專利名稱：：分離半導(dǎo)體晶片的方法及使用該方法的分離裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及把經(jīng)由通過(guò)雙面粘合片接合到例如玻璃板的支持構(gòu)件而保持的半導(dǎo)體晶片從該支持構(gòu)件分離的方法，及使用該方法的分離裝置。
背景技術(shù)：
：通常地，半導(dǎo)體晶片經(jīng)受在半導(dǎo)體晶片表面上形成大量器件的處理。在此之后，在背面研磨處理中，將該半導(dǎo)體晶片的背面研磨或拋光至期望的厚度。在切割處理中把所得到的半導(dǎo)體晶片切割成器件。近年來(lái)，隨著應(yīng)用的快速發(fā)展，要求半導(dǎo)體晶片的厚度降低到100μm到50μm，在一些場(chǎng)合中，甚至到25μm。如此薄的半導(dǎo)體晶片是易碎的，并且容易變形，同時(shí)對(duì)它的處理也非常困難。因此，經(jīng)由通過(guò)雙面粘合片接合到具有強(qiáng)度的、例如玻璃板之類的支持構(gòu)件的表面來(lái)保持半導(dǎo)體晶片。當(dāng)通過(guò)用上述的支持構(gòu)件支持來(lái)加強(qiáng)該半導(dǎo)體晶片后，在該半導(dǎo)體晶片的背面執(zhí)行背面研磨處理，并把該半導(dǎo)體晶片從該支持構(gòu)件分離。到目前為止，用于分離經(jīng)由通過(guò)雙面粘合片接合到支持構(gòu)件而保持的半導(dǎo)體晶片的手段如下進(jìn)行。使用通過(guò)紫外線照射削弱粘合強(qiáng)度的紫外線固化型雙面粘合片。首先，通過(guò)紫外線照射，粘合強(qiáng)度初步降低。在隨后的過(guò)程中，該半導(dǎo)體晶片被夾在上下兩層平盤(table)之間，并在真空狀態(tài)下被加熱以收縮變形，從而減少雙面粘合片和半導(dǎo)體晶片之間的接觸面積，使該半導(dǎo)體晶片浮動(dòng)。當(dāng)完成該雙面粘合片的收縮及分離后，消除上層平盤的吸附，并將上層平盤向上側(cè)提取。在此之后，在將該半導(dǎo)體晶片吸附固定于下層平盤上的狀態(tài)下，吸附并通過(guò)輸送臂移動(dòng)保持構(gòu)件，從而把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離。已提出并執(zhí)行了這種手段(例如，見(jiàn)JP-A2001-7179)。作為使用的雙面粘合片，不僅使用紫外線固化型雙面粘合片，而且使用當(dāng)被加熱時(shí)起泡且粘合強(qiáng)度降低的具有加熱可分離性的雙面粘合片。傳統(tǒng)的方法具有以下問(wèn)題。首先，當(dāng)夾層并吸附保持半導(dǎo)體晶片時(shí)，在其間隔中獲得了幾乎真空的狀態(tài)。因此，在確定分離該雙面粘合片時(shí)，當(dāng)消除上層平盤的吸附并將上層平盤向上側(cè)提取時(shí)，該支持構(gòu)件和該上層平盤的接觸面處于幾乎真空的狀態(tài)，從而在這兩個(gè)構(gòu)件的接觸面上產(chǎn)生負(fù)壓。這引起在半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生翹曲的問(wèn)題。其次，根據(jù)例如雙面粘合片的收縮變形程度、紫外線固化的程度等條件，粘合強(qiáng)度的分布將發(fā)生巨大的變化。當(dāng)通過(guò)強(qiáng)有力地吸附保持該支持構(gòu)件來(lái)提升并移動(dòng)吸附固定在下層平盤上的半導(dǎo)體晶片時(shí)，局部的分離應(yīng)力作用于該半導(dǎo)體晶片上，這便存在發(fā)生翹曲或破裂的可能性。
發(fā)明內(nèi)容考慮到以上情況作出了本發(fā)明，并且本發(fā)明的主要目的是提供一種半導(dǎo)體晶片分離的方法與裝置，從而能夠平穩(wěn)地在無(wú)應(yīng)力的情況下分離經(jīng)由通過(guò)雙面粘合片接合到支持構(gòu)件而保持的半導(dǎo)體晶片。