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      陶瓷加熱元件的制作方法

      文檔序號:4532593閱讀:241來源:國知局
      專利名稱:陶瓷加熱元件的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      在一方面,本發(fā)明提供一種制作陶瓷加熱元件的新方法,其包括 實質(zhì)上無壓燒結(jié)成型壞體點火元件。本發(fā)明還提供一種點火元件,其 包括由本發(fā)明制造方法制得的該等元件。
      背景技術(shù)
      陶瓷材料用于點火器(如天然氣點火熔爐、火爐和干衣機等)的效果 非常好。陶瓷點火器制造過程包括由陶瓷成分構(gòu)成電路,該陶瓷成分 的一部分具有高電阻,并且其溫度在導(dǎo)線對其通電時會升高。如美國 專利第6,582,629; 6,278,087; 6,028,292; 5,801,361; 5,786,565; 5,405,237; 和5,191,508號所示。
      典型的點火器通常是矩形元件,其頂端是高電阻"熱區(qū)",底端 是一個或多個與熱區(qū)相對應(yīng)的導(dǎo)電"冷區(qū)"。目前可用的一種點火器 是Mini-Igniter ,其可購自Milord,N.H.的Norton Igniter Products,其 被設(shè)計成用在12伏(volt)至120伏的應(yīng)用,其組成包括氮化鋁("A1N")、 二硅化鉬("MoSi2")及碳化硅("SiC")。
      點火器制造方法包括間歇式處理,其中,模具上載有具至少兩種 不同電阻率的陶瓷組成物。然后,將成型壞體元件在高溫和高壓下壓 實(燒結(jié))。如上述專利及美國專利第6,184,497號所示。
      雖然該制造方法可有效地制造陶瓷點火器,但其對產(chǎn)量和成本效 率有固有的限制。
      因此,希望有新的加熱元件系統(tǒng)。尤其希望有制造陶瓷加熱元件 的新方法。亦希望有更有效的制造方法。

      發(fā)明內(nèi)容
      4在一方面,本發(fā)明提供一種新的陶瓷物件,其由一種或多種平均
      粒徑為約2.5微米(micron)或更小的陶瓷粉末所形成。
      我們發(fā)現(xiàn)由這些小粒徑陶瓷材料制成的陶瓷物件可在明顯更溫和 的條件下,包括在低于先前制程的壓力下壓實。
      另一方面,本發(fā)明提供一種陶瓷物件,其通過以多級升壓處理壞 體階段陶瓷物件而制得。優(yōu)選地為陶瓷物件先在第一壓力下處理,再 在高于第一壓力的第二壓力下處理。優(yōu)選使用氣壓燒結(jié)法進行多級壓 力壓實。
      我們發(fā)現(xiàn)多級壓力處理可在相當(dāng)溫和的條件下制得高密實度陶瓷 物件(例如密實度至少達到96%、 97%、 98%或99%)。例如,第一壓力 處理可適宜為1000英鎊/平方英寸(psi)或500英鎊/平方英寸或更小, 第二壓力處理可適宜為4000英鎊/平方英寸或更小。顯著較低的壓力也 產(chǎn)生高密實度物件,例如第一壓力為約200英鎊/平方英寸或更小、或 150英鎊/平方英寸或更小,第二壓力處理為約3000英鎊/平方英寸或更 小、2000英鎊/平方英寸或更小、或1500英鎊/平方英寸或更小。
      在本發(fā)明特別優(yōu)選的方面,陶瓷組成物包含一種或多種金屬氧化 物(如氧化鋁)。一種或多種金屬氧化物優(yōu)選地具有此處揭示的小平均粒 徑。包含氧化鋁的陶瓷組成物特別優(yōu)選地具有此處揭示的小平均粒徑, 如2.5微米或更小、2微米或更小、1.5微米或更小、或l微米或更小。
      在本發(fā)明另一方面,陶瓷組成物的壓實在所謂的燒結(jié)助劑不存在 下進行。燒結(jié)助劑添加劑包括稀土氧化物,如釔土(氧化釔)、釓材料(如 氧化釓或Gd203)、銪材料(如氧化銪或Eu203)、鐿材料(如氧化鐿或 Yb203)或鑭材料(如鑭或La203)。
      本發(fā)明特別優(yōu)選的制造方法包括形成包含如前所述的一種或多種 小粒徑陶瓷材料的陶瓷點火元件,再經(jīng)由如前所述的兩級升壓處理進 行硬化。硬化適宜在高溫下進行,如高于140(TC,更典型為高于1600 °C,如至少170(TC或1800°C。燒結(jié)優(yōu)選地在惰性環(huán)境(如氬氣或氮氣之 惰性氣體環(huán)境)中進行。
