一種微流控芯片制模工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種微流控芯片制模工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]經(jīng)典的微流控芯片制模工藝具有各種缺陷。由SU8等光刻膠制作的陽模工藝簡單，然而使用壽命有限；由硅材料和玻璃等制成的陽模壽命長，但制作工藝復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是提供一種工藝流程更簡單，制得的陽模使用壽命更長的制模工藝。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
一種微流控芯片制模工藝，包括如下步驟:
(1)圖像轉(zhuǎn)移，
(2)光學(xué)檢視，
(3)絲印字符，
(4)整平，
(5)光學(xué)檢視，
(6)終檢，
(7)真空包裝。
[0005]作為上述方案的進一步優(yōu)化，所述步驟(1)圖像轉(zhuǎn)移包括磨板、貼膜、菲林對位、曝光、顯影、圖鍛、褪膜、蝕刻。
[0006]本發(fā)明還提供了上述工藝制得的陽模，該陽模基材包括環(huán)氧樹脂和玻璃纖維，基材厚度不小于0.5_，所述基材上方覆蓋基銅，所述基銅的厚度為18um、35um或70um。
[0007]本發(fā)明的有益效果主要表現(xiàn)為:工藝流程更簡單，制得的陽模使用壽命更長。
【具體實施方式】
[0008]下面通過優(yōu)選實施例對本發(fā)明作更為具體的描述。
[0009]為了克服現(xiàn)有的微流控芯片制模工藝存在的上述缺陷，本發(fā)明使用印刷電路板(PCB)制作工藝進行陽模制造。陽模基材構(gòu)成為環(huán)氧樹脂和玻璃纖維，基材厚度> 0.5MM。基材上方覆蓋基銅。根據(jù)微流通道尺寸，基銅可選厚度分別為18μΜ，35μΜ和70μΜ。陽模生產(chǎn)基本流程總結(jié)如下:設(shè)計——CAD制圖——圖像轉(zhuǎn)移(磨板、貼膜、菲林對位、曝光、顯影、圖鍍、褪膜、蝕刻)——光學(xué)檢視——絲印字符——整平——光學(xué)檢視——終檢——真空包裝。
[0010]上面結(jié)合優(yōu)選實施方式對本發(fā)明作了詳細說明，但是本發(fā)明不限于上述實施方式，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識范圍內(nèi)，還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下做出各種變化。
[0011]不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍可以做出許多其他改變和改型。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于特定的實施方式，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項】
1.一種微流控芯片制模工藝，其特征在于，包括如下步驟: 圖像轉(zhuǎn)移， 光學(xué)檢視， 絲印字符， 整平， 光學(xué)檢視， 終檢， 真空包裝。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片制模工藝，其特征在于，所述步驟(1)圖像轉(zhuǎn)移包括磨板、貼膜、菲林對位、曝光、顯影、圖鍍、褪膜、蝕刻。3.權(quán)利要求1或2所述工藝制得的陽模，其特征在于，所述陽模基材包括環(huán)氧樹脂和玻璃纖維，基材厚度不小于0.5mm，所述基材上方覆蓋基銅，所述基銅的厚度為18um、35um或70umo
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種微流控芯片制模工藝，包括如下步驟:（1）圖像轉(zhuǎn)移，（2）光學(xué)檢視，（3）絲印字符，（4）整平，（5）光學(xué)檢視，（6）終檢，（7）真空包裝。其工藝流程更簡單，制得的陽模使用壽命更長。
【IPC分類】B29C33/38
【公開號】CN105479626
【申請?zhí)枴緾N201410477296
【發(fā)明人】何云剛, 蔣躍明
【申請人】蘇州貝和醫(yī)療科技有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2014年9月18日