分子材料和無機非金屬材料在電子封裝材料方面具有良好的應(yīng)用。國家發(fā)明 專利"一種復(fù)合雜化有機硅LED封裝材料及其制備方法和應(yīng)用"（國家發(fā)明專利【申請?zhí)枴?201210484569. 0)公布了通過將二氧化硅苯基有機硅復(fù)合雜化物、乙烯基聚硅氧烷、四甲基 二乙烯基二硅烷配位的鉑絡(luò)合物、雙環(huán)戊二烯二氯化鉑、鄰苯二甲酸二乙酯配位的鉑絡(luò)合 物、含氫聚硅氧烷等材料作為原料，在80-1KTC的真空條件下反應(yīng)I-Sh得到了復(fù)合雜化 的有機硅封裝材料。國家發(fā)明專利"一種LED有機硅封裝用改性納米二氧化硅及其制備方 法"（國家發(fā)明專利號：ZL201310321330. 6)公開了一種以改性納米二氧化硅、含氫硅油、含 苯基硅氧烷單體、氯鉑酸、甲基乙烯基硅氧烷配位的鉑絡(luò)化合物、鄰苯二甲酸二乙酯配位的 鉑絡(luò)化合物等作為原料，在60-150°C的真空條件下反應(yīng)0. 3-2h得到了含有改性納米二氧 化硅的有機硅封裝材料。國家發(fā)明專利"電子元器件封裝材料用陶瓷粉及其生產(chǎn)方法"（國 家發(fā)明專利號：ZL201210396718. 8)以含有氧化鋇、氧化硼、氧化娃、氧化鋁、氧化鋅、氧化 鋯、氧化鈦的復(fù)合氧化物作為主要原料，在SOO-1000 tC燒結(jié)獲得了陶瓷電子封裝材料。
[0004] 高分子材料基電子封裝材料具有易加工、絕緣性好、制備溫度低的特點，但是存在 熱膨脹系數(shù)大、耐老化性能差和強度低等缺點；無機非金屬材料基電子封裝材料雖然具有 強度高、熱膨脹系數(shù)小、耐老化性能好等特點，但是存在難于加工、制備溫度高等缺點。因 此，單一材料難以滿足電子封裝材料的要求，例如電子封裝材料要求具有熱膨脹系數(shù)小、導(dǎo) 熱系數(shù)高、耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工、絕緣性好等特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是為了解決以上問題，提供錫酸鍶納米棒作為主要原料，引入聚乙 二醇、乙撐雙硬脂酰胺、三聚丙二醇二縮水甘油醚和乳化甲基硅油等成分，以期得到具有熱 膨脹系數(shù)小、導(dǎo)熱系數(shù)高、絕緣性好、耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工及制備溫度低的錫 酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料。
[0006]本發(fā)明所提供的錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：
[0007] 錫酸鍶納米棒65-80 %、聚乙二醇10-15 %、乙撐雙硬脂酰胺0. 05-0. 5 %、三聚丙 二醇二縮水甘油醚5-10%、乳化甲基硅油4-10%。
[0008]本發(fā)明所述錫酸鍶納米棒的直徑為80nm、長度為1-2ym。
[0009]本發(fā)明所提供的錫酸鍶納米棒的具體制備方法如下：
[0010] 以錫酸鈉、乙酸鍶作為原料，水為溶劑，其中錫酸鈉與乙酸鍶的摩爾比為1: 1，將錫 酸鈉、乙酸鍶與水均勻混合后置于反應(yīng)容器內(nèi)并密封，于溫度150-200°C、保溫12-48h，其 中錫酸鈉與乙酸鍶的重量不大于水重量的50%。
[0011] 本發(fā)明所提供的錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料的具體制備方法如下：
[0012] 按照質(zhì)量比例稱取錫酸鍶納米棒、聚乙二醇、乙撐雙硬脂酰胺、三聚丙二醇二縮 水甘油醚和乳化甲基硅油，然后通過機械攪拌將其混合均勻，再置于磨具中沖壓成型，在 100-150°C、保溫24-48h，自然冷卻后得到了錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料。
[0013] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下技術(shù)效果：
[0014] 1、本發(fā)明以錫酸鍶納米棒、聚乙二醇、乙撐雙硬脂酰胺、三聚丙二醇二縮水甘油醚 和乳化甲基硅油作為原料，制備出無機非金屬納米材料與高分子材料復(fù)合形成的電子封裝 材料，這種復(fù)合電子封裝材料具有熱膨脹系數(shù)小、導(dǎo)熱系數(shù)高、耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、 易加工、絕緣性好等特點。
[0015] 2、本發(fā)明錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料的制備溫度為100-150°C，低于無機非 金屬材料基電子封裝材料的制備溫度，降低了能耗，減少了制備成本。
【附圖說明】
[0016] 圖1為實施例1制備的錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料的SM圖像；
[0017] 從圖可以看出錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料由納米棒和無規(guī)則顆粒構(gòu)成，納米 棒的直徑為80nm、長度為1-2ym〇
【具體實施方式】
[0018] 以下結(jié)合具體實施例詳述本發(fā)明，但本發(fā)明不局限于下述實施例。
[0019] 實施例1
[0020] 確定錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：
[0021]
[0022] 實施例2
[0023] 確定錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：
[0024]

[0045] 本發(fā)明實施例1到實施例8所得錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料的特征參數(shù)如表 1所示：
[0046] 表 1
[0047]
【主權(quán)項】
1. 一種錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料，其特征在于：以質(zhì)量百分比計，該電子封裝 材料的配方如下： 錫酸鍶納米棒 65-80% 聚乙二醇 10-15% 乙撐雙硬脂酰胺 0.05-0.5% 聚丙二醇二縮水甘油醚 5-〗0% 乳化甲基硅油 4-10%。2. 如權(quán)利要求1所述一種錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料，其特征在于：所述錫酸鍶 納米棒的直徑為80nm、長度為1-2ym〇
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料，屬于封裝材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：錫酸鍶納米棒65-80％、聚乙二醇10-15％、乙撐雙硬脂酰胺0.05-0.5％、三聚丙二醇二縮水甘油醚5-10％、乳化甲基硅油4-10％，錫酸鍶納米棒的直徑為80nm、長度為1-2μm。本發(fā)明提供的錫酸鍶納米棒復(fù)合電子封裝材料具有熱膨脹系數(shù)小、導(dǎo)熱系數(shù)高、絕緣性好、耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工及制備溫度低等特點，在電子封裝材料領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
【IPC分類】C09J171/08, C09J11/06, C09J11/04, C09J183/04, C09K3/10
【公開號】CN105086912
【申請?zhí)枴緾N201510560782
【發(fā)明人】裴立宅, 林楠, 吳勝華, 蔡征宇
【申請人】安徽工業(yè)大學(xué)
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年9月6日