專利名稱：半導體模塊的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體模塊，該半導體模塊具有將在金屬板上搭載有半導體芯片的結構密封在模塑層中的結構。
背景技術：
一般情況下，設為具有如下結構的半導體模塊:其在使用半導體芯片時，將在金屬板上搭載有半導體芯片的結構密封在絕緣性模塑樹脂層中，并從模塑樹脂層導出作為端子的引線。也存如下的高功能的半導體模塊，其在單個模塑樹脂層中搭載有多個半導體芯片。尤其是，在IPMdntelligent Power Module:智能功率模塊)中，同時使用在大功率的控制中使用的功率半導體芯片、以及進行此控制的控制用IC芯片。功率半導體芯片僅單純地進行電流的導通/截止的開關動作，與此相對，控制用IC芯片例如在功率半導體芯片的動作中發(fā)生異常(例如，溫度上升和過電流等)時，進行適當?shù)乜刂乒β拾雽w芯片的動作。圖6示出這種半導體模塊的結構的一個例子的從上面觀察的透視圖。在該半導體模塊中，在長條的矩形體形狀的模塑樹脂層11中設置有多個下墊板。在該結構中，4個功率半導體芯片12搭載于下墊板13，并在圖中下側，在左右方向上并列配置，3個控制用IC芯片14搭載于下墊板15，并在圖中上側，在左右方向上并列配置。引線16設置成在上側有6根，下側有8根，從模塑樹脂層11導出。引線16之中的一部分與相鄰的下墊板13、15 —體化，其余與下墊板13、15絕緣。為了使這些構成期望的電氣電路，功率半導體芯片12、控制用IC芯片14中的電極、下墊板13、15、各引線16之間、或者下墊板13、15與各引線16等之間使用細的鍵合線17連接。鍵合線17也密封在模塑樹脂層11之中。此處，尤其是由于功率半導體芯片12的動作時的發(fā)熱量大，因此，需要經(jīng)由下墊板13進行其散熱。因此，尤其是在4個下墊板13的下表面接合散熱板18,在該半導體模塊的下表面?zhèn)?散熱板18的下表面露出。另一方面，由于控制用IC芯片14的發(fā)熱量小，因此，3個下墊板15也有時搭載于絕緣性的陶瓷基板。在制造該結構的半導體模塊時，首先，在圖6中制造形成了模塑樹脂層11以外的結構。之后，使用傳遞模塑法使模塑樹脂層11形成為期望的形狀(模塑步驟)。在傳遞模塑法中，在模具中固定上述結構，在液態(tài)狀態(tài)下從澆口(樹脂材料的注入口)注入用于構成模塑樹脂層11的樹脂材料(熱硬化性樹脂)。之后，通過使該樹脂材料硬化而成為模塑樹脂層
11。為了提高生產率，要求樹脂材料的注入速度足夠高。但是，在如上所述地將傳遞模塑法應用于連接有多個鍵合線17的結構的情況下，例如，此時會產生如下等的問題:鍵合線17變形，與相鄰的其他鍵合線17接觸。為了應對該問題，需要如下等的對策:例如，在使用細的金線作為鍵合線17的情況下，涂布金線并機械地增強后使用。與此相對，在專利文獻I記載的制造方法中，首先，使用比上述金線粗，具有高的機械強度，并能流過大電流的鋁制的線作為在圖6中的下半部分的結構(與功率半導體芯片12相關的一側)中連接的鍵合線17。另一方面，使用與以往相同的細的金線作為在上半部分的結構(與控制用IC芯片14相關的一側)中連接的鍵合線17。在此基礎上，在傳遞模塑中，在圖6中的下側中央設置澆口，如圖6中的箭頭所示地從圖中的下側向上側注入液體狀的樹脂材料。