国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      用于控制襯底污染的方法和設(shè)備的制作方法

      文檔序號(hào):4397485閱讀:395來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:用于控制襯底污染的方法和設(shè)備的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及襯底容器和保持這類容器的內(nèi)部干燥以及使其內(nèi)的污染最小。
      背景技術(shù)
      已經(jīng)認(rèn)識(shí)到,光罩盒(reticle pod)或晶片容器的聚合物壁中的水分以及經(jīng)聚合 物壁滲透的水分是這類容器中容納的襯底的污染源。在運(yùn)輸、儲(chǔ)存或后續(xù)制造過(guò)程中的暫停期間,半導(dǎo)體晶片儲(chǔ)存在特殊容器如SMIF 容器中,例如SMIF盒(標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口的簡(jiǎn)稱)和FOUP (前開(kāi)式標(biāo)準(zhǔn)盒的簡(jiǎn)稱)。根據(jù)多個(gè) 因素如生產(chǎn)運(yùn)行規(guī)模和周期時(shí)間,在處理步驟之間晶片可在這種容器中停留很長(zhǎng)時(shí)間。在 該時(shí)間期間,經(jīng)處理的晶片受到不利于生產(chǎn)良率的環(huán)境濕氣、氧和其他AMC(“空氣中分子態(tài) 污染物”)影響。例如,水分可導(dǎo)致不受控制的自然氧化層生長(zhǎng),形成霧度(haze)和腐蝕,而已知 氧氣影響Cu互連的可靠性。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和計(jì)算研究顯示,內(nèi)部有晶片的封閉FOUP可以用通 過(guò)殼下底部或FOUP門上的進(jìn)入端口導(dǎo)入的連續(xù)氮?dú)饬鬟M(jìn)行有效的吹掃。已知約4升/分 鐘的氮?dú)饩徚黠@著降低負(fù)載的FOUP內(nèi)的氧和水分水平,在4至5分鐘內(nèi)降至約RH和
      的02。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)還顯示氮?dú)獯祾吡鞯慕K止可在幾分鐘之內(nèi)導(dǎo)致水分濃度非常迅速地提 高(在FOUP內(nèi)的水平大于)。這種效應(yīng)被認(rèn)為是由通過(guò)FOUP壁的水分滲透和由FOUP 的聚碳酸酯壁的水分脫附造成的。需要更好的系統(tǒng)和方法來(lái)更好地保護(hù)襯底如晶片免受環(huán)境水分和氧損害。

      發(fā)明內(nèi)容
      在某些實(shí)施方案中,在負(fù)載的襯底容器如FOUP的存放和區(qū)內(nèi)(intra bay)運(yùn)輸 (如借助于PGV(人導(dǎo)車輛)進(jìn)行的運(yùn)輸)期間,為其提供雙重吹掃。雙重吹掃可包括潔凈 干燥的空氣(“CDA”)的流,或?qū)蚧蛳抻谝r底容器外側(cè)的其他吹掃氣體流,其防止水分滲 透到襯底容器中或使其最小化,并且實(shí)現(xiàn)例如對(duì)例如為聚碳酸酯的聚合物容納壁的逐步干 燥。FOUP內(nèi)部的常規(guī)內(nèi)部吹掃,例如通過(guò)氮?dú)膺M(jìn)行的吹掃阻止氧累積并從內(nèi)部為容納壁提 供干燥。用于襯底容器的儲(chǔ)存儲(chǔ)料器(stocker)內(nèi)部的分隔壁或遮蔽件將確保有效的CDA 循環(huán)。在吹掃站上的區(qū)內(nèi)小型存儲(chǔ)器和外殼內(nèi)的類似的遮蔽件和分隔壁也提供有效的CDA 用途。配有充注CDA和N2的可再充低壓容器的PGV可在運(yùn)輸中為FOUP提供雙重吹掃。在本發(fā)明的實(shí)施方案中,一種用于在由聚合物形成的襯底容器內(nèi)保持極其干燥的 環(huán)境的系統(tǒng)提供襯底容器外部的補(bǔ)充外部氣體清洗,以使通過(guò)容器聚合物壁發(fā)生的水分和
