顯示器件制備方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導體工藝，尤其涉及一種顯示器件制備方法。
【背景技術】
[0002] 目前，在顯示器件的制造過程中，要求顯示器件具有高開口率，甚至是超高開口 率。
[0003] 器件的開口率是指除去每一個像素的配線部、晶體管部（通常采用黑色矩陣隱 藏）后的光線通過部分的面積和每一個像素整體的面積之間的比例。所以，器件的開口率 越高，光線通過的效率也就越高。
[0004] 為了提高器件的開口率，通常采用具有高開口率（或超高開口率）的有機膜工藝 流程來實現(xiàn)，即通過于兩層相鄰的金屬層之間設置有機材料層，以利用有機材料來降低該 兩層金屬層之間的耦合效應，進而制備具有高開口率的器件。
[0005] 傳統(tǒng)制備上述具有高開口率的器件的工藝主要包括前序工藝和有機膜工藝，其具 體工藝步驟如下：
[0006] 首先在玻璃基板上制備多晶硅（Polysilicon)，然后形成柵絕緣層（Gate Insulator)，接著制備柵極線（Gate Line)，并繼續(xù)刻蝕以形成接觸孔（Contact Hole)， 之后形成數(shù)據(jù)線層（Data Line);在上述的數(shù)據(jù)線層制備完成之后，繼續(xù)形成具有超高開 口率有機物物平坦化層（Organic Material Planar Layer with Ultra High Aperture ratio)〇
[0007] 其中，對于該超高開口率有機物平坦化層的工藝流程中，一般都包含光阻的涂覆 (coating)、曝光（exposure)、顯影（develop)、有機物平坦化層的烘烤（baking)和固化 (curing)等工藝步驟。在這些工藝步驟中，由于對有機物平坦化層進行固化后，一般都會形 成一層有機物的聚合物（organic polymer)覆蓋于器件的表面，如不加以去除，會導致器件 的金屬與金屬層之間接觸阻抗過高或其他異常情況，因此，為了保證器件的良率，需要在該 步驟之后對該步驟所形成的副產(chǎn)物（有機聚合物）進行去除。
[0008] 可見，由于在進行有機物平坦化層的固化過程中會伴隨著有機物聚合物副產(chǎn)物的 產(chǎn)生，因此，在對該有機物平坦化層進行固化之后還需要至少進行兩步的清理（有機聚合 物的干刻去除和電極工藝前的預清洗），這樣會導致器件在實際的生產(chǎn)過程中，無形中增加 了工藝步驟的數(shù)量，進而增加了產(chǎn)品的工藝周期，影響了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
[0009] 中國專利（CN 1641830A)公開了一種顯示面板的制作方法，包括：在顯示面板上 依序形成保護層以及平坦層，平坦層是由有機高分子材料構成的光致抗蝕劑，其厚度約為 500 A~50000人,用來維持表面平坦，接著將平坦層圖形化，以形成開口，繼續(xù)向下刻蝕保 護層形成接觸孔，通過一去光致抗蝕劑工藝（descum)來擴大開口，接著在平坦層表面沉積 一導電層。
[0010] 該專利并未給出如何進行有機聚合物去除的具體方法。
[0011] 中國專利（CN 101017301A)公開了一種制造顯示基板的方法，具體包括：在形成 有有源元件和電容結構的基板上涂布平坦層，在平坦層中形成導孔，于平坦層上依序形成 透明導電層以及反射電極層，透明導電層的材質可為銦錫氧化物等。
[0012] 該專利所公開的方法是在平坦層制備完成后，直接進行ITO層的沉積，上述兩步 工藝之間并沒有進行有機聚合物的去除。
[0013] 由此可見，目前在具有超高開口率的顯示器件的制備過程中，尚不存在一種既節(jié) 省工藝步驟又能夠對有機聚合物進行去除的有效方法。