為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采用以下配置一種用于把通過(guò)雙面粘合片接合到支持構(gòu)件的半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離的方法，該方法包括第一步驟，用于削弱將該半導(dǎo)體晶片和該支持構(gòu)件互相接合的雙面粘合片的粘合強(qiáng)度；及第二步驟，用于在削弱該雙面粘合片的粘合強(qiáng)度的同時(shí)，通過(guò)分離裝置以非接觸方式把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的分離方法，以非接觸的方式從雙面粘合片上分離半導(dǎo)體晶片，使得在分離時(shí)作用在該半導(dǎo)體晶片上的分離應(yīng)力很小。在分離粘合強(qiáng)度削弱的雙面粘合片時(shí)，作為分散到該半導(dǎo)體晶片周圍的小的分離應(yīng)力向該半導(dǎo)體晶片的中心作用，使得該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片的外部端邊向中心分離。從而，在防止半導(dǎo)體晶片翹曲和破裂的同時(shí)，可降低由在該半導(dǎo)體晶片上分離引起的應(yīng)力，并可在無(wú)應(yīng)力的情況下平穩(wěn)地分離該半導(dǎo)體晶片。在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的分離方法中，在第一步驟中，將所述支持構(gòu)件保持在其表面朝下的姿態(tài)，并且在第二步驟中，在通過(guò)從分離裝置向半導(dǎo)體晶片的背面噴射氣體在分離裝置與該半導(dǎo)體晶片背面之間的間隙中產(chǎn)生的壓差，以非接觸的方式懸浮保持該半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離。根據(jù)該方法，通過(guò)向半導(dǎo)體晶片的背面注入的氣體在該分離裝置和半導(dǎo)體晶片的背面之間的間隙中產(chǎn)生與大氣壓的壓差，并且在維持預(yù)定距離的同時(shí)使該半導(dǎo)體晶片懸浮保持在該間隔中。因此，在背面研磨處理中產(chǎn)生的半導(dǎo)體晶片上的翹曲應(yīng)力被擴(kuò)散且消失的狀態(tài)下，可分離該半導(dǎo)體晶片，并使其照原樣被輸送。在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的分離方法中，在第一步驟中，將所述支持構(gòu)件保持在其表面朝上的姿態(tài)，并且在第二步驟中，保持通過(guò)固定負(fù)載從削弱了粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離并落下的半導(dǎo)體晶片。根據(jù)該方法，通過(guò)固定負(fù)載，半導(dǎo)體晶片從削弱了粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離并自然落下，并且可通過(guò)輸送裝置正確地接收并保持落下的半導(dǎo)體晶片。在該情況下，半導(dǎo)體晶片的固定負(fù)載造成的分離應(yīng)力從該雙面粘合片的一端邊起作用，并且可在無(wú)應(yīng)力的情況下平穩(wěn)地分離該半導(dǎo)體晶片。由于該半導(dǎo)體晶片從處于由雙面粘合片保護(hù)的器件形成面朝上的狀態(tài)下的雙面粘合片分離，所以可把該半導(dǎo)體晶片照原樣安裝在輸送裝置上并輸送到隨后的處理中。因此，翻轉(zhuǎn)該分離的半導(dǎo)體晶片以便器件形成面朝上的過(guò)程變得多余，并且從提高運(yùn)送效率的角度來(lái)看也是有利的。在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的分離方法中，在第一步驟中，將所述支持構(gòu)件保持在其表面朝上的狀態(tài)，并且在第二步驟中，在吸附該半導(dǎo)體晶片的背面的同時(shí)，把該半導(dǎo)體晶片從削弱了粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離。根據(jù)該方法，通過(guò)固定負(fù)載和吸附，半導(dǎo)體晶片從削弱了粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離并落下，且輸送裝置可正確地接收并保持落下的半導(dǎo)體晶片。在該情況中，半導(dǎo)體晶片的固定負(fù)載和吸附造成的分離應(yīng)力從該雙面粘合片的一端邊起作用，并且可在無(wú)應(yīng)力的情況下平穩(wěn)地分離該半導(dǎo)體晶片。