技術(shù)編號(hào)：8262078
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來(lái),外延硅片逐漸向大尺寸發(fā)展，國(guó)際上大尺寸外延硅片達(dá)到12英寸，甚至是18英寸，而國(guó)內(nèi)當(dāng)前使用的大部分是8英寸甚至更小尺寸的外延硅片，12英寸的外延硅片剛剛起步，具有很廣闊的應(yīng)用前景。隨著單晶硅片尺寸的增加，單晶硅內(nèi)部缺陷以及后續(xù)加工帶來(lái)的表面缺陷也隨之增加，為了獲得表面狀態(tài)好、缺陷較少的拋光硅片，需要提高后續(xù)拋光或退火工藝來(lái)進(jìn)一步改善硅片的表面狀態(tài)，提高拋光硅片表面質(zhì)量，但是從根本上講單晶硅內(nèi)部一些微觀缺陷的存在是由當(dāng)前拉晶工藝制約的，當(dāng)單晶硅棒切片...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。