此時，樹脂材料滲透的速度(所注入的樹脂材料的前端在模具內移動的速度)調整為在圖6的下半部分中,例如高達6mm/sec左右，并且在上半部分中，低至0.3mm/sec左右。在該結構中，樹脂材料的前端在下半部分的區(qū)域中移動時，粗的鋁制的鍵合線17不易變形，并且，樹脂材料的前端在上半部分的區(qū)域中移動時，注入速度下降，因此，細的金制的鍵合線17容易變形。為此，不對鍵合線17實施特別的加工，并且使用簡單的制造方法將解決上述問題。此外，由于在圖6的結構中大電流僅在下半部分中流過，因此，如上所述，即便在分開使用2種作為鍵合線17的情況下，也不會對IPM的功能造成不良影響。另一方面，存在如下的情況:在該半導體模塊中，要求在搭載功率半導體芯片12的下墊板13與半導體模塊的下表面(在使用該半導體模塊時固定的一側)之間的絕緣性。即便在該情況下，尤其需要經(jīng)由下墊板13、散熱板18進行來自功率半導體芯片12的散熱。此時，需要使下墊板13經(jīng)由絕緣層與散熱板18接合，使該散熱板18在半導體模塊的背面露出。專利文獻2中記載了此種半導體模塊的結構、制造方法。圖7 (a)是此種情況下的半導體模塊的圖6中的T 一 T方向的剖視圖。此處，多個下墊板13經(jīng)由絕緣性樹脂層20與單個散熱板18接合。此處，一般情況下，樹脂材料適于進行此種接合，但是，由于其導熱率比構成下墊板13等的金屬低，并且絕緣耐壓也不充分。因此，使用以高濃度添加由導熱率和絕緣性高于樹脂材料的無機材料(二氧化硅、氧化鋁等)構成的填充劑的樹脂材料作為構成絕緣性樹脂層20的材料。在制造該半導體模塊時，首先，在散熱板18的上表面形成沒有硬化的狀態(tài)的絕緣性樹脂層20，將搭載有功率半導體芯片12的下墊板13的下表面壓接在絕緣性樹脂層20之上。之后，通過傳遞模塑法，在模具中固定該結構后注入液態(tài)的模塑材料并使其硬化，形成模塑樹脂層11。通過設定成在模塑材料硬化時，同時絕緣性樹脂層20也硬化，能夠容易地制造出使下墊板13與散熱板18之間的絕緣性變高的半導體模塊。另外，實際上在制造該半導體模塊時，多個下墊板13、15、引線16設置為經(jīng)由連接部一體化而成的引線框架。此外，實際上為了按照排列了多個半導體模塊的形狀制造，使用與該排列對應的引線框架。在形成了模塑樹脂層11之后，通過切斷連接部，獲得各個半導體模塊。專利文獻I國際公開公報W098/24122號專利文獻2日本特開2004-165281號公報此處，對于硬化前的絕緣性樹脂層20壓接多個下墊板13。由于在該階段，絕緣性樹脂層20是沒有硬化的狀態(tài)，因此，在壓接后的形式中，實際上如圖7的(a)所示，下墊板13嵌入到絕緣性樹脂層20中，并形成絕緣性樹脂層20在下墊板13間突出的絕緣性樹脂層突起部21。該絕緣性樹脂層突起部21為沿著下墊板13間的空隙的形式。絕緣性樹脂層突起部21的高度取決于絕緣性樹脂層20的材料、下墊板13的間隔、制造條件等，但是，例如，有時在該間隔為250 u m左右，下墊板13下的絕緣性樹脂層20的厚度在100 u m左右的情況下，也會變成與該厚度同等程度的100 左右。由于構成這樣的絕緣性樹脂層20的材料的導熱率高于在周圍形成的模塑樹脂層11，因此，從散熱這一觀點來看，優(yōu)選形成絕緣性樹脂層突起部21。