專利名稱：微波加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用微波(高頻電磁波)加熱如食物之類的加熱物品的微波加熱裝置，尤其涉及通過設(shè)置軸向上的長度等于或大于在加熱腔上部的波導(dǎo)管內(nèi)的微波波長的長度的波導(dǎo)管使這種裝置小型化的改進(jìn)，從而可節(jié)省空間，同時可抑制導(dǎo)致加熱不均勻的電場強(qiáng)度分布上的偏差。
背景技術(shù)：
這種微波加熱裝置的構(gòu)成通常包括容納待加熱物品的加熱腔；用于微波振蕩的磁控管；形成在加熱腔的壁表面處的饋電口(electricity feedingport)，微波從該饋電口輻射到加熱腔內(nèi)；用于將微波引導(dǎo)到饋電口的波導(dǎo)管。對饋電口的位置和饋電口的模式進(jìn)行設(shè)計，以便通過減小在加熱腔內(nèi)部的電場強(qiáng)度分布的偏差來防止加熱不均勻。
作為設(shè)置饋電口的位置，可選擇分隔加熱腔的任何內(nèi)壁表面，并且迄今為止，已有人建議了各種在加熱腔的側(cè)壁上設(shè)置的饋電口結(jié)構(gòu)、在加熱腔的底壁上設(shè)置的饋電口的結(jié)構(gòu)、在加熱腔的頂壁上設(shè)置的饋電口的結(jié)構(gòu)等等。
另外，一般來說，通過簡單地設(shè)置饋電口來解決加熱腔內(nèi)部電場強(qiáng)度分布偏差是很困難的，并且為了解決由于電場強(qiáng)度分布的偏差引起的加熱不均勻，不必非要安裝使裝置的尺寸增大的、用于攪動微波的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)(攪動器)或用于旋轉(zhuǎn)加熱腔內(nèi)的食物的轉(zhuǎn)盤。
在近期的微波加熱裝置的市場上，對這種裝置的小型化有一定需求。因此，現(xiàn)在集中對通過在加熱腔的頂壁上設(shè)置饋電口而不安裝攪動器或轉(zhuǎn)盤來實現(xiàn)小型化方面進(jìn)行研究。
圖7示出了一種現(xiàn)有的微波加熱裝置(例如參照J(rèn)P-A-57-103292)，其在加熱腔頂壁上設(shè)有構(gòu)成微波輻射口的饋電口。
圖7是公開在上述JP-A-57-103292中的微波加熱裝置1從前側(cè)看的剖視圖，該微波加熱裝置1的結(jié)構(gòu)包括外殼體3；加熱腔5，它用于容納如食物之類的待加熱物品；磁控管7，它用于使微波振蕩；饋電口9，它形成在加熱腔5的頂壁11上，微波從該饋電口輻射到加熱腔5內(nèi)；及波導(dǎo)管13，它用于將磁控管7的天線12振蕩的微波引導(dǎo)到饋電口9。
磁控管7設(shè)置在加熱腔5的右外側(cè)，并以使天線12向上的狀態(tài)固定在波導(dǎo)管13的底端。
圖示的波導(dǎo)管13是具有矩形斷面的直管形狀，其長度從天線2周圍延伸到饋電口9。
同時，若將在波導(dǎo)管13內(nèi)傳送的微波的波長用符號λg表示，為了有效地從饋電口9輻射微波，就波導(dǎo)管13的軸向長度而論，最好使磁控管7的天線12和饋電口9的中心之間的距離為λg/2的整數(shù)倍。另外，為了抑制由于電場強(qiáng)度分布的偏差引起的加熱不均勻，最好使饋電口盡可能地靠近加熱腔的中心。
但是，按照圖7所示的直管形狀的波導(dǎo)管13，若加熱腔5的寬度尺寸用符號W1表示、從加熱腔5的右側(cè)壁15到饋電口9的中心的距離用符號L1表示，就波導(dǎo)管13的軸向長度而論，天線12與饋電口的中心之間的距離為3/2λg時，磁控管7與右側(cè)壁15之間形成間隙。
