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      一種電子電路片用隔斷容納板的制作方法

      文檔序號:8310768閱讀:301來源:國知局
      一種電子電路片用隔斷容納板的制作方法
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明屬于電子配件周邊產(chǎn)品領域,尤其是涉及一種電子電路片用隔斷容納板。
      【背景技術】
      [0002]電路板如今已經(jīng)運用到了各行各業(yè)中,在大規(guī)模生產(chǎn)方案的時候,會運用到把電路圖生產(chǎn)后放到一種容納箱中,現(xiàn)有的容納箱都是和其他行業(yè)的容納箱類似,在現(xiàn)有的電子板容納箱,一般都采用把電路板橫放并排到容納箱的方式來存儲,這種存儲方式存在部能充分利用空間,取出困難,容易損壞容納箱的缺點,而電路板一般都是精密結構,部允許有損壞,市場上缺少一種結構安全,容納量大,造價簡單且維護簡單的一種電子電路片用隔斷容納板。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的是提供一種結構簡單、操作簡單、方便實用的一種電子電路片用隔斷容納板。
      [0004]本發(fā)明的技術方案是:本發(fā)明為一種電子電路片用隔斷容納板,包括主體,所述主體包括由四個側(cè)板和底板圍繞而成,所述側(cè)板上設置有內(nèi)陷的摳手槽,所述主體內(nèi)部底板上設置有若干隔斷,所述隔斷內(nèi)部設置有吸鐵石,所述隔斷若干個并行排列在底板上,所述主體的側(cè)板內(nèi)側(cè)和底板一側(cè)均設置有泡沫板。
      [0005]進一步,所述側(cè)板和底板均采用中空結構。
      [0006]本發(fā)明具有的優(yōu)點和積極效果是:由于采用上述技術方案,在實際存儲的時候更加方便;具有結構安全,容納量大,造價簡單且維護簡單等優(yōu)點。
      【附圖說明】
      [0007]圖1是本發(fā)明的結構示意圖
      [0008]圖中:
      [0009]1、主體 2、側(cè)板 3、底板
      [0010]4、摳手槽 5、隔斷 6、吸鐵石
      【具體實施方式】
      [0011]下面結合附圖對本發(fā)明做詳細說明。
      [0012]如圖1所示,本發(fā)明為一種電子電路片用隔斷容納板,包括主體I,所述主體I包括由四個側(cè)板2和底板3圍繞而成,所述側(cè)板2上設置有內(nèi)陷的摳手槽4,所述主體I內(nèi)部底板上設置有若干隔斷5,所述隔斷5內(nèi)部設置有吸鐵石6,所述隔斷5若干個并行排列在底板3上,所述主體I的側(cè)板2內(nèi)側(cè)和底板3 —側(cè)均設置有泡沫板。
      [0013]本發(fā)明所述側(cè)板2和底板3均采用中空結構。
      [0014]以上對本發(fā)明的一個實施例進行了詳細說明,但所述內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實施例,不能被認為用于限定本發(fā)明的實施范圍。凡依本發(fā)明申請范圍所作的均等變化與改進等,均應仍歸屬于本發(fā)明的專利涵蓋范圍之內(nèi)。
      【主權項】
      1.一種電子電路片用隔斷容納板,其特征在于:包括主體,所述主體包括由四個側(cè)板和底板圍繞而成,所述側(cè)板上設置有內(nèi)陷的摳手槽,所述主體內(nèi)部底板上設置有若干隔斷,所述隔斷內(nèi)部設置有吸鐵石,所述隔斷若干個并行排列在底板上,所述主體的側(cè)板內(nèi)側(cè)和底板一側(cè)均設置有泡沫板。
      2.根據(jù)權利要求1所述的一種電子電路片用隔斷容納板,其特征在于:所述側(cè)板和底板均采用中空結構。
      【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子電路片用隔斷容納板,包括主體,所述主體包括由四個側(cè)板和底板圍繞而成,所述側(cè)板上設置有內(nèi)陷的摳手槽,所述主體內(nèi)部底板上設置有若干隔斷,所述隔斷內(nèi)部設置有吸鐵石,所述隔斷若干個并行排列在底板上,所述主體的側(cè)板內(nèi)側(cè)和底板一側(cè)均設置有泡沫板,所述側(cè)板和底板均采用中空結構,由于采用上述技術方案,在實際存儲的時候更加方便;具有結構安全,容納量大,造價簡單且維護簡單等優(yōu)點。
      【IPC分類】B65D25-10, B65D81-05, B65D25-06, B65D85-90
      【公開號】CN104627549
      【申請?zhí)枴緾N201310554894
      【發(fā)明人】胡志有
      【申請人】天津敏寧電子有限公司
      【公開日】2015年5月20日
      【申請日】2013年11月8日
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