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      一種多功能光纖盤繞裝置的制作方法

      文檔序號:11243721閱讀:759來源:國知局
      一種多功能光纖盤繞裝置的制造方法

      本發(fā)明涉及機(jī)械工裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多功能光纖盤繞裝置。



      背景技術(shù):

      現(xiàn)有的光纖盤繞技術(shù)大多是在一個(gè)長圓柱筒上進(jìn)行盤繞,但這種盤繞方式很容易導(dǎo)致光纖重疊,不利于光纖散熱。目前也有少數(shù)光纖盤繞裝置可以實(shí)現(xiàn)在一個(gè)平面內(nèi)盤繞,但要么無法對光纖進(jìn)行有效固定,要么沒有考慮到光纖后期的利用,而手動(dòng)盤繞光纖則存在操作繁瑣,耗時(shí)長的缺點(diǎn)。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      有鑒于此,有必要提供一種既能實(shí)現(xiàn)光纖在一個(gè)平面內(nèi)盤繞,也能兼顧光纖后續(xù)水冷和熔接操作的多功能光纖盤繞裝置。

      本發(fā)明采用的技術(shù)方案:一種多功能光纖盤繞裝置,包括一基座、一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)、一旋轉(zhuǎn)軸和一光纖盤繞板,所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)設(shè)置于所述基座上,所述旋轉(zhuǎn)軸設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)上并由所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng),所述光纖盤繞板可拆卸的設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)軸上,所述光纖盤繞板上表面開設(shè)有螺旋狀“u”型槽,所述螺旋狀“u”型槽內(nèi)填設(shè)有導(dǎo)熱硅脂層,所述螺旋狀“u”型槽的最內(nèi)圈入口和最外圈出口處分別設(shè)置有直線過渡“u”型槽,所述直線過渡“u”型槽的深度呈坡形漸變。

      本發(fā)明中的多功能光纖盤繞裝置,采用呈螺旋狀排布的“u”型槽,保證了增益光纖的等距離排列;“u”型槽內(nèi)設(shè)置導(dǎo)熱硅脂層,一方面用于增益光纖散熱,另一方面,由于其具備一定粘附性,能夠起到固定光纖的作用,以上設(shè)計(jì)能夠保證光纖高效、無損地被盤繞在一個(gè)平面內(nèi)?!皍”型槽最內(nèi)圈入口處和最外圈出口處各設(shè)置有一段直線過渡“u”型槽,用于放置和保護(hù)增益光纖與無源尾纖的熔點(diǎn);光纖盤繞板可直接從旋轉(zhuǎn)軸上拆下,在后續(xù)裝機(jī)過程中被固定在水冷板上利用。本發(fā)明不僅能保證光纖無損地被盤繞在一個(gè)平面內(nèi),并且能夠兼顧有源光纖熔點(diǎn)的保護(hù),以及有源光纖在整機(jī)系統(tǒng)中的水冷問題。

      附圖說明

      圖1所示為本發(fā)明中多功能光纖盤繞裝置的連接結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖2所示為本發(fā)明中光纖盤繞板的中心橫截面圖。

      圖3所示為本發(fā)明中光纖盤繞板俯視圖。

      具體實(shí)施方式

      以下結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步描述,所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。

      如圖1—圖3所示,為本發(fā)明中的一種多功能光纖盤繞裝置,包括一基座1、一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2、一旋轉(zhuǎn)軸3和一光纖盤繞板4,所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2設(shè)置于所述基座1上,所述旋轉(zhuǎn)軸3設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2上并由所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2驅(qū)動(dòng),所述光纖盤繞板4可拆卸的設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)軸3上,所述光纖盤繞板4上表面開設(shè)有螺旋狀“u”型槽5,所述螺旋狀“u”型槽5內(nèi)填設(shè)有導(dǎo)熱硅脂層6,所述螺旋狀“u”型槽5的最內(nèi)圈入口和最外圈出口處分別設(shè)置有直線過渡“u”型槽7,所述直線過渡“u”型槽7的深度呈坡形漸變。

      所述基座1作為整個(gè)裝置的支撐主體,對整個(gè)裝置起到固定和支撐的作用,所述基座1呈圓臺狀,穩(wěn)定性更強(qiáng),為了進(jìn)一步提高所述基座1的穩(wěn)定性,還可在所述基座1底部設(shè)置真空吸盤。

      所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2設(shè)置于所述基座1上方,作為整個(gè)裝置的動(dòng)力主體,用于驅(qū)動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)軸3的轉(zhuǎn)動(dòng),具體工作原理為現(xiàn)有技術(shù),在此不再贅述。

