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      曲面衍射光柵的制造方法、曲面衍射光柵的模具以及使用該曲面衍射光柵的模具的曲面...的制作方法

      文檔序號:4450322閱讀:582來源:國知局
      曲面衍射光柵的制造方法、曲面衍射光柵的模具以及使用該曲面衍射光柵的模具的曲面 ...的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供高精度地制成具有所希望的曲率的曲面衍射光柵。一種曲面衍射光柵的制造方法,具有:在平板狀的硅基板(2)上形成衍射光柵圖案(20)的步驟;在加熱的狀態(tài)下向形成有上述衍射光柵圖案的硅基板(2)按壓具有所希望的曲面形狀的固定基板(3)而使上述硅基板曲面化,并且在具有上述曲面形狀的固定基板(3)上固定具有上述衍射圖案的硅基板(2)來制作曲面衍射光柵的模具(1)的步驟;以及使具有柔軟性的部件與上述曲面衍射光柵的模具接觸來在該部件上轉印衍射光柵圖案的步驟。
      【專利說明】曲面衍射光柵的制造方法、曲面衍射光柵的模具以及使用該曲面衍射光柵的模具的曲面衍射光柵

      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明涉及使光分光、聚光的曲面衍射光柵的制造方法、以及用于進行該制造的曲面衍射光柵的模具。

      【背景技術】
      [0002]分光光度計的曲面衍射光柵具有光的分光、聚光這兩個性能,能夠減少部件件數(shù),而能夠使裝置的結構簡單。以往,對于曲面衍射光柵而言,利用以刻線機等機械來在曲面基板刻印的方法制成衍射光柵的模具,通過將刻印的圖案轉印于樹脂、金屬等,來制造曲面衍射光柵。
      [0003]作為曲面衍射光柵的制成方法,專利文獻I中公開了如下方法,即,利用半導體的光刻技術、離子束蝕刻工藝,來制作凹面閃光型衍射光柵。
      [0004]專利文獻2中將如下部件設為模具,該部件通過在樹脂、金屬薄膜等柔軟的材料上形成衍射光柵圖案并將其貼附于彎曲成規(guī)定的曲率的基板而成。而且,使該模具與固化前的液狀的曲面衍射光柵材料接觸,而使之固化,從而制成曲面衍射光柵。
      [0005]專利文獻3中公開了如下技術,S卩,在具有柔軟性的基板上層疊使用了反應固化型樹脂的復制層(衍射光柵部分),并利用反應固化型樹脂的固化收縮來使平面衍射光柵曲面化。
      [0006]專利文獻4中公開了如下技術,S卩,將平面衍射光柵基板轉印于撓性的材料上,并將其固定于曲面基板,從而形成曲面衍射光柵的模具。
      [0007]專利文獻5中公開了如下X射線反射鏡作成方法,其具有如下工序:使硅基板的表面平滑化為能夠用于X射線的反射的程度的平滑化工序;利用具有規(guī)定的曲面形狀的母模具對上述硅基板施加壓力以及熱使之塑性變形,而使上述硅基板的表面成為規(guī)定的曲面形狀的塑性變形工序。
      [0008]現(xiàn)有技術文獻
      [0009]專利文獻
      [0010]專利文獻1:國際公開第W008/081555號
      [0011]專利文獻2:日本特開昭61-72202號公報
      [0012]專利文獻3:日本特開平8-29610號公報
      [0013]專利文獻4:日本特開平9-5509號公報
      [0014]專利文獻5:日本特開2010-25723號公報


      【發(fā)明內容】

      [0015]發(fā)明所要解決的課題