由于該半導(dǎo)體晶片從處于由雙面粘合片保護(hù)的器件形成面朝上的狀態(tài)下的雙面粘合片分離，所以可照原樣把該半導(dǎo)體晶片安裝在輸送裝置上并輸送到隨后的處理中。因此，翻轉(zhuǎn)該分離的半導(dǎo)體晶片以便器件形成面朝上的過(guò)程變得多余，并且從提高運(yùn)送效率的角度來(lái)看也是有利的。較佳地，作為雙面粘合片，使用以下的任一種。例如，可以使用通過(guò)加熱或冷卻削弱粘合強(qiáng)度的雙面粘合片。在第一步驟中，加熱或冷卻該雙面粘合片。另一雙面粘合片可通過(guò)在片基材的至少一個(gè)表面上形成具有加熱可分離性的粘合層而得到，所述粘合層被加熱時(shí)發(fā)泡、膨脹，并且失去其粘合強(qiáng)度。在第一步驟中，加熱該雙面粘合片。還有一雙面粘合片是通過(guò)把片基材夾在紫外線固化型粘合層之間的方法形成的，以便使這些粘合層在不同的波長(zhǎng)上失去它們的粘合強(qiáng)度。在第一步驟中，用紫外線照射該雙面粘合片。為了達(dá)到以上目的，本發(fā)明也采用以下配置一種把經(jīng)由通過(guò)加熱削弱粘合強(qiáng)度的雙面粘合片接合到支持構(gòu)件的半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離的裝置，該裝置包括用于保持支持構(gòu)件的保持裝置；用于加熱接合到保持的支持構(gòu)件的雙面粘合片的加熱裝置；及用于以非接觸方式把該半導(dǎo)體晶片從通過(guò)加熱削弱粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離的分離裝置。在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的分離裝置中，在由保持裝置保持該支持構(gòu)件側(cè)的狀態(tài)下，通過(guò)加熱裝置加熱該雙面粘合片。在該加熱的雙面粘合片的粘合強(qiáng)度削弱的狀態(tài)下，以非接觸的方式通過(guò)分離裝置分離該半導(dǎo)體晶片。由此，可適宜地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明第一方面的該半導(dǎo)體晶片的分離方法。較佳地，在通過(guò)向該半導(dǎo)體晶片的背面噴射氣體在分離裝置與該半導(dǎo)體晶片的背面之間的間隙中產(chǎn)生的壓差，以非接觸方式懸浮保持該半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，該分離裝置把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離。較佳地，該保持裝置保持該支持構(gòu)件的表面?zhèn)?，并且該分離裝置是用于吸附保持半導(dǎo)體晶片的背面的機(jī)械手。移動(dòng)該機(jī)械手接近該半導(dǎo)體晶片的背面以吸附該半導(dǎo)體晶片，從而把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離，并吸附保持該半導(dǎo)體晶片。為了達(dá)到以上目的，本發(fā)明也采用以下配置一種把經(jīng)由通過(guò)冷卻削弱粘合強(qiáng)度的雙面粘合片接合到支持構(gòu)件的半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離的裝置，該裝置包括用于保持支持構(gòu)件的保持裝置；用于冷卻接合到保持的支持構(gòu)件的雙面粘合片的冷卻裝置；及用于以非接觸方式把該半導(dǎo)體晶片從通過(guò)冷卻削弱粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離的分離裝置。在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的分離裝置中，在由保持裝置保持該支持構(gòu)件側(cè)的狀態(tài)下，通過(guò)冷卻裝置冷卻該雙面粘合片。在該冷卻的雙面粘合片的粘合強(qiáng)度削弱的狀態(tài)下，以非接觸的方式通過(guò)分離裝置分離該半導(dǎo)體晶片。由此，可適宜地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明第一方面的分離方法。