      所述旋轉(zhuǎn)軸3設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2上方,并與所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2連接由所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2驅(qū)動(dòng),所述旋轉(zhuǎn)軸3豎直設(shè)置且遠(yuǎn)離所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2的一端設(shè)置成階梯軸。

      所述基座1、所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2和所述旋轉(zhuǎn)軸3同軸設(shè)置。

      所述光纖盤繞板4作為整個(gè)裝置的工位主體,呈圓盤狀,與所述旋轉(zhuǎn)軸3同軸的設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)軸3上。所述光纖盤繞板4由鋁或銅等導(dǎo)熱良好的導(dǎo)體制成,其厚度為3-5mm,主要是為了促進(jìn)光纖的散熱。所述光纖盤繞板4下表面上配合所述階梯軸開設(shè)有一階梯孔8,通過所述階梯孔8和所述階梯軸的配合安裝實(shí)現(xiàn)所述光纖盤繞板4可拆卸的設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)軸3上。為了保證光纖在同一平面內(nèi)的等距離分布,所述螺旋狀“u”型槽5的相鄰環(huán)之間間隔相等,具體間隔大小可根據(jù)實(shí)際情況設(shè)定。所述螺旋狀“u”型槽5的深度為0.5-0.8mm,略大于光纖的直徑,以保證能將光纖完全收容于所述螺旋狀“u”型槽5內(nèi),且又不至于由于光纖收容過深不便于后續(xù)操作或影響增益光纖的冷卻效果。所述直線過渡“u”型槽7的設(shè)計(jì)用于保護(hù)光纖的熔點(diǎn),所述直線過渡“u”型槽7的長度為3-5cm,且從與所述螺旋狀“u”型槽5相連的一端開始朝另一端深度呈坡形逐漸變小趨勢。為了提高對光纖熔點(diǎn)固定的穩(wěn)定度和增強(qiáng)散熱性,所述直線過渡“u”型槽7內(nèi)也填設(shè)有導(dǎo)熱硅脂層6。

      使用時(shí),將光纖一端固定在所述螺旋狀“u”型槽5的最內(nèi)圈入口處的所述直線過渡“u”型槽7內(nèi),然后通過所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)2工作驅(qū)動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)軸3轉(zhuǎn)動(dòng),進(jìn)而帶動(dòng)所述光纖盤繞板4旋轉(zhuǎn),使光纖可以高效無損地在同一平面內(nèi)盤繞,在光纖盤繞完成后,將光纖的另一端固定在所述螺旋狀“u”型槽5的最外圈出口處的所述直線過渡“u”型槽7內(nèi)即可。

      本發(fā)明中的多功能光纖盤繞裝置,采用呈螺旋狀排布的“u”型槽,保證了增益光纖的等距離排列;“u”型槽內(nèi)設(shè)置導(dǎo)熱硅脂層,一方面用于增益光纖散熱,另一方面,由于其具備一定粘附性,能夠起到固定光纖的作用,以上設(shè)計(jì)能夠保證光纖高效、無損地被盤繞在一個(gè)平面內(nèi)?!皍”型槽最內(nèi)圈入口處和最外圈出口處各設(shè)置有一段直線過渡“u”型槽,用于放置和保護(hù)光纖與無源尾纖的熔點(diǎn);光纖盤繞板可直接從旋轉(zhuǎn)軸上拆下,在后續(xù)裝機(jī)過程中被固定在水冷板上利用。本發(fā)明不僅能保證光纖無損地被盤繞在一個(gè)平面內(nèi),并且能夠兼顧有源光纖熔點(diǎn)的保護(hù),以及有源光纖在整機(jī)系統(tǒng)中的水冷問題。

      以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。



      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開了一種多功能光纖盤繞裝置,包括一基座、一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)、一旋轉(zhuǎn)軸和一光纖盤繞板,所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)設(shè)置于所述基座上,所述旋轉(zhuǎn)軸設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)上并由所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng),所述光纖盤繞板可拆卸的設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)軸上,所述光纖盤繞板上表面開設(shè)有螺旋狀“U”型槽,所述螺旋狀“U”型槽內(nèi)填設(shè)有導(dǎo)熱硅脂層,所述螺旋狀“U”型槽的最內(nèi)圈入口和最外圈出口處分別設(shè)置有直線過渡“U”型槽,所述直線過渡“U”型槽的深度呈坡行漸變。本發(fā)明不僅能保證光纖無損地被盤繞在一個(gè)平面內(nèi),并且能夠兼顧有源光纖熔點(diǎn)的保護(hù),以及有源光纖在整機(jī)系統(tǒng)中的水冷問題。

      技術(shù)研發(fā)人員:李進(jìn)延;張芳芳;廖雷;李海清;邢潁濱;劉茵紫
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院;華中科技大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:2017.06.30
      技術(shù)公布日:2017.09.15
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