半圓形碳化硅托燒窯具的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種托燒窯具，特別涉及一種半圓形碳化硅托燒窯具，屬于管狀陶瓷及耐火材料產(chǎn)品生產(chǎn)的【技術(shù)領(lǐng)域】。包括窯車（1），其特征在于：窯車（1）兩端設(shè)置立柱（5），窯車（1）兩端的立柱（5）之間設(shè)置橫梁（2），橫梁（2）上設(shè)置半圓托管（3）。本實(shí)用新型半圓形托管結(jié)構(gòu)可提高管狀陶瓷及耐火材料制品的裝窯與出窯效率，減少勞動力，減小裝燒過程中坯體的開裂與破損等問題，提高了生產(chǎn)效率。同時，半圓托燒窯具可減輕窯具的重量、減少窯具消耗的熱能，提高窯具的壽命。
【專利說明】半圓形碳化硅托燒窯具
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種托燒窯具，特別涉及一種半圓形碳化硅托燒窯具，屬于管狀陶瓷及耐火材料產(chǎn)品生產(chǎn)的【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]對于長度較大的管狀陶瓷及耐火材料制品而言，都需要用窯具裝載后進(jìn)行燒制。現(xiàn)有的管狀陶瓷產(chǎn)品及耐火材料制品的生產(chǎn)一般采用以下兩種托燒方式，一是直接放置硼板上；二是套在管狀窯具中。這兩種托燒方式在實(shí)際使用過程中存在以下問題:其一，直接放置于硼板上燒成，管狀陶瓷及耐火材料制品在燒成過程中易彎曲、變形，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。其二，套在管狀窯具中燒成，現(xiàn)研究發(fā)現(xiàn)此只適合管長度小于800_的產(chǎn)品，當(dāng)管長度超過800mm時在裝燒過程中管狀陶瓷及耐火材料坯體易破碎，并且裝窯和出窯效率低、勞動力大，進(jìn)而影響產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]根據(jù)以上現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本實(shí)用新型要解決的問題是:提供一種生產(chǎn)效率高，降低勞動力，燒成過程中不易彎曲和變形，可生產(chǎn)長度超過800mm的管狀陶瓷及耐火材料制品的半圓形碳化硅托燒窯具。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0005]所述的半圓形碳化硅托燒窯具，包括窯車，窯車兩端設(shè)置立柱，窯車兩端的立柱之間設(shè)置橫梁，橫梁上設(shè)置半圓托管。
[0006]所述的半圓形碳化硅托燒窯具將托管設(shè)置成半圓形，不但提高管狀陶瓷及耐火材料制品的裝窯與出窯效率，減少勞動力，減小裝燒過程中坯體的開裂與破損等問題，提高了生產(chǎn)效率，同時，半圓托燒窯具可減輕窯具的重量，提高窯具的壽命。
[0007]其中優(yōu)選:
[0008]所述的立柱由8?10層小立柱構(gòu)成，底層立柱為凹字形，其余上層立柱的底部設(shè)置凸槽，上部設(shè)置凹槽，凸槽和凹槽的寬度相等。立柱從第二層小立柱開始，上一層立柱底部的凸槽放入下一層立柱的凹槽內(nèi)，橫梁與立柱的凸槽可緊密疊放于下一層立柱的凹槽中，實(shí)現(xiàn)了多層燒成，提高了窯爐的利用率，節(jié)約能源，提高了生產(chǎn)效率。
[0009]所述的半圓托管內(nèi)設(shè)置管狀陶瓷及耐火材料制品管，半圓托管與管狀陶瓷及耐火材料制品管的直徑差為IOmm?50mm。方便裝窯與出窯，減小裝燒過程中坯體的開裂與破損。
[0010]所述的立柱的相鄰兩層小立柱的凸槽和凹槽連接后形成一空腔，橫梁設(shè)置在空腔內(nèi)，橫梁與空腔之間存在0.5mm?Imm的空隙。上一層立柱底部的凸槽寬度與下一層立柱凹槽的寬度一致，橫梁放置在立柱的凹槽內(nèi)，確保橫梁和立柱的凸槽在立柱的凹槽內(nèi)有縫隙，使若干層支架上、下穩(wěn)定疊放，不會發(fā)生相對滑動，并防止材料應(yīng)熱膨脹而損壞。
[0011]所述的半圓托管的材質(zhì)為重結(jié)晶碳化硅或燒結(jié)法碳化硅或剛玉-莫來石，立柱的材質(zhì)為剛玉-莫來石或重結(jié)晶碳化硅，橫梁的材質(zhì)為重結(jié)晶碳化硅或反應(yīng)燒結(jié)碳化硅或氮化硅結(jié)合碳化硅。
[0012]本實(shí)用新型所具有的有益效果是:
[0013]所述的半圓形碳化硅托燒窯具提高了管狀陶瓷及耐火材料制品管與裝載窯具的接觸面積，可形成同一截面上管狀陶瓷及耐火材料制品管與裝載窯具有三個以上的接觸點(diǎn)，有效的防止了管狀陶瓷及耐火材料制品在燒成過程中的彎曲、變形等缺陷。所設(shè)計的半圓形結(jié)構(gòu)可提高管狀陶瓷及耐火材料制品的裝窯與出窯效率，減少勞動力，減小裝燒過程中坯體的開裂與破損等問題，提高了生產(chǎn)效率。同時，半圓托燒窯具可減輕窯具的重量、減少窯具消耗的熱能，提聞窯具的壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型半圓托管剖視圖；