      6氧滲透最小化,并且還提供在容器的聚合物壁中夾帶的水的脫附??梢栽谧鳛閮?chǔ)料器一部分的排放噴嘴下游提供特定的遮蔽件和/或吹掃氣導(dǎo)板 以控制和容納外部清洗??上蚓萜魈峁┱诒渭碗p壁以提供用于外部吹掃氣體清洗的 限定通路。在某些實(shí)施方案中,本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)是提供一種具有壁腔的襯底容器,以提 供對(duì)所述內(nèi)壁的面向外的表面具有外部清洗能力的內(nèi)壁。所述壁腔可基本上用限定的入口 區(qū)域(例如小于1平方英寸)來(lái)封閉。出口區(qū)域也可限定為例如小于1平方英寸。入口和 出口可在入口和/或出口處具有另外的限制構(gòu)件,例如單向閥或過(guò)濾器。在某些實(shí)施方案 中,本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)在于提供具有未固定到晶片容器的襯底容器遮蔽件的儲(chǔ)料器,從 而提供距離晶片容器的外表面約0. 25英寸至2英寸的間隙。在某些實(shí)施方案中,本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)在于提供一種具有內(nèi)部容納壁的襯底容 器,所述內(nèi)部容納壁具有固定連接到晶片容器的外部遮蔽件,從而提供距離外表面約0. 25 英寸至2英寸的間隙,并且在固定連接的遮蔽件和內(nèi)部容納壁之間形成腔,由此可向所述 腔提供外部吹掃氣。在一個(gè)實(shí)施方案中,對(duì)遮蔽件的大部分內(nèi)表面而言,所述間隙小于2英 寸。本發(fā)明的某些實(shí)施方案的特征和優(yōu)點(diǎn)是一種改進(jìn)襯底容器的方法,所述方法包括 向襯底容器添加外部遮蔽件片,以在襯底容器的容納壁的面向外的表面和遮蔽件之間提供 腔,以便可向所述腔中提供外部吹掃氣。本發(fā)明的某些實(shí)施方案的特征和優(yōu)點(diǎn)在于提供源自襯底容器的吹掃出口,其中在 襯底容器內(nèi)部循環(huán)的吹掃氣在離開(kāi)內(nèi)部之后改變方向以清洗所述襯底容器的外表面。本發(fā)明的某些實(shí)施方案的特征和優(yōu)點(diǎn)在于提供一種在吹掃出口處具有導(dǎo)流器片 的襯底容器,由此在襯底容器內(nèi)部循環(huán)的吹掃氣在離開(kāi)內(nèi)部之后改變方向以清洗所述襯底 容器的外表面。本發(fā)明的某些實(shí)施方案的特征和優(yōu)點(diǎn)在于提供一種具有分布在所述容器上方的 吹掃出口和通向所述容器的外部的出口的襯底容器,所述出口將排出的吹掃氣體的方向改 變?yōu)榕c容器外部表面平行的方向。這種吹掃出口中可具有單向閥,以在不進(jìn)行吹掃時(shí)阻止 氣體流進(jìn)入內(nèi)部。本發(fā)明的某些實(shí)施方案的特征和優(yōu)點(diǎn)在于一種具有多個(gè)吹掃入口的襯底容器,至 少一個(gè)吹掃入口導(dǎo)入襯底容器內(nèi)部,并且至少一個(gè)吹掃入口被引導(dǎo)為清洗限定襯底容器內(nèi) 部容積的壁的外表面。本發(fā)明的某些實(shí)施方案的特征和優(yōu)點(diǎn)在于一種具有多個(gè)吹掃入口的襯底容器,至 少一個(gè)吹掃入口導(dǎo)入襯底容器內(nèi)部,并且至少一個(gè)吹掃入口被引導(dǎo)為清洗限定襯底容器內(nèi) 部容積的壁的外表面。本發(fā)明的某些實(shí)施方案的特征和優(yōu)點(diǎn)在于在吹掃出口處提供導(dǎo)流片,由此使在襯 底容器內(nèi)部循環(huán)的吹掃氣在離開(kāi)內(nèi)部之后改變方向,以清洗襯底容器的外表面。這種導(dǎo)流 器可連接或固定到襯底容器,或者可與其分離,例如作為容器的儲(chǔ)料器或外殼的一部分。本發(fā)明的某些實(shí)施方案的特征和優(yōu)點(diǎn)在于,可以通過(guò)將高濃度(例如非常潔凈和 非常干燥的空氣)的吹掃氣分散在非常接近襯底容器的外表面來(lái)優(yōu)化使用,由此使水分滲 透最小化并在光罩盒的聚合物殼中保持最少的水分以及加速?gòu)囊r底容器表面的擴(kuò)散。