此外，即便在提高下墊板13與絕緣性樹脂層20之間的密接性這一方面中，此種形狀也有效。但是，在形成模塑樹脂層11時應用了傳遞模塑法的情況下，絕緣性樹脂層突起部21成為液態(tài)的模塑材料流動時的障礙?；蛘撸嬖谌缦碌那闆r:在液態(tài)的模塑材料流動時，絕緣性樹脂層20在尚未硬化時，由于來自模塑材料的壓力，如圖7的(b)所示，絕緣性樹脂層突起部21傾倒。在此種情況下，產生了如下等問題:鍵合線17由此受到不良影響，在傾倒的絕緣性樹脂層突起部21的下部不填充模塑材料，而是在模塑樹脂層11中形成空洞。進而，也存在如下的情況:絕緣性樹脂層突起部21從絕緣性樹脂層20斷開后脫離，給鍵合線17和功率半導體芯片12等帶來不良影響。S卩，通過簡單的制造方法很難獲得具有電浮的金屬板在模塑層的一面露出的結構、且可靠性高的半導體模塊。

實用新型內容本實用新型鑒于該問題點而提出，其目的在于提供一種解決上述問題點的實用新型。本實用新型為了解決上述課題，設為下述所述的結構。本實用新型的半導體模塊，其被構成為，將多個金屬板以其下表面隔著多層結構的絕緣性樹脂層與散熱板的上表面相對的方式與所述散熱板接合而成的結構密封于模塑樹脂層中，其中，該多個金屬板排列成一列，且在各自的上表面搭載有半導體芯片，該半導體模塊的特征在于具有:第I結構體，其在所述多個金屬板各自的上表面接合所述半導體芯片；以及第2結構體，其在所述散熱板的上表面形成了沒有硬化的絕緣性樹脂層，所述第I結構體和所述第2結構體按照如下方式接合:所述金屬板和所述絕緣性樹脂層被壓接，在相鄰的2個所述金屬板之間的空隙中，相鄰的2個所述金屬板中形成所述空隙的所述金屬板的側面被粗糙化，并且形成有所述絕緣性樹脂層局部地向上側突出的絕緣性樹脂層突起部，所述模塑樹脂層是通過按照如下方式進行傳遞模塑而形成的:將所述第I結構體和所述第2結構體接合而成的結構固定在模具中，在從澆口注入液態(tài)的模塑材料后，進行硬化，所述絕緣性樹脂層突起部被形成為，所述絕緣性樹脂層突起部的長度方向成為在所述模具中從所述澆口注入的所述模塑材料流動的方向。本實用新型的半導體模塊，其特征在于，在與所述絕緣性樹脂層突起部的長度方向垂直的方向上排列設置了多個所述澆口。本實用新型的半導體模塊，其特征在于，與多個所述金屬板對應地設置了相同數(shù)量的多個所述澆口。本實用新型的半導體模塊，其特征在于，在與所述多個金屬板排列的方向垂直的方向上從所述多個金屬板的排列離開的部位設置有電路基板，所述電路基板密封于所述模塑樹脂層中，其中，該電路基板具有在陶瓷基板上搭載有其他半導體芯片的形式，在設置有所述電路基板的一側設置了多個所述澆口。本實用新型由于如上所述地構成，因此，能夠通過簡單的制造方法獲得防止絕緣性樹脂層突起部的傾倒，具有電浮的金屬板在模塑層的一面露出的結構、且可靠性高的半導體模塊。
圖1是本實用新型的實施方式的半導體模塊的制造方法中的進行模塑步驟之前的步驟剖視圖。圖2是本實用新型的實施方式的半導體模塊的制造方法中的模塑步驟時的形式的俯視圖。圖3是示出本實用新型的實施方式的半導體模塊的制造方法中的模塑步驟時的形式的第I變形例的俯視圖U)、剖視圖(b)。圖4是示出本實用新型的實施方式的半導體模塊的制造方法中的模塑步驟時的形式的第2變形例的俯視圖。圖5是示出本實用新型的實施方式的半導體模塊的制造方法中的模塑步驟時的形式的第3變形例的俯視圖。圖6是示出普通的半導體模塊的形式的俯視圖。圖7是使用多個下墊板(金屬板)的情況的絕緣性樹脂層的形式的例子的剖視圖。標號說明11:模塑樹脂層；12:功率半導體芯片(半導體芯片)；13、15:下墊板(金屬板)；14:控制用IC芯片(其他半導體芯片)；16:引線:17:鍵合線；18:散熱板；19:陶瓷基板；20:絕緣性樹脂層；21:絕緣性樹脂層突起部；40:燒口。