      硬化處理優(yōu)選地制得密實度為至少95%的陶瓷元件,更優(yōu)選為密 實度為至少96%、 97%、 98%或99%的陶瓷元件。包括前述高溫的硬化 過程將進行足夠長的時間,其可為數(shù)個小時或更長的時間,以達到該密實度。
      特定陶瓷組成物和成型壞體陶瓷元件的方法可用于促進在實質(zhì)上 非高壓下制造高密實度陶瓷元件。
      更具體地,用于形成陶瓷元件的優(yōu)選陶瓷組成物可至少實質(zhì)上不 含或完全不含碳化硅或其他碳化物材料。如此處所提及,若陶瓷組成 物含有以陶瓷組成物總體積為基準計少于io體積%的碳化硅或其他碳
      化物材料,更典型為以陶瓷組成物總體積為基準計少于約9、 8、 7、 6、 5、 4、 3、 2、 1或0.5體積%的碳化硅或其他碳化物材料,則認為該陶 瓷組成物至少實質(zhì)上不含碳化硅或其他碳化物材料。
      對于燒結(jié)包含氧化鋁的陶瓷元件,優(yōu)選地在至少實質(zhì)上不含氮氣 (例如,以空氣總體積為基準計,少于5體積%的氮氣)或更優(yōu)選為至少 基本上不含氮氣(例如,以空氣總體積為基準計,少于2或1體積%的
      氮氣)或更優(yōu)選為完全不含氮氣的空氣中進行該元件的燒結(jié)。例如,可 在氬氣環(huán)境中進行燒結(jié)。
      對于燒結(jié)包含氮化鋁的陶瓷元件,優(yōu)選地在含有至少若干氮氣, 例如含有至少5體積%的氮氣(即以空氣總體積為基準計,至少5體積 %的氮氣)或者含有更高含量如至少約10體積%的氮氣(即以空氣總體 積為基準計,至少10體積%的氮氣)的空氣中進行該元件的燒結(jié)。
      亦優(yōu)選為使用注塑壓模制程形成陶瓷元件。通常此處所提及的術(shù) 語"注塑壓模"或"注塑壓模制程"或其他相似術(shù)語是指將一種材料(此 處是指陶瓷或陶瓷先驅(qū)體材料)通常于壓力下注射或壓入模具中而成所 欲形狀的陶瓷元件,然后冷卻,再取出保持模具的復(fù)制品形式的固化 元件的一般制程。
      本發(fā)明注塑壓模形成加熱元件時,可在模具中壓入陶瓷材料(例如 陶瓷粉末混合物、分散體或其他調(diào)配物)或陶瓷先驅(qū)體材料或組成物。
      在合適的制造方法中,可藉由依序注塑壓模具有不同電阻率的陶 瓷材料或陶瓷先驅(qū)體材料而形成具有不同電阻率的區(qū)域(例如導(dǎo)電區(qū)、 絕緣區(qū)或散熱區(qū)、及高電阻"熱"區(qū))的集成點火元件。
      因此,舉例來說,基礎(chǔ)元件可藉由將具有第一 電阻率的陶瓷材料(例 如可作為絕緣或散熱區(qū)的陶瓷材料)注射引入限定成所欲基本形狀(如 棒狀)的模具元件中而形成??蓪⒒A(chǔ)元件從該第一個模具移出而置入與之不同的第二個模具元件中,并可將具有不同電阻率的陶瓷材料(如 導(dǎo)電陶瓷材料)注入第二個模具中以制成點火元件的導(dǎo)電區(qū)。以同樣的 方式,可將基礎(chǔ)元件從第二個模具移出而置入與之不同的第三個模具 元件中,并可將具有不同電阻率的陶瓷材料(如電阻熱區(qū)陶瓷材料)注入 第三個模具中以制成加熱元件的電阻熱區(qū)或點火區(qū)。
      在本發(fā)明優(yōu)選的方面,至少將三部分陶瓷加熱元件依單一制造程 序注塑壓模以制造陶瓷組件,即所謂的"多重"注塑壓模制程,其中 以相同的制造程序制得的點火元件,其多個部分具有不同的電阻值(例 如熱或高電阻部分、冷或?qū)щ姴糠帧⒓敖^緣或散熱部分)。在至少某些 具體實施例中,單一制造程序包括依序注塑壓模陶瓷材料,其未將元 件從元件成型區(qū)移出及/或未藉由注塑壓模以外的制程將陶瓷材料沉積 在元組件上。
      例如,在一方面,可注塑壓模制第一絕緣(熱分散)部分,然后第二 步可在絕緣部分周圍注塑模制導(dǎo)電腳部分,第三步可通過注塑模制而 將電阻熱區(qū)或點火區(qū)施加到含有絕緣區(qū)或電阻區(qū)的本體上。
      在另一實施例中,本發(fā)明提供制造電阻陶瓷加熱元件的方法,其 包括注塑壓模陶瓷元件的一個或多個部分,其中,陶瓷元件包含三個 或更多個具有不同電阻率的區(qū)域。
      本發(fā)明的制造方法可包括增添陶瓷材料的額外制程,以制造成型 陶瓷元件。例如,可藉由浸涂、噴涂及類似方法對成型陶瓷元件施加 一層或多層陶瓷層。
