本申請(qǐng)涉及電池制造，尤其涉及電芯烘烤方法及裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、電池制程中，對(duì)水分控制極其嚴(yán)格。電芯中水分易導(dǎo)致電池內(nèi)阻增大，容量低，循環(huán)性能變差，電性能變差等。為保證電池最終的性能，在電芯入殼后需對(duì)其進(jìn)行烘烤將其水分排出，因此，選擇合適的烘烤工藝，確保電芯烘烤效果顯得尤為重要。

2、目前，電池生產(chǎn)廠家通常采用發(fā)熱膜或是傳統(tǒng)熱風(fēng)的方式對(duì)待烘烤電芯進(jìn)行預(yù)設(shè)溫度的恒溫烘烤，該烘烤工藝長時(shí)間的持續(xù)烘烤，容易使待烘烤電芯的局部溫度超過上限溫度而損壞，而且熱量由電芯外部逐步透入電芯內(nèi)部，電芯內(nèi)部溫升很慢，從而導(dǎo)致烘烤時(shí)間過長，影響烘烤效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的主要目的在于提供一種電芯烘烤方法，旨在保證待烘烤電芯烘烤時(shí)不超過溫度上限的同時(shí)，提升烘烤效率。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N電芯烘烤方法，電芯烘烤設(shè)備包括感應(yīng)線圈，所述感應(yīng)線圈與外部電源電連接，以產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，待烘烤電芯位于所述交變磁場(chǎng)，所述電芯烘烤方法包括：

3、以第一預(yù)設(shè)功率驅(qū)動(dòng)所述感應(yīng)線圈對(duì)所述待烘烤電芯進(jìn)行第一階段烘烤；

4、確定所述第一階段烘烤滿足第一預(yù)設(shè)條件，以第二預(yù)設(shè)功率驅(qū)動(dòng)所述感應(yīng)線圈對(duì)所述待烘烤電芯進(jìn)行第二階段烘烤；第二預(yù)設(shè)功率大于第一預(yù)設(shè)功率。

5、在一實(shí)施例中，確定所述第二階段烘烤滿足第二預(yù)設(shè)條件，以第三預(yù)設(shè)功率驅(qū)動(dòng)所述感應(yīng)線圈對(duì)所述待烘烤電芯進(jìn)行第三階段烘烤；第三預(yù)設(shè)功率大于第二預(yù)設(shè)功率。

6、在一實(shí)施例中，所述待烘烤電芯的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度為t1，累計(jì)加熱時(shí)間為t1，所述第一階段的預(yù)設(shè)烘烤時(shí)間為t2，所述第二階段的預(yù)設(shè)烘烤時(shí)間為t3，所述第一階段的所述待烘烤電芯的預(yù)設(shè)烘烤溫度為t2，所述第二階段的所述待烘烤電芯的預(yù)設(shè)烘烤溫度為t3，所述第一預(yù)設(shè)條件為t1≥t2，且t1≥t2；所述第二預(yù)設(shè)條件為t1≥t2+t3，且t1≥t3。

7、在一實(shí)施例中，于所述第二階段，當(dāng)t1≤t2+t3，但t1＞t3時(shí)，控制所述感應(yīng)線圈停止加熱，當(dāng)t1＜t3時(shí)，控制所述感應(yīng)線圈恢復(fù)加熱。

8、在一實(shí)施例中，于所述第一階段，當(dāng)t1＞t2，但t1＜t2時(shí)，控制所述感應(yīng)線圈停止加熱，并控制警示件發(fā)出警報(bào)提示。

9、在一實(shí)施例中，所述t2的范圍為：10s≤t2≤30s，所述t3的范圍為：30s＜t3≤60s。

10、在一實(shí)施例中，t2＝t0+20℃，t3＝t2+40℃；或

11、t2＝t0+10℃，t3＝t2+15℃。

12、在一實(shí)施例中，所述感應(yīng)線圈覆蓋所述待烘烤電芯的表面積為s，所述第一預(yù)設(shè)功率為0.34s，所述第二預(yù)設(shè)功率為0.5s。