具體實施方式
以下，對本實用新型的實施方式的半導體模塊的制造方法進行說明。通過該制造方法制造的半導體模塊具有與圖6等記載的半導體模塊相同的結構。此時，即便在下墊板間形成有絕緣性樹脂層突起部，也不會給絕緣性樹脂層突起部的形式帶來影響，并能夠形成模塑樹脂層。由此，能夠提高該半導體模塊的可靠性。圖1是示出該制造方法中的、制造形成模塑樹脂層前的形狀之前的制造方法的步驟剖視圖，圖2是示出在該制造方法中形成模塑樹脂層11時的形式的俯視圖。其中，在該制造方法中，對于圖6中的上半部分(具有控制用IC芯片14、下墊板15的一側)，由于與現(xiàn)有技術沒有差別，省略說明。因此，在圖1中，示出了與圖6的T 一 T截面對應的結構。首先，如圖1的(a)所示，形成在多個下墊板(金屬板)13搭載有功率半導體芯片(半導體芯片)12的結構(第I結構體)(芯片搭載步驟)。此處，形成圖6的下半部分中的模塑樹脂層11、絕緣性樹脂層20、散熱板18以外的結構。雖然在圖1的(a)中示出了各下墊板13獨立設置，但是，實際上，各下墊板13、15設為一體化而成的引線框架的形式。另外，在圖1中，省略了鍵合線17的記載。另外，也存在如下的情況:設為在陶瓷基板之上形成圖6中的下墊板15，在該下墊板15上搭載有控制用IC芯片(其他半導體芯片)的電路基板的形式。在該情況下，設為該電路基板與所述引線框架組合的形式。即便在該情況中，通過與圖6的情況相同地連接鍵合線17，形成使用了控制用IC芯片和功率半導體芯片的期望的電路。接著，如圖1的(b)所示，形成如下結構(第2結構體)，該結構在散熱板18之上通過涂布等形成了絕緣性樹脂層20 (下部結構制造步驟)。在該階段，絕緣性樹脂層20處于尚未硬化的狀態(tài)。接著，如圖1的(C)所示，將下墊板13的下表面壓接于絕緣性樹脂層20，對第I結構體和第2結構體進行接合(接合步驟)。此時，絕緣性樹脂層20沒有硬化，具有可塑性，因此，下墊板13變成嵌入到絕緣性樹脂層20中的形式，在下墊板13間的間隙中形成絕緣性樹脂層突起部21。此時，通過預先使構成該空隙(形成絕緣性樹脂層突起部21的部位)的下墊板13的側面粗糙化，能夠提高硬化后的整個絕緣性樹脂層20與下墊板13之間的密接性。能夠在引線框架的形式中進行該粗糙化處理。由于控制用IC芯片14的發(fā)熱量小，因此，無需將下墊板15的背面與絕緣性樹脂層20接合。對于使用電路基板的情況的陶瓷基板的背面也是一樣的。針對該結構，使用傳遞模塑法(模塑步驟)。圖2是示出此時的形式的俯視圖。另夕卜，此處，使用在陶瓷基板19上搭載有下墊板15的電路基板。此外，省略鍵合線17的記載。進行傳遞模塑時，圖2的結構在模具中固定，液態(tài)的模塑材料(熱硬化性樹脂)從4個澆口40注入模具中。在該模具中，澆口 40設置與下墊板13相同的數(shù)量。