      圖1是根據(jù)本發(fā)明的具有吹掃特征的光罩盒儲(chǔ)料器的示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的具有吹掃特征的晶片容器、儲(chǔ)料器的示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的光罩SMIF盒的透視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的與吹掃系統(tǒng)相連的圖3的光罩盒的截面示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的光罩SMIF盒的另一示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的SMIF盒的示意圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的SMIF盒的示意圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的具有單向閥的吹掃導(dǎo)流器的詳細(xì)截面圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的SMIF盒的截面圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)體晶片的SMIF盒的透視分解圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的前開(kāi)口晶片容器的透視圖;例如300毫米前開(kāi)口標(biāo)準(zhǔn)盒 FOUP0圖1 Ia是圖11的FOUP的底視圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明的前開(kāi)口襯底容器的分解圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明的襯底容器的壁的詳細(xì)截面圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明的襯底容器的詳細(xì)截面圖的另一視圖。
      具體實(shí)施方案參考圖1,示出的外殼20配置為具有吹掃氣源24和26的光罩SMIF盒儲(chǔ)料器。或 者,襯底容器可為晶片容器,例如稱為FOUP(前開(kāi)口式標(biāo)準(zhǔn)盒)和FOSB(前開(kāi)式運(yùn)裝盒)的 那些。在這種儲(chǔ)料器中,可將潔凈干燥空氣或非常潔凈的干燥空氣提供到外殼。或者可以 提供純惰性氣體如氮?dú)?。?chǔ)料器具有接收區(qū)域40和42,其中光罩SMIF盒設(shè)置在支架44、 46上。光罩SMIF盒50在其底部具有吹掃入口,由此將吹掃氣供給到所述光罩盒內(nèi)部。所 述吹掃氣可通過(guò)光罩盒底部的過(guò)濾器60排到儲(chǔ)料器的周圍環(huán)境64中。額外的表面吹掃氣 由吹掃出口如噴嘴68、70提供,其導(dǎo)向光罩SMIF盒的外部。在噴嘴下游利用遮蔽件或?qū)О?75、76、77可將空氣或氣體流引到盒的外表面。該聚集的吹掃氣提供光罩盒的聚合物殼的拉 動(dòng),并阻止其中水分的滲透并干燥聚合物殼。外殼可具有隔板74以隔離所述光罩盒,為所 述盒的外部清洗提供最大的吹掃氣濃度。額外的吹掃氣出口 78可設(shè)置在內(nèi)部用以將基本 潔凈的空氣供應(yīng)到光罩盒儲(chǔ)料器的內(nèi)部。參見(jiàn)通過(guò)引用并入本文的PCT/US2007/014428以 解釋和描述CDA和特別潔凈的干燥空氣。應(yīng)注意的是,提供的各種吹掃氣可為最佳組成且具有用于特定期望功能,即內(nèi)部 吹掃、外部吹掃氣清洗或在儲(chǔ)料器中提供周圍環(huán)境的各種干燥和/或清潔度水平。參考圖2,其示出具有支架102、104的另一盒100。所述支架具有吹掃出口 106、 108和用于接收經(jīng)過(guò)晶片容器循環(huán)之后吹掃氣體的排氣吹掃接收器110、112。晶片容器例 如SMIF盒或FOUP 120可放置在所述支架上以位于各吹掃出口和吹掃排氣設(shè)備上。另外, 遮蔽件130設(shè)置為可向上和向下移動(dòng)以大致封閉襯底容器,從而提供受限制的內(nèi)部空間, 從而可提供特定的吹掃氣以有效地清洗襯底容器120的外部。所述吹掃氣可從遮蔽件接合處和支架之間或者通過(guò)其它通氣或出口排氣裝置排出。各種吹掃氣源可通過(guò)例如用源142、 144、146和吹掃氣管線147、148、149所示的來(lái)提供。這些源可以是不同的氣體如氮?dú)夂涂?氣,并且根據(jù)需要或者合適的話,可具有不同程度的潔凈度和/或干燥度。圖2的盒可如圖 所示通過(guò)輪子150移動(dòng),以通常在中間處理步驟中在制造設(shè)備中傳遞襯底容器。