磁控濺射環(huán)包裝件的制作方法
【專利摘要】一種磁控濺射環(huán)包裝件，用于包裝所述磁控濺射環(huán)，所述磁控濺射環(huán)包括磁控濺射環(huán)首端和磁控濺射環(huán)尾端，所述磁控濺射環(huán)首端和磁控濺射環(huán)尾端形成開口，包括：包覆所述磁控濺射環(huán)的第一膜層；第一端口保護(hù)件，包覆位于磁控濺射環(huán)首端的第一膜層和磁控濺射環(huán)首端；第二端口保護(hù)件，包覆位于磁控濺射環(huán)尾端的第一膜層和磁控濺射環(huán)尾端。采用本實用新型的磁控濺射環(huán)包裝件可以有效的保護(hù)在內(nèi)的磁控濺射環(huán)。
【專利說明】磁控濺射環(huán)包裝件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種磁控濺射環(huán)包裝件。

【背景技術(shù)】
[0002]物理氣相沉積(PVD, Physical Vapor Deposit1n)是電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場的作用下加速轟擊濺射基臺上的靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子)沉積在基板上成膜，而最終達(dá)到對基板表面鍍膜的目的。
[0003]圖1為物理氣相沉積中應(yīng)用磁控濺射環(huán)的濺射反應(yīng)器。請參考圖1，該磁控濺射反應(yīng)器包括具有側(cè)壁114的腔室112，腔室112通常是高真空室，大體上為圓筒形。靶材100被設(shè)置在腔室112的上部區(qū)域中，且基板118被設(shè)置在腔室112的下部區(qū)域中。基板118被保持在基座120上，基座120沿圓筒形側(cè)壁的中心軸線TT設(shè)置并且與靶材100相對，所述基座120通常包括靜電卡盤。靶材100將通過適當(dāng)?shù)闹С袠?gòu)件(未示出)被保持，所述支承構(gòu)件可包括動力源?？稍O(shè)置上部罩(未示出)以罩住靶材100的邊緣。靶材100的材料可包括例如招、鎘、鈷、銅、金、銦、鑰、鎳、銀、鈕、鉬、錸、釕、銀、錫、鉭、鈦、鶴、銀和鋅中的一種或多種。這些元素可以以元素、化合物或合金的形式存在。
[0004]基板118可包括半導(dǎo)體晶片，例如單晶硅晶片。
[0005]濺射材料從靶材100的表面中濺射出來且被導(dǎo)向基板118。濺射材料122由箭頭表示。通常情況下，磁控濺射環(huán)200被設(shè)置在腔室112內(nèi)，安裝在靶材100與基板118之間。施加在磁控濺射環(huán)200上的電流產(chǎn)生的電場通過影響整個濺射腔室的磁場來改進(jìn)濺射材料122的取向，且引導(dǎo)濺射材料與基板118的上表面相對正交，以提高濺射過程中所形成薄膜的均勻性。
[0006]參考圖2，磁控濺射環(huán)200內(nèi)環(huán)表面和外環(huán)表面具有花紋。磁控濺射環(huán)200包括磁控濺射環(huán)首端201和磁控濺射環(huán)尾端202，磁控濺射環(huán)首端201和磁控濺射環(huán)尾端202之間形成開口 203。現(xiàn)有技術(shù)中，參考圖3，當(dāng)磁控濺射環(huán)200需要存儲或運輸時，需要在磁控濺射環(huán)200上包覆一層塑料膜204。該塑料膜204為磁控濺射環(huán)包裝件，保護(hù)磁控濺射環(huán)200內(nèi)環(huán)表面和外環(huán)表面的花紋在存儲或運輸過程中不受損傷。該塑料膜204內(nèi)為真空密封條件，可以延長磁控濺射環(huán)200的存儲壽命。
[0007]然而，采用現(xiàn)有技術(shù)的磁控濺射環(huán)包裝件對磁控濺射環(huán)的保護(hù)效果不佳。
實用新型內(nèi)容
[0008]本實用新型解決的問題是采用現(xiàn)有技術(shù)的磁控濺射環(huán)包裝件對磁控濺射環(huán)的保護(hù)效果不佳。
[0009]為解決上述問題，本實用新型提供一種磁控濺射環(huán)包裝件，所述磁控濺射環(huán)包括磁控濺射環(huán)首端和磁控濺射環(huán)尾端，所述磁控濺射環(huán)首端和磁控濺射環(huán)尾端形成開口，包括:
[0010]包覆所述磁控濺射環(huán)的第一膜層；
[0011]第一端口保護(hù)件，包覆位于磁控濺射環(huán)首端的第一膜層和磁控濺射環(huán)首端；
[0012]第二端口保護(hù)件，包覆位于磁控濺射環(huán)尾端的第一膜層和磁控濺射環(huán)尾端。
[0013]可選的，所述第一端口保護(hù)件與第二端口保護(hù)件一體成型。