這種間隙成為無用空間，不過已采取各種方法來避免這種無用空間。第一，將磁控管7移到圖的左側(cè)時，天線12與饋電口9的中心之間的距離將偏離λg/2的整數(shù)倍。
第二，將磁控管7、波導(dǎo)管13和饋電口9同時移到圖的左側(cè)時，饋電口9將偏移加熱腔5的中心。
第三，將加熱腔5的右側(cè)壁15移到圖的右側(cè)時，饋電口9同樣偏移加熱腔5的中心。
第四，用與第三方法相似的方法將加熱腔5的左側(cè)壁移到左側(cè)，但在這種方法中，加熱腔5的寬度尺寸W1增加了。
另外，要求波導(dǎo)管13的高度等于或大于天線12的長度，但隨之而來的問題是增大了波導(dǎo)管13的高度尺寸H1在裝置的高度方向上的尺寸。
本發(fā)明是針對上述問題進(jìn)行的改進(jìn)。本發(fā)明的目的是提供一種微波加熱裝置，通過消除在磁控管和加熱腔外側(cè)表面之間的無用空間并在加熱腔的寬度方向的中心設(shè)置饋電口，該裝置能抑制由電場強(qiáng)度分布的偏差引起的加熱不均勻，即使相對于波導(dǎo)管的軸向長度將天線與饋電口的中心之間的距離設(shè)定在波導(dǎo)管內(nèi)部的微波波長一半的整數(shù)倍，也能通過沿磁控管的天線伸出方向縮小波導(dǎo)管的高度尺寸來縮短裝置的高度尺寸，并能實現(xiàn)裝置的小型化，同時可抑制由于安裝饋電口帶來的位置上的偏差造成的加熱不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)上述目的，如權(quán)利要求1所述，本發(fā)明的微波加熱裝置的特征在于，用于輻射從磁控管通過波導(dǎo)管向加熱腔振蕩的微波的微波加熱裝置，其中，構(gòu)成輻射微波的口的饋電口被設(shè)置在加熱腔的頂壁上，波導(dǎo)管為L形，它包括沿加熱腔的外側(cè)表面向上延伸的側(cè)波導(dǎo)管和沿頂壁的外表面從側(cè)波導(dǎo)管的上端延伸到饋電口的上波導(dǎo)管。
按照這種結(jié)構(gòu)，通過僅改變磁控管的位置和側(cè)波導(dǎo)管在上下方向上的長度，就可方便地改變磁控管的天線與饋電口的中心之間的距離，因此，即使加熱腔的寬度尺寸為任意尺寸，該距離也可選擇為波導(dǎo)管波長的一半的整數(shù)倍，并且不包括無用的空間。
另外，為了實現(xiàn)上述目的，權(quán)利要求2所述的微波加熱裝置的特征在于，將磁控管的天線設(shè)置成朝向加熱腔的側(cè)部，并且與側(cè)壁相對，側(cè)壁形成一個向腔的內(nèi)側(cè)凸出的凸出部分，用于避免對權(quán)利要求1中所述的微波加熱裝置中的天線產(chǎn)生影響。
按照這種方式構(gòu)成的微波加熱裝置，在磁控管的天線周圍的波導(dǎo)管的高度尺寸基本上是通過將加熱腔的側(cè)壁的凸起部分的高度尺寸h3加到波導(dǎo)管的實際高度尺寸h2上構(gòu)成的，波導(dǎo)管的實際高度尺寸h2本身可縮短到小于磁控管的天線伸出的長度值，這樣，通過沿磁控管的天線伸出的方向縮小波導(dǎo)管的尺寸可縮短該裝置的高度尺寸。
另外，加熱腔的小型化是通過將波導(dǎo)管制成L形并將凸出部分安裝在加熱腔的側(cè)壁上來縮短波導(dǎo)管的高度尺寸的共同作用的結(jié)果，并可在提高空間利用率的前提下實現(xiàn)裝置小型化，同時可防止由于安裝饋電口的位置偏差引起的加熱不均勻現(xiàn)象。
此外，優(yōu)選如權(quán)利要求3所述，在權(quán)利要求1所述的微波加熱裝置中，可采用饋電口在加熱腔的寬度方向上為細(xì)長的矩形的結(jié)構(gòu)。