      本發(fā)明方法制得的優(yōu)選陶瓷元件包括第一導(dǎo)電區(qū)、電阻熱區(qū)及第 二導(dǎo)電區(qū),所有區(qū)域都按電順序排列。優(yōu)選地,在裝置使用期間,可 通過使用電導(dǎo)線而將電源施加至第一或第二導(dǎo)電區(qū)。
      本發(fā)明特別優(yōu)選的加熱元件沿著該加熱元件的至少一部分長度具 有圓形橫截面(例如,從固定在點火器的電導(dǎo)線延伸到電阻熱區(qū)的長 度)。更特別優(yōu)選的陶瓷加熱元件的至少一部分點火器長度,如至少約
      10%、 40%、 60%、 80%、 90%的點火器長度或整個點火器長度可具有
      實質(zhì)上橢圓形、圓形或其他近圓形橫截面。特別優(yōu)選為實質(zhì)上圓形的 橫截面,其提供棒狀加熱元件。該棒狀構(gòu)型提供較高的剖面模數(shù)(Section Moduli),從而可提高加熱元件的設(shè)備完整性。
      7本發(fā)明陶瓷加熱元件可在各種標稱電壓下使用,包括6伏、8伏、
      10伏、12伏、24伏、120伏、220伏、230伏和240伏標稱電壓。
      本發(fā)明加熱元件可用作多種設(shè)備和加熱系統(tǒng)的點火器。更具體地, 本發(fā)明提供一種包含此處所述的經(jīng)燒結(jié)陶瓷點火元件的加熱系統(tǒng)。具 體加熱系統(tǒng)包括燃氣單元、用于商業(yè)建筑和居住建筑的加熱單元(包括 熱水器)。
      此處使用的術(shù)語"陶瓷材料"包括燒結(jié)過程前和燒結(jié)過程后的材 料。例如,氧化鋁、Mo2Si2、 SiC、 A1N和此處提到的其他材料皆視為 陶瓷材料,包括預(yù)燒結(jié)階段的彼等材料。
      本發(fā)明的其他方面揭示如下。


      圖1A和圖1B分別顯示本發(fā)明加熱元件的俯視圖及仰視圖2A顯示沿圖1A的2A-2A線的剖面圖;及 圖2B顯示沿圖1A的2B-2B線的剖面圖。元件符號說明
      10 加熱元件(點火器)
      10a 點火器近端
      12 散熱或絕緣區(qū)
      14, 14A, 14B 導(dǎo)電區(qū)
      14a 導(dǎo)電區(qū)14的近端
      16 近端部
      18 遠端部
      20 電阻熱區(qū)(電阻點火區(qū))
      具體實施例方式
      在第一方面,本發(fā)明提供一種新的陶瓷物件,其由一種或多種平 均粒徑約2.5微米或更小,更優(yōu)選為平均粒徑約2微米或更小,或1.5 微米、1.25微米或1微米或更小的陶瓷粉末制成。通常該陶瓷材料的 平均粒徑至少為約0.2微米、0.3微米、0.4微米或0.5微米。
      優(yōu)選的陶瓷組成物中,特定陶瓷材料的至少大部分(例如大于50、60、 70、 80或90重量%)具有此處揭示的小粒徑。更優(yōu)選地,該特定 陶瓷材料的所有部分都具有該小粒徑。例如,如果指定一陶瓷組成物 中包含平均粒徑2微米或更小的氧化鋁,則優(yōu)選地為該陶瓷組成物中 所使用的至少大部分(例如大于50、 60、 70、 80或卯重量%)氧化鋁的 平均粒徑為2微米或更小,更優(yōu)選地為該陶瓷組成物中存在的所有氧 化鋁的平均粒徑為2微米或更小。
      此處討論之用于制造本發(fā)明加熱元件的陶瓷組成物可適宜包含兩 種、三種或更多種不同的材料,如A1203、 A1N、 Mo2Si2、 SiC及類似 物。 一種或多種該等不同的材料可適宜具有此處揭示的小平均粒徑。 但是,在某些具體實施例中,并不是所有陶瓷組成物的材料都須具有 該小平均粒徑。在本發(fā)明的此方面中,多材料組成物中至少一種材料 具有該小平均粒徑,但如果需要,多材料組成物中多于一種材料或所 有材料可具有該小平均粒徑。
      如上所討論,在某些具體實施例中,特別優(yōu)選地為使用小平均粒 徑的金屬氧化物,如八1203。
      不受限于任何理論,咸信使用此較小平均粒徑材料可有助于低壓 燒結(jié)成型壞體階段的加熱元件。
      另一方面,如上所討論,本發(fā)明現(xiàn)提供制造陶瓷點火元件的新方 法,其包括在減壓下硬化(壓實)成型壞體陶瓷元件。