【發(fā)明內容】

[0014] 鑒于上述問題，本發(fā)明提供一種顯示器件制備方法。
[0015] 本發(fā)明解決技術問題所采用的技術方案為：
[0016] -種顯示器件的制備方法，其特征在于，
[0017] 于一半導體結構的表面涂覆一有機物層；
[0018] 經(jīng)曝光、顯影后，于所述半導體結構上將所述有機物層形成具有開口圖形的平坦 化層；
[0019] 對所述平坦化層進行固化工藝，固化工藝所述平坦化層的表面形成一有機聚合物 層；
[0020] 濕法刻蝕去除所述有機聚合物層后，沉積電極層覆蓋所述平坦化層的上表面，且 該電極層還覆蓋所述開口圖形的底部及其側壁；
[0021] 所述半導體結構中設置一數(shù)據(jù)線層，所述平坦化層覆蓋于所述數(shù)據(jù)線層的上表 面，且所述電極層與所述數(shù)據(jù)線層電性連接。
[0022] 所述的顯示器件制備方法，其中，所述半導體結構還包括多晶硅柵極、柵絕緣層、 柵極線和接觸孔。
[0023] 所述的顯示器件制備方法，其中，采用包含有乙醇胺的化學清洗液進行所述濕法 刻蝕。
[0024] 所述的顯示器件制備方法，其中，所述化學清洗液中還包含有二甲基亞砜；
[0025] 所述的顯示器件制備方法，其中，所述化學清洗液中還包含有二乙二醇丁醚。
[0026] 所述的顯示器件制備方法，其中，所述化學清洗液中還包含有二甲基乙酰胺。
[0027] 所述的顯示器件制備方法，其中，采用包含有氫氟酸的化學清洗液進行所述濕法 刻蝕。
[0028] 所述的顯示器件制備方法，其中，所述透明電極的材質為氧化銦錫。
[0029] 所述的顯示器件制備方法，其中，所述對所述有機聚合物層進行所述濕法刻蝕時， 還伴隨有大氣電漿刻蝕工藝。
[0030] 所述的顯示器件制備方法，其中，所述有機聚合物層覆蓋于所述平坦化層的上表 面以及每個所述開口圖形的底部和側壁表面。
[0031] 上述技術方案具有如下優(yōu)點或有益效果：
[0032] 本發(fā)明方法通過濕法刻蝕的方法來去除超高開口率顯示器件制備工藝中產(chǎn)生的 再沉積的有機聚合物層，與傳統(tǒng)技術相比，本發(fā)明方法中并不需要使用干法刻蝕機臺，從而 使得工藝設備的建制費用投入大大降低。另外，采用本發(fā)明的方法將有機聚合物層去除的 同時還對器件結構的表面進行了清洗，所以當進行后續(xù)透明電極的沉積制備工藝前不需要 再進行預清洗，從而減少了工藝流程數(shù)量，進而簡化了工藝流程。
【附圖說明】
[0033] 參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和 闡述，并不構成對本發(fā)明范圍的限制。
[0034] 圖1是本發(fā)明方法實施例中從平坦化層工藝至電極沉積工藝之間的流程示意圖；
[0035] 圖2~圖7是本發(fā)明方法實施例中經(jīng)過不同工藝步驟后所形成的器件結構示意 圖；
[0036] 圖8是本發(fā)明方法另一實施例中從平坦化層工藝至電極沉積工藝之間的流程示 意圖。
【具體實施方式】
[0037] 本發(fā)明提供一種高開口率顯示器件制備工藝中有機聚合物的去除方法，本發(fā)明可 應用于任何會形成有機聚合物的高開口率或者超高開口率的顯示器件的制備工藝中，如低 溫多晶硅器件（LTPS)、薄膜晶體管器件（TFT)、液晶顯示器件（LCD)或主動式有機致電發(fā)光 顯示器（AMOLED)的制備工藝等。
[0038] 本發(fā)明的中心思想是在去除有機聚合物時，通過采用化學清洗液（chemical base treatment)處理工藝完全或部分取代以下兩個工藝步驟：
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