當(dāng)以這種方式構(gòu)成時，即使將饋電口設(shè)置在偏離加熱腔中心的位置，也能通過減小在加熱腔的電場強(qiáng)度分布的偏差來抑制加熱不均勻的現(xiàn)象。
另外，優(yōu)選如權(quán)利要求4所述，在權(quán)利要求3所述的微波加熱裝置中，可采用設(shè)置多個饋電口的結(jié)構(gòu)。
此外，在這種情況下，如權(quán)利要求5所述，可采用形成多個饋電口的結(jié)構(gòu)，并且這些饋電口為按照具有不同形狀和開口面積而形成的至少兩種或更多種。
再者，如權(quán)利要求6所述，可采用這樣的結(jié)構(gòu)，即當(dāng)多個饋電口在頂壁的前方和后方對準(zhǔn)時，在靠近頂壁中心位置處的饋電口的開口面積大于遠(yuǎn)離頂壁中心位置處的饋電口的開口面積。
這樣，在饋電口的安裝位置偏離加熱腔頂壁中心的情況下，當(dāng)通過調(diào)節(jié)從各饋電口的微波輻射率來減小作為整體的加熱腔的電場強(qiáng)度分布的偏差時，形成多個饋電口及各種形狀和面積的饋電口是很有效的。
另外，如權(quán)利要求7所述，在權(quán)利要求1或2所述的微波加熱裝置中，該微波加熱裝置的特征在于，用于通過加熱器加熱的直線形加熱部件被安裝在加熱腔的頂壁上，并且饋電口被安裝在不包括均等地將頂壁沿前后方向分成兩部分的直線的部位。
再者，優(yōu)選如權(quán)利要求8所述，在權(quán)利要求1或2所述的微波加熱裝置中，可將該裝置構(gòu)成為將通過加熱器用于加熱的直線形的加熱部件安裝在加熱腔的頂壁上，加熱腔的中心軸線更靠近將頂壁沿前后方向均等地分成兩部分的直線，而不是更靠近沿設(shè)置在頂壁上的上波導(dǎo)管的寬度方向的中心軸線。
當(dāng)以這種方式構(gòu)成時，借助于對減小由加熱部件輻射的熱引起的環(huán)境溫度分布的偏差的調(diào)節(jié)可實現(xiàn)對由微波引起的電場強(qiáng)度分布的偏差和由微波和輻射熱對加熱的不均勻性現(xiàn)象相應(yīng)的調(diào)節(jié)。
此外，如權(quán)利要求9所述，在權(quán)利要求8所述的微波加熱裝置中，可將加熱部件設(shè)置成傾斜于將頂壁沿前后方向均等地分成兩部分的直線。
當(dāng)以這種方式構(gòu)成時，與將加熱部件設(shè)置成平行于沿前后方向均等地將頂壁分成兩部分的直線的情況相比，可在加熱部件的前后方向上加寬由加熱部件加熱的加熱腔的加熱區(qū)域，并且可進(jìn)一步抑制加熱器的加熱不均勻性。
此外，如權(quán)利要求10所述，在權(quán)利要求1至9中任一項所述的微波加熱裝置中，在空間允許的情況下，可將用于攪動微波的攪動機(jī)構(gòu)安裝到加熱腔的壁表面上。
以這種方式安裝攪動機(jī)構(gòu)，通過攪動微波可防止在加熱腔中出現(xiàn)微波的偏差，對于進(jìn)一步抑制加熱不均勻性現(xiàn)象是有效的。


圖1是從前側(cè)看的本發(fā)明的微波加熱裝置的第一實施方式內(nèi)部的剖視圖；圖2是從圖1中A-A線的箭頭標(biāo)記方向看的視圖；圖3是沿圖2中B-B線剖切的剖視圖；圖4是從前側(cè)看的本發(fā)明的微波加熱裝置的第一實施方式的一變型實例的內(nèi)部剖視圖；圖5示意地示出了從上側(cè)看的本發(fā)明的微波加熱裝置的第二實施方式的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖6是本發(fā)明的設(shè)置在上波導(dǎo)管前端的饋電口的其他實施方式的說明圖；圖7是從前側(cè)看的現(xiàn)有的微波加熱裝置的剖視圖。