參考圖3和4,所示出的SMIF盒通常配置為光罩SMIF盒160。所述光罩SMIF盒 一般由殼部162、門163和遮蔽件164組成。遮蔽件164配置為與殼部的外表面168并列設(shè) 置。所述殼部用作在其中納光罩的容器。具體參考圖4,以虛線示出的光罩172通過(guò)光罩支 柱174、176支撐。門具有一對(duì)吹掃入口 182、184,其與由殼和門所限定的光罩盒的內(nèi)部186 相連。吹掃噴嘴190、192將吹掃氣注入所述光罩SMIF盒的內(nèi)部。在該配置中,吹掃氣通過(guò) 位于門163中心的過(guò)濾器194排出。遮蔽件164具有另一個(gè)吹掃入口 198,其通入遮蔽件 164和殼的外表面168之間限定的空間200內(nèi)。所述吹掃氣被注入所述空間200并以與所 述外表面平行的方向沿所述外表面(與其靠近)輸送,導(dǎo)向由所述遮蔽件限定的所述外表 面的輪廓并沿其流動(dòng)。吹掃氣可在開(kāi)口 204處排出。T氣體流在圖中一般以箭頭示出,尤其 在空間200內(nèi)。不同的吹掃氣體源208、210可供給具有各種組成和/或清潔度和/或干燥 度的吹掃氣。圖5示出SMIF盒的另一視圖,其中吹掃氣被注入SMIF盒的內(nèi)部,以在SMIF盒的 殼部162中的出口 220處排出。所述吹掃氣由此在SMIF盒的內(nèi)部循環(huán),然后離開(kāi),并且在 遮蔽件164的引導(dǎo)下被迫沿殼的外表面168流動(dòng)。參考圖6,其示出SMIF盒250的另一實(shí)施方案。SMIF盒具有殼部252、門254以及 內(nèi)部256。門和殼部限定用于容納光罩264的內(nèi)部260。在該實(shí)施方案中,所述門有兩個(gè)吹 掃入口 270、272,其通入容納光罩的光罩盒的內(nèi)部。第三吹掃入口 276通入門的內(nèi)部。所述 門具有吹掃出口 278,由此將注入門內(nèi)部256的吹掃氣排出門外。在SMIF盒中,門位于盒的 底部;在FOUP和FOSB中,門位于容器部分的前方,見(jiàn)圖11。這種FOUP和FOSB門經(jīng)常具有 可以類似進(jìn)行吹掃的開(kāi)放內(nèi)部。在圖6的配置中,被注入存放光罩的光罩盒內(nèi)的吹掃氣經(jīng) 盒中的開(kāi)口 282排出。其中設(shè)置的具有過(guò)濾器284的所述開(kāi)口在US 2006/0266011 (通過(guò) 引用并入本文)中公開(kāi)。然后使光罩盒內(nèi)部的廢氣通過(guò)遮蔽件286沿殼部的外表面流動(dòng)。 吹掃氣源290可具有分離部292、294以提供具有不同組成和/或清潔度和/或干燥度的吹 掃氣。參考圖7,其示出另一 SMIF盒300。SMIF盒一般包括門302和殼部304。門具有 可連接到吹掃源并且將吹掃氣注入SMIF盒300的內(nèi)部310的吹掃入口 306、308。在該配置 中,所述殼具有多個(gè)用以排出吹掃氣的出口和位于每個(gè)殼出口處的多個(gè)導(dǎo)流器320。導(dǎo)流器 使廢氣偏轉(zhuǎn)并引導(dǎo)其離開(kāi)SMIF盒的內(nèi)部以清洗殼的外表面324。這種布置也適用于其他襯 底容器,例如晶片容器,詳見(jiàn)下文。參考圖8,其示出導(dǎo)流器的構(gòu)型的截面詳情,所述導(dǎo)流器320是帶螺紋端324的T 型導(dǎo)流器,其具有沿橫向延伸并離開(kāi)的導(dǎo)通路徑326。單向閥328恰當(dāng)?shù)胤旁诔隹谔幰詢H提 供單向出口流。這可在本文所述的SMIF盒或晶片容器上實(shí)施。參考圖9,其示出SMIF盒400的另一實(shí)施方案,其一般由門402和殼部404組成。 殼部包括內(nèi)壁406和外壁408。內(nèi)壁具有面向外的表面410。在該配置中,SMIF盒具有四 個(gè)吹掃端口和入口端口 414,其配置為將吹掃氣注入光罩盒的內(nèi)部416,以從排氣端420排