13、在一實(shí)施例中，所述待烘烤電芯的溫度達(dá)到最終預(yù)設(shè)溫度，退出加熱程序；和/或，所述待烘烤電芯的烘烤總時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)總時(shí)間時(shí)，退出加熱程序。

14、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)還提出一種電芯烘烤設(shè)備，所述電芯烘烤設(shè)備包括感應(yīng)線圈，所述感應(yīng)線圈與外部電源電連接，以產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，待烘烤電芯位于所述交變磁場(chǎng)，所述電芯烘烤設(shè)備的烘烤方法如上述的電芯烘烤方法的步驟。

15、在一實(shí)施例中，所述電芯烘烤設(shè)備還包括隔磁件，所述隔磁件設(shè)于所述感應(yīng)線圈背離所述待烘烤電芯的一側(cè)。

16、在一實(shí)施例中，所述隔磁件配置為導(dǎo)磁體。

17、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)還提出一種存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)為計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有電芯烘烤程序，所述電芯烘烤程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述的電芯烘烤方法的步驟。

18、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)還提出一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括電芯烘烤程序，所述電芯烘烤程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述的電芯烘烤方法的步驟。

19、本申請(qǐng)?zhí)岢龅囊粋€(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有以下技術(shù)效果：

20、本方案將待烘烤電芯位于交變磁場(chǎng)中，并能夠在交變磁場(chǎng)中感應(yīng)產(chǎn)生較強(qiáng)的渦流，從而產(chǎn)生大量熱量實(shí)現(xiàn)待烘烤電芯的快速升溫，且本方案先以第一預(yù)設(shè)功率驅(qū)動(dòng)感應(yīng)線圈對(duì)待烘烤電芯進(jìn)行第一階段烘烤，當(dāng)待烘烤電芯滿足第一階段的第一預(yù)設(shè)條件，也就是當(dāng)待烘烤電芯烘烤到一定程度時(shí)，再以第二預(yù)設(shè)功率驅(qū)動(dòng)感應(yīng)線圈對(duì)待烘烤電芯進(jìn)行第二階段烘烤，本方案通過對(duì)感應(yīng)線圈的功率進(jìn)行分階段控制，從而保證待烘烤電芯不超過溫度上限，進(jìn)而降低待烘烤電芯因烘烤溫度過高而損壞的幾率。且第二預(yù)設(shè)功率大于第一預(yù)設(shè)功率，也即，第二階段感應(yīng)線圈的烘烤溫度大于第一階段感應(yīng)線圈的烘烤溫度，這樣可以使得待烘烤電芯逐步升溫，從而保證待烘烤電芯的加熱效率，進(jìn)而提升烘烤效率，降低烘烤的能耗，由此可見，本申請(qǐng)可以在保證待烘烤電芯的不超過溫度上限的同時(shí)，提高待烘烤電芯的烘烤效率。

技術(shù)特征：

1.一種電芯烘烤方法，其特征在于，電芯烘烤設(shè)備包括感應(yīng)線圈(1)，所述感應(yīng)線圈(1)與外部電源電連接，以產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，待烘烤電芯(2)位于所述交變磁場(chǎng)，所述電芯烘烤方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的電芯烘烤方法，其特征在于，確定所述第二階段烘烤滿足第二預(yù)設(shè)條件，以第三預(yù)設(shè)功率驅(qū)動(dòng)所述感應(yīng)線圈(1)對(duì)所述待烘烤電芯(2)進(jìn)行第三階段烘烤；第三預(yù)設(shè)功率大于第二預(yù)設(shè)功率。