此外，從各澆口 40注入模塑材料的方向設為與多個下墊板13排列的方向(圖2中的左右方向)垂直的方向(圖2中的上下方向)。此外，各澆口 40設置在下墊板13所在一側的相反側(圖2中的上側)、即設置有控制用IC芯片14或者陶瓷基板19 (電路基板)的一側。在通過該結構注入了液態(tài)的模塑材料的情況下，模塑材料從各澆口 40通過下墊板15之上而在下墊板13側平行地且沿著絕緣性樹脂層突起部21的長度(延伸)方向流動。由此，特別是在下墊板13所在的一側，模塑材料從圖2中的上側朝向下側均勻地流動。因此，絕緣性樹脂層突起部21很難受到來自模塑材料的壓力。由此，能夠抑制絕緣性樹脂層突起部21的變形和破碎，在維持圖1的(c)的狀態(tài)下形成模塑樹脂層11。由于會抑制絕緣性樹脂層突起部21傾倒，因此也會抑制在模塑樹脂層11中形成空洞。此外，也會抑制破碎的絕緣性樹脂層突起部21給功率半導體芯片12、控制用IC芯片14、鍵合線17等帶來的不良影響。此外，由于使用多個澆口 40，能夠減小從各個澆口 40注入的模塑材料的壓力，并能夠在降低對鍵合線17的不良影響的基礎上，提高模塑材料向整個模具的注入速度。由此，也能夠提高生產效率。之后，通過短時間的熱處理(前硬化:預備硬化)使模塑樹脂層11的形狀穩(wěn)定后，通過進行長時間的熱處理(后硬化)，使模塑樹脂層11以及絕緣性樹脂層20 (絕緣性樹脂層突起部21)同時硬化。關于此點，與專利文獻2記載的技術相同。不過，也可以在接合步驟后且模塑步驟前，進行相同的熱處理而使絕緣性樹脂層20 (絕緣性樹脂層突起部21)硬化。之后，在模塑樹脂層11等硬化形成后，通過在模塑樹脂層11的外側適當切斷引線框架，從而，得到半導體模塊。另外，雖然在上述的例子中假設制造I個半導體模塊，但是，使用與排列有多個半導體模塊的形式對應的大的引線框架，在形成了各半導體模塊中的模塑樹脂層11之后，通過適當?shù)厍袛嘣摯蟮囊€框架，能夠同時制造多個半導體模塊。此時，散熱板18也能夠設為與該大的引線框架對應的形式。此時，由于在下墊板15間形成有導熱率高于模塑樹脂層11的絕緣性樹脂層突起部21，因此，功率半導體芯片12的散熱特性提高。此外，關于抑制在模塑樹脂層11中形成空洞、在下墊板15的下部中的絕緣性樹脂層20中形成空洞，與專利文獻2記載的情況相同。由此，能夠提高該半導體模塊的可靠性。此外，如上所述，能夠容易地執(zhí)行該制造方法。即，能夠容易地制造出可靠性高的半導體模塊。另外，也能夠使上述結構中的絕緣性樹脂層20為雙層結構。此時，在圖1的(b)的狀態(tài)下，通過設為下層已硬化的狀態(tài)，僅上層沒有硬化的狀態(tài)，在對第I結構體進行壓接時，抑制絕緣性樹脂層20比其下層變薄。由此，通過該下層維持絕緣性樹脂層20的絕緣性，抑制由于壓接使絕緣性樹脂層20變薄且絕緣性下降。此外，此時，尤其能夠將流動性高的粘接層用作上層。此時，尤其能夠容易地形成絕緣性樹脂層突起部21。也能夠使絕緣性樹脂層20為三層以上的層疊結構，此時，至少通過設為使最下層硬化，使最上層不硬化的狀態(tài)，從而，能夠實現(xiàn)與上述相同的結構。另外，為了在下墊板間的空隙中形成絕緣性樹脂層突起部，例如，優(yōu)選設下墊板厚度/絕緣性樹脂層厚度為1.0 8.0的范圍?；蛘?，在如上所述地使絕緣性樹脂層20為雙層結構的情況下，優(yōu)選設下墊板厚度/粘接厚度為0.6 3.0倍的范圍。