      [0016]上述衍射光柵的制造方法中,專利文獻I所公開的使用半導體工藝的曲面衍射光柵的制造方法難以正確地制成衍射光柵的圖案。
      [0017]專利文獻2至專利文獻4所記載的技術中,均在形成衍射光柵的圖案的階段中使用具有柔軟性的部件,從而圖案精度降低。
      [0018]另外,專利文獻5中記載了使硅基板塑性變形的方法,但卻是涉及X射線反射鏡的發(fā)明,若用于衍射光柵的制造,則在高溫、氫氣氛下,硅制衍射光柵的圖案也平滑化。而且,硅制平面衍射光柵的曲面化需要使用塑性變形,在位錯線的產生、或者曲面相對于固定基板的固定中,產生空隙等,而表面精度降低。
      [0019]本發(fā)明的目的在于解決上述課題,且高精度地制成具有所希望的曲率的曲面衍射光柵。
      [0020]用于解決課題的方案
      [0021]為了解決上述課題,例如采用技術方案的范圍所記載的結構。
      [0022]本申請包括多個解決上述課題的方案,舉出其中一個例子,一種曲面衍射光柵的制造方法,其具有:在平板狀的硅基板上形成衍射光柵圖案的步驟;在加熱的狀態(tài)下向形成有上述衍射光柵圖案的硅基板按壓具有所希望的曲面形狀的固定基板而使上述硅基板曲面化,并且在具有上述曲面形狀的固定基板上固定具有上述衍射圖案的硅基板來制作曲面衍射光柵的模具的步驟;以及使具有柔軟性的部件與上述曲面衍射光柵的模具接觸,來在該部件上轉印衍射光柵圖案的步驟。
      [0023]另外,舉出其它例子,一種曲面衍射光柵的制造方法,具有:在平板狀的硅基板上成膜氧化硅或者氮化硅的步驟;在上述氧化硅或者氮化硅上形成衍射光柵圖案的步驟;在加熱的狀態(tài)下向形成有上述衍射光柵圖案的硅基板按壓具有所希望的曲面形狀的曲面基板而使上述硅基板曲面化的步驟;在具有曲面的固定基板上固定上述曲面化后的硅基板,來制作曲面衍射光柵的模具的步驟;以及使具有柔軟性的部件與上述曲面衍射光柵的模具接觸,來在該部件上轉印衍射光柵圖案的步驟。
      [0024]并且,舉出其它例子,一種曲面衍射光柵的模具,用于與具有柔軟性的部件接觸來制造曲面衍射光柵,使形成有衍射光柵圖案的平板狀的硅基板曲面化,并固定在具有所希望的曲面形狀的固定基板上。
      [0025]發(fā)明的效果如下。
      [0026]根據(jù)本發(fā)明,通過使以半導體工藝在硅基板制成的平面衍射光柵沿曲面基板塑性變形,從而能夠高精度地制成具有所希望的曲率的曲面衍射光柵。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0027]圖1是表示球面衍射光柵的模具的簡要情況的圖。
      [0028]圖2是表示環(huán)形衍射光柵的模具的簡要情況的圖。
      [0029]圖3是表示本發(fā)明的實施例1的曲面衍射光柵的模具的制造方法的圖。
      [0030]圖4是表示本發(fā)明的實施例2的曲面衍射光柵的模具的制造方法的圖。
      [0031]圖5是表示本發(fā)明的實施例3的曲面衍射光柵的模具的制造方法的圖。
      [0032]圖6是表示本發(fā)明的實施例4的曲面衍射光柵的模具的制造方法的圖。
      [0033]圖7是表示使用本發(fā)明的曲面衍射光柵的模具來制造曲面衍射光柵的方法的圖。
      [0034]圖8是表示使用曲面衍射光柵的分光光度計的一個例子的圖。

      【具體實施方式】
      [0035]以下,使用附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
