專利名稱：晶片高溫測試爐的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種晶片高溫測試爐，特別涉及制造半導體器件用的高溫測試爐。
背景技術：
在半導體的制造過程中，高溫測試爐的應用非常廣泛。在應力遷移(SM)、PN結漏電流(Junction leakage)、高溫生命期(HTOL)、非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保持特性(Data Retention)等等的測試中，將晶片放置于高溫測試爐內加熱至150℃、200℃或250℃，并可持續(xù)1000小時，可設中間讀數(shù)點(例如，168小時、500小時等)。
傳統(tǒng)的半導體器件如晶片的高溫測試爐的內部結構如圖1a、圖1b所示，圖1a所示為現(xiàn)有一種結構形式的晶片高溫測試爐透視結構示意圖，該高溫測試爐包括一爐體10，其有一腔體結構，腔體內設有隔板20，晶片30平放在隔板20上。此結構測試爐中由于單片晶片30平放在爐內，晶片30所占空間大，浪費了很多爐內空間；在拿進、取出測試爐時很容易使晶片破碎。圖1b所示為另一種結構形式晶片高溫測試爐透視結構示意圖。該測試爐包括一爐體10，爐體腔體內設有隔板20以及放置其上的晶舟盒40；晶片30裝設于晶舟盒40。由于晶舟盒40較重，操作時不方便；而且，由于三面封閉，加熱均勻性不好，會導致晶片30破碎；同時，在冷卻時很耗時，延長了加工周期。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于設計一種晶片高溫測試爐，可使晶舟盒放置及拿取更加方便；同時，保證晶片加熱均勻，并縮短降溫時間；晶舟盒內的晶片固定更加穩(wěn)定。
為達到上述目的，本發(fā)明的技術解決方案是，晶片高溫測試爐，包括一爐體，其有一腔體結構；還包括支撐架、滑軌、晶舟盒；其中，支撐架設置于所述的爐體腔體；滑軌設置于支撐架；晶舟盒設于滑軌上，其底部開設有與滑軌相對應的滑槽，便于放置及拿取晶舟盒。
進一步，所述的滑軌的形狀為梯形結構。
所述的晶舟盒底部滑槽的形狀為與所述的滑軌相配合的燕尾。
所述的晶舟盒的側壁和底部開有多個通孔，有利于晶片均勻加熱，同時也縮短了降溫的時間。
所述的晶舟盒內部底部開有多個夾持晶片的固定槽，該固定槽為V形槽；所述的晶舟盒內部底部的V形固定槽的一邊垂直于晶舟盒底面，另一邊為傾斜結構；所述的V形槽的角度小于90度，使晶片自然傾斜，不會隨意晃動。
本發(fā)明的有益效果是1.滑槽結構便于放置及拿取晶舟盒；2.晶舟盒開有通孔，有利于晶片均勻加熱及散熱；3.晶舟盒內底部的V形槽使晶片的固定更加穩(wěn)定，不易晃動。


圖1a為現(xiàn)有晶片高溫測試爐的一種結構形式的透視圖；圖1b為現(xiàn)有晶片高溫測試爐的另一種結構形式的透視圖；圖2a為本發(fā)明的結構透視圖；圖2b為圖2a的A部放大示意圖；圖3為本發(fā)明的晶舟盒結構透視圖；圖4為圖3的右視圖；圖5為圖4的B部放大圖；圖6為本發(fā)明的晶舟盒的另一實施例局部放大示意圖。
具體實施例方式
參見圖2a、圖2b、圖3，本發(fā)明的晶片高溫測試爐，包括一爐體1、支撐架2、滑軌3、晶舟盒4；其中，爐體1有一腔體結構100；支撐架2設置于所述的爐體腔體100內；滑軌3設置于支撐架2；晶舟盒4設于滑軌3上，其底部41開設有與滑軌3相對應的滑槽411；所述的滑軌3的形狀為梯形結構；所述的晶舟盒4底部滑槽411的形狀為與所述的滑軌3相配合的燕尾槽，通過滑軌3與晶舟盒4底部41的滑槽411配合，放置及拿取晶舟盒更加方便。
再請參見圖4，本發(fā)明所述的晶舟盒4的側壁42和底部41開有多個通孔421、412，有利于晶片5均勻加熱及散熱。
請參見圖5，所述的晶舟盒4內部底部開有多個夾持晶片5的固定槽43，該固定槽43為V形槽；所述的V形槽的角度θ小于90度，使晶片5自然傾斜，不會隨意晃動。
請參見圖6，本發(fā)明的晶舟盒4內部底部的V形固定槽43的一邊垂直于晶舟盒底面，另一邊為傾斜結構，所述的V形固定槽43的角度θ小于90度。由于V形固定槽43一面垂直晶舟盒底面，該結構可使放置于V形固定槽43中的晶片5更加穩(wěn)定。
權利要求
1.晶片高溫測試爐，包括，一爐體，其有一腔體結構；其特征是，還包括，支撐架，設置于所述的爐體腔體；滑軌，設置于支撐架上；晶舟盒，設于滑軌上，其底部開設有與滑軌相對應的滑槽。
2.如權利要求1所述的晶片高溫測試爐，其特征是，所述的滑軌的形狀為梯形結構。
3.如權利要求1所述的晶片高溫測試爐，其特征是，所述的晶舟盒底部滑槽的形狀為與所述的滑軌相配合的燕尾。
4.如權利要求1所述的晶片高溫測試爐，其特征是，所述的晶舟盒的側壁和底部開有多個通孔。
5.如權利要求1所述的晶片高溫測試爐，其特征是，所述的晶舟盒內部底部開有多個夾持晶片的固定槽，該固定槽為V形槽。
6.如權利要求1所述的晶片高溫測試爐，其特征是，所述的晶舟盒內部底部的V形固定槽的一邊垂直于晶舟盒底面，另一邊為傾斜結構。
7.如權利要求1所述的晶片高溫測試爐，其特征是，所述的V形槽的角度小于90度。
全文摘要
晶片高溫測試爐，包括一爐體，其有一腔體結構；還包括支撐架、滑軌、晶舟盒；其中，支撐架設置于所述的爐體腔體；滑軌設置于支撐架，滑軌的形狀為梯形結構；晶舟盒設于滑軌上，其底部開設有與滑軌相對應的滑槽，便于放置及拿取晶舟盒；所述的晶舟盒的側壁和底部開有多個通孔，有利于晶片均勻加熱，同時也縮短了降溫的時間；所述的晶舟盒內部底部開有多個夾持晶片的固定槽，該固定槽為V形槽；所述的晶舟盒內部底部的V形固定槽的一邊垂直于晶舟盒底面，另一邊為傾斜結構；V形槽的角度小于90度，使晶片自然傾斜，不會隨意晃動。
文檔編號F27B17/00GK1805117SQ20051002321
公開日2006年7月19日 申請日期2005年1月11日 優(yōu)先權日2005年1月11日
發(fā)明者曾繁中, 胡軼強, 簡維廷, 馬瑾怡, 阮瑋瑋 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司