另外，附圖標(biāo)記21表示微波加熱裝置，23表示待加熱物品，25表示加熱腔，25a表示頂壁，25b表示右側(cè)壁，27表示磁控管，27a表示天線，29表示饋電口，29a表示饋電口，29b表示饋電口，31表示波導(dǎo)管，33表示加熱部件，35表示格柵，37表示開啟/關(guān)閉門，41表示下凹部分，43表示凸出部分，47表示側(cè)波導(dǎo)管，49表示上波導(dǎo)管，51表示微波加熱裝置。
具體實施例方式
下面將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的第一實施方式的微波加熱裝置。
圖1至圖3示出了本發(fā)明微波加熱裝置的第一實施方式，圖1是從前側(cè)看的本發(fā)明的微波加熱裝置的第一實施方式內(nèi)部的剖視圖，圖2是從圖1中A-A線的箭頭標(biāo)記方向看的視圖，圖3是沿圖2中B-B線剖切的剖視圖。
按照第一實施方式的微波加熱裝置21設(shè)有容納食物之類的物品23的加熱腔25、用于振蕩微波的磁控管27、形成在加熱腔25壁表面上并構(gòu)成向加熱腔25內(nèi)輻射微波的口的饋電口29、用于將由磁控管振蕩的微波引導(dǎo)到饋電口的波導(dǎo)管31、呈線性形狀并通過加熱器加熱的加熱部件33及安裝在加熱腔25的底部并用于輔助加熱操作的格柵35。
另外，上述包括加熱腔25的各組成零件都被容納在外殼體22的內(nèi)部。
加熱腔25為箱形，它的前側(cè)可通過開啟/關(guān)閉門37開啟和關(guān)閉，如圖2和圖3所示，加熱部件33被安裝在加熱腔25的上部、將頂壁25a沿前后方向均等地分成兩部分的直線X1的前部，此外，饋電口29被安裝在將頂壁25a沿前后方向均等地分成兩部分的直線X1的后部位置。
頂壁25a的與加熱部件33對應(yīng)的位置形成用于容納加熱部件33的凹部41，并且還要考慮到加熱部件33不能伸入到加熱腔內(nèi)。
在該實施方式的情況下，饋電口29由兩個饋電口29a、29b構(gòu)成，它們的位置可沿前后方向相互移動。兩個饋電口29a、29b的每一個的形狀都為沿加熱腔25的寬度方向上(即，在后面將提到的波導(dǎo)管31的軸向上)的細(xì)長矩形。另外，這兩個饋電口29a、29b被設(shè)置在不包括波導(dǎo)管31的管軸線Y1的區(qū)域(與從后面將提到的構(gòu)成波導(dǎo)管31的寬度尺寸的中心的軸線相對應(yīng))。另外，如圖2和3所示，在靠近頂壁25a中心的位置處，饋電口29a的開口面積被設(shè)定為大于遠(yuǎn)離頂壁25a中心位置的饋電口29b的開口面積。
饋電口29a、29b的開口面積被設(shè)置成彼此不同，用這種方式通過調(diào)節(jié)來自各開口的微波的輻射效率、輻射角度等可使加熱腔25內(nèi)整個區(qū)域的電場強(qiáng)度分布的偏差盡可能小。
如圖1和圖2所示，磁控管27被設(shè)置在加熱腔25的右外側(cè)表面，以使振蕩微波的天線27a朝向加熱腔25的一側(cè)。
另外，與天線27a相對的加熱腔25的右側(cè)壁25b形成有凸出部分43，用于避免對伸向腔內(nèi)側(cè)的天線27a造成影響。
L形波導(dǎo)管31包括側(cè)波導(dǎo)管47和上波導(dǎo)管49，側(cè)波導(dǎo)管從天線27a周圍沿加熱腔25的右外側(cè)表面向上延伸，上波導(dǎo)管沿頂壁25a的外表面從側(cè)波導(dǎo)管47的上端延伸到饋電口29。
