Smd微型晶振檢測(cè)儀振動(dòng)盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于物料輸送領(lǐng)域，具體涉及一種SMD微型晶振檢測(cè)儀振動(dòng)盤。
【背景技術(shù)】
[0002]振動(dòng)盤是一種自動(dòng)組裝或自動(dòng)加工機(jī)械的輔助送料設(shè)備。振動(dòng)盤料斗下面有個(gè)脈沖電磁鐵，可以使料斗作垂直方向振動(dòng)，由傾斜的彈簧片帶動(dòng)料斗繞其垂直軸做扭擺振動(dòng)。料斗內(nèi)零件，由于受到這種振動(dòng)而沿螺旋軌道上升。在上升的過程中經(jīng)過一系列軌道的篩選或者姿態(tài)變化，零件能夠按照組裝或者加工的要求呈統(tǒng)一狀態(tài)自動(dòng)進(jìn)入組裝或者加工位置。針對(duì)不同零件，振動(dòng)盤內(nèi)壁的螺旋軌道設(shè)置成不同形態(tài)實(shí)現(xiàn)對(duì)零件的篩選或使零件姿態(tài)產(chǎn)生變化。SMD微型晶振后續(xù)加工一般都是以有貼片的端面為基準(zhǔn)進(jìn)行加工的，本申請(qǐng)人根據(jù)SMD微型晶振的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)對(duì)振動(dòng)盤內(nèi)壁的螺旋軌道進(jìn)行特定的結(jié)構(gòu)改造使SMD微型晶振有貼片的端面統(tǒng)一朝向，更好地達(dá)到加工要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題便是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，針對(duì)SMD晶振這一特定廣品提供一種能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)送料、有效提尚生廣效率的SMD微型晶振檢測(cè)儀振動(dòng)盤。
[0004]本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:一種SMD微型晶振檢測(cè)儀振動(dòng)盤，包括振動(dòng)盤本體，所述振動(dòng)盤本體內(nèi)壁設(shè)有螺旋上升至振動(dòng)盤上邊緣的螺旋軌道，所述螺旋軌道包括依次設(shè)置的多行軌、第一落差階、第一單行軌和過渡單行槽；所述第一單行軌寬度小于所述多行軌的寬度，所述第一單行軌從其始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)；所述第一單行軌始端側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第一去重疊吹氣孔，所述第一單行軌末端設(shè)有第一檢測(cè)儀，與所述第一檢測(cè)儀位置對(duì)應(yīng)的所述第一單行軌側(cè)壁外表面與第一導(dǎo)氣管連接，所述第一單行軌側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第一翻面吹氣孔；所述過渡單行槽寬度與SMD微型晶振寬度一致；所述第一檢測(cè)儀、第一導(dǎo)氣管均與一控制器連接。
[0005]作為優(yōu)選，還包括第二落差階、第二單行軌和出料軌；所述第二落差階位于所述過渡單行槽與所述第二單行軌連接處，所述第二單行軌從其始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)，所述第二單行軌始端側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第二去重疊吹氣孔，所述第二單行軌末端設(shè)有第二檢測(cè)儀，與所述第二檢測(cè)儀位置對(duì)應(yīng)的所述第二單行軌側(cè)壁外表面與第二導(dǎo)氣管連接，所述第二單行軌側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第二翻面吹氣孔，所述第二單行軌從其始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)，且其末端與所述出料軌連接；所述第二檢測(cè)儀、第二導(dǎo)氣管均與所述控制器連接。