3.如權(quán)利要求2所述的電芯烘烤方法，其特征在于，所述待烘烤電芯(2)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度為t1，累計(jì)加熱時(shí)間為t1，所述第一階段的預(yù)設(shè)烘烤時(shí)間為t2，所述第二階段的預(yù)設(shè)烘烤時(shí)間為t3，所述第一階段的所述待烘烤電芯(2)的預(yù)設(shè)烘烤溫度為t2，所述第二階段的所述待烘烤電芯(2)的預(yù)設(shè)烘烤溫度為t3，所述第一預(yù)設(shè)條件為t1≥t2，且t1≥t2；所述第二預(yù)設(shè)條件為t1≥t2+t3，且t1≥t3。

4.如權(quán)利要求3所述的電芯烘烤方法，其特征在于，于所述第二階段，當(dāng)t1≤t2+t3，但t1＞t3時(shí)，控制所述感應(yīng)線圈(1)停止加熱，當(dāng)t1＜t3時(shí)，控制所述感應(yīng)線圈(1)恢復(fù)加熱。

5.如權(quán)利要求3所述的電芯烘烤方法，其特征在于，于所述第一階段，當(dāng)t1＞t2，但t1＜t2時(shí)，控制所述感應(yīng)線圈(1)停止加熱，并控制警示件發(fā)出警報(bào)提示。

6.如權(quán)利要求3所述的電芯烘烤方法，其特征在于，所述t2的范圍為：10s≤t2≤30s，所述t3的范圍為：30s＜t3≤60s。

7.如權(quán)利要求3所述的電芯烘烤方法，其特征在于，t2＝t0+20℃，t3＝t2+40℃；或

8.如權(quán)利要求1所述的電芯烘烤方法，其特征在于，所述感應(yīng)線圈(1)覆蓋所述待烘烤電芯(2)的表面積為s，所述第一預(yù)設(shè)功率為0.34s，所述第二預(yù)設(shè)功率為0.5s。

9.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的電芯烘烤方法，其特征在于，所述待烘烤電芯(2)的溫度達(dá)到最終預(yù)設(shè)溫度，退出加熱程序；和/或，所述待烘烤電芯(2)的烘烤總時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)總時(shí)間時(shí)，退出加熱程序。

10.一種電芯烘烤設(shè)備，其特征在于，所述電芯烘烤設(shè)備包括感應(yīng)線圈(1)，所述感應(yīng)線圈(1)與外部電源電連接，以產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，待烘烤電芯(2)位于所述交變磁場(chǎng)，所述電芯烘烤設(shè)備的烘烤方法如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的電芯烘烤方法的步驟。

11.如權(quán)利要求10所述的電芯烘烤設(shè)備，其特征在于，所述電芯烘烤設(shè)備還包括隔磁件(3)，所述隔磁件(3)設(shè)于所述感應(yīng)線圈(1)背離所述待烘烤電芯(2)的一側(cè)。

12.如權(quán)利要求11所述的電芯烘烤設(shè)備，其特征在于，所述隔磁件(3)配置為導(dǎo)磁體。

13.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述存儲(chǔ)介質(zhì)為計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有電芯烘烤程序，所述電芯烘烤程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的電芯烘烤方法的步驟。

14.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括電芯烘烤程序，所述電芯烘烤程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的電芯烘烤方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種電芯烘烤方法及裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，涉及電池制造技術(shù)領(lǐng)域，公開了電芯烘烤方法包括以第一預(yù)設(shè)功率驅(qū)動(dòng)所述感應(yīng)線圈對(duì)所述待烘烤電芯進(jìn)行第一階段烘烤；確定所述第一階段烘烤滿足第一預(yù)設(shè)條件，以第二預(yù)設(shè)功率驅(qū)動(dòng)所述感應(yīng)線圈對(duì)所述待烘烤電芯進(jìn)行第二階段烘烤；第二預(yù)設(shè)功率大于第一預(yù)設(shè)功率。本申請(qǐng)技術(shù)方案可以在保證待烘烤電芯的不超過溫度上限的同時(shí)，提高待烘烤電芯的烘烤效率。

技術(shù)研發(fā)人員：王江南,鄒海天,鄒林浪,趙盛宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：海目星激光科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10