側(cè)波導(dǎo)管47分隔呈矩形管狀的波導(dǎo)管通路，它用于與加熱腔25的右側(cè)壁25b相配合引導(dǎo)微波。另外，上波導(dǎo)管49分隔呈矩形管狀的波導(dǎo)管通路，它用于與加熱腔25的頂壁25a相配合來引導(dǎo)微波。
在側(cè)波導(dǎo)管47的情況下，構(gòu)成天線27a伸出方向的高度尺寸h2被設(shè)定為小于天線27a伸出的長度，這是由于可利用凸出部分43的高度尺寸h3來避免對天線27a造成影響。上波導(dǎo)管49的高度尺寸b被設(shè)定為等于側(cè)波導(dǎo)管47的高度尺寸h2(即，b＝h2)。
此外，將波導(dǎo)管31固定到加熱腔25上的位置被設(shè)定為使饋電口29a位于裝置的前側(cè)，使饋電口29b位于裝置的后側(cè)，構(gòu)成寬度尺寸a的中心的軸線Y1介于它們之間。
由于與輻射到加熱腔25內(nèi)的微波的波長的關(guān)系，這種固定位置的作用可影響加熱腔25內(nèi)部的電場強(qiáng)度分布和加熱環(huán)境的溫度分布。
如圖3所示，若用附圖標(biāo)記p表示從均等地將頂壁25a分成前后兩部分的線X1至加熱部件33的中心線Y2相隔的距離，用附圖標(biāo)記q表示從線X1至波導(dǎo)管31的中心軸線Y1相隔的距離，優(yōu)選設(shè)定為使p＜q，并且使p盡可能為零。
雖然在從饋電口29向腔25內(nèi)輻射微波的情況下，可通過調(diào)節(jié)本發(fā)明設(shè)置的饋電口29的開口面積或開口位置來調(diào)節(jié)加熱腔25內(nèi)的輻射密度、或通過調(diào)節(jié)格柵35或類似裝置反射等各種手段可方便地調(diào)節(jié)電場強(qiáng)度分布的偏差，但對于由加熱部件33的輻射引起的環(huán)境的溫度分布來說，為了減小其偏差，最好在安裝加熱部件33本身時，使其盡可能靠近加熱腔25的中心。
按照上述結(jié)構(gòu)，如圖1所示，對于波導(dǎo)管31的軸向長度，即使在磁控管27的天線27a與饋電口29的中心之間的距離設(shè)定為例如3/2λg，它等于波導(dǎo)管中微波波長λg的一半的整數(shù)倍，以此使饋電口29能有效地輻射微波，當(dāng)上波導(dǎo)管49和側(cè)波導(dǎo)管47的長度尺寸之和為Lλ1+Lλ2，并調(diào)節(jié)磁控管27的位置和波導(dǎo)管47的長度時，該距離能方便地由波導(dǎo)管31的軸向長度來保證。因此，即使當(dāng)加熱腔25的寬度尺寸為任意尺寸，饋電口29也能被設(shè)定在加熱腔25的中心，并且通過消除磁控管27與加熱腔25的側(cè)壁25b之間的無用空間可實現(xiàn)裝置的小型化，同時可防止由于電場強(qiáng)度分布引起的偏差造成的加熱不均勻。
另外，按照該實施方式的微波加熱裝置21，在磁控管27的天線27a周圍的波導(dǎo)管31的高度尺寸基本上等于加熱腔25的側(cè)壁25b的凸出部分43的高度尺寸h3加上波導(dǎo)管31的實際高度尺寸h2，波導(dǎo)管31的實際高度尺寸h2本身可縮短到小于磁控管27的天線27a伸出的長度值，借此，可通過沿磁控管27的天線27a伸出的方向縮短波導(dǎo)管31的尺寸來減小裝置的高度尺寸。
此外，通過將波導(dǎo)管31制成L形并結(jié)合借助于將凸出部分43安裝在加熱腔25的側(cè)壁25b上來縮短波導(dǎo)管31的高度尺寸，可使加熱腔25小型化，而且可在提高空間利用率的前提下使裝置小型化，同時可防止由于饋電口29安裝位置的偏差引起的加熱不均勻。
再者，該實施方式的微波加熱裝置21裝有加熱部件33，它還能用作爐灶(烤箱)，因此，該裝置的烹飪用途更寬廣。