[0006]作為優(yōu)選，所述第一單行軌始端內(nèi)側(cè)設(shè)有落料緩坡，該落料緩坡始端起始于所述第一落差階。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果在于:SMD微型晶振由多行軌經(jīng)第一落差階落入第一單行軌，重疊的部分SMD微型晶振從落料緩坡掉落至振動(dòng)盤本體底部，初步實(shí)現(xiàn)將SMD微型晶振單個(gè)排列；SMD微型晶振逐漸通過第一單行軌時(shí)，第一單行軌側(cè)壁內(nèi)表面的第一去重疊吹氣孔進(jìn)一步吹落重疊的SMD微型晶振；當(dāng)SMD微型晶振到達(dá)第一檢測(cè)儀位置時(shí)，第一檢測(cè)儀檢測(cè)SMD微型晶振是否具有貼片的端面緊貼第一單行軌側(cè)壁內(nèi)表面，然后通過第一翻面吹氣孔吹落不符合條件的SMD微型晶振，使SMD微型晶振有貼片的端面統(tǒng)一朝向，從而可有效提高SMD微型晶振的加工速度，提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖中:1、多行軌；21、第一落差階；22、第二落差階；31、第一單行軌；32、第二單行軌；4、過渡單行槽；51、第一去重疊吹氣孔；52、第二去重疊吹氣孔；61、第一翻面吹氣孔；62、第二翻面吹氣孔；71、第一檢測(cè)儀；72、第二檢測(cè)儀；81、第一導(dǎo)氣管；82、第二導(dǎo)氣管；9、落料緩坡。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0011]如圖1所示，一種SMD微型晶振檢測(cè)儀振動(dòng)盤，包括振動(dòng)盤本體，振動(dòng)盤本體內(nèi)壁設(shè)有螺旋上升至振動(dòng)盤上邊緣的螺旋軌道，螺旋軌道包括依次設(shè)置的多行軌1、第一落差階21、第一單行軌31、過渡單行槽4、第二落差階22、第二單行軌32和出料軌，其中第一單行軌31寬度小于多行軌I的寬度；第一單行軌31從其始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)，第一單行軌31始端側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第一去重疊吹氣孔51，第一單行軌31末端設(shè)有第一檢測(cè)儀71 ；與第一檢測(cè)儀71位置對(duì)應(yīng)的第一單行軌31側(cè)壁外表面與第一導(dǎo)氣管81連接，第一單行軌31側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第一翻面吹氣孔61 ;過渡單行槽4寬度與SMD微型晶振寬度一致；第二落差階22位于過渡單行槽4與第二單行軌32連接處；第二單行軌32從其始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)，第二單行軌32始端側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第二去重疊吹氣孔52 ;第二單行軌32末端設(shè)有第二檢測(cè)儀72，與第二檢測(cè)儀72位置對(duì)應(yīng)的第二單行軌32側(cè)壁外表面與第二導(dǎo)氣管82連接；第二單行軌32側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第二翻面吹氣孔62，第二單行軌32從其始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)，且其末端與出料軌連接；第一檢測(cè)儀71、第一導(dǎo)氣管81、第二檢測(cè)儀72、第二導(dǎo)氣管82均與控制器連接。
[0012]作為優(yōu)選，第一單行軌31始端內(nèi)側(cè)設(shè)有落料緩坡9，該落料緩坡9始端起始于第一落差階21。
[0013]本實(shí)用新型運(yùn)作過程說明如下:SMD微型晶振由多行軌I經(jīng)第一落差階21落入第一單行軌31，重疊的部分SMD微型晶振從落料緩坡9掉落至振動(dòng)盤本體底部，初步實(shí)現(xiàn)將SMD微型晶振單個(gè)排列；SMD微型晶振逐漸通過第一單行軌31時(shí)，第一單行軌31側(cè)壁內(nèi)表面的第一去重疊吹氣孔51進(jìn)一步吹落重疊的SMD微型晶振；當(dāng)SMD微型晶振到達(dá)第一檢測(cè)儀71位置時(shí)，第一檢測(cè)儀71檢測(cè)SMD微型晶振是否具有貼片的端面緊貼第一單行軌31側(cè)壁內(nèi)表面，然后通過第一翻面吹氣孔61吹落不符合條件的SMD微型晶振，使SMD微型晶振有貼片的端面統(tǒng)一朝向，從而可有效提尚SMD微型晶振的加工速度，提尚生廣效率。