      9出。所述端口適當(dāng)?shù)匚挥陂T中。襯底支撐結(jié)構(gòu)424設(shè)置在門上,并且可以配置成用于光罩 的支柱或者定位常規(guī)的H棒狀晶片載體。殼部通過(guò)密封件430和432與門密封。次級(jí)密封 件432提供內(nèi)殼壁和外殼壁之間的空間436的容積。提供額外的吹掃端口 442以將吹掃氣 注入內(nèi)殼部分和外殼部分之間的空間中。提供額外的排氣端口 446,以為從壁部分之間的空 間中排出的吹掃氣提供出口。盡管該門在圖9中顯示為沒(méi)有如圖6和圖7所示的內(nèi)部,但 是本領(lǐng)域技術(shù)人員理解所述門在圖9的配置中也是可行的,并且應(yīng)包含于或被認(rèn)為是本發(fā) 明的實(shí)施方案。參考圖10,其示出常規(guī)SMIF盒500,其具有殼部502、門504和H棒狀晶片載體 506。所述門具有內(nèi)部閂鎖機(jī)構(gòu)510,其與殼部502的內(nèi)部純化配合,以如常規(guī)SMIF盒那樣 將門固定在適當(dāng)位置。門還具有支撐結(jié)構(gòu)512以將載體的H棒514恰當(dāng)?shù)刂糜谄渖稀n~外 的吹掃端口 520置于門的底部,以從門的下面進(jìn)行配合。該SMIF盒可具有如圖9所示配置 的上殼部,并可具有圖9所示的門或圖6和7所示的具有開(kāi)放內(nèi)部的門。參考圖11,其示出前開(kāi)口盒600。這種盒經(jīng)常被稱為前開(kāi)式標(biāo)準(zhǔn)盒(FOUP)并用于 存放加工步驟間的300毫米晶片。容器一般包括容器部分602、具有閂鎖機(jī)構(gòu)的門604和門 正面的門閂機(jī)構(gòu)鑰匙孔606。所述門與殼部602密封地配合以形成氣密內(nèi)室。底側(cè)在圖Ila 中示出,并具有其上設(shè)置的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)三槽動(dòng)態(tài)耦合624。吹掃端口 630可設(shè)置在殼部的底面 上或者替代地設(shè)置在前門上,如圖11中用附圖標(biāo)記634和虛線所示的。圖11的容器的殼 部可具有圖13和14中所示的雙壁配置。晶片容納在晶片容器的內(nèi)部644中,并且可用常 規(guī)方式進(jìn)行吹掃??商峁╊~外補(bǔ)充壁650以在內(nèi)壁660和外壁655之間提供空間658。內(nèi) 壁具有如箭頭所示暴露于內(nèi)部吹掃氣的面向外的表面662,并可在雙壁部分之間的內(nèi)部當(dāng) 中循環(huán)以為聚合物內(nèi)壁提供干燥效果并阻止水分向內(nèi)滲透。吹掃氣可通過(guò)具有單向閥672 的端口 670從內(nèi)部排出,如圖13所示,或者可通過(guò)位于容器部分底面中的單獨(dú)吹掃端排出, 參見(jiàn)圖14。所述端口可如圖11中示出的,如以虛線和附圖標(biāo)記670、672所示的。所述雙壁 沒(méi)有限定次級(jí)密封空間的FOUP的雙壁內(nèi)的空間658 (例如在圖9的SMIF盒中示出的),而 是可配置為圖11中所示的遮蔽件。在任一情況下,提供吹掃氣并使其沿壁部分的面向外的 表面引導(dǎo),所述壁部分的面向外的表面限定容納晶片的限制內(nèi)部。參考圖12,其示出將適于為雙壁部分提供密封內(nèi)部空間的配置。該配置具有外殼 部802、內(nèi)殼部804和門806。組裝時(shí),在外殼和內(nèi)殼之間設(shè)置間隙,其中所述殼之間的所述 空間是可吹掃的,以實(shí)現(xiàn)上述功能。類似地,所述容器的內(nèi)部也是可適合吹掃的。前開(kāi)式容 器同樣也通常具有配置為三槽動(dòng)態(tài)耦合812的機(jī)械接口。
      10
      權(quán)利要求
      一種用于保持其中容納有晶片的晶片容器的外殼,所述外殼具有接收晶片容器的開(kāi)口,并且具有兩個(gè)吹掃系統(tǒng),每個(gè)所述吹掃系統(tǒng)分別提供不同濃度或組成的吹掃氣,一個(gè)所述吹掃系統(tǒng)用于所述晶片容器的內(nèi)部,一個(gè)所述吹掃系統(tǒng)用于將吹掃氣導(dǎo)向所述晶片容器的限定壁的外表面。
      2.權(quán)利要求1所述的外殼,其中所述外殼是可移動(dòng)的,用以在制造設(shè)備的范圍內(nèi)傳送曰曰/To
      3.一種用于保持其中容納有晶片的晶片容器的外殼,所述外殼可用于接收晶片容器, 并且具有遮蔽件,所述遮蔽件是可移動(dòng)的,用以放置和移除所述遮蔽件,并且所述遮蔽件至 少部分延伸到所述晶片容器上以在所述遮蔽件和所述晶片容器之間提供吹掃氣,以利用吹 掃氣清洗所述晶片容器的容納壁的外表面。