[0016]圖3為本實(shí)用新型立柱的側(cè)視圖；
[0017]其中，1、窯車；2、橫梁；3、半圓托管；4、管狀陶瓷及耐火材料制品管；5、立柱；6、凹槽；7、上層立柱；8、凸槽；9、空腔；10、底層立柱。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施例做進(jìn)一步描述:
[0019]如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型所述的半圓形碳化硅托燒窯具，包括窯車1，窯車I兩端設(shè)置立柱5，窯車I兩端的立柱5之間設(shè)置橫梁2，橫梁2上設(shè)置半圓托管3。
[0020]其中，如圖3所示，立柱5由8?10層小立柱構(gòu)成，底層立柱10為凹字形，其余上層立柱7的底部設(shè)置凸槽8，上部設(shè)置凹槽6，凸槽8和凹槽6的寬度相等。半圓托管3內(nèi)設(shè)置管狀陶瓷及耐火材料制品管4，半圓托管3與管狀陶瓷及耐火材料制品管4的直徑差為IOmm?50mm。立柱5的相鄰兩層小立柱的凸槽8和凹槽6連接后形成一空腔9,橫梁2設(shè)置在空腔9內(nèi)，橫梁2與空腔9之間存在0.5mm?1_的空隙。半圓托管3的材質(zhì)為重結(jié)晶碳化硅或燒結(jié)法碳化硅或剛玉-莫來石，立柱5的材質(zhì)為剛玉-莫來石或重結(jié)晶碳化硅，橫梁2的材質(zhì)為重結(jié)晶碳化硅或反應(yīng)燒結(jié)碳化硅或氮化硅結(jié)合碳化硅。
[0021]工作原理和使用過程:
[0022]本實(shí)用新型所述的半圓形碳化硅托燒窯具底層立柱10底部為水平面，頂部有一凹槽，從窯車I底部開始放底層立柱10，底層立柱10凹槽內(nèi)放橫梁2，并確保橫梁2的寬度與底層立柱10凹槽的寬度一致，半圓托管3放置在橫梁2上，管狀陶瓷及耐火材料制品管4放置在半圓托管3內(nèi)。如圖3所示，從第二層開始的上層立柱7底部有一凸槽，凸槽的寬度應(yīng)與下一層立柱凹槽的寬度一致，橫梁2放置在立柱5的凹槽內(nèi)，確保橫梁2和立柱5的凸槽在立柱5的凹槽內(nèi)有0.5?Imm的縫隙，這使若干層支架上、下穩(wěn)定疊放，不會發(fā)生相對滑動，并防止材料應(yīng)熱膨脹而損壞，半圓托管3放置在橫梁5上，管狀陶瓷及耐火材料制品管4放置在半圓托管3內(nèi)。如圖2所示，半圓托管的圓形結(jié)構(gòu)，用于盛裝管狀陶瓷及耐火材料，可以充分發(fā)揮圓形承燒托管的特點(diǎn)。本實(shí)用新型提高了管狀陶瓷及耐火材料制品的裝窯與出窯效率，減少勞動力，減小裝燒過程中坯體的開裂與破損等問題，提高了生產(chǎn)效率。同時，半圓托燒窯具可減輕窯具的重量、減少窯具消耗的熱能，提高窯具的壽命。
【權(quán)利要求】
1.一種半圓形碳化硅托燒窯具，包括窯車(1)，其特征在于:窯車(I)兩端設(shè)置立柱(5)，窯車(I)兩端的立柱(5)之間設(shè)置橫梁(2)，橫梁(2)上設(shè)置半圓托管(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半圓形碳化硅托燒窯具，其特征在于:所述的立柱(5)由8?10層小立柱構(gòu)成，底層立柱(10)為凹字形，其余上層立柱(7)的底部設(shè)置凸槽(8)，上部設(shè)置凹槽(6)，凸槽(8)和凹槽(6)的寬度相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半圓形碳化硅托燒窯具，其特征在于:所述的半圓托管(3)內(nèi)設(shè)置管狀陶瓷及耐火材料制品管(4)，半圓托管(3)與管狀陶瓷及耐火材料制品管(4)的直徑差為10mm?50mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半圓形碳化硅托燒窯具，其特征在于:所述的立柱(5)的相鄰兩層小立柱的凸槽(8)和凹槽(6)連接后形成一空腔(9)，橫梁(2)設(shè)置在空腔(9)內(nèi)，橫梁(2)與空腔(9)之間存在0.5mm?Imm的空隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半圓形碳化硅托燒窯具，其特征在于:所述的半圓托管(3)的材質(zhì)為重結(jié)晶碳化硅或燒結(jié)法碳化硅或剛玉-莫來石，立柱(5)的材質(zhì)為剛玉-莫來石或重結(jié)晶碳化硅，橫梁(2)的材質(zhì)為重結(jié)晶碳化硅或反應(yīng)燒結(jié)碳化硅或氮化硅結(jié)合碳化硅。
【文檔編號】F27D3/12GK203478994SQ201320535291
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】毛必明, 鄭樹清, 吳事江, 滕方雄, 駱建華 申請人:山東納瑞環(huán)?？萍加邢薰?br>