本發(fā)明涉及半導體廢氣處理設備，特別是涉及一種半導體廢氣處理裝置。

背景技術：

1、泛半導體行業(yè)生產(chǎn)過程中，大量使用化學品和特殊氣體，生產(chǎn)環(huán)節(jié)持續(xù)產(chǎn)生大量有毒有害氣體的工藝廢氣。

2、在半導體工藝中，harsh工藝是指復雜苛刻、多粉塵、強腐蝕的工藝，如化學氣相淀積(cvd)工藝中的硼磷硅玻璃(bpsg)制程、高縱深比(harp)制程、氮化硅(s?in)制程、蝕刻(etch)中的金屬刻蝕(meta?l?etch)制程、擴散(di?ffus?i?on)工藝中的原子層淀積(ald)制程、時間敏感網(wǎng)絡(tsn)制程等。

3、在harsh工藝中，有大量的s?io2粉塵和強腐蝕性有害物質需要進行處理。其中，焚燒法廣泛應用于半導體行業(yè)，處理各種有機廢氣，通過熱氧化將有機物轉化為co2和水。焚燒法主要是將半導體制程中產(chǎn)生的廢氣通過集氣管道集中收集后進行必要的除塵后直接進入燃燒器中燃燒處理，但是，目前的燃燒器大多數(shù)還是采用單一的罐體結構，其內(nèi)部只有單一的氣流通道，這使得燃燒器內(nèi)部的氣流行程大大受到燃燒器主體結構的限制，往往會因為行程較短氣體燃燒不充分，或因單一行程過長導致燃燒室前后段溫度控制難，溫差大，從而導致燃燒不充分的缺陷。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種半導體廢氣處理裝置，有利于解決現(xiàn)有半導體廢氣處理中一些燃燒器內(nèi)部氣流路徑單一，燃燒腔空間受限，導致氣體燃燒不充分的問題。

2、本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的：

3、一種半導體廢氣處理裝置，包括柜體，柜體上設有依次銜接設置的燃燒器、冷卻器和洗滌塔，所述燃燒器包括一殼體，殼體上下兩端分別為進氣端和出氣端；殼體內(nèi)部靠近進氣端一側設有勻氣腔，勻氣腔下方設有若干橫向內(nèi)外間隔分布的套筒，相鄰套筒之間的連通結構呈上下錯位設置，構成蛇形軌跡的氣流路徑，套筒和殼體設有溫控復合結構。

4、在上述技術方案的基礎上，多個所述套筒豎直設置且在橫剖結構上呈同心關系，位于中心位置的套筒頂部與勻氣腔連通，底部為懸空結構，該套筒內(nèi)部形成供氣體下行的第一通道，該套筒外圍形成供氣體上行的第二通道，第一通道底部設有懸空結構形成的連通口，連通口使得第一通道和第二通道形成首尾相連的通道結構，第二通道與其外側相鄰通道的連通處位于第二通道頂部，外圍的通道結構依次縱向錯位首尾相連。

5、在上述技術方案的基礎上，所述氣流路徑上設有分流器，所述分流器設有若干均勻分布的導管，導管軸向兩端為開口結構，導管內(nèi)設有供氣體穿行的分流通道。

6、在上述技術方案的基礎上，所述導管軸向兩端分別設有第一支撐板和第二支撐板，第一支撐板和第二支撐板的外輪廓與套筒的內(nèi)側壁連接固定，分流通道貫穿第一支撐板和第二支撐板。

7、在上述技術方案的基礎上，所述套筒的側壁上設有導熱材料制成的導熱件，所述導熱件為螺旋狀的凸緣結構，導熱件與分流器錯位設置。

8、在上述技術方案的基礎上，所述溫控復合結構包括內(nèi)外層疊設置的第一包裹層、保溫層和第二包裹層；所述第一包裹層和第二包裹層采用導熱材料制成，導熱件固設于第一包裹層和/或第二包裹層上，保溫層含有封閉在第一包裹層和第二包裹層內(nèi)部的保溫棉。

9、在上述技術方案的基礎上，所述保溫層包括導熱材料制成的骨架，骨架上均布有若干鏤空部，鏤空部內(nèi)填充所述保溫棉。

10、在上述技術方案的基礎上，所述導熱件的表面設有擾流凸緣。

11、相較于現(xiàn)有技術，本發(fā)明至少包括以下優(yōu)點：

12、本發(fā)明通過在燃燒器內(nèi)部設置多個內(nèi)外間隔分布的套筒，并利用套筒之間的間隙構成蛇形軌跡的氣流路徑，使得半導體廢氣在燃燒器內(nèi)部具備較充足的行程，保證燃燒時間的穩(wěn)定性和可靠性，這種結構能夠在相同空間條件下豐富設備結構，使得設備小巧精致；另外的，內(nèi)外分層結構也使得燃燒器內(nèi)部的溫控得以更好的控制管理，避免因規(guī)格過大導致溫差太大影響燃燒效果的缺陷，因此，有利于解決現(xiàn)有半導體廢氣處理中一些燃燒器內(nèi)部氣流路徑單一，燃燒腔空間受限，導致氣體燃燒不充分的問題。

