一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型屬于電子元器件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說是涉及一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，其主要是為了提供一種持久耐用的電子元器件的承燒板結(jié)構(gòu)，提高流水線生產(chǎn)的生產(chǎn)效率，提高產(chǎn)品的合格率和生產(chǎn)質(zhì)量，一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，包括碳化硅層，在碳化硅層的外表面包裹覆蓋有硫檸鎂材料層，在硫檸鎂材料層的最上表面設(shè)置有氧化鋯層，在碳化硅層沿豎直方向設(shè)置有圓柱形的支撐體，且支撐體的個數(shù)最少為3個，其分別布置在碳化硅層的中間和兩端位置處，硫檸鎂材料層的厚度為0.4～0.6mm，氧化鋯層的厚度為0.7mm，本實用新型簡單使用，有效的提高了承燒板的使用壽命，提高了承燒板的剛度等級。
【專利說明】一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于電子元器件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說是涉及一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)。【背景技術(shù)】
[0002]在電子元器件的生產(chǎn)過程中，特別是高檔的鐵氧磁體的燒制過程中，必須要用到承燒板結(jié)構(gòu)，由于高檔的鐵氧磁體在燒制過程中容易出現(xiàn)溫差和變形，所以需要在其承燒板的表面覆蓋一層質(zhì)地均勻，受熱變形影響低的材料，現(xiàn)在在生產(chǎn)過程中，有些企業(yè)通過在承燒板的表面覆蓋一層氧化鋯層來進行高檔的鐵氧磁體的燒制，且其燒制效果明顯，然而承燒板的生產(chǎn)環(huán)境畢竟是在高溫下生產(chǎn)，隨著生產(chǎn)的自動化和流水線工作，承燒板也容易因為高溫而發(fā)生細微的形變，這樣一來，會對高檔氧磁體的生產(chǎn)產(chǎn)生一定的影響，影響其加工的產(chǎn)品質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的發(fā)明目的:
[0004]主要是提供一種持久耐用的電子元器件的承燒板結(jié)構(gòu)，提高流水線生產(chǎn)的生產(chǎn)效率，提高產(chǎn)品的合格率和生產(chǎn)質(zhì)量。
[0005]本實用新型的技術(shù)方案為:
[0006]—種氧化錯承燒板結(jié)構(gòu)，包括碳化娃層，在碳化娃層的外表面包裹覆蓋有硫朽1鎂材料層，在硫檸鎂材料層的最上表面設(shè)置有氧化鋯層，在碳化硅層沿豎直方向設(shè)置有圓柱形的支撐體，且支撐體的個數(shù)最少為3個，其分別布置在碳化硅層的中間和兩端位置處，硫朽1鎂材料層的厚度為0.4?0.6mm,氧化錯層的厚度為0.7mm。
[0007]本實用新型的有益效果是:
[0008]有效的提高了承燒板的使用壽命，提高了承燒板的剛度等級，使其不容易發(fā)生變形。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中，I為碳化硅層，2為硫檸鎂材料層；3為氧化鋯層；4為支撐體。
【具體實施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做出詳細的描述。
[0012]如圖1所述，提供了 一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，包括碳化硅層I，在碳化硅層I的外表面包裹覆蓋有硫檸鎂材料層2，在硫檸鎂材料層的最上表面設(shè)置有氧化鋯層3，在碳化硅層沿豎直方向設(shè)置有圓柱形的支撐體4，且支撐體4的個數(shù)最少為3個，其分別布置在碳化硅層的中間和兩端位置處，這樣一來使得承燒板在高溫下更不容易發(fā)生形變，為了節(jié)約對生產(chǎn)成本的控制，硫朽1鎂材料層的厚度為0.4?0.6mm,氧化錯層的厚度為0.7mm。
【權(quán)利要求】
1.一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，包括碳化硅層，其特征是:在碳化硅層的外表面包裹覆蓋有硫檸鎂材料層，在硫檸鎂材料層的最上表面設(shè)置有氧化鋯層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，其特征是:在碳化硅層沿豎直方向設(shè)置有圓柱形的支撐體，且支撐體的個數(shù)最少為3個，其分別布置在碳化硅層的中間和兩端位置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，其特征是:硫檸鎂材料層的厚度為0.4?0.6mm,氧化錯層的厚度為0.7mm。
【文檔編號】F27D5/00GK203758273SQ201420150463
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】梁國慶, 梁坤, 霍天才 申請人:焦作市科力達科技有限公司