      在該方面,本發(fā)明提供一種陶瓷物件,其為藉由逐級升壓處理壞 體階段陶瓷物件而制得。陶瓷物件優(yōu)選地在第一壓力下進行處理,再 在高于第一壓力的第二壓力下進行處理。
      在至少某些應(yīng)用中,第一壓力和第二壓力處理相差至少500英鎊/ 平方英寸,更優(yōu)選為相差至少1000英鎊/平方英寸、2000英鎊/平方英 寸或2500英鎊/平方英寸。
      在至少某些應(yīng)用中,第一壓力處理可適當(dāng)?shù)卦诩s3000英鎊/平方英 寸或更小、2000英鎊/平方英寸或更小、1000英鎊/平方英寸或更小、 500英鎊/平方英寸或更小、或200英鎊/平方英寸或更小,第二壓力處 理可在約6000英鎊/平方英寸或更小、5000英鎊/平方英寸或更小、4000 英鎊/平方英寸或更小、3000英鎊/平方英寸或更小、2000英鎊/平方英 寸或更小、1500英鎊/平方英寸或更小、或1000英鎊/平方英寸或更小。在至少某些應(yīng)用中,第一壓力處理和第二壓力處理各不超過5000 英鎊/平方英寸。
      如果第一壓力處理的水平相對于第二壓力處理較低,也可對第一 壓力處理和第二壓力處理使用其他壓力。
      再者,不希望受限于任何理論,咸信較低的第一壓力處理可實現(xiàn) 初步壓實,其避免物件中陷入氣體。 一旦通過第一壓力處理而顯著地 將孔隙閉合,升高的第二壓力處理便能達到較高的密實化。
      多級壓力密實化優(yōu)選地使用氣壓燒結(jié)進行。可使用商用氣相燒結(jié) 爐。燒結(jié)過程優(yōu)選地在惰性環(huán)境(如氮氣或氬氣環(huán)境)中進行。
      如前所討論,在本發(fā)明其他方面中,在所謂的燒結(jié)助劑不存在下 而將陶瓷組成物壓實。
      如前所討論,可優(yōu)選使用注塑壓模技術(shù)來形成陶瓷元件。因此, 舉例而言,如前所討論,基礎(chǔ)元件可藉由將具有第一電阻率的陶瓷材 料(例如可作為絕緣或散熱區(qū)的陶瓷材料)注射引入限定成所欲基本形 狀(如棒狀)的模具元件中而形成??蓪⒒A(chǔ)元件從該第一個模具移出而 置入與之不同的第二個模具元件中,并可將具有不同電阻率的陶瓷材 料(如導(dǎo)電陶瓷材料)注入第二個模具中以制成點火元件的導(dǎo)電區(qū)。以同 樣的方式,可將基礎(chǔ)元件從第二個模具移出而置入與之不同的第三個 模具元件中,并可將具有不同電阻率的陶瓷材料(如電阻熱區(qū)陶瓷材料) 注入第三個模具中以制成加熱元件的電阻熱區(qū)或點火區(qū)。
      另一種方法是不使用復(fù)數(shù)種不同的模具元件,而可將具有不同電
      阻率的陶瓷材料依序壓入或注入同一模具元件中。例如,可先將預(yù)定
      體積的第一種陶瓷材料(如可作為絕緣或散熱區(qū)的陶瓷材料)引入限定
      成所欲基本形狀的模具元件中,然后將具有不同電阻率的第二種陶瓷
      材料施加到成型的基礎(chǔ)元件。
      可將呈含有一種或多種陶瓷材料(如一種或多種陶瓷粉末)的液體
      調(diào)配物形式的陶瓷材料壓入(注入)模具元件中。
      例如,可制備漿狀或糊狀陶瓷粉末的組成物,例如藉由將一種或 多種陶瓷粉末與水溶液或含有一種或多種可互溶的有機溶劑(如醇類及 類似物)的水溶液混合而制得的糊料。用于擠壓成型的優(yōu)選陶瓷漿狀組
      成物可藉由將一種或多種陶瓷粉末(如MoSi2、 A1203、及/或A1N)混合入水,其視需要含有一種或多種有機溶劑(如一種或多種與水互溶的有 機溶劑(如纖維素醚溶劑、醇及類似物))的流體組成物中而制得。陶瓷 漿料也可含有其他材料,如一種或多種有機增塑劑化合物,其視需要 與一種或多種聚合物粘合劑混合。
      可使用各種各樣的成型或誘型元件,以具有對應(yīng)于所欲形狀的成 型點火器構(gòu)型的元件來形成點火器元件。例如,可將陶瓷粉末糊料注 入圓柱壓模元件中,以形成棒狀元件。可使用矩形壓模以形成支柱形 或矩形點火器元件。
      將陶瓷材料壓入模具元件后,可適當(dāng)?shù)貙⑾薅ǖ奶沾刹糠衷诶?高于5(TC或6(TC干燥足夠長的時間以除去任何溶劑(水性及/或有機)載
      以下實施例描述點火器元件的優(yōu)選注塑壓模制程。
      請參閱附圖,圖1A和圖1B顯示本發(fā)明適當(dāng)?shù)募訜嵩?0。