[0014]可選的，所述第一端口保護(hù)件與第二端口保護(hù)件連接。
[0015]可選的，所述第一端口保護(hù)件內(nèi)具有第一凹槽，位于磁控濺射環(huán)首端的第一膜層和磁控濺射環(huán)首端插入所述第一凹槽。
[0016]可選的，所述第二端口保護(hù)件內(nèi)具有第二凹槽，位于磁控濺射環(huán)尾端的第一膜層和磁控濺射環(huán)尾端插入所述第二凹槽。
[0017]可選的，所述磁控濺射環(huán)還包括:包覆所述第一膜層、第一端口保護(hù)件和第二端口保護(hù)件的第二膜層。
[0018]可選的，所述第一膜層和第二膜層的氧氣透過量小于或等于5ml/m2.24hr.MPa,透濕量小于或等于3ml/m2.24hr。
[0019]可選的，所述第一膜層和第二膜層的厚度大于或等于90 μ m，密度大于或等于
0.960g/cm3。
[0020]可選的，所述第一膜層和第二膜層的拉伸強度大于或等于100N/15mm，抗刺破強度大于或等于10N。
[0021]可選的，所述磁控濺射環(huán)包裝件為真空密封包裝件。
[0022]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0023]第一端口保護(hù)件包覆位于磁控濺射環(huán)首端的第一膜層和磁控濺射環(huán)首端并保護(hù)磁控濺射環(huán)首端。第二端口保護(hù)件包覆位于磁控濺射環(huán)尾端的第一膜層和磁控濺射環(huán)尾端并保護(hù)磁控濺射環(huán)尾端。即使在運輸或存儲的過程中，第一端口保護(hù)件和第二端口保護(hù)件相互摩擦，甚至相互碰撞，也不會透過第一膜層在磁控濺射環(huán)首端產(chǎn)生劃痕，同時也不會透過第一膜層在磁控濺射環(huán)尾端表面產(chǎn)生劃痕，從而可以有效的保護(hù)磁控濺射環(huán)。該磁控濺射環(huán)進(jìn)行磁控濺射時，也不會產(chǎn)生異常放電現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中物理氣相沉積中應(yīng)用磁控濺射環(huán)的濺射反應(yīng)器；
[0025]圖2是磁控濺射環(huán)的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3是現(xiàn)有技術(shù)的磁控濺射環(huán)包裝件包裝圖2的磁控濺射環(huán)時的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4是本實用新型的磁控濺射環(huán)包裝件包裝磁控濺射環(huán)時的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5是本實用新型的第一端口保護(hù)件和第二端口保護(hù)件的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0029]經(jīng)發(fā)現(xiàn)和研究，采用現(xiàn)有技術(shù)的磁控濺射環(huán)包裝件對磁控濺射環(huán)200的保護(hù)效果不佳的原因如下:
[0030]參考圖3，在存儲或運輸過程中，磁控濺射環(huán)首端201和磁控濺射環(huán)尾端202容易發(fā)生碰撞或摩擦，即使磁控濺射環(huán)200表面有塑料膜204包覆，這些碰撞或摩擦也會使磁控濺射環(huán)首端201表面和磁控濺射環(huán)尾端202表面產(chǎn)生劃痕。當(dāng)具有劃痕的磁控濺射環(huán)200應(yīng)用于磁控濺射時，會發(fā)生異常放電現(xiàn)象，從而影響濺射環(huán)境，進(jìn)而影響在基板上的成膜質(zhì)量。
[0031]現(xiàn)有技術(shù)中，為了防止在磁控濺射環(huán)首端201表面和磁控濺射環(huán)尾端202表面產(chǎn)生劃痕，會采取增加塑料膜204的厚度或者會增加塑料膜204的層數(shù)等措施來防止劃痕現(xiàn)象產(chǎn)生，但是上述措施的防劃痕效果不佳。
[0032]針對以上技術(shù)問題，本實用新型提供了一種磁控濺射環(huán)包裝件。該磁控濺射環(huán)包裝件包括包覆所述磁控濺射環(huán)的第一膜層；第一端口保護(hù)件，包覆位于磁控濺射環(huán)首端的第一膜層和磁控濺射環(huán)首端；第二端口保護(hù)件，包覆位于磁控濺射環(huán)尾端的第一膜層和磁控濺射環(huán)尾端。采用本實用新型的磁控濺射環(huán)包裝件能夠有效的保護(hù)磁控濺射環(huán)。
[0033]為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施例做詳細(xì)的說明。