      [0036]首先,對曲面衍射光柵的具體的形狀進行說明。
      [0037]〔球面衍射光柵〕
      [0038]球面衍射光柵是具有在軸向上有一樣的曲率的球面的衍射光柵。如圖1所不,曲面衍射光柵的模具I由形成有衍射光柵圖案20的硅基板2和固定基板3構成。硅基板2和固定基板3通過直接接合、陽極接合、金屬共晶接合、樹脂接合等固定。通過將該曲面衍射光柵的模具I轉印于樹脂、金屬薄膜,來制成曲面衍射光柵。
      [0039]〔環(huán)形衍射光柵〕
      [0040]環(huán)形衍射光柵是與球面衍射光柵不同地具有在軸向上曲率不同的環(huán)形面的衍射光柵。如圖2所示,曲面衍射光柵的模具I由形成有衍射光柵圖案20的硅基板2和固定基板3構成。由于使硅基板2模仿固定基板3塑性變形,所以能夠安裝于在軸向上曲率不同的環(huán)形面。硅基板2和固定基板3通過直接接合、陽極接合、金屬共晶接合、樹脂接合等固定。通過將該曲面衍射光柵的模具I轉印于樹脂、金屬薄膜,來制成曲面衍射光柵。
      [0041]接下來,對上述曲面衍射光柵的制法進行說明。以下的多個制法能夠用于以上述球面衍射光柵、環(huán)形衍射光柵為代表的曲面衍射光柵的制造方法。
      [0042]實施例1
      [0043]使用圖3對實施例1的制造曲面衍射光柵的模具I的方法進行說明。在平板狀的塊狀的硅基板2上通過半導體工藝(光刻技術、蝕刻)形成衍射光柵圖案20(圖3中(a))。在衍射光柵圖案的制成后,通過研磨,使硅基板2輕薄化至50μπι(圖3中(b))。此外,輕薄化的工序不是必須的,也可以在輕薄化后的硅基板2上形成衍射光柵圖案20。在硅基板2的形成有衍射光柵圖案20的一面的背側設置形成為所希望的曲面形狀的硅制的固定基板
      3、用于進行按壓的重物4(圖3中(C))。該狀態(tài)下,使硅處于示出粘彈性區(qū)域的高溫,并向平板狀的硅基板2按壓固定基板3,從而使硅基板2塑性變形(圖3中(d))。此時,通過在硅基板2、固定基板3的接合面的表面預先形成羥基,能夠在塑性變形的同時接合硅基板2和固定基板3。最后,除去從固定基板3突出的部分等硅基板2不需要的部分,從而得到曲面衍射光柵的模具1(圖3中(e))。
      [0044]本實施例的特征在于,成為模具的衍射光柵圖案20是硅基板2之類的固體,在圖案形成的中途不會形變的塊上作成。由此,能夠作成圖案的形變較少的衍射光柵圖案的模具,最終能夠作成圖案的形變較少的曲面衍射光柵。另外,硅基板2的塑性變形從曲面形狀的硅制的固定基板3的中心部開始進行,同時接合也進行,從而能夠抑制空隙的產生。并且,通過使用線膨脹系數(shù)與硅基板2的線膨脹系數(shù)相同的硅制的固定基板3,能夠防止從高溫開始冷卻時的破損。
      [0045]實施例2
      [0046]使用圖4對實施例2的制造曲面衍射光柵的模具I的方法進行說明。在平板狀的娃基板2上,通過CVD (Chemical Vapor Depsit1n)法形成氧化娃膜21,并在該氧化娃膜21上,通過半導體工藝(光刻技術、蝕刻)形成衍射光柵圖案20(圖4中(a))。而且,通過研磨,使娃基板2輕薄化至50 μ m (圖4中(b))。此外,輕薄化的工序不是必須的,也可以在輕薄化后的硅基板2上形成氧化硅膜21。接下來,在硅基板2的形成有衍射光柵圖案20的一面的背側設置形成為所希望的曲面形狀的石英制的曲面基板6、用于進行按壓的重物4(圖4中(C))。該狀態(tài)下,使硅處于示出粘彈性區(qū)域的高溫以及氫氣氛下,并向平板狀的硅基板2按壓曲面基板6,從而使硅基板2塑性變形(圖4中(d))。而且,除去石英制的曲面基板6,并將耐熱玻璃制的固定基板31設置于硅基板2的背面。接下來,使硅基板2為正極,使耐熱玻璃制的固定基板31為負極,而進行陽極接合(圖4中(e))。最后,除去從固定基板31突出的部分等硅基板2不需要的部分,從而得到曲面衍射光柵的模具I (圖4中(f))。