技術特征：

1.一種半導體廢氣處理裝置，包括柜體(1)，柜體(1)上設有依次銜接設置的燃燒器(2)、冷卻器(3)和洗滌塔(4)，其特征在于，所述燃燒器(2)包括一殼體(21)，殼體(21)上下兩端分別為進氣端(a)和出氣端(b)；殼體(21)內(nèi)部靠近進氣端(a)一側設有勻氣腔(23)，勻氣腔(23)下方設有若干橫向內(nèi)外間隔分布的套筒(22)，相鄰套筒(22)之間的連通結構呈上下錯位設置，構成蛇形軌跡的氣流路徑，套筒(22)和殼體(21)設有溫控復合結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體廢氣處理裝置，其特征在于，多個所述套筒(22)豎直設置且在橫剖結構上呈同心關系，位于中心位置的套筒(22)頂部與勻氣腔(23)連通，底部為懸空結構，該套筒(22)內(nèi)部形成供氣體下行的第一通道(c1)，該套筒(22)外圍形成供氣體上行的第二通道(c2)，第一通道(c1)底部設有懸空結構形成的連通口，連通口使得第一通道(c1)和第二通道(c2)形成首尾相連的通道結構，第二通道(c2)與其外側相鄰通道的連通處位于第二通道(c2)頂部，外圍的通道結構依次縱向錯位首尾相連。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種半導體廢氣處理裝置，其特征在于，所述氣流路徑上設有分流器(5)，所述分流器(5)設有若干均勻分布的導管(53)，導管(53)軸向兩端為開口結構，導管(53)內(nèi)設有供氣體穿行的分流通道(54)。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種半導體廢氣處理裝置，其特征在于，所述導管(53)軸向兩端分別設有第一支撐板(51)和第二支撐板(52)，第一支撐板(51)和第二支撐板(52)的外輪廓與套筒(22)的內(nèi)側壁連接固定，分流通道(54)貫穿第一支撐板(51)和第二支撐板(52)。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種半導體廢氣處理裝置，其特征在于，所述套筒(22)的側壁上設有導熱材料制成的導熱件(25)，所述導熱件(25)為螺旋狀的凸緣結構，導熱件(25)與分流器(5)錯位設置。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種半導體廢氣處理裝置，其特征在于，所述溫控復合結構包括內(nèi)外層疊設置的第一包裹層(221)、保溫層(222)和第二包裹層(223)；所述第一包裹層(221)和第二包裹層(223)采用導熱材料制成，導熱件(25)固設于第一包裹層(221)和/或第二包裹層(223)上，保溫層(222)含有封閉在第一包裹層(221)和第二包裹層(223)內(nèi)部的保溫棉(222c)。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種半導體廢氣處理裝置，其特征在于，所述保溫層(222)包括導熱材料制成的骨架(222a)，骨架(222a)上均布有若干鏤空部(222b)，鏤空部(222b)內(nèi)填充所述保溫棉(222c)。

8.根據(jù)權利要求5所述的一種半導體廢氣處理裝置，其特征在于，所述導熱件(25)的表面設有擾流凸緣(251)。

技術總結
本發(fā)明涉及半導體廢氣處理設備技術領域，一種半導體廢氣處理裝置，包括柜體，柜體上設有依次銜接設置的燃燒器、冷卻器和洗滌塔，所述燃燒器包括一殼體，殼體上下兩端分別為進氣端和出氣端；殼體內(nèi)部靠近進氣端一側設有勻氣腔，勻氣腔下方設有若干橫向內(nèi)外間隔分布的套筒，相鄰套筒之間的連通結構呈上下錯位設置，構成蛇形軌跡的氣流路徑，套筒和殼體設有溫控復合結構。本發(fā)明有利于解決現(xiàn)有半導體廢氣處理中一些燃燒器內(nèi)部氣流路徑單一，燃燒腔空間受限，導致氣體燃燒不充分的問題。

技術研發(fā)人員：白曉鋅,彭認清,蔡項勉,陳瑞勇,陳志達
受保護的技術使用者：廈門鈞摩芯半導體有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/11/14