[0034]參考圖4，本實施例中，磁控濺射環(huán)3具有磁控濺射環(huán)首端31和磁控濺射環(huán)尾端32，磁控濺射環(huán)首端31和磁控濺射環(huán)尾端32組成開口(圖未示)。用于包裝磁控濺射環(huán)3的磁控濺射環(huán)包裝件包括:
[0035]包覆所述磁控濺射環(huán)3的第一膜層4 ；
[0036]第一端口保護(hù)件51，包覆位于磁控濺射環(huán)首端31的第一膜層4和磁控濺射環(huán)首端31 ；
[0037]第二端口保護(hù)件52，包覆位于磁控濺射環(huán)尾端32的第一膜層4和磁控濺射環(huán)尾端32。
[0038]第一端口保護(hù)件51包覆位于磁控濺射環(huán)首端31的第一膜層4和磁控濺射環(huán)首端31并保護(hù)磁控濺射環(huán)首端31。第二端口保護(hù)件52包覆位于磁控濺射環(huán)尾端32的第一膜層4和磁控濺射環(huán)尾端32并保護(hù)磁控濺射環(huán)尾端32。即使在運輸或存儲的過程中，第一端口保護(hù)件51和第二端口保護(hù)件52相互摩擦，甚至相互碰撞，也不會透過第一膜層4在磁控濺射環(huán)首端31產(chǎn)生劃痕，同時也不會透過第一膜層4在磁控濺射環(huán)尾端32表面產(chǎn)生劃痕，從而可以有效的保護(hù)磁控濺射環(huán)3。該磁控濺射環(huán)3進(jìn)行磁控濺射時，也不會產(chǎn)生異常放電現(xiàn)象。
[0039]本實施例中，繼續(xù)參考圖4，第一膜層4為長條形袋狀結(jié)構(gòu)，包括第一膜層首端41和第一膜層尾端42，第一膜層首端41為長條形袋狀結(jié)構(gòu)的袋口。磁控濺射環(huán)尾端32從第一膜層首端41進(jìn)入長條形袋狀結(jié)構(gòu)，直至磁控濺射環(huán)尾端32與第一膜層尾端42相貼合。此時，磁控派射環(huán)首端31與第一膜層首端41相貼合,且第一膜層首端41被密封。第一膜層4并不包覆磁控濺射環(huán)3內(nèi)環(huán)以內(nèi)處。
[0040]其他實施例中，第一膜層還可以為方形袋結(jié)構(gòu)或圓形袋結(jié)構(gòu)。當(dāng)磁控濺射環(huán)裝入第一膜層時，磁控派射環(huán)內(nèi)環(huán)以內(nèi)處都包括在第一膜層內(nèi)。
[0041]本實施例中，第一膜層4的氧氣透過量小于或等于5ml/m2.24hr.MPa、透濕量小于或等于3ml/m2.24hr。
[0042]氧氣透過量的含義為在恒定溫度和單位壓力差下，在穩(wěn)定透過時，單位時間內(nèi)透過第一膜層的單位面積的氧氣的體積。第一膜層4的氧氣透過量越小，第一膜層4內(nèi)的磁控濺射環(huán)3的保存時間會越久。
[0043]透濕量的含義為在恒定溫度和水蒸氣壓力差下，在穩(wěn)定透過時，單位時間內(nèi)透過第一膜層4的單位面積的水蒸氣的體積。第一膜層4的透濕量越小，第一膜層4內(nèi)的磁控濺射環(huán)3的保存時間會越久。
[0044]為了更好的保護(hù)第一膜層4內(nèi)的磁控濺射環(huán)3的內(nèi)表面和外表面的花紋，需要第一膜層4的厚度大于或等于90 μ m,密度大于或等于0.960g/cm3,第一膜層4的拉伸強度大于或等于100N/15mm，抗刺破強度大于或等于10N。
[0045]繼續(xù)參考圖4，磁控濺射環(huán)包裝件還包括第一端口保護(hù)件51。第一端口保護(hù)件51包覆位于磁控濺射環(huán)首端31的第一膜層4和磁控濺射環(huán)首端31。
[0046]本實施例中，結(jié)合參考圖4和圖5，第一端口保護(hù)件51內(nèi)具有第一凹槽511，套有磁控濺射環(huán)首端31的第一膜層首端41和磁控濺射環(huán)首端31—起插入第一凹槽511內(nèi)。而且，磁控濺射環(huán)首端31和第一膜層首端41不會從第一凹槽511內(nèi)滑落。
[0047]本實施例中，第一端口保護(hù)件51的材料較軟，不會使插入第一凹槽511內(nèi)的磁控濺射環(huán)首端31和第一膜層4受損。
[0048]繼續(xù)結(jié)合參考圖4和圖5，磁控濺射環(huán)包裝件還包括第二端口保護(hù)件52。第二端口保護(hù)件52包覆位于磁控濺射環(huán)尾端32的第一膜層4和磁控濺射環(huán)尾端32。
[0049]本實施例中，第二端口保護(hù)件52內(nèi)具有第二凹槽(圖未示)，套有磁控濺射環(huán)尾端32的第一膜層尾端42和磁控濺射環(huán)尾端32 —起插入第二凹槽內(nèi)。而且，磁控濺射環(huán)尾端32和第一膜層尾端42不會從第二凹槽內(nèi)滑落。