      4.一種用于保持其中容納有晶片的多個(gè)晶片容器的外殼,所述外殼具有用于各單獨(dú)晶 片容器的各單獨(dú)接收區(qū)域,每個(gè)接收區(qū)域具有一個(gè)用以對(duì)所述晶片容器進(jìn)行內(nèi)部吹掃的吹 掃出口和一個(gè)用于對(duì)所述容器的外部進(jìn)行吹掃的出口。
      5.權(quán)利要求4所述的外殼,其中所述內(nèi)部吹掃的吹掃出口與氮?dú)庠催B接并且用于吹掃 所述容器的外部的出口與潔凈干燥空氣源連接。
      6.一種用于保持其中容納有晶片的多個(gè)晶片容器的外殼,所述外殼具有用于各單獨(dú) 晶片容器的各單獨(dú)接收區(qū)域,每個(gè)接收區(qū)域具有一個(gè)用于對(duì)所述晶片容器進(jìn)行內(nèi)部吹掃的 吹掃出口和一個(gè)用于對(duì)所述容器的外部進(jìn)行吹掃的出口,所述外殼還具有環(huán)境空氣清潔系 統(tǒng)。
      7.一種利用襯底容器中的受控環(huán)境來(lái)減少晶體形成污染物的方法,所述方法包括以下 步驟將易于形成晶體的襯底封閉在密封且可打開(kāi)的襯底容器中;用氮吹掃所述容器的內(nèi)部;用至少潔凈的干燥空氣為所述容器提供外表面吹掃氣體清洗;和將外部清洗限制在所述外表面的幾個(gè)英寸內(nèi)。
      8.權(quán)利要求7所述的方法,其中吹掃所述容器的所述內(nèi)部的步驟包括將氮?dú)庾⑷胨?內(nèi)部。
      9.權(quán)利要求7所述的方法,其中權(quán)利要求7的步驟包括利用潔凈的干燥空氣進(jìn)行所述 外表面吹掃氣體清洗。
      10.權(quán)利要求7所述的方法,包括將所述襯底容器封閉在儲(chǔ)料器中的步驟,所述儲(chǔ)料器 具有用于實(shí)現(xiàn)所述內(nèi)部吹掃和所述外表面吹掃氣體清洗的吹掃配件。
      11.一種用于為晶片容器提供雙重吹掃的系統(tǒng),其包括內(nèi)部吹掃和外部晶片容器表面 吹掃,其中所述外部表面吹掃。
      12.一種用于對(duì)晶片容器的容納壁提供外部吹掃清洗的系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括靠近所述 晶片容器的吹掃出口。
      13.一種晶片容器,其具有用于沿容納壁的外表面聚集外部吹掃的遮蔽件。
      14.一種晶片容器,其具有使吹掃氣沿所述晶片容器的外表面偏轉(zhuǎn)的吹掃出口。
      15.一種晶片容器,其具有一對(duì)吹掃入口部,一個(gè)吹掃入口部用于吹掃所述晶片容器的 內(nèi)部,一個(gè)吹掃入口部用于吹掃限定所述內(nèi)部的壁的外表面。
      16.一種晶片容器,其具有吹掃導(dǎo)管,用于將吹掃氣導(dǎo)向所述容器的容納壁的外表面。
      17.一種晶片容器,其具有吹掃導(dǎo)管,所述吹掃導(dǎo)管在容納壁的外表面上延伸以輸送和 限制吹掃氣來(lái)清洗所述晶片容器的所述容納壁的外表面。
      18.一種晶片容器,其具有可密封在一起以限定保持晶片的內(nèi)部的門和殼部,所述殼部 具有雙壁和用于將吹掃氣注入其中的端口。
      19.權(quán)利要求18所述的晶片容器,其中所述門具有其中的閂鎖機(jī)構(gòu)和開(kāi)放的內(nèi)部,以 及將吹掃氣注入所述門的所述內(nèi)部中的端口。
      20.一種遮蔽件,其與晶片容器的外部形狀的一部分相一致,用于沿所述晶片容器的外 表面限定空間,由此可以將吹掃氣注入到所述空間中,從而可清洗所述晶片容器的容納壁 的外表面。
      21.一種使密封晶片容器中的晶片的霧度生長(zhǎng)和污染最小化的方法,所述方法包括以 下步驟為所述晶片容器提供內(nèi)部吹掃;通過(guò)專用吹掃出口提供指向所述晶片容器的外壁的外部吹掃。
      22.一種使密封晶片容器中的晶片的霧度生長(zhǎng)和污染最小化的方法,所述方法包括以 下步驟為所述晶片容器提供內(nèi)部吹掃;通過(guò)專用吹掃出口提供指向所述晶片容器的外壁的外部吹掃。
      23.一種用于300mm晶片的前開(kāi)口晶片容器,其具有容納壁,所述容納壁具有用于吹掃 氣清洗所述容納壁的外表面的裝置。
      24.權(quán)利要求23所述的容器,其中所述裝置是提供次級(jí)密封的內(nèi)部或遮蔽件的雙重壁。