      如圖1A所示,點火器IO包括中央的散熱或絕緣區(qū)12,該散熱或 絕緣區(qū)12被具有不同電阻率的區(qū)域所包圍,該等區(qū)域即在近端部16 的導(dǎo)電區(qū)14,導(dǎo)電區(qū)14的電阻在點火器近端部18處變得較高,該區(qū) 域的體積相對減小,因此可作為電阻熱區(qū)20。
      圖1B顯示具有裸露的散熱區(qū)12的點火器底面。
      圖2A和圖2B的剖面圖進一步描繪加熱元件10,其包括在點火器 近端部區(qū)域16的導(dǎo)電區(qū)14A和導(dǎo)電區(qū)14B,以及在點火器遠端部區(qū)域 18的相對應(yīng)高電阻熱區(qū)20。
      使用時,可對加熱元件IO供電(例如通過一根或多根電導(dǎo)線傳導(dǎo), 圖中未顯示)而進入導(dǎo)電區(qū)14A,其通過電阻點火區(qū)20且再通過導(dǎo)電區(qū) 14B而形成電通路。導(dǎo)電區(qū)14的近端14a可例如通過焊接適當(dāng)?shù)毓潭?到電導(dǎo)線(圖中未顯示),該電導(dǎo)線在使用期間對點火器供電。點火器近 端10a可適當(dāng)?shù)毓潭ǖ礁鞣N裝置內(nèi),例如美國公開專利申請案第 2003/0080103號中揭露將陶瓷塑料密封劑材料包裹住導(dǎo)電元件近端 14a。同樣也可適當(dāng)?shù)厥褂媒饘傺b置包裹住加熱元件近端。
      如前所討論,以圖1A、圖1B、圖2A和圖2B所示的加熱元件10 為例,沿著至少一部分長度的加熱元件,至少大部分長度的點火器具 有圓截面形,如圖lB中的長度x。圖1A、圖1B、圖2A和圖2B所示的點火器10描述一種特別優(yōu)選的構(gòu)型,其中,加熱元件10的大約整 個加熱元件長度具有實質(zhì)上圓截面形,從而形成棒狀加熱元件。但是, 優(yōu)選系統(tǒng)還包括僅僅一部分點火器是圓截面形者,如高達約10、 20、
      30、 40、 50、 60、 70、 80或90%長度(以圖1B中的加熱元件長度x為 例)的加熱元件是圓截面形者;在此設(shè)計中,加熱元件長度的其余部分 可呈具有外部邊緣的外觀。
      為了特定的應(yīng)用,可視需要制作各種構(gòu)型的加熱元件。因此,舉 例而言, 一個特定構(gòu)型的加熱元件可以藉由在適當(dāng)?shù)恼T型模具元件中 注入陶瓷組成物(如陶瓷糊料)而制得。
      本發(fā)明加熱元件的尺寸可有很大的變化,且可依據(jù)加熱元件的預(yù) 定用途而選定。例如,優(yōu)選加熱元件的長度(圖1B中的長度x)可適宜 為約0.5厘米(cm)至約5厘米,更優(yōu)選為約1厘米至約3厘米,加熱元 件的橫截面寬度(圖1B中的長度y)可適宜為約0.2厘米至約3厘米。
      相似地,導(dǎo)電區(qū)和熱區(qū)的長度也可適當(dāng)?shù)刈兓>哂袌D1A所描述 構(gòu)型的加熱元件的第一導(dǎo)電區(qū)的長度(圖1A中近端區(qū)16的長度)優(yōu)選 地可為0.2厘米至2厘米、3厘米、4厘米或5厘米或更長。更典型的 第一導(dǎo)電區(qū)長度為約0.5厘米至約5厘米。熱區(qū)電通路總長度(圖1A中 的長度f)可適宜為約0.2厘米至5厘米或更長。
      在優(yōu)選系統(tǒng)中,本發(fā)明加熱元件的熱區(qū)或電阻區(qū)在標稱電壓下加 熱至低于約145(TC的最高溫度;在相當(dāng)于約110%標稱電壓的高端電壓 下加熱至低于約155(TC的最高溫度;在相當(dāng)于約85%標稱電壓的底端 電壓下加熱至低于約1350。C的最高溫度。
      可使用各種組成物來制成本發(fā)明加熱元件。通常優(yōu)選的熱區(qū)組成 物包括兩種或更多種以下組分l)導(dǎo)電材料;2)半導(dǎo)體材料;3)絕緣材 料。導(dǎo)電(冷)區(qū)和絕緣(散熱)區(qū)可由相同的組分構(gòu)成,但是這些組分分 別以不同比例存在。典型的導(dǎo)電材料包括如二硅化鉬、二硅化鎢、及 氮化物(如氮化鈦)。典型的絕緣材料包括金屬氧化物(如氧化鋁)或氮化 物(如A1N及/或Si3N4)。
      此處提及的術(shù)語"電子絕緣材料"是指在室溫下電阻率至少達到 約101()歐姆 厘米(ohms-cm)的材料。本發(fā)明點火器的電子絕緣材料組 分可僅僅或主要由一種或多種金屬氮化物及/或金屬氧化物所構(gòu)成,或