此外，優(yōu)選設空隙/下墊板厚度為0.6 2.0的范圍。在上述的例子中，雖然以液態(tài)的模塑材料沿著絕緣性樹脂層突起部21延伸的方向流動的方式并行使用多個澆口，但是，如果是液態(tài)的模塑材料同樣地流動的結構，則無需使用多個澆口 40?；蛘?，無需使用與下墊板相同數(shù)量的澆口 40。圖3是示出在針對具有2個下墊板15的半導體模塊的模塑步驟中僅使用I個澆口 40的情況的結構的俯視圖(a)、在該情況下制造的半導體模塊的剖視圖(A — A方向)。另外，此處，省略了鍵合線17的記載。此處，不使用圖6中的上半部分的結構(控制用IC芯片14、下墊板15等)，并且，絕緣性樹脂層突起部21僅形成有I列。即便在此種結構中，尤其也能夠設為如下的狀況，通過使?jié)部?0配置于在絕緣性樹脂層突起部21的長度方向中離開的位置，從而，使模塑材料沿著絕緣性樹脂層突起部21的長度方向流動。此外，圖4是示出在制造與圖3相同的結構的半導體模塊的情況中使用2個澆口40的情況的結構的俯視圖。在此種情況中，也能夠設為如下的狀況，通過在絕緣性樹脂層突起部21的兩側并列配置2個澆口 40，從而，使模塑材料沿著絕緣性樹脂層突起部21的長度方向流動。此時，多個澆口 40優(yōu)選配置在與絕緣性樹脂層突起部21的長度方向垂直的方向(在圖4中的左右方向)?；蛘?，很明顯，即便在圖6的結構中控制用IC芯片14側的結構改變，只要模塑材料沿著絕緣性樹脂層突起部21的長度方向流動，則在模塑材料沿著絕緣性樹脂層突起部21的長度方向流動的情況下，實現(xiàn)相同的效果。圖5是示出在圖6的結構中沒有使用控制用IC芯片14側的陶瓷基板19的情況中的模塑步驟中的形式的俯視圖。即便在此種情況中，也能夠設為如下的狀況，通過圖示的澆口 40的配置，使模塑材料沿著絕緣性樹脂層突起部21的各自的長度方向流動。另外，如上所述，絕緣性樹脂層突起部21的結構(尤其在其長度方向)通過多個下墊板13的結構確定，從而，澆口 40的配置確定。相反地，也可以在澆口 40的配置已預先確定的情況下，與此相應地確定多個下墊板13的結構。該設定能夠適當?shù)剡M行。此外，由于構成上述半導體模塊的要素，即，下墊板13、絕緣性樹脂層20、模塑樹脂層11的熱膨脹系數(shù)大不相同。因此，通過由使用該半導體模塊時的導通/截止進行的冷熱循環(huán)，容易在下墊板13、絕緣性樹脂層20、模塑樹脂層11之間產生剝離。此點在使用下墊板13、絕緣性樹脂層20、模塑樹脂層11其中之一的熱膨脹系數(shù)大不相同的陶瓷基板19(電路基板)的情況下更加顯著。與此相對，在上述制造方法中，能夠在形成了絕緣性樹脂層突起部21的狀態(tài)下，通過傳遞模塑法形成模塑樹脂層11，制造半導體模塊。該形式的半導體模塊成為如下的形式，具有絕緣性樹脂層突起部21的絕緣性樹脂層20和模塑樹脂層11在其間夾住下墊板13等而嵌合。因此，這些之間的密接性增高，即便在使用時的冷熱循環(huán)時，也很難在這些之間產生剝離。從此觀點也能夠得到可靠性高的半導體模塊。此點尤其在使用了陶瓷基板19(電路基板)的情況下更加顯著。不過，在使用較便宜的樹脂基板取代陶瓷基板的情況下也是一樣。另外，在上述制造方法中，雖然是在接合步驟之前進行了芯片搭載步驟，但是，也能夠在將功率半導體芯片等搭載到下墊板之前進行接合步驟，在接合后搭載功率半導體芯片等，之后，進行模塑步驟。此時，能夠抑制在接合步驟時對功率半導體芯片等施加的壓力。此外，很明顯，只要在形成了絕緣性樹脂層突起部之后進行模塑步驟，則上述結構是有效的。
