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      錫膏保存套件的制作方法

      文檔序號:10082962閱讀:322來源:國知局
      錫膏保存套件的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型涉及錫膏保存裝置,尤其涉及一種用于雙界面1C卡封裝焊接工藝中保持錫膏性能穩(wěn)定的保存套件。
      【背景技術(shù)】
      [0002]對于使用錫片焊接工藝的雙界面1C卡,一直以來面臨的技術(shù)難題是錫膏的保存條件較為苛刻。而且由于雙界面1C卡封裝焊接工藝中單位使用錫膏量非常小,導(dǎo)致一個單位的錫膏安裝到設(shè)備上后需要長時間的使用方可消耗完畢,而在封裝設(shè)備上又無法滿足長時間保存的條件,導(dǎo)致模塊封裝焊接過程中碰焊的強度波動很大,無法穩(wěn)定,最終影響雙界面1C卡在后期使用過程中的故障率。
      【實用新型內(nèi)容】
      [0003]本實用新型的目的是提供一種可以保持錫膏成份均勻穩(wěn)定的錫膏保存套件。
      [0004]為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型采取如下的技術(shù)解決方案:
      [0005]錫膏保存套件,包括:容納錫膏筒的套件本體,所述套件本體為中空管體,所述套件本體底部設(shè)置有向上延伸的切槽,所述套件本體上設(shè)置有用于固定套件本體的固定孔以及沿套件本體軸線延伸的通孔,所述通孔與冷卻水管相連并與設(shè)置于套件本體內(nèi)的中空層連通,冷卻水經(jīng)冷卻水管進入通孔后流入中空層中。
      [0006]進一步的,所述錫膏本體上設(shè)置有兩個對稱布置的切槽。
      [0007]進一步的,所述切槽的上部為半圓形。
      [0008]進一步的,所述套件本體上設(shè)置有兩個沿圓周均勻分布的通孔。
      [0009]進一步的,所述通孔兩端的內(nèi)壁加工有螺紋。
      [0010]進一步的,所述通孔兩端的套件本體上加工有凹槽,所述通孔延伸至所述凹槽的
      /? dn。
      [0011 ] 進一步的,所述固定孔設(shè)置于所述套件本體頂部。
      [0012]由以上技術(shù)方案可知,本實用新型將錫膏筒放置于套件本體中,通過在套件本體上設(shè)置于冷卻水管相連的通孔,同時在套件本體中設(shè)置與通孔連通的中空層,將冷卻水通入套件本體中空層中,通過調(diào)節(jié)冷卻水的溫度使錫膏始終處于穩(wěn)定的溫度環(huán)境中,克服了現(xiàn)有的1C卡封裝設(shè)備無法保證錫膏在生產(chǎn)加工過程中成份均勻穩(wěn)定的問題,實現(xiàn)了在封裝設(shè)備加工過程中保證錫膏始終處于低溫保存狀態(tài),通過保證錫膏成份均勻穩(wěn)定,最終實現(xiàn)碰焊性能的穩(wěn)定。
      【附圖說明】
      [0013]為了更清楚地說明本實用新型實施例,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做簡單介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
      [0014]圖1為本實用新型實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0015]圖2為圖1的主視圖;
      [0016]圖3為圖1的側(cè)視圖;
      [0017]圖4為圖1的俯視圖;
      [0018]圖5為圖1的部分剖切示意圖;
      [0019]圖6為錫膏筒要裝入本實用新型時的示意圖;
      [0020]圖7為錫膏筒裝入本實用新型的示意圖。
      [0021]以下結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細地說明。
      【具體實施方式】
      [0022]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進行詳細描述,在詳述本發(fā)明實施例時,為便于說明,表示器件結(jié)構(gòu)的附圖會不依一般比例做局部放大,而且所述示意圖只是示例,其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。需要說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、清晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