此外，雖然加熱腔25的頂壁25a設(shè)有由加熱器加熱的加熱部件33和用于微波加熱的饋電口29，加熱部件33更靠近均等地將頂壁25a沿前后方向分成兩部分的線X1和饋電口29，因而，加熱腔25中的環(huán)境溫度分布偏差較小，不容易產(chǎn)生加熱不均勻的缺陷或類似缺陷。
另外，饋電口29被設(shè)置在加熱腔25的寬度方向的中心，并只在加熱腔25的前后方向上向后方偏離加熱腔25的中心。因此，對于這種沿前后方向的偏心來說，可使具有大孔的饋電口29a和具有小孔的饋電口29b相結(jié)合，借此能盡可能地將微波均勻地輻射到加熱腔25內(nèi)，這樣，即使在微波加熱的情況下，在加熱腔25內(nèi)的電場強(qiáng)度分布的偏差受到抑制，從而抑制了加熱不均勻的現(xiàn)象，即使省略了使裝置尺寸增大的轉(zhuǎn)盤或類似裝置，也能均勻地加熱物品，并可在不犧牲加熱性能的前提下實現(xiàn)裝置小型化。
圖4示出了本發(fā)明微波加熱裝置的第一實施方式的一變型實例。
按照該變型實例，將包括側(cè)波導(dǎo)管47和上波導(dǎo)管49的L形波導(dǎo)管31構(gòu)成為使側(cè)波導(dǎo)管47延伸到加熱腔25的下側(cè)，而磁控管27被設(shè)置在加熱腔25的下方位置。另外，其它結(jié)構(gòu)與第一實施方式的結(jié)構(gòu)相同。
以這種方式將磁控管27設(shè)置在加熱腔25下方位置，或通過縮短裝置的寬度尺寸進(jìn)一步實現(xiàn)小型化。
圖5示意地示出了從上側(cè)看的本發(fā)明微波加熱裝置的第二實施方式的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。
按照第二實施方式的微波加熱裝置51，通過加熱器加熱的加熱部件33被設(shè)置成相對于均等地將頂壁25a沿前后方向分成兩部分的線X1傾斜，而其它結(jié)構(gòu)與第一實施方式的情況相同。與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)采用相同的附圖標(biāo)記表示，并省略對它們的描述。
以這種方式構(gòu)成時，和加熱腔31被設(shè)置成與均等地將頂壁25a沿前后方向分成兩部分的線X1平行的第一實施方式的情況相比，加熱腔25的加熱區(qū)在前后方向上更寬，并可進(jìn)一步抑制由爐灶加熱引起的不均勻性。
另外，在本發(fā)明的微波加熱裝置中，若在自由空間中的微波的波長用附圖標(biāo)記λ0表示，優(yōu)選將具有圖6(a)所示的矩形截面的波導(dǎo)管的寬度尺寸a和高度尺寸b設(shè)定為滿足下列方程式(1)和方程式(2)(λ0/2)＜a＜λ0…(1)b＜(λ0/2) …(2)此外，雖然按照上述各實施方式，主副兩個饋電口沿前后方向?qū)R，安裝饋電口的數(shù)量不受上述實施方式的限制。安裝饋電口的數(shù)量可以為單個，也可為3個或3個以上的多個。
再者，饋電口的設(shè)計，如安裝位置、形狀、開口面積等可根據(jù)靠近均等地將頂壁25a沿前后方向分成兩部分的線X1的程度進(jìn)行適當(dāng)改變。
總之，可使饋電口形成為可調(diào)節(jié)，以盡可能地消除引起加熱不均勻的電場強(qiáng)度分布的偏差。
圖6(b)至6(f)示出了在上波導(dǎo)管49的前端的饋電口29的安裝位置和安裝數(shù)量的變型實例。
圖6(b)示出了安裝單個軸向細(xì)長的饋電口29的實例，它的中心與上波導(dǎo)管49的寬度方向上的中心軸線Y1對準(zhǔn)。