[0050]本實施例中，第二端口保護(hù)件52的材料較軟，不會使插入第二凹槽內(nèi)的磁控濺射環(huán)尾端32和第一膜層4受損。
[0051]本實施例中，第一端口保護(hù)件51和第二端口保護(hù)件52為一體成型結(jié)構(gòu)。這樣，第一端口保護(hù)件51和第二端口保護(hù)件52相互之間不會移動，進(jìn)一步保證第一端口保護(hù)件51和第二端口保護(hù)件52之間不會發(fā)生摩擦甚至碰撞的情況。從而進(jìn)一步減少磁控濺射環(huán)表面出現(xiàn)劃痕的概率。
[0052]其他實施例中，第一端口保護(hù)件和第二端口保護(hù)件也可以為互相連接結(jié)構(gòu)。其他實施例中，第一端口保護(hù)件與第二端口保護(hù)件也可以為分體結(jié)構(gòu)，也屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0053]本實施例中，為了進(jìn)一步保護(hù)磁控濺射環(huán)3不受損，磁控濺射環(huán)包裝件還包括第二膜層(圖未示)。所述第二膜層包覆所述第一膜層4、第一端口保護(hù)件51和第二端口保護(hù)件52。
[0054]第二膜層的材料與第一膜層4的材料相同。
[0055]其他實施例中，磁控濺射環(huán)包裝件不具有第二膜層也屬于本實用新型的保護(hù)范圍。
[0056]本實施例中，第一膜層4、第二膜層內(nèi)都為真空密封狀態(tài)，可以使磁控濺射濺射環(huán)3在第一膜層4和第二膜層內(nèi)的保存時間更久。
[0057]雖然本實用新型披露如上，但本實用新型并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射環(huán)包裝件，用于包裝磁控濺射環(huán)，所述磁控濺射環(huán)包括磁控濺射環(huán)首端和磁控濺射環(huán)尾端，所述磁控濺射環(huán)首端和磁控濺射環(huán)尾端形成開口，其特征在于，包括: 包覆所述磁控濺射環(huán)的第一膜層； 第一端口保護(hù)件，包覆位于磁控濺射環(huán)首端的第一膜層和磁控濺射環(huán)首端； 第二端口保護(hù)件，包覆位于磁控濺射環(huán)尾端的第一膜層和磁控濺射環(huán)尾端。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射環(huán)包裝件，其特征在于，所述第一端口保護(hù)件與第二端口保護(hù)件一體成型。
3.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射環(huán)包裝件，其特征在于，所述第一端口保護(hù)件與第二端口保護(hù)件連接。
4.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射環(huán)包裝件，其特征在于，所述第一端口保護(hù)件內(nèi)具有第一凹槽，位于磁控濺射環(huán)首端的第一膜層和磁控濺射環(huán)首端插入所述第一凹槽。
5.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射環(huán)包裝件，其特征在于，所述第二端口保護(hù)件內(nèi)具有第二凹槽，位于磁控濺射環(huán)尾端的第一膜層和磁控濺射環(huán)尾端插入所述第二凹槽。
6.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射環(huán)包裝件，其特征在于，所述磁控濺射環(huán)還包括:包覆所述第一膜層、第一端口保護(hù)件和第二端口保護(hù)件的第二膜層。
7.如權(quán)利要求6所述的磁控濺射環(huán)包裝件，其特征在于，所述第一膜層和第二膜層的氧氣透過量小于或等于5ml/m2.24hr.MPa,透濕量小于或等于3ml/m2.24hr。
8.如權(quán)利要求6所述的磁控濺射環(huán)包裝件，其特征在于，所述第一膜層和第二膜層的厚度大于或等于90 μ m,密度大于或等于0.960g/cm3。
9.如權(quán)利要求6所述的磁控濺射環(huán)包裝件，其特征在于，所述第一膜層和第二膜層的拉伸強度大于或等于100N/15mm，抗刺破強度大于或等于10N。
10.如權(quán)利要求1至9中任一權(quán)利要求所述的磁控濺射環(huán)包裝件，其特征在于，所述磁控濺射環(huán)包裝件為真空密封包裝件。
【文檔編號】B65D77/26GK203997450SQ201420448664
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月8日
【發(fā)明者】姚力軍, 潘杰, 相原俊夫, 大巖一彥, 王學(xué)澤, 李小萍 申請人:寧波江豐電子材料股份有限公司