較佳地，在通過(guò)向該半導(dǎo)體晶片的背面噴射氣體在分離裝置與該半導(dǎo)體晶片的背面之間的間隙中產(chǎn)生的壓差，以非接觸方式懸浮保持該半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，該分離裝置把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離。較佳地，該保持裝置將所述支持構(gòu)件保持在該支持構(gòu)件的表面朝上的狀態(tài)，該分離裝置是用于吸附保持該半導(dǎo)體晶片的背面的機(jī)械手，并且移動(dòng)該機(jī)械手接近該半導(dǎo)體晶片的背面以吸附該半導(dǎo)體晶片，從而把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離，并吸附保持該半導(dǎo)體晶片。出于說(shuō)明本發(fā)明的目的，附圖中示出了當(dāng)前較佳的若干形式，然而，應(yīng)理解的是，本發(fā)明并不限于所示的精確配置和手段。圖1是通過(guò)把支持構(gòu)件接合到半導(dǎo)體晶片而獲得的工件的側(cè)視圖；圖2A和2B是分別圖解由第一實(shí)施例的分離裝置執(zhí)行的分離過(guò)程的側(cè)視圖；及圖3A和3B是分別圖解由第二實(shí)施例的分離裝置執(zhí)行的分離過(guò)程的側(cè)視圖。具體實(shí)施例方式下面將參考圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。第一實(shí)施例圖1示出了通過(guò)雙面粘合片3把采用玻璃板形式的支持構(gòu)件2接合到半導(dǎo)體晶片1的器件形成面(表面)而獲得的工件W。在通過(guò)支持構(gòu)件2支持加強(qiáng)該半導(dǎo)體晶片1的背面的狀態(tài)下，在背面研磨處理中把該半導(dǎo)體晶片1的背面研磨成期望的厚度。在此之后，被磨薄的半導(dǎo)體晶片1從該雙面粘合片3分離，并且接受隨后的處理。該雙面粘合片3是通過(guò)在片基材3a的兩邊提供具有加熱可分離性的粘合層3b和3c來(lái)構(gòu)成的，所述粘合層在加熱時(shí)起泡且膨脹，并失去粘合強(qiáng)度。該粘合層3b和3c具有不同的熱分離特性，其中，用于粘合保持半導(dǎo)體晶片1的粘合層3b的粘合強(qiáng)度在大約70℃消失，而用于粘合保持該支持構(gòu)件的粘合層3c的粘合強(qiáng)度在大約120℃消失。現(xiàn)在將參考圖2A和2B描述把半導(dǎo)體晶片1從經(jīng)受背面研磨處理的工件W分離的過(guò)程。如圖2A所示，首先，工件W以半導(dǎo)體晶片1的背面朝上的狀態(tài)被裝到吸附卡盤臺(tái)4上，并從支持構(gòu)件2的表面?zhèn)韧ㄟ^(guò)吸附卡盤部分4a被吸附保持在吸附卡盤臺(tái)4的頂面。柏努利(Bernoulli)卡盤5設(shè)置在吸附卡盤臺(tái)4之上，以便可通過(guò)驅(qū)動(dòng)裝置(未示出)在垂直和水平方向上移動(dòng)。柏努利卡盤5向工件W噴射氣體，以便通過(guò)由噴射作用與柏努利效應(yīng)產(chǎn)生的負(fù)壓和由氣墊作用產(chǎn)生的正壓，在柏努利卡盤5和半導(dǎo)體晶片1的表面之間的間隙內(nèi)產(chǎn)生與大氣壓的壓差，從而使得位于該柏努利卡盤5底面下的對(duì)象保持在該對(duì)象漂浮在空氣中的狀態(tài)。由此，柏努利卡盤5用于以非接觸方式懸浮保持或運(yùn)送對(duì)象。吸附卡盤臺(tái)4中具有加熱器6，并且將工件W加熱至粘合層3b在低溫側(cè)失去其粘合強(qiáng)度的溫度。將柏努利卡盤5降低到與工件W的頂面有預(yù)定小間距的高度，即，通過(guò)氣體噴射操作，展現(xiàn)出該半導(dǎo)體晶片1的朝上的背面與非接觸懸浮的作用。根據(jù)研磨半導(dǎo)體晶片1后的形狀與重量以及該柏努利卡盤5的懸浮保持能力，適當(dāng)?shù)馗淖兒痛_定該小間距。例如，在本實(shí)施例的例子中，把該小間距設(shè)置在0.1到1.0mm的范圍內(nèi)。當(dāng)由于加熱使粘合層3b的粘合強(qiáng)度消失時(shí)，半導(dǎo)體晶片1接收柏努利卡盤5的吸附力，從雙面粘合片3分離，并且如圖2B所示地，以非接觸方式與柏努利卡盤5的底面相隔所述的小間距被懸浮保持。此時(shí)，柏努利卡盤5使正壓和負(fù)壓作用以懸浮保持該半導(dǎo)體晶片1，從而糾正在研磨時(shí)作用在該半導(dǎo)體晶片1上的翹曲應(yīng)力。