本技術(shù)屬于太陽能，具體涉及一種水汽處理設(shè)備及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、異質(zhì)結(jié)(heterojunction?with?intrinsic?thin-layer，hjt)電池因?yàn)榉蔷Ч璞∧鬏旊娮璐?，在縱向上可以通過減薄非晶硅層厚度來提高載流子隧穿傳輸，在橫向方向上無法通過非晶硅層形成良好的載流子傳輸，故在非晶硅表面引入了透明導(dǎo)電基底進(jìn)行載流子橫向傳輸。透明導(dǎo)電基底很好的解決了載流子橫向傳輸問題，同時(shí)其優(yōu)異的透光性可以保證太陽電池對光的吸收，但透明導(dǎo)電氧化物(transparent?conductive?oxide，tco)中氧、氫含量對其性質(zhì)影響較為顯著。在通過物理氣相沉積(physical?vapor?deposition，pvd)設(shè)備制備tco薄膜的過程中，需要先將硅片放置于載板表面，然后將放置有硅片的載板放置于pvd設(shè)備中，來進(jìn)行氣相沉積鍍膜。在鍍膜的過程中，水汽的進(jìn)入易使得薄膜性質(zhì)變化，導(dǎo)電性變差；在量產(chǎn)過程中，pvd設(shè)備的腔體內(nèi)部一直處于高真空狀態(tài)，其內(nèi)部水汽含量升高主要為外部引入，外部引入主要由于載板的水汽含量偏高導(dǎo)致水汽帶入pvd設(shè)備的腔室內(nèi)，最終影響工藝鍍膜效果。

2、公開于該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對本實(shí)用新型的總體背景的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種水汽處理設(shè)備及系統(tǒng)，其能夠去除載板中的水汽，減少使用能耗。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型一具體實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下：

3、一種水汽處理設(shè)備，所述水汽處理設(shè)備包括：

4、處理室，所述處理室具有一用于收容載板的腔體；

5、真空產(chǎn)生裝置，與所述腔體相連通；

6、冷卻流道，形成于所述處理室的側(cè)壁內(nèi)，所述冷卻流道包括流道入口和流道出口；

7、冷卻源，與所述流道入口相連通，用于向所述冷卻流道中提供冷卻介質(zhì)。

8、在本實(shí)用新型的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述處理室的至少一側(cè)壁包括外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁，所述冷卻流道形成于所述外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁之間。

9、在本實(shí)用新型的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述水汽處理設(shè)備還包括冷卻管，所述冷卻流道形成于所述冷卻管內(nèi)。

10、在本實(shí)用新型的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述冷卻管全部或部分安裝于所述處理室的側(cè)壁上；和/或，所述冷卻管全部或部分嵌設(shè)于所述處理室的側(cè)壁內(nèi)。

11、在本實(shí)用新型的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述冷卻源為液氮罐。

12、在本實(shí)用新型的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述流道入口位于所述流道出口的上方。

13、在本實(shí)用新型的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述處理室的側(cè)壁內(nèi)部固定安裝有多個(gè)用于安裝所述載板的定位件。

14、在本實(shí)用新型的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)所述定位件沿水平方向或豎直方向固定安裝于所述處理室的側(cè)壁內(nèi)部。

15、在本實(shí)用新型的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述腔體內(nèi)的處理溫度小于或等于-20℃；和/或，

16、所述腔體內(nèi)的處理壓強(qiáng)小于或等于30pa。

17、本實(shí)用新型另一具體實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下：

18、一種水汽處理系統(tǒng)，所述水汽處理系統(tǒng)包括傳動(dòng)結(jié)構(gòu)和如前述的水汽處理設(shè)備，所述傳動(dòng)結(jié)構(gòu)用于將載板輸送至水汽處理設(shè)備的處理室中。

19、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果：

20、本實(shí)用新型提供一種水汽處理設(shè)備及系統(tǒng)，通過冷卻源和真空產(chǎn)生裝置，使得處理室內(nèi)部處于低溫低壓狀態(tài)，能夠使用較短的時(shí)間就能去除水汽，去除水汽所消耗的能量較低，并且不會(huì)對載板表面產(chǎn)生不良影響。

技術(shù)特征：

1.一種水汽處理設(shè)備，其特征在于，所述水汽處理設(shè)備包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水汽處理設(shè)備，其特征在于，所述處理室的至少一側(cè)壁包括外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁，所述冷卻流道形成于所述外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水汽處理設(shè)備，其特征在于，所述水汽處理設(shè)備還包括冷卻管，所述冷卻流道形成于所述冷卻管內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的水汽處理設(shè)備，其特征在于，所述冷卻管全部或部分安裝于所述處理室的側(cè)壁上；和/或，所述冷卻管全部或部分嵌設(shè)于所述處理室的側(cè)壁內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水汽處理設(shè)備，其特征在于，所述冷卻源為液氮罐。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水汽處理設(shè)備，其特征在于，所述流道入口位于所述流道出口的上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水汽處理設(shè)備，其特征在于，所述處理室的側(cè)壁內(nèi)部固定安裝有多個(gè)用于安裝所述載板的定位件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的水汽處理設(shè)備，其特征在于，多個(gè)所述定位件沿水平方向或豎直方向固定安裝于所述處理室的側(cè)壁內(nèi)部。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水汽處理設(shè)備，其特征在于，所述腔體內(nèi)的處理溫度小于或等于-20℃；和/或，

10.一種水汽處理系統(tǒng)，其特征在于，所述水汽處理系統(tǒng)包括傳動(dòng)結(jié)構(gòu)和如權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的水汽處理設(shè)備，所述傳動(dòng)結(jié)構(gòu)用于將載板輸送至水汽處理設(shè)備的處理室中。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種水汽處理設(shè)備及系統(tǒng)，水汽處理設(shè)備包括：處理室、真空產(chǎn)生裝置、冷卻流道、及冷卻源。其中，處理室具有一用于收容載板的腔體；真空產(chǎn)生裝置與腔體相連通；冷卻流道形成于處理室的側(cè)壁內(nèi)，冷卻流道包括流道入口和流道出口；冷卻源與流道入口相連通，用于向冷卻流道中提供冷卻介質(zhì)。本技術(shù)提供一種水汽處理設(shè)備及系統(tǒng)，通過冷卻源和真空產(chǎn)生裝置，使得處理室內(nèi)部處于低溫低壓狀態(tài)，能夠使用較短的時(shí)間就能去除水汽，去除水汽所消耗的能量較低，并且不會(huì)對載板表面產(chǎn)生不良影響。

技術(shù)研發(fā)人員：李碩,鄒文靜,吳堅(jiān)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：嘉興阿特斯技術(shù)研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231226
技術(shù)公布日：2024/12/12