專利名稱：：半導體封裝用環(huán)氧樹脂組合物的制備工藝的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種環(huán)氧樹脂組合物的生產(chǎn)工藝，特別是一種半導體封裝用環(huán)氧樹脂組合物的制備工藝。
背景技術：
：隨著半導體技術的快速發(fā)展，半導體器件的封裝也向大型化、薄型化和多引腳化發(fā)展，使用以住工藝制備的塑封料產(chǎn)生了一些問題。使用以往塑封料在成型過程中往往充填不充分，在封裝器件上容易產(chǎn)生氣孔，還有隨著封裝的薄型化和多引腳化，對于芯片和金絲在成型中的偏移量要求很小，因此用以往的半導體封裝用的環(huán)氧樹脂組合物就難以適應。傳統(tǒng)塑封料的生產(chǎn)工藝是通過雙輥混煉機或螺桿擠出機塑化后冷卻粉碎成平均直徑4匪左右的顆粒，然后進行粉未成型所需的餅塊。由于樹脂組合物在雙輥混煉機或螺桿擠出機塑化過程混煉程度和停留時間不同，得到的產(chǎn)品固化程度的均勻性很差，出現(xiàn)完全固化的不熔顆粒也無法避免，顆粒直徑一旦大于集成電路封裝模具注膠口將出現(xiàn)堵塞流道產(chǎn)生注不滿現(xiàn)象。同時在快速的注塑過程中顆粒狀的不熔物很容易集成電路金絲變形的沖絲現(xiàn)象。直徑4匪的顆粒很難保證混合均勻，同一塊成型料中環(huán)氧樹脂粘度分布也極不均勻，粘度大的顆粒也容易使電路金絲變形。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種工藝簡單合理的半導體封裝用環(huán)氧樹脂組合物的制備工藝，采用該工藝制得的成品可解決大規(guī)模集成電路封裝過程中出現(xiàn)的注不滿、沖絲現(xiàn)象，提高封裝的成品率。本發(fā)明所要解決的技術問題是通過以下的技術方案來實現(xiàn)的。本發(fā)明是一種半導體封裝用環(huán)氧樹脂組合物的制備工藝，其特點是，將環(huán)氧樹脂組合物原料用混合機混合均勻，然后在熱輥上或在捏合機中進一步熔融捏合，然后進行壓片制成片狀料，片狀料冷卻后粉碎至粒徑不大于4mm的顆粒狀料，然后將顆粒狀料投入球磨機中進行球磨，得到直徑小于200um的粉狀料，最后將粉狀料混合均勻后進行打餅成型，即得成品。本發(fā)明的制備工藝所涉及的環(huán)氧樹脂組合物可以使用公知的用于半導體封裝的環(huán)氧組合物配比，包括的主要成份為(A)環(huán)氧樹脂，(B)酚醛樹脂固化劑，(C)無機填料，(D)阻燃劑，(E)固化促進劑，(F)必要的各種添加劑。本發(fā)明工藝制備的環(huán)氧塑封料用于半導體器件的封裝，具有流動性好，粘度低等特點，在封裝過程中具有低的熔融粘度，可以有效地封裝半導體器件而不會造成缺封和金絲引線變形。封裝的半導體器件可靠性強。由于直徑很小，所以產(chǎn)品的混合均勻性很好，即使出現(xiàn)不熔物也因小于模具注膠口而能順利地注塑，同時小直徑的不熔顆粒對集成電路金絲沖力大大減少。所以使用本工藝制備的環(huán)氧塑封料避免了集成電路封裝過程中的注不滿和沖絲現(xiàn)象。具體實施例方式以下進一步描述本發(fā)明的具體技術方案，以便于本領域的技術人員進一步地理解本發(fā)明，而不構(gòu)成對其權利的限制。實施例1。一種半導體封裝用環(huán)氧樹脂組合物的制備工藝，將環(huán)氧樹脂組合物原料混合后進行混煉、壓片制成片狀料，片狀料冷卻后粉碎至粒徑為4mm的顆粒狀料，然后將顆粒狀料投入球磨機中進行球磨，得到直徑小于400um的粉狀料，最后將粉狀料混合均勻后進行打餅成型，即得成品。