      [0047]根據(jù)本實施例,由于在氧化硅膜21上形成衍射光柵圖案20,所以即使在氫氣氛下衍射光柵圖案20也不會平坦化。另外,由于氫透過氧化硅膜21,所以氧化硅膜21下的硅基板2表面平坦化,而能夠防止位錯線的產生。而且,通過使用該模具I而轉印于金屬膜、樹月旨,能夠制成沒有位錯線的曲面衍射光柵。
      [0048]實施例3
      [0049]使用圖5對實施例3的制造曲面衍射光柵的模具I的方法進行說明。在平板狀的娃基板2上通過CVD (Chemical Vapor Depsit1n)法形成氮化娃膜22,并在該氮化娃膜22上,通過半導體工藝(光刻技術、蝕刻)形成衍射光柵圖案20(圖5中(a))。而且,通過研磨,使娃基板2輕薄化至50 μ m(圖5中(b))。此外,輕薄化的工序不是必須的,也可以在輕薄化后的硅基板2上形成氮化硅膜22。接下來,在硅基板2的形成有衍射光柵圖案20的一面的背側設置形成為所希望的曲面形狀的石英制的曲面基板6、用于進行按壓的重物4(圖5中(C))。該狀態(tài)下,通過使硅處于示出粘彈性區(qū)域的高溫以及氫氣氛下,并向平板狀的硅基板2按壓曲面基板6,從而使硅基板2塑性變形(圖5中(d))。而且,在除去石英制的曲面基板6之后,在硅基板2的形成有衍射光柵圖案20的一面的背面,按照Cr、N1、Au的順序以濺射成膜作為反應層23(圖5中(e))。另外,在耐熱玻璃制的固定基板31上,按照Cr、N1、Au的順序以濺射形成來作為下部金屬層32,并且在其上通過鍍Au-Sn等成膜來作為粘合層33。(圖5中(f))。接下來,使硅基板2與耐熱玻璃制的固定基板31接觸,力口熱至300°C,而使粘合層33與反應層23共晶接合(圖5中(g))。最后,除去從固定基板31突出的部分等硅基板2不需要的部分,從而得到曲面衍射光柵的模具I (圖5中(h))。
      [0050]根據(jù)本實施例,與實施例2相同,由于在氮化硅膜22上形成衍射光柵圖案20,所以即使在氫氣氛下衍射光柵圖案20也不會平坦化。另外,由于氫透過氮化硅膜22,所以氮化硅膜22下的硅基板表面平坦化,而能夠抑制位錯線的產生。而且,通過使用該模具而轉印于金屬膜、樹脂,能夠制成沒有位錯線的曲面衍射光柵。
      [0051]實施例4
      [0052]使用圖6對實施例4的制造曲面衍射光柵的模具I的方法進行說明。在平板狀的塊狀的娃基板2上通過CVD (Chemical Vapor Depsit1n)法形成氧化娃膜21,并在該氧化硅膜21上,通過半導體工藝(光刻技術、蝕刻)形成衍射光柵圖案20(圖6中(a))。而且,在衍射光柵圖案制成后,通過研磨,使娃基板2輕薄化至50 μ m(圖6中(b))。此外,輕薄化的工序不是必須的,也可以在輕薄化后的硅基板2上形成氧化硅膜21。在硅基板2的形成有衍射光柵圖案20的一面的背側設置形成為所希望的曲面形狀的硅制的固定基板3、用于進行按壓的重物4(圖6中(C))。該狀態(tài)下,使硅處于示出粘彈性區(qū)域的高溫以及氫氣氛下,并向平板狀的硅基板2按壓固定基板3,從而使硅基板2塑性變形(圖6中(d))。此時,通過在硅基板2、固定基板3的接合面的表面預先形成羥基,能夠在塑性變形的同時接合硅基板2和固定基板3。最后,除去從固定基板3突出的部分等硅基板2不需要的部分,從而得到曲面衍射光柵的模具I (圖6中(e))。