      25.一種用于保持襯底容器的外殼,所述襯底容器各自配置為將至少一個(gè)襯底保持在 其中,所述外殼具有用于接收襯底容器的可封閉開(kāi)口,所述外殼具有兩個(gè)吹掃系統(tǒng),每個(gè)吹 掃系統(tǒng)提供不同濃度或組成的吹掃氣,一個(gè)所述吹掃系統(tǒng)用于所述襯底容器的內(nèi)部,一個(gè) 所述吹掃系統(tǒng)用于將吹掃氣導(dǎo)向晶片容器的外部。
      26.權(quán)利要求25所述的外殼,其中所述外殼是可移動(dòng)的,用以在制造設(shè)備的范圍內(nèi)運(yùn) 輸晶片。
      27.一種用于保持其中容納有晶片的晶片容器的外殼,所述外殼可用于接收晶片容器 并具有遮蔽件,所述遮蔽件至少部分在所述晶片容器上延伸以在所述遮蔽件和所述晶片容 器之間提供吹掃氣,從而利用吹掃氣清洗所述晶片容器的容納壁的外表面。
      28.一種用于保持其中容納有襯底的多個(gè)襯底容器的外殼,所述外殼具有用于各單獨(dú) 襯底容器的各單獨(dú)接收區(qū)域,每個(gè)接收區(qū)域具有一個(gè)用于對(duì)所述晶片容器進(jìn)行內(nèi)部吹掃的 吹掃出口和一個(gè)用于對(duì)所述容器的外部進(jìn)行吹掃的出口。
      29.權(quán)利要求28所述的外殼,其中用于進(jìn)行內(nèi)部吹掃的吹掃出口與氮?dú)庠催B接,并且 用于對(duì)所述容器的外部進(jìn)行吹掃的出口與潔凈干燥空氣源連接。
      30.權(quán)利要求28所述的外殼,其中每個(gè)襯底容器具有一對(duì)吹掃入口,一個(gè)入口用于接 收用于所述襯底容器的內(nèi)部的吹掃氣體,另一個(gè)入口用于接收清洗所述襯底容器的容納壁 的外表面的吹掃氣。
      31.一種用于保持其中容納有襯底的多個(gè)襯底容器的外殼,所述外殼具有由用于各單 獨(dú)襯底容器的隔板所限定的各單獨(dú)接收區(qū)域,每個(gè)接收區(qū)域具有一個(gè)對(duì)所述襯底容器進(jìn)行 內(nèi)部吹掃的吹掃出口和一個(gè)用于對(duì)所述容器的外部進(jìn)行吹掃的出口,所述外殼還具有環(huán)境 空氣清潔系統(tǒng)。
      32.一種用于保持其中容納有襯底的多個(gè)襯底容器的外殼,所述外殼具有用于各單獨(dú) 襯底容器的各單獨(dú)接收區(qū)域,每個(gè)接收區(qū)域具有用于至少部分覆蓋位于所述接收區(qū)域的相 應(yīng)襯底容器的遮蔽件,每個(gè)接收區(qū)域具有一個(gè)用于對(duì)所述晶片容器進(jìn)行內(nèi)部吹掃的吹掃出 口和一個(gè)用于吹掃所述容器的外部的出口。
      33.一種用于保持其中容納有襯底的多個(gè)襯底容器的外殼,所述外殼具有用于各單獨(dú) 晶片容器的各單獨(dú)接收區(qū)域,每個(gè)接收區(qū)域具有用于至少部分覆蓋位于所述接收區(qū)域的相 應(yīng)襯底容器的遮蔽件,每個(gè)接收區(qū)域具有一個(gè)對(duì)所述晶片容器進(jìn)行內(nèi)部吹掃的吹掃出口和 一個(gè)用于對(duì)所述容器的外部進(jìn)行吹掃的出口。
      34.一種用于為光罩SMIF盒提供雙重吹掃的系統(tǒng),其包括內(nèi)部吹掃和外部晶片容器表 面吹掃,其中所述外表面吹掃被約束為沿光罩SMIF盒外表面的輪廓進(jìn)行。
      35.一種用于為光罩SMIF盒的容納壁提供外部吹掃清洗的系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括靠近所 述晶片容器的吹掃出口。
      36.一種光罩SMIF盒,其具有用于沿光罩SMIF盒的外表面聚集外部吹掃的遮蔽件。
      37.一種光罩SMIF盒,其具有使吹掃氣沿所述光罩SMIF盒的外表面偏轉(zhuǎn)的吹掃出口。
      38.一種光罩SMIF盒,其具有一對(duì)吹掃入口部,一個(gè)吹掃入口部用于吹掃所述光罩 SMIF盒的內(nèi)部,一個(gè)吹掃入口部用于吹掃限定所述內(nèi)部的壁的外表面。
      39.一種光罩SMIF盒,其具有吹掃導(dǎo)管,用于將吹掃氣導(dǎo)向所述容器的容納壁的外表
      40.一種光罩SMIF盒,其具有吹掃導(dǎo)管,所述吹掃導(dǎo)管在容納壁的外表面上延伸以輸 送和限制吹掃氣來(lái)清洗所述光罩SMIF盒的所述容納壁的外表面。
      41.一種光罩SMIF盒,其具有可密封在一起以限定保持光罩的內(nèi)部的門和殼部,所述 殼部具有雙壁和用于將吹掃氣注入其中的端口。