即，半導(dǎo)體晶片1上的翹曲應(yīng)力可被擴(kuò)散以使之消失。通過(guò)在維持該狀態(tài)的同時(shí)移動(dòng)柏努利卡盤5，把該半導(dǎo)體晶片1輸送到期望的位置。用該配置，在接合支持構(gòu)件2和半導(dǎo)體晶片1的雙面粘合片3的粘合強(qiáng)度幾乎消失的狀態(tài)下，以非接觸方式分離半導(dǎo)體晶片1。因?yàn)榉稚⒌皆摪雽?dǎo)體晶片1的周圍而作用的小分離應(yīng)力傾向于向該半導(dǎo)體晶片1的中心起作用，所以該半導(dǎo)體晶片1從該雙面粘合片的外部端側(cè)向中心分離。結(jié)果，可減少由該半導(dǎo)體晶片1的分離而引起的應(yīng)力，并且在防止半導(dǎo)體晶片1翹曲和破裂的同時(shí)，可在無(wú)應(yīng)力的情況下平穩(wěn)地分離該半導(dǎo)體晶片1。通過(guò)使用柏努利卡盤5向工件W噴射氣體，通過(guò)由于噴射作用與柏努利效應(yīng)產(chǎn)生的負(fù)壓和由于氣墊作用產(chǎn)生的正壓，在柏努利卡盤5和該半導(dǎo)體晶片1的表面之間的間隙內(nèi)，產(chǎn)生與大氣壓的壓差。由此，當(dāng)位于該柏努利卡盤5底面下的對(duì)象懸浮保持在該對(duì)象漂浮在空氣中的狀態(tài)時(shí)，可以在當(dāng)研磨該半導(dǎo)體晶片1時(shí)產(chǎn)生的翹曲應(yīng)力被糾正以使之消失的狀態(tài)下輸送該對(duì)象。結(jié)果，當(dāng)該半導(dǎo)體晶片1被裝入盒子等時(shí)，該半導(dǎo)體晶片1的端部同盒子接觸并且由于翹曲等原因而損壞的問(wèn)題也可得到避免。第二實(shí)施例在第一實(shí)施例中，由于分離了的半導(dǎo)體晶片1的器件形成面朝下，所以在被裝入隨后過(guò)程的處理器前，該半導(dǎo)體晶片1必須倒置。在以下要描述的分離裝置中，該翻轉(zhuǎn)過(guò)程是多余的。如圖3A所示，在分離裝置中，首先，以該半導(dǎo)體晶片1的背面朝下的狀態(tài)，工件W被裝在吸附卡盤臺(tái)4的下方，并經(jīng)吸附卡盤臺(tái)4下表面的吸附卡盤部分4a從該支持構(gòu)件2的表面?zhèn)缺晃奖３?。作為在頂面具有吸附孔的輸送臂的機(jī)械手7被配置在由吸附卡盤臺(tái)4吸附保持的工件W的下表面之下，即，相隔預(yù)定小間距的該半導(dǎo)體晶片1朝下的背面。此后，由在吸附卡盤臺(tái)4中提供的加熱器6加熱工件W。當(dāng)由于加熱使粘合層3b的粘合強(qiáng)度幾乎消失時(shí)，如圖3B所示，半導(dǎo)體晶片1通過(guò)固定負(fù)載與機(jī)械手7的吸附力從雙面粘合片3分離并落下，并且由機(jī)械手7接收并保持。因?yàn)橛蓹C(jī)械手7接收并吸附保持的半導(dǎo)體晶片1的器件形成面朝上，所以通過(guò)移動(dòng)機(jī)械手7，可以該狀態(tài)把該半導(dǎo)體晶片1裝入下一處理器、外殼構(gòu)件等。通過(guò)該配置，可以非接觸方式，在接合支持構(gòu)件3和半導(dǎo)體晶片1的雙面粘合片3的粘合強(qiáng)度幾乎消失的狀態(tài)下分離半導(dǎo)體晶片1。此時(shí)，因?yàn)榉稚⒌桨雽?dǎo)體晶片1的周圍而作用的小分離應(yīng)力傾向于向該半導(dǎo)體晶片1的中心起作用，所以該半導(dǎo)體晶片1從該雙面粘合片的外部端側(cè)向中心分離。結(jié)果，可減少由半導(dǎo)體晶片1上的分離而引起的應(yīng)力，并且在防止半導(dǎo)體晶片翹曲和破裂的同時(shí)，可在無(wú)應(yīng)力的情況下平穩(wěn)地分離半導(dǎo)體晶片1。本發(fā)明不限于前述的實(shí)施例，而可作如下修改。(1)在每個(gè)前述的實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶片1具有加熱可分離性，并在雙面粘合片3的粘合層3a和3b加熱時(shí)起泡并膨脹，從而失去它們的粘合強(qiáng)度。然而，本發(fā)明并不限于這種形式。粘合層3b和3c失去各自粘合強(qiáng)度的時(shí)間彼此不同就足夠了。例如，在支持構(gòu)件側(cè)上使用通過(guò)紫外線照射使粘合層3c固化而減少粘和強(qiáng)度的粘合層3c，以及把該粘合層3c與具有不同的失去粘和強(qiáng)度條件的粘合層結(jié)合就足夠了。可選地，也可使用紫外線固化型粘合層3b和3c。