      12者絕緣組分也可含有除金屬氧化物或金屬氮化物以外的材料。例如, 絕緣材料組分可另外含有氮化物(如氮化鋁(A1N)、氮化硅或氮化硼); 稀土氧化物(如氧化釔);或稀土氧氮化物。絕緣組分的優(yōu)選外加材料為 氧化鋁(^203)。
      此處提及的半導(dǎo)體陶瓷(或半導(dǎo)體)是指室溫下電阻率在約10至108 歐姆 厘米之間的陶瓷。如果半導(dǎo)體組分占熱區(qū)組成物的多于約45體 積%&/0)(導(dǎo)電陶瓷的體積百分比在約6至10%的范圍內(nèi)),則所得組成 物的導(dǎo)電性對于高壓應(yīng)用而言會變得太強(由于缺少絕緣體)。相反地, 如果半導(dǎo)體材料占熱區(qū)組成物的少于約10體積%(導(dǎo)電陶瓷的體積百 分比在約6至10%的范圍內(nèi)),則所得組成物的電阻率會變得太大(由于 太多絕緣體)。再者,對于級別更高的導(dǎo)體,可能需要更多的絕緣體和 半導(dǎo)體部分的電阻性混合物來達到理想電壓。
      此處提及的導(dǎo)體材料是指一種在室溫下的電阻率低于約10—2歐 姆 厘米的材料。如果導(dǎo)電組分的量占熱區(qū)組成物的高于35體積%, 則所得陶瓷的導(dǎo)電性會變得太強。導(dǎo)體通常選自由二硅化鉬、二硅化 鎢、氮化物(如氮化鈦)及碳化物(如碳化鈦)組成的群組。通常優(yōu)選為二 硅化鉬。
      通常,優(yōu)選熱(電阻)區(qū)組成物包括a)約50至約80體積%的具有至 少約1010歐姆 厘米電阻率的電子絕緣材料;b)約0 (此時未使用半導(dǎo) 體材料)至約45體積%的具有約10至約108歐姆 厘米電阻率的半導(dǎo) 體材料;c)約5至約35體積%的具有低于約10—2歐姆 厘米電阻率的 金屬導(dǎo)體。
      如前所討論,本發(fā)明加熱元件含有與熱(電阻)區(qū)電性連接的電阻率 較低的冷區(qū),且其使得導(dǎo)線可接到點火器。優(yōu)選冷區(qū)包括彼等由例如 A1N及/或八1203或其他絕緣材料;視需要的半導(dǎo)體材料;以及MoSi2 或其他導(dǎo)電材料所構(gòu)成者。但是,相較于熱區(qū),冷區(qū)具有顯著較高比 例的導(dǎo)電材料(如MoSi2)。優(yōu)選冷區(qū)組成物包括約15至65體積°/。的氧 化鋁、氮化鋁或其他絕緣材料;以及約20至70體積%的MoSi2或其他 導(dǎo)電材料及半導(dǎo)體材料,上述兩組分的體積比為約1 : 1至約1 : 3。為 易于制造,冷區(qū)組成物優(yōu)選地由與熱區(qū)組成物相同的材料所形成,但 半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料的相對用量較大。雖然本發(fā)明特別優(yōu)選的加熱元件不具有如前所討論的與第一導(dǎo)電 區(qū)至少大部分長度接觸的陶瓷絕緣體,但是在至少某些應(yīng)用中,本發(fā) 明加熱元件可適當(dāng)?shù)匕ǚ菍?dǎo)電(絕緣或散熱)區(qū)。
      若使用時,該散熱區(qū)可與導(dǎo)電區(qū)、或熱區(qū)、或?qū)щ妳^(qū)及熱區(qū)兩者
      配對。優(yōu)選地,經(jīng)燒結(jié)絕緣區(qū)在室溫下的電阻率至少為約1014歐姆*厘
      米,在操作溫度下的電阻率至少為約104歐姆*厘米,其強度為至少 150MPa。優(yōu)選地,絕緣區(qū)在操作(點火)溫度下的電阻率比熱區(qū)電阻率 至少高2個數(shù)量級。適當(dāng)?shù)慕^緣組成物包括至少約90體積%的一種或 多種氮化鋁、氧化鋁及氮化硼。
      以下實施例揭示優(yōu)選的加熱元件陶瓷材料。
      本發(fā)明加熱元件可用于多種應(yīng)用裝置,包括氣相燃料點火應(yīng)用裝 置,如熔爐和烹飪器具、墻式烘爐、鍋爐和頂燃式火爐。本發(fā)明加熱 元件尤其可作為用于頂燃式氣體燃燒器和燃氣爐的點火源。