實施例2。一種半導體封裝用環(huán)氧樹脂組合物的制備工藝，將環(huán)氧樹脂組合物原料混合后進行混煉、壓片制成片狀料，片狀料冷卻后粉碎至粒徑小于4mm的顆粒狀料，然后將顆粒狀料投入球磨機中進行球磨，得到直徑小于200um的粉狀料，最后將粉狀料混合均勻后進行打餅成型，即得成品。實施例3。比較實驗及其結(jié)果。比較例1:采用實施例1所述的技術方案。比較例2:—種半導體封裝用環(huán)氧樹脂組合物的制備工藝，將環(huán)氧樹脂組合物原料混合后進行混煉、壓片制成片狀料，片狀料冷卻后粉碎至粒徑小于4mm的顆粒狀料，最后將顆粒狀料混合均勻后進行打餅成型，即得成品。以下比較例1與比較例2制備工藝中所述的環(huán)氧樹脂組合物的配比為線型鄰甲酚醛環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當量205):100線型酚醛樹脂(酚羥基當量107)溴化環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當量400)三氧化銻有機硅偶聯(lián)劑:2:1:1:6005010巴西蠟碳黑三苯基膦硅微粉:5:3試。2、螺旋流動長度SF:稱取15克的樣品(粉料)，在流動模具溫度為(175±2°C)、注塑壓力為70Kg/cm^合模壓力為21Mpa(210Kg/cm2)、注塑速度為6cm/sec的條件下，在模具中成型、固化23分鐘測得。3、內(nèi)部和外部氣孔使用超音探傷儀計算內(nèi)部氣孔數(shù)，肉眼觀察外部氣孔數(shù)4、金絲變形通達X-射線分析儀觀察金絲是否變形。模封10次結(jié)果見下表用下述方法進行測試1、凝膠化時間GT:取約2克的樣品(粉料)，放在電加熱盤上(175±2°C)進行領<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>權利要求一種半導體封裝用環(huán)氧樹脂組合物的制備工藝，其特征在于，將環(huán)氧樹脂組合物原料用混合機混合均勻，然后在熱輥上或在捏合機中進一步熔融捏合，再進行壓片制成片狀料，片狀料冷卻后粉碎至粒徑不大于4mm的顆粒狀料，然后將顆粒狀料投入球磨機中進行球磨，得到直徑小于200um的粉狀料，最后將粉狀料混合均勻后進行打餅成型，即得成品。全文摘要本發(fā)明是一種半導體封裝用環(huán)氧樹脂組合物的制備工藝，其特征在于，將環(huán)氧樹脂組合物原料混合后進行混煉、壓片制成片狀料，片狀料冷卻后粉碎至粒徑不大于4mm的顆粒狀料，然后將顆粒狀料投入球磨機中進行球磨，得到直徑小于200um的粉狀料，最后將粉狀料混合均勻后進行打餅成型，即得成品。本發(fā)明工藝制備的環(huán)氧塑封料用于半導體器件的封裝，具有流動性好，粘度低等特點。由于直徑很小，所以產(chǎn)品的混合均勻性很好，即使出現(xiàn)不熔物也因小于模具注膠口而能順利地注塑，同時小直徑的不熔顆粒對集成電路金絲沖力大大減少。所以使用本工藝制備的環(huán)氧塑封料避免了集成電路封裝過程中的注不滿和沖絲現(xiàn)象。文檔編號B29B9/02GK101758570SQ200810243278公開日2010年6月30日申請日期2008年12月23日優(yōu)先權日2008年12月23日發(fā)明者單海麗,周佃香,宋迪,張桂英申請人:張桂英