在這種情況下，結(jié)合紫外線固化型粘合層以便在不同的波長(zhǎng)上失去它們的粘和強(qiáng)度就足夠了。此外，通過(guò)冷卻可使粘合層3b和3c失去它們的粘和強(qiáng)度。在這種情況下，使粘合層3b和3c失去粘和強(qiáng)度的溫度彼此不同就足夠了。在使用通過(guò)冷卻失去粘和強(qiáng)度的雙面粘和片的情況下，構(gòu)造如下的裝置就足夠了。例如，在使用第一或第二實(shí)施例的裝置的情況下，作為第一形式，作為吸附卡盤臺(tái)4中提供的加熱器6的替代，冷卻媒質(zhì)在該吸附卡盤臺(tái)內(nèi)循環(huán)。作為第二形式，向保持在吸附卡盤臺(tái)4上的工件W吹冷風(fēng)就足夠了。(2)雖然在第二實(shí)施例中，在通過(guò)機(jī)械手7吸附該半導(dǎo)體晶片1的背面的同時(shí)分離該半導(dǎo)體晶片1，但也可以停止吸附并可以接收經(jīng)由固定負(fù)載而落下的半導(dǎo)體晶片1。(3)雖然在前述的每一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶片1是從雙面粘和片3完全分離的，但也可以使用下列形式。在雙面粘合片的粘合層3b和片基材3a被留在半導(dǎo)體晶片1的表面?zhèn)壬?，以及支持?gòu)件2的粘合層3c被留下的狀態(tài)下，可以分離半導(dǎo)體晶片1。在這種情況下，保留在半導(dǎo)體晶片1側(cè)上的粘和片可起到表面保護(hù)片的作用。在如上所述地把粘和片作為表面保護(hù)片留下的情況下，通過(guò)使用表面保護(hù)片分離機(jī)制分離該表面保護(hù)片。在這種情況下，通過(guò)分離桿、分離輥等把分離片接和到粘和片的表面上，并且在此之后，可從半導(dǎo)體晶片1的表面分離與分離片結(jié)合的粘和片。從而，可以在幾乎消除多余剩余物的狀態(tài)下，有效地從半導(dǎo)體晶片1的表面分離粘和片。本發(fā)明可以在不背離其精神或?qū)嵸|(zhì)特性的情況下以其它的具體形式來(lái)實(shí)施，因此，當(dāng)表示本發(fā)明的范圍時(shí)，應(yīng)當(dāng)參考所附的權(quán)利要求書(shū)，而不應(yīng)當(dāng)參考上述的說(shuō)明書(shū)。權(quán)利要求1.一種用于把通過(guò)雙面粘合片接合到支持構(gòu)件的半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離的方法，其特征在于，該方法包括第一步驟，用于削弱將該半導(dǎo)體晶片和該支持構(gòu)件互相接合的雙面粘合片的粘合強(qiáng)度；及第二步驟，用于在削弱該雙面粘合片的粘合強(qiáng)度的同時(shí)，通過(guò)分離裝置以非接觸方式把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一步驟中，將所述支持構(gòu)件保持在其表面朝下的狀態(tài)，并且在所述第二步驟中，在通過(guò)從分離裝置向半導(dǎo)體晶片的背面噴射氣體在分離裝置與該半導(dǎo)體晶片背面之間的間隙中產(chǎn)生的壓差，以非接觸的方式懸浮保持該半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一步驟中，將所述支持構(gòu)件保持在其表面朝上的狀態(tài)，并且在所述第二步驟中，保持通過(guò)固定負(fù)載從削弱了粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離并落下的半導(dǎo)體晶片。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一步驟中，將所述支持構(gòu)件保持在其表面朝上的狀態(tài)，并且在所述第二步驟中，在吸附該半導(dǎo)體晶片的背面的同時(shí)，把該半導(dǎo)體晶片從削弱了粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過(guò)加熱或冷卻削弱該雙面粘合片的粘合強(qiáng)度，并且在所述第一步驟中，加熱或冷卻該雙面粘合片。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述的雙面粘合片通過(guò)在片基材的至少一個(gè)表面上形成具有加熱可分離性的粘合層而得到，所述粘合層被加熱時(shí)起泡、膨脹并失去其粘合強(qiáng)度，并且在所述第一步驟中，加熱該雙面粘合片。