      在本發(fā)明的一個優(yōu)選方面中,可將本發(fā)明的加熱元件設(shè)計成及/或 用作電阻點火器元件,該元件與為人所熟知的電熱塞(glowplug)加熱元 件是不同的。除此之外,使用頻繁的電熱塞通常加熱至相對較低的溫 度,如最高溫度為約800°C、 90(TC或IOO(TC,因此只加熱一定量的空 氣而不是直接點燃燃料,而本發(fā)明優(yōu)選的點火器可提供例如至少為約 120(TC、 130(TC或140(TC的最高溫度,以直接點燃燃料。本發(fā)明優(yōu)選 的點火器也不需如同通常使用電熱塞系統(tǒng)一樣對該元件或其至少一部 分進行氣密密封以提供氣體燃燒室。更進一步地,本發(fā)明許多優(yōu)選的 點火器可在較高線電壓(linevohage)使用,例如超過24伏的線電壓,如 60伏或更高、或120伏或更高的線電壓,包括220伏、230伏和240 伏,而電熱塞通常只能在12伏至24伏的電壓下使用。
      本發(fā)明加熱元件亦特別適用于依靠液體(濕)燃料(如煤油、汽油)揮 發(fā)點火的點火方式,如用于對車輛(如汽車)先進加熱的車輛加熱器。
      在其他優(yōu)選方面,加熱元件適當(dāng)?shù)赜米麟姛崛缬米鳈C動車的 點火源。
      加熱元件適用于其他特定應(yīng)用裝置,包括用作紅外線加熱器的加 熱元件。
      以下列舉非限制性的實施例說明本發(fā)明。此處提及的所有文獻的
      14全部內(nèi)容皆并入此處作為參考。 實施例l:點火器的制作
      將以下材料混合以提供用于經(jīng)由注塑壓模制作加熱元件的導(dǎo)電組
      成物30體積Q/。的MoSi2、 7體積。/。的SiC和63體積Q/。的A1203,以陶 瓷材料的重量為基準計為2至3重量%的聚乙烯醇和0.3重量%的甘油。
      將以下材料混合以提供用于經(jīng)由注塑壓模制作加熱元件的絕緣組 成物10體積。/。的MoSi2、卯體積%的八1203,以陶瓷材料的重量為基 準計為2至3重量%的聚乙烯醇和0.3重量%的甘油。
      將以下材料混合以提供用于經(jīng)由注塑壓模制作加熱元件的電阻熱 區(qū)組成物25體積。/。的MoSi2、 5體積。/。的SiC和70體積Q/。的Al203, 以陶瓷材料的重量為基準計為2至3重量%的聚乙烯醇和0.3重量%的 甘油。
      三種組成物各者中,八1203的平均粒徑為1.7微米。組成物中不含 燒結(jié)助劑,如氧化釔或其他此等材料。
      將上述三種具有不同電阻率的組成物分別裝入共注塑模具的個別 槽中。第一次注射時,將半圓柱形的空穴以絕緣糊料填滿,使絕緣糊 料從空穴擠壓成型,制得圖1所示的具有一般構(gòu)型內(nèi)部絕緣區(qū)的棒狀 點火器元件。從第一個空穴中取出該部件,將其置入第二個空穴中, 第二次注射時以導(dǎo)電糊料填滿由第一次注射成型的部件以及第二個空 穴壁芯所限定的體積。再從第二個空穴中取出該部件,將其置入第三 個空穴中,第三次注射時以電阻(熱區(qū))糊料填滿該部件的頂部。然后于 室溫將如此所模制得的棒狀部件在有機溶劑中部分地去除粘結(jié)劑,將 所添加的10至16重量%溶去其10重量。/。。然后在流動的惰性氣體(N2) 中,將該部件于300至50(TC加熱去除粘結(jié)劑60小時,以除去殘留的
      ' 經(jīng)去除粘結(jié)劑的棒狀部件經(jīng)由使用氣相燒結(jié)的二階制程進行壓 實。因此,將棒狀部件置于氣相燒結(jié)爐中,爐中充滿氬氣,氣壓為150 英鎊/平方英寸。爐溫維持在1725。C約1.5小時。然后將該爐冷卻至室 溫,再升高壓力至3000英鎊/平方英寸,溫度維持在1725"C約2小時。 然后將該爐冷卻至室溫。處理后的棒狀部件的密實度高于98%。將密 實的元件與24伏的電源相連,熱區(qū)便達到約130(TC的溫度。本發(fā)明已參照其特定具體實施例予以詳細說明。但是應(yīng)了解,所 屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可由本說明書所揭示之內(nèi)容而在本發(fā)明的精神及范 疇之內(nèi)進行修飾與改進。
      權(quán)利要求
      1、一種電阻陶瓷加熱元件,包含在燒結(jié)之前,一種或多種平均粒徑為2.5微米或更小的陶瓷材料。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱元件,其中,該加熱元件在燒結(jié)之 前包含一種或多種平均粒徑為2.5微米或更小的金屬氧化物。