[0014]以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例而已，故不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利涵蓋的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種SMD微型晶振檢測(cè)儀振動(dòng)盤，包括振動(dòng)盤本體，所述振動(dòng)盤本體內(nèi)壁設(shè)有螺旋上升至振動(dòng)盤上邊緣的螺旋軌道，其特征在于:所述螺旋軌道包括依次設(shè)置的多行軌(I )、第一落差階(21)、第一單行軌(31)和過渡單行槽(4);所述第一單行軌(31)寬度小于所述多行軌(I)的寬度，所述第一單行軌(31)從其始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)；所述第一單行軌(31)始端側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第一去重疊吹氣孔(51)，所述第一單行軌(31)末端設(shè)有第一檢測(cè)儀(71)，與所述第一檢測(cè)儀(71)位置對(duì)應(yīng)的所述第一單行軌(31)側(cè)壁外表面與第一導(dǎo)氣管(81)連接，所述第一單行軌(31)側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第一翻面吹氣孔(61);所述過渡單行槽(4)寬度與SMD微型晶振寬度一致；所述第一檢測(cè)儀(71)、第一導(dǎo)氣管(81)均與一控制器連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD微型晶振檢測(cè)儀振動(dòng)盤，其特征在于:還包括第二落差階(22)、第二單行軌(32)和出料軌；所述第二落差階(22)位于所述過渡單行槽(4)與所述第二單行軌(32)連接處，所述第二單行軌(32)從其始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)，所述第二單行軌(32)始端側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第二去重疊吹氣孔(52)，所述第二單行軌(32)末端設(shè)有第二檢測(cè)儀(72)，與所述第二檢測(cè)儀(72)位置對(duì)應(yīng)的所述第二單行軌(32)側(cè)壁外表面與第二導(dǎo)氣管(82)連接，所述第二單行軌(32)側(cè)壁內(nèi)表面設(shè)有第二翻面吹氣孔(62)，所述第二單行軌(32)從其始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)，且其末端與所述出料軌連接；所述第二檢測(cè)儀(72)、第二導(dǎo)氣管(82)均與所述控制器連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD微型晶振檢測(cè)儀振動(dòng)盤，其特征在于:所述第一單行軌(31)始端內(nèi)側(cè)設(shè)有落料緩坡(9)，該落料緩坡(9)始端起始于所述第一落差階(21)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種SMD微型晶振檢測(cè)儀振動(dòng)盤，包括振動(dòng)盤本體，振動(dòng)盤本體設(shè)有螺旋軌道，螺旋軌道包括多行軌、第一落差階、第一單行軌和過渡單行槽；第一單行軌從始端到末端發(fā)生90°翻轉(zhuǎn)；第一單行軌設(shè)有第一去重疊吹氣孔，第一單行軌設(shè)有第一檢測(cè)儀，第一單行軌側(cè)壁與第一導(dǎo)氣管連接，第一單行軌上設(shè)有第一翻面吹氣孔。SMD微型晶振經(jīng)第一落差階落入第一單行軌，SMD微型晶振通過第一單行軌時(shí)，第一去重疊吹氣孔吹落重疊的SMD微型晶振；到達(dá)第一檢測(cè)儀時(shí)，第一檢測(cè)儀檢測(cè)SMD微型晶振是否具有貼片的端面緊貼第一單行軌側(cè)壁，第一翻面吹氣孔吹落不符合條件的晶振，使SMD微型晶振統(tǒng)一朝向，提高SMD微型晶振的加工速度。
【IPC分類】B65G47-256, B65G47-28, B65G27-02
【公開號(hào)】CN204549215
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520258569
【發(fā)明人】趙樂平, 謝建輝, 廖建偉
【申請(qǐng)人】福建省將樂縣長興電子有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2015年4月27日