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的雙面粘合片是通過(guò)把片基材夾在紫外線固化型粘合層之間的方法形成的，以便使這些粘合層在不同的波長(zhǎng)上失去它們的粘合強(qiáng)度，并且在所述第一步驟中，用紫外線照射該雙面粘合片。8.一種把經(jīng)由通過(guò)加熱削弱粘合強(qiáng)度的雙面粘合片接合到支持構(gòu)件的半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離的裝置，其特征在于，該裝置包括用于保持支持構(gòu)件的保持裝置；用于加熱接合到保持的支持構(gòu)件的雙面粘合片的加熱裝置；及用于以非接觸方式把該半導(dǎo)體晶片從通過(guò)加熱削弱粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離的分離裝置。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，在通過(guò)向該半導(dǎo)體晶片的背面噴射氣體在分離裝置與該半導(dǎo)體晶片的背面之間的間隙中產(chǎn)生的壓差，以非接觸方式懸浮保持該半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，該分離裝置把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，該保持裝置將所述支持構(gòu)件保持在該支持構(gòu)件的表面朝上的狀態(tài)，該分離裝置是用于吸附保持該半導(dǎo)體晶片的背面的機(jī)械手，并且移動(dòng)該機(jī)械手接近該半導(dǎo)體晶片的背面以吸附該半導(dǎo)體晶片，從而把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離，并吸附保持該半導(dǎo)體晶片。11.一種把經(jīng)由通過(guò)冷卻削弱粘合強(qiáng)度的雙面粘合片接合到支持構(gòu)件的半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離的裝置，其特征在于，該裝置包括用于保持支持構(gòu)件的保持裝置；用于冷卻接合到保持的支持構(gòu)件的雙面粘合片的冷卻裝置；及用于以非接觸方式把該半導(dǎo)體晶片從通過(guò)冷卻削弱粘合強(qiáng)度的雙面粘合片分離的分離裝置。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，在通過(guò)向該半導(dǎo)體晶片的背面噴射氣體在分離裝置與該半導(dǎo)體晶片的背面之間的間隙中產(chǎn)生的壓差，以非接觸方式懸浮保持該半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，該分離裝置把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，該保持裝置將所述支持構(gòu)件保持在該支持構(gòu)件的表面朝上的狀態(tài)，該分離裝置是用于吸附保持該半導(dǎo)體晶片的背面的機(jī)械手，并且移動(dòng)該機(jī)械手接近該半導(dǎo)體晶片的背面以吸附該半導(dǎo)體晶片，從而把該半導(dǎo)體晶片從該雙面粘合片分離，并吸附保持該半導(dǎo)體晶片。全文摘要關(guān)于通過(guò)經(jīng)由具有加熱可分離性的雙面粘和片將半導(dǎo)體晶片和支持構(gòu)件互相接合而得到的工件，該支持構(gòu)件的表面被吸附保持在吸附臺(tái)上并且被加熱，從而使粘合層的粘和強(qiáng)度幾乎消失。移動(dòng)柏努利卡盤接近該半導(dǎo)體晶片的背面以用非接觸的方式分離該半導(dǎo)體晶片，并以該半導(dǎo)體晶片懸浮在空氣中的狀態(tài)懸浮保持該半導(dǎo)體晶片。文檔編號(hào)B65G49/07GK1606134SQ20041008344公開(kāi)日2005年4月13日申請(qǐng)日期2004年9月30日優(yōu)先權(quán)日2003年10月6日發(fā)明者宮本三郎,長(zhǎng)谷幸敏申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社