      [0053]本實施例的特征在于,成為模具的衍射光柵圖案是硅基板2之類的固體,在圖案形成的中途不會形變的塊上作成。由此,能夠作成圖案的形變較少的衍射光柵圖案的模具,最終能夠作成圖案的形變較少的曲面衍射光柵。另外,硅基板2的塑性變形從曲面形狀的硅制的固定基板3的中心部開始進行,同時接合也進行,從而能夠抑制空隙的產生。通過使用線膨脹系數(shù)與硅基板2的線膨脹系數(shù)相同的硅制的固定基板3,能夠防止從高溫開始冷卻時的破損。
      [0054]另外,與實施例2、3相同,由于在氧化硅膜21上形成衍射光柵圖案20,所以即使在氫氣氛下衍射光柵圖案20也不會平坦化。另外,由于氫透過氧化硅膜21,所以氧化硅膜21下的硅基板表面平坦化,而能夠防止位錯線的產生。而且,通過使用該模具而轉印于金屬膜、樹脂,能夠制成沒有位錯線的曲面衍射光柵。
      [0055]上述的各實施例所記載的曲面衍射光柵的制造方法具有以下的特征。
      [0056]在通過高溫、施加負載來使硅基板塑性變形的工序中,將具有規(guī)定的曲面形狀的曲面基板利用為負載,使硅基板塑性變形,從而使硅基板曲面化為所希望的曲面形狀。通過將曲面化后的硅基板固定于具有曲面的固定基板,能夠制成曲面衍射光柵的模具。使該曲面衍射光柵的模具轉印于金屬膜、樹脂,從而制成曲面衍射光柵。此外,在使用較厚的硅基板的情況下,也能夠保持原樣地省略固定于固定基板的工序。
      [0057]在通過高溫、施加負載來使硅基板塑性變形的工序中,若將具有規(guī)定的曲面形狀的曲面基板利用為負載,使硅基板塑性變形,則位錯線沿結晶方位(110)產生。若在硅基板中使用(100)結晶方位則位錯線四次對稱地產生,若在硅基板中使用(111)結晶方位則位錯線六次對稱地產生。
      [0058]上述位錯線影響衍射光柵圖案,且使散射光增加。因此,通過在硅基板中使用
      (110)結晶方位,使位錯線與衍射光柵圖案平行地產生,能夠減少散射光。另外,若在硅基板中使用多晶硅,使之輕薄化、塑性變形,則位錯線隨機產生,從而能夠制成相對于散射而影響非常小的曲面衍射光柵的模具。
      [0059]以使這些位錯線的產生不影響衍射光柵圖案的方式,在單結晶硅基板上成膜氧化硅膜、氮化硅膜等非晶的膜,而在氧化硅膜、氮化硅膜上預先形成衍射光柵圖案,并通過在氫氣氛下使硅基板塑性變形,來使氧化硅膜、氮化硅膜的衍射光柵圖案不平滑化,而僅使氧化硅膜、氮化硅膜的下表面的硅表面平滑化,從而能夠制成位錯線緩和的曲面衍射光柵的模具。另外,在使硅基板塑性變形后,通過在氫氣氛下進行熱處理,也可以減少位錯線。
      [0060]在固定于固定基板的工序中,若預先使娃基板和具有曲面的固定基板的接觸界面活性化,則能夠進行直接接合,能夠在使硅基板塑性變形的同時進行固定,而能夠用相同工藝制成曲面衍射光柵的模具。由于在高溫氣氛下,同時進行塑性變形、直接接合,所以若硅基板和固定基板的線膨脹系數(shù)較大地不同,則因冷卻工序的收縮差而破損,從而選定硅基板和固定基板的線膨脹系數(shù)大致相等的材料。在硅基板上形成有平面衍射光柵的情況下,作為具有曲面的固定基板的材料,可以使用相同的硅。另外,若同時進行塑性變形和直接接合,則塑性變形從硅基板的中心開始變形,從而接合區(qū)域也從中心朝向外周進行。因此,在硅基板與固定基板之間沒有形成空隙,從而能夠表面精度良好地制成曲面衍射光柵的模具。
      [0061]在固定于固定基板的工序中,通過對塑性變形后的硅基板和固定基板進行陽極接合,能夠制成在基板內形成粘合層的曲面衍射光柵的模具。上述直接接合、陽極接合對粘合層不產生影響,從而能夠制成具有高精度的表面精度的曲面衍射光柵的模具。