圖6(c)示出了安裝單個沿軸向為細(xì)長的饋電口29的實例，它從上波導(dǎo)管49的寬度方向上的中心軸線Y1被移動到前側(cè)。
圖6(d)示出了安裝單個軸向細(xì)長的饋電口29的實例，它被更多地移動到前側(cè)，而不碰到上波導(dǎo)管49的寬度方向上的中心軸線Y1。
圖6(e)示出了安裝兩個軸向細(xì)長的饋電口29、29的實例，它們分別被安裝在上波導(dǎo)管49的寬度方向上介于中心軸線Y1的前側(cè)和后側(cè)。
圖6(f)示出了安裝在軸線Y1前方、不碰到上波導(dǎo)管49的寬度方向上的中心軸線Y1的軸向細(xì)長的饋電口，及安裝成沿部分地碰到軸線Y1的垂直于軸線Y1的方向為細(xì)長的饋電口30。
盡管圖中未示出，還有可接受的安裝多個饋電口的結(jié)構(gòu)，即，使它們在軸向上為陣列形狀。另外，還有可接受的安裝多個饋電口的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)由至少兩種或多種具有不同形狀和開口面積的饋電口構(gòu)成。例如，饋電口可以由圓形、橢圓形、三角形或其它多邊形、或可以只由曲線、或由曲線和直線構(gòu)成。
上述多個饋電口的結(jié)構(gòu)、各種形狀和面積的饋電口等結(jié)構(gòu)在減輕整個加熱腔25的電場強(qiáng)度分布的偏差上是有效的，其方法是，當(dāng)饋電口29的安裝位置偏離加熱腔25的頂壁25a的中心時，調(diào)節(jié)各饋電口29的微波輻射率。
另外，盡管在圖6中，在饋電口與波導(dǎo)管的左端部之間存在間隙，但也可采用省去這種間隙的結(jié)構(gòu)。
此外，雖然由于目前小型化結(jié)構(gòu)占主流而在上述實施方式中沒有安裝攪動機(jī)構(gòu)，但如果尺寸方面存在余量，也可將用于攪動微波的攪動機(jī)構(gòu)安裝在加熱腔內(nèi)壁表面上。
安裝攪動機(jī)構(gòu)對抑制加熱的不均勻性現(xiàn)象是有效的，因為它能通過攪動微波來防止微波的偏差。
雖然已參照具體實施方式
詳細(xì)地描述了本發(fā)明，顯然，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在不超出本發(fā)明構(gòu)思和范圍的前提下，可對本發(fā)明作出各種改變和變換。
本申請以2003年2月5日申請的日本專利申請2003-028450號為基礎(chǔ)，該申請的內(nèi)容作為本申請的參考。
工業(yè)實用性本發(fā)明的微波加熱裝置通過設(shè)定波導(dǎo)管的軸向長度、即上波導(dǎo)管和側(cè)波導(dǎo)管的長度尺寸之和，即使加熱腔的寬度尺寸為任意尺寸，也可隨意設(shè)置饋電口，并可防止由于電場強(qiáng)度分布的偏差引起的加熱不均勻現(xiàn)象。另外，通過取消在磁控管和加熱腔側(cè)壁之間的無用空間可實現(xiàn)裝置小型化。
另外，若本發(fā)明具有如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)，在磁控管的天線周圍的波導(dǎo)管的高度尺寸基本上由加熱腔側(cè)壁的凸出部分的高度尺寸h3加上波導(dǎo)管的實際高度尺寸h2構(gòu)成。波導(dǎo)管本身的實際高度尺寸h2可縮短到小于磁控管的天線伸出的長度，因此，通過沿磁控管的天線伸出的方向縮小波導(dǎo)管的尺寸，可縮短裝置的高度尺寸。
再者，通過將波導(dǎo)管制成L形并將凸出部分安裝在加熱腔的側(cè)壁上來縮短波導(dǎo)管的高度尺寸的共同作用可使加熱腔小型化，并可在提高空間利用率的前提下使裝置小型化，同時可防止由于安裝饋電口的位置偏差引起的加熱不均勻現(xiàn)象。