權利要求1.一種半導體模塊，其被構成為，將多個金屬板以其下表面隔著多層結構的絕緣性樹脂層與散熱板的上表面相對的方式與所述散熱板接合而成的結構密封于模塑樹脂層中，其中，該多個金屬板排列成一列，且在各自的上表面搭載有半導體芯片， 該半導體模塊的特征在于具有: 第I結構體，其在所述多個金屬板各自的上表面接合所述半導體芯片；以及 第2結構體，其在所述散熱板的上表面形成了沒有硬化的絕緣性樹脂層， 所述第I結構體和所述第2結構體按照如下方式接合:所述金屬板和所述絕緣性樹脂層被壓接，在相鄰的2個所述金屬板之間的空隙中，相鄰的2個所述金屬板中形成所述空隙的所述金屬板的側面被粗糙化，并且形成有所述絕緣性樹脂層局部地向上側突出的絕緣性樹脂層突起部， 所述模塑樹脂層是通過以如下方式進行傳遞模塑而形成的:將所述第I結構體和所述第2結構體接合而成的結構固定在模具中，在從澆口注入液態(tài)的模塑材料后，進行硬化， 所述絕緣性樹脂層突起部被形成為，所述絕緣性樹脂層突起部的長度方向成為在所述模具中從所述澆口注入的所述模塑材料流動的方向。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于， 在與所述絕緣性樹脂層突起部的長度方向垂直的方向上排列設置了多個所述澆口。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體模塊，其特征在于， 與多個所述金屬板對應地設置了相同數(shù)量的多個所述澆口。
4.根據(jù)權利要求2所述的半導體模塊，其特征在于， 在與所述多個金屬板排列的方向垂直的方向上從所述多個金屬板的排列離開的部位設置有電路基板，所述電路基板密封于所述模塑樹脂層中，其中，該電路基板具有在陶瓷基板搭載有其他半導體芯片的形式， 在設置有所述電路基板的一側設置了多個所述澆口。
5.根據(jù)權利要求3所述的半導體模塊，其特征在于， 在與所述多個金屬板排列的方向垂直的方向上從所述多個金屬板的排列離開的部位設置有電路基板，所述電路基板密封于所述模塑樹脂層中，其中，該電路基板具有在陶瓷基板上搭載有其他半導體芯片的形式， 在設置有所述電路基板的一側設置了多個所述澆口。
專利摘要本實用新型提供半導體模塊，其通過簡單的制造方法獲得，并具有電浮的金屬板在模塑層的一面露出的結構且可靠性高。模塑材料從各澆口(40)通過下墊板(15)之上后，在下墊板(13)側平行地且沿著絕緣性樹脂層突起部(21)的長度方向流動。由此，尤其是在下墊板(13)所在的一側，模塑材料從圖2中的上側朝向下側均勻地流動。因此，絕緣性樹脂層突起部(21)很難受到來自模塑材料的壓力。由此，能夠抑制絕緣性樹脂層突起部(21)的變形，在維持原本的狀態(tài)下形成模塑樹脂層(11)。
文檔編號B29C45/14GK203038909SQ20132002211
公開日2013年7月3日 申請日期2013年1月16日 優(yōu)先權日2012年9月28日
發(fā)明者谷澤秀和 申請人:三墾電氣株式會社