      [0062]在硅基板和曲面基板的接合界面,也可以導入焊錫、粘合劑等接合部件,但與直接接合、陽極接合比較,表面精度降低。
      [0063]如以下實施例5中說明那樣,將通過上述方法制成的曲面衍射光柵的模具轉印于樹脂、金屬等,來制成曲面衍射光柵。
      [0064]實施例5
      [0065]使用圖7,對通過使用實施例1?4記載的曲面衍射光柵的模具I來在具有柔軟性的部件轉印圖案、從而制造曲面衍射光柵的方法進行說明。在曲面衍射光柵的模具1(圖7中(a))表面,形成剝離層(未圖示)、反射膜51(圖7中(b))。在反射膜51上設置液狀的固化樹脂52、基板53(圖7中(c))。在樹脂固化后,通過從曲面衍射光柵的模具I取下樹脂52、基板53,來制造曲面衍射光柵5(圖7中(d))。此外,也可以使用具有柔軟性的金屬膜來代替樹脂。另外,也可以在使用曲面衍射光柵的模具I而在樹脂52轉印衍射光柵圖案20之后,在其表面成膜反射膜51。
      [0066]實施例6
      [0067]使用圖8,對使用實施例5記載的曲面衍射光柵5的分光光度計的一個例子進行說明。來自光源71的光由射入狹縫72限制,并向能夠以軸77為中心旋轉的曲面衍射光柵5射入。射入到曲面衍射光柵5的光按照每個波長而向不同的角度衍射,特定波長的光通過射出狹縫73,由聚光透鏡74聚光,而向試料75照射。通過試料75的光的吸收,來檢測檢測部76中的光強度的變化。通過使曲面衍射光柵5以軸77為中心旋轉,來使通過射出狹縫73的光的波長變化,從而能夠檢測試料75的吸收光譜。因此,能夠測定試料75的構造吸收特性以及濃度。
      [0068]符號的說明
      [0069]I一曲面衍射光柵的模具,2—硅基板,3—固定基板,4一重物,5—曲面衍射光柵,6一曲面基板,20一衍射光柵圖案,21 一氧化娃膜,22一氮化娃膜,23一接合層,31 一耐熱玻璃制固定基板,32—下部金屬膜,33—粘合層,51—反射膜,52—樹脂,53—基板,71—光源,72—射入狹縫,73—射出狹縫,74—聚光透鏡,75—試料,76—檢測部,77—軸。
      【權利要求】
      1.一種曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于,具有: 在平板狀的硅基板上形成衍射光柵圖案的步驟; 在加熱的狀態(tài)下向形成有上述衍射光柵圖案的硅基板按壓具有所希望的曲面形狀的固定基板而使上述硅基板曲面化,并且在具有上述曲面形狀的固定基板上固定具有上述衍射圖案的硅基板來制作曲面衍射光柵的模具的步驟;以及 使具有柔軟性的部件與上述曲面衍射光柵的模具接觸,來在該部件上轉印衍射光柵圖案的步驟。
      2.根據(jù)權利要求1所述的曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于, 具有上述曲面形狀的固定基板的材料具有與形成有上述衍射光柵圖案的硅基板相同的線膨脹系數(shù)。
      3.根據(jù)權利要求2所述的曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于, 具有上述曲面形狀的固定基板的材料是硅。
      4.根據(jù)權利要求3所述的曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于, 在將上述硅基板固定于上述固定基板上時,在上述硅基板和上述固定基板的接合面的表面預先形成有羥基。