權(quán)利要求
1.一種用于輻射從磁控管通過波導(dǎo)管向加熱腔振蕩的微波的微波加熱裝置，其中，用于輻射微波的饋電口被設(shè)置在所述加熱腔的頂壁上；及所述波導(dǎo)管為L形，它包括沿所述加熱腔的外側(cè)表面向上延伸的側(cè)波導(dǎo)管和沿所述頂壁的外表面從所述側(cè)波導(dǎo)管的上端延伸到所述饋電口的上波導(dǎo)管。
2.按照權(quán)利要求1所述的微波加熱裝置，其中，所述磁控管的天線被設(shè)置成朝向所述加熱腔的側(cè)部，并且與所述側(cè)壁相對，所述側(cè)壁形成向所述腔的內(nèi)側(cè)凸出的凸出部分，用于避免影響天線。
3.按照權(quán)利要求1所述的微波加熱裝置，其中，所述饋電口沿所述加熱腔的寬度方向為細(xì)長的矩形。
4.按照權(quán)利要求3所述的微波加熱裝置，其中，設(shè)置多個饋電口。
5.按照權(quán)利要求4所述的微波加熱裝置，其中，按照具有不同形狀和開口面積的至少兩種或多種饋電口形成所述多個饋電口。
6.按照權(quán)利要求4或5所述的微波加熱裝置，其中，當(dāng)所述多個饋電口在所述頂壁的前方和后方對準(zhǔn)時，在靠近所述頂壁中心位置處的所述饋電口的開口面積被設(shè)定成大于遠(yuǎn)離所述頂壁中心位置處的饋電口的開口面積。
7.按照權(quán)利要求1或2所述的微波加熱裝置，其中，在所述加熱腔的頂壁上安裝有用于通過加熱器加熱的呈線性形狀的加熱部件，并且所述饋電口被安裝在不包括均等地將所述頂壁沿前后方向分成兩部分的直線的位置處。
8.按照權(quán)利要求1或2所述的微波加熱裝置，其中，在所述加熱腔的頂壁上安裝有通過加熱器加熱的呈線性形狀的加熱部件，所述加熱腔的中心軸線更靠近將所述頂壁沿前后方向均等地分成兩部分的直線，而不是更靠近沿設(shè)置在所述頂壁上的所述上波導(dǎo)管的寬度方向的中心軸線。
9.按照權(quán)利要求8所述的微波加熱裝置，其中，所述加熱部件被設(shè)置成傾斜于將所述頂壁沿前后方向均等地分成兩部分的所述直線。
10.按照權(quán)利要求1至9中任一頂所述的微波加熱裝置，其中，在所述加熱腔的壁表面上安裝有用于攪動微波的攪動機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種微波加熱裝置，它能減小裝置尺寸，同時可防止由于安裝饋電口的位置偏差造成的加熱不均勻現(xiàn)象。在微波加熱裝置(21)中，用于輻射微波的口的饋電口(29)被設(shè)置在加熱腔(25)的頂壁(25a)上，磁控管(27)被設(shè)置在加熱腔(25)的外表面上，使用于發(fā)射微波的天線(27a)朝向加熱腔(25)，用于引導(dǎo)從磁控管(27)向饋電口(29)發(fā)射的微波的波導(dǎo)管(31)為L形，它包括從天線(27)的周邊沿加熱腔(25)的外表面向上延伸的側(cè)波導(dǎo)管(47)和沿頂壁(25a)的外表面從側(cè)波導(dǎo)管(47)的上端延伸到饋電口(29)的上波導(dǎo)管(49)。
文檔編號F24C7/02GK1736128SQ200480002078
公開日2006年2月15日 申請日期2004年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月5日
發(fā)明者吉野浩二, 井戶本晉, 信江等隆 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社