      3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷加熱元件,其中,該加熱元件在燒 結(jié)之前包含平均粒徑為2.5微米或更小的氧化鋁。
      4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱元件,其中,該一種或多種陶瓷材 料的平均粒徑為2微米或更小。
      5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱元件,其中,該一種或多種陶瓷材 料的平均粒徑為1.5微米或更小。
      6、 一種制造電阻加熱元件的方法,包括 在第一壓力下處理陶瓷組成物;然后在高于該第一壓力的第二壓力下處理該陶瓷組成物,以壓實該陶 瓷組成物。
      7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,在該第一壓力下進行處理 之前,該陶瓷組成物包含一種或多種平均粒徑為2.5微米或更小的陶瓷 材料。
      8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,在該第一壓力下進行處理 之前,該陶瓷組成物包含一種或多種平均粒徑為2.5微米或更小的金屬 氧化物。
      9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,在該第一壓力下進行處理 之前,該陶瓷組成物包含平均粒徑為2.5微米或更小的氧化鋁。
      10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,該第一壓力和第二壓力 相差至少1000英鎊/平方英寸。
      11、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,該第二壓力為約5000英 鎊/平方英寸或更小。
      12、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,該第一壓力為約1000英 鎊/平方英寸或更小。
      13、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,該第一壓力為約250英 鎊/平方英寸或更小。
      14、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,該第一壓力和第二壓力 應(yīng)用于氣相燒結(jié)過程。
      15、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,該陶瓷點火元件由具有 少于10體積%碳化硅的組成物所形成。
      16、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,該陶瓷點火元件包含兩 種或多種電阻率不同的區(qū)域。
      17、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,該陶瓷點火元件包含三 種或多種電阻率不同的區(qū)域。
      18、 一種陶瓷點火元件,由權(quán)利要求6所述的方法制得。
      19、 一種點燃氣體燃料的方法,包括在權(quán)利要求18所述的點火器 中通入電流。
      20、 一種加熱裝置,包括權(quán)利要求18所述的點火器。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種制作陶瓷電阻點火元件的新方法,其包括在實質(zhì)上非高壓下燒結(jié)元件。本發(fā)明還提供一種由本發(fā)明制造方法制得的陶瓷點火器。
      文檔編號F23Q7/22GK101484755SQ200780025265
      公開日2009年7月15日 申請日期2007年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月4日
      發(fā)明者S·安納瓦雷普, 余泰桓 申請人:圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
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