      42.權(quán)利要求41所述的光罩SMIF盒,其中所述門具有其中的閂鎖機(jī)構(gòu)和開(kāi)放的內(nèi)部, 以及將吹掃氣注入所述門的所述內(nèi)部中的端口。
      43.一種遮蔽件,其與光罩SMIF盒的外部形狀的一部分相一致,用于沿所述光罩SMIF 盒的外表面限定空間,由此可以將吹掃氣注入到所述空間中,從而可清洗所述光罩SMIF盒 的容納壁的外表面。
      44.一種使密封光罩SMIF盒中的光罩的霧度生長(zhǎng)和污染最小化的方法,所述方法包括 以下步驟為所述光罩SMIF盒提供內(nèi)部吹掃;通過(guò)專用吹掃出口提供指向所述光罩SMIF盒的外壁的外部吹掃。
      45.一種用于使密封光罩SMIF盒中的光罩的霧度生長(zhǎng)和污染最小化的方法,所述方法 包括以下步驟為所述光罩SMIF盒提供內(nèi)部吹掃;通過(guò)專用吹掃出口提供指向所述光罩SMIF盒的外壁的外部吹掃。
      46.一種用于為襯底容器提供雙重吹掃的系統(tǒng),其包括內(nèi)部吹掃和外部晶片容器表面 吹掃,其中所述外表面吹掃被約束為沿所述襯底容器外表面的輪廓進(jìn)行。
      47.一種用于為襯底容器的容納壁提供外部吹掃清洗的系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括靠近所述 晶片容器的吹掃出口。
      48.一種襯底容器,其具有用于沿所述襯底容器的容納壁的外表面集中外部吹掃的遮 蔽件。
      49.一種襯底容器,其具有使吹掃氣沿所述襯底容器的外表面偏轉(zhuǎn)的吹掃出口。
      50.一種襯底容器,其具有一對(duì)吹掃入口部,一個(gè)吹掃入口部用于吹掃所述襯底容器的 內(nèi)部,一個(gè)吹掃入口部用于吹掃限定所述內(nèi)部的壁的外表面。
      51.一種襯底容器,其具有吹掃導(dǎo)管,用于將吹掃氣導(dǎo)向所述容器的容納壁的外表面。
      52.一種襯底容器,其具有吹掃導(dǎo)管,所述吹掃導(dǎo)管在容納壁的外表面上延伸以輸送和 限制吹掃氣來(lái)清洗所述襯底容器的所述容納壁的外表面。
      53.一種襯底容器,其具有可密封在一起以限定用于保持光罩的內(nèi)部的門和殼部,所述 殼部具有雙壁和用于將吹掃氣注入其中的端口。
      54.權(quán)利要求41所述的襯底容器,其中所述門具有其中的閂鎖機(jī)構(gòu)和開(kāi)放的內(nèi)部,以 及將吹掃氣注入所述門的所述內(nèi)部中的端口。
      55.一種遮蔽件,其與襯底容器的外部形狀的一部分相一致,用于沿所述襯底容器的外 表面限定空間,由此可以將吹掃氣注入到所述空間中,從而可清洗所述襯底容器的容納壁 的外表面。
      56.一種使密封襯底容器中的晶片的霧度生長(zhǎng)和污染最小化的方法,所述方法包括以 下步驟為所述襯底容器提供內(nèi)部吹掃;通過(guò)專用吹掃出口提供指向所述襯底容器的外壁的外部吹掃。
      57.一種使密封襯底容器中的襯底的霧度生長(zhǎng)和污染最小化的方法,所述方法包括以 下步驟為所述襯底容器提供內(nèi)部吹掃;通過(guò)專用吹掃出口提供指向所述襯底容器的外壁的外部吹掃。
      全文摘要
      用于在由聚合物形成的襯底容器中保持極其干燥的環(huán)境的組件、系統(tǒng)和方法,其提供清洗襯底容器的補(bǔ)充外部氣體,以使經(jīng)過(guò)容器的聚合物壁發(fā)生的水分和氧滲透最小化并控制容器的聚合物壁中夾帶的水的脫附。
      文檔編號(hào)B65D85/86GK101970315SQ200880126995
      公開(kāi)日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2008年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月18日
      發(fā)明者大衛(wèi)·L·哈爾布邁爾, 奧列格·P·基什科維奇, 阿納托利·格雷費(fèi)爾 申請(qǐng)人:誠(chéng)實(shí)公司
      網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
      • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
      1