      [0023]參照圖1至圖5所示,本實用新型包括容納錫膏管的套件本體1,套件本體1為中空管體,采用鋁材料制成,套件本體1內(nèi)腔的大小與錫膏的包裝形狀尺寸相適應(yīng),錫膏針筒放入套件本體1內(nèi)后,套件本體1的內(nèi)壁可緊密貼合于錫膏針筒包裝外圍。在套件本體1正面和背面設(shè)置有從底部向上延伸的切槽la,用于方便操作人員在生產(chǎn)過程中觀察錫膏的實時存量,兩個切槽la對稱布置,切槽的上部可優(yōu)選加工為半圓形。在套件本體1頂部設(shè)置有一對螺紋固定孔le,用于將套件本體固定在封裝設(shè)備的點錫機構(gòu)上。
      [0024]套件本體1上設(shè)置有沿軸線延伸的通孔lb,本實施例中共設(shè)置了兩個沿圓周均勻分布的通孔。通孔lb兩端的內(nèi)壁加工有螺紋,用于與封裝設(shè)備上的冷卻水管接頭(未圖示)進行螺紋配合。作為本實用新型一個具體的實施例,通孔lb兩端的套件本體1上加工有凹槽lc,通孔lb延伸至凹槽lc的底面。套件本體1內(nèi)設(shè)置有中空層ld,通孔lb與中空層Id連通,冷卻水經(jīng)冷卻水管進入通孔lb后流入中空層Id中。
      [0025]如圖6和圖7所示,使用時,將錫膏針筒2自上而下放入套件本體1的內(nèi)腔中,套件本體1的高度與錫膏針筒2的長度相適應(yīng),將套件本體安裝在封裝設(shè)備上時使套件本體的切槽向外,方便操作人員在生產(chǎn)過程中觀察套件內(nèi)錫膏的余量。將冷卻水管與套件本體相連,將冷水調(diào)整到合適溫度,封裝設(shè)備開機運行時,封裝設(shè)備冷水機內(nèi)的冷水通過冷卻水管進入通孔lb中,并經(jīng)通孔lb進入套件本體的中空層內(nèi),通過調(diào)節(jié)冷水的溫度實現(xiàn)控制錫膏使用過程中周圍的環(huán)境溫度,使得錫膏始終處于低溫環(huán)境中,以達到保證錫膏成份的均勻穩(wěn)定。本實用新型不僅可以用于雙界面1C卡封裝設(shè)備中,也可以用于其他對錫膏保存溫度有要求的設(shè)備。
      [0026]本實用新型的有益效果是,可以在整個封裝焊接過程中始終保持錫膏的穩(wěn)定存儲溫度,而且使用封裝設(shè)備上原有的冷卻裝置,不增加其它的能源消耗,封裝設(shè)備的改造簡易,節(jié)省成本。
      [0027]以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案而非對其限制,盡管參照上述實施例對本實用新型進行了詳細的說明,所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解,依然可以對本實用新型的【具體實施方式】進行修改或者等同替換,而未脫離本實用新型精神和范圍的任何修改或者等同替換,其均應(yīng)涵蓋在本實用新型的權(quán)利要求范圍之中。
      【主權(quán)項】
      1.錫膏保存套件,其特征在于,包括: 容納錫膏筒的套件本體,所述套件本體為中空管體,所述套件本體底部設(shè)置有向上延伸的切槽,所述套件本體上設(shè)置有用于固定套件本體的固定孔以及沿套件本體軸線延伸的通孔,所述通孔與冷卻水管相連并與設(shè)置于套件本體內(nèi)的中空層連通,冷卻水經(jīng)冷卻水管進入通孔后流入中空層中。2.如權(quán)利要求1所述的錫膏保存套件,其特征在于:所述錫膏本體上設(shè)置有兩個對稱布置的切槽。3.如權(quán)利要求1或2所述的錫膏保存套件,其特征在于:所述切槽的上部為半圓形。4.如權(quán)利要求1所述的錫膏保存套件,其特征在于:所述套件本體上設(shè)置有兩個沿圓周均勻分布的通孔。5.如權(quán)利要求1或4所述的錫膏保存套件,其特征在于:所述通孔兩端的內(nèi)壁加工有螺紋。6.如權(quán)利要求1所述的錫膏保存套件,其特征在于:所述通孔兩端的套件本體上設(shè)置有凹槽,所述通孔延伸至所述凹槽的底面。7.如權(quán)利要求1所述的錫膏保存套件,其特征在于:所述固定孔設(shè)置于所述套件本體頂部。
      【專利摘要】錫膏保存套件,包括容納錫膏筒的套件本體,所述套件本體為中空管體,所述套件本體底部設(shè)置有向上延伸的切槽,所述套件本體上設(shè)置有用于固定套件本體的固定孔以及沿套件本體軸線延伸的通孔,所述通孔與冷卻水管相連并與設(shè)置于套件本體內(nèi)的中空層連通,冷卻水經(jīng)冷卻水管進入通孔后流入中空層中。本實用新型可以使錫膏始終處于低溫環(huán)境中,保持錫膏的穩(wěn)定存儲溫度,以達到保證錫膏成份的均勻穩(wěn)定,避免因模塊封裝焊接過程中碰焊的強度波動很大導(dǎo)致影響雙界面IC卡在后期使用過程中產(chǎn)生故障。
      【IPC分類】B65D81/18
      【公開號】CN205010753
      【申請?zhí)枴緾N201520597461
      【發(fā)明人】吳思強, 曾建國, 徐小斌, 黃粵寧
      【申請人】珠海市金邦達保密卡有限公司
      【公開日】2016年2月3日
      【申請日】2015年8月3日
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