      5.根據(jù)權利要求1所述的曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于, 在上述硅基板上形成衍射光柵圖案的步驟包括:在平板狀的硅基板上成膜氧化硅或者氮化硅的步驟;和在上述氧化硅或者氮化硅上形成衍射光柵圖案的步驟, 當在加熱的狀態(tài)下向上述硅基板按壓上述固定基板而使上述硅基板曲面化時,在氫氣氛下實施。
      6.一種曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于,具有: 在平板狀的硅基板上成膜氧化硅或者氮化硅的步驟; 在上述氧化硅或者氮化硅上形成衍射光柵圖案的步驟; 在加熱的狀態(tài)下向形成有上述衍射光柵圖案的硅基板按壓具有所希望的曲面形狀的曲面基板而使上述硅基板曲面化的步驟; 在具有曲面的固定基板上固定上述曲面化后的硅基板,來制作曲面衍射光柵的模具的步驟;以及 使具有柔軟性的部件與上述曲面衍射光柵的模具接觸,來在該部件上轉印衍射光柵圖案的步驟。
      7.根據(jù)權利要求6所述的曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于, 當在加熱的狀態(tài)下向形成有上述衍射光柵圖案的硅基板按壓具有所希望的曲面形狀的曲面基板時,在氫氣氛下實施。
      8.根據(jù)權利要求6所述的曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于, 對形成上述衍射光柵圖案且曲面化后的硅基板和上述固定基板進行陽極接合。
      9.根據(jù)權利要求6所述的曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于, 通過粘合層對形成上述衍射光柵圖案且曲面化后的硅基板和上述固定基板進行接合。
      10.根據(jù)權利要求6所述的曲面衍射光柵的制造方法,其特征在于, 上述固定基板是耐熱玻璃制的。
      11.一種曲面衍射光柵的模具,用于與具有柔軟性的部件接觸來制造曲面衍射光柵,其特征在于, 使形成有衍射光柵圖案的平板狀的硅基板曲面化,并固定在具有所希望的曲面形狀的固定基板上。
      12.根據(jù)權利要求11所述的曲面衍射光柵的模具,其特征在于, 向形成有上述衍射光柵圖案的硅基板按壓具有上述所希望的曲面形狀的固定基板使之曲面化,并且在該固定基板上直接接合上述硅基板。
      13.根據(jù)權利要求11所述的曲面衍射光柵的模具,其特征在于, 通過陽極結合、金屬共晶結合或者粘合層,將曲面化后的上述硅基板固定在具有上述所希望的曲面形狀的固定基板上。
      14.根據(jù)權利要求11?13任一項中所述的曲面衍射光柵的模具,其特征在于, 形成有上述衍射光柵圖案的硅基板構成為,在硅基板上成膜氧化硅或者氮化硅,并在該膜上形成有衍射光柵圖案。
      15.—種曲面衍射光柵,其特征在于, 轉印有權利要求11?14任一項中所述的曲面衍射光柵的模具。
      【文檔編號】B29L11/00GK104335082SQ201380029764
      【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年6月3日 優(yōu)先權日:2012年6月8日
      【發(fā)明者】青野宇紀, 江畠佳定, 松井繁, 渡邊哲也, 小野田有吾 申請人:株式會社日立高新技術
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