本發(fā)明涉及一種氣體加熱裝置、一種氣體傳輸系統(tǒng)、一種氣體傳輸方法，以及一種半導(dǎo)體器件的加工設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造工藝中，加熱管路氣體在半導(dǎo)體制造中是至關(guān)重要的，它不僅保證了氣體的純凈度和流動性，還確保了制造過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品的最終質(zhì)量。

2、現(xiàn)有的技術(shù)中，通常通過加熱帶加熱氣體傳輸管路來實(shí)現(xiàn)對氣體溫度的控制。然而，該方法不但氣體加熱速度緩慢，而且加熱溫度不精確。

3、為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本領(lǐng)域亟需一種氣體加熱技術(shù)，用于適配不同的工藝需求，從而提高氣體溫度調(diào)節(jié)的效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、以下給出一個(gè)或多個(gè)方面的簡要概述以提供對這些方面的基本理解。此概述不是所有構(gòu)想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認(rèn)出所有方面的關(guān)鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要以簡化形式給出一個(gè)或多個(gè)方面的一些概念以為稍后給出的更加詳細(xì)的描述之前序。

2、為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本發(fā)明提供一種氣體加熱裝置、一種氣體傳輸系統(tǒng)、一種氣體傳輸方法，以及一種半導(dǎo)體器件的加工設(shè)備，用于適配不同的工藝需求，從而提高氣體溫度調(diào)節(jié)的效率。

3、具體來說，根據(jù)本發(fā)明第一方面提供的氣體加熱裝置包括：外管，用于為待加熱氣體提供封閉的傳輸通道；內(nèi)管，設(shè)于所述外管的內(nèi)側(cè)，其上設(shè)有至少一個(gè)沿氣體流動方向延伸且大小可調(diào)的開口；以及加熱結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述內(nèi)管的內(nèi)側(cè)，并與所述內(nèi)管的內(nèi)壁保持一通氣間隙，其中，所述內(nèi)管通過調(diào)節(jié)所述開口的大小來調(diào)節(jié)所述通氣間隙的截面積，從而改變所述氣體加熱裝置的進(jìn)氣口壓力和/或出氣口溫度。

4、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的加熱裝置還包括：旋鈕，其第一端連接所述外管，而其第二端螺紋連接所述內(nèi)管，其中，所述內(nèi)管隨所述旋鈕沿預(yù)設(shè)的第一方向的旋轉(zhuǎn)而縮小所述開口，以縮小所述通氣間隙的截面積，或者所述內(nèi)管隨所述旋鈕沿預(yù)設(shè)的第二方向的旋轉(zhuǎn)而擴(kuò)大所述開口，以增大所述通氣間隙的截面積。

5、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述內(nèi)管由多個(gè)部件拼接組成，其中，各所述部件之間分別設(shè)有所述開口，至少一個(gè)所述部件螺紋連接一個(gè)所述旋鈕。

6、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述加熱結(jié)構(gòu)由導(dǎo)熱材料制成，并設(shè)有至少一個(gè)插接加熱棒的安裝槽。

7、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的加熱裝置還包括：溫度傳感器，用于采集所述加熱裝置的出氣口溫度，其中，所述內(nèi)管在所述出氣口溫度高于目標(biāo)溫度時(shí)擴(kuò)大所述開口，以增大所述通氣間隙的截面積，或在所述出氣口溫度低于所述目標(biāo)溫度時(shí)縮小所述開口，以減小所述通氣間隙的截面積。

8、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的加熱裝置還包括：壓力傳感器，用于采集所述加熱裝置的進(jìn)氣口壓力，其中，所述內(nèi)管在所述進(jìn)氣口壓力大于目標(biāo)壓力時(shí)擴(kuò)大所述開口，以增大所述通氣間隙的截面積，或在所述進(jìn)氣口壓力小于所述目標(biāo)壓力時(shí)縮小所述開口，以減小所述通氣間隙的截面積。

9、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的加熱裝置還包括：過溫報(bào)警器，連接所述溫度傳感器，用于在所述出氣口溫度高于預(yù)設(shè)的溫度閾值時(shí)進(jìn)行過溫報(bào)警。

10、此外，根據(jù)本發(fā)明第二方面提供的氣體傳輸系統(tǒng)包括：如本發(fā)明第一方面中任一項(xiàng)所述的加熱裝置；外殼體，用于固定所述加熱裝置，其中，所述加熱裝置的旋鈕的第一端經(jīng)由所述外殼體連接所述加熱裝置的外管；輸入管路，其第一端連接半導(dǎo)體器件加工設(shè)備的氣箱，而其第二端連接所述加熱裝置的進(jìn)氣口；以及輸出管路，其第一端連接所述加熱裝置的出氣口，而其第二端連接所述半導(dǎo)體器件加工設(shè)備的工藝腔室。

11、此外，根據(jù)本發(fā)明第三方面提供的氣體傳輸方法包括以下步驟：獲取如本發(fā)明第一方面中任一項(xiàng)所述的加熱裝置的出氣口的目標(biāo)溫度，并檢測所述出氣口的實(shí)際溫度；響應(yīng)于所述實(shí)際溫度高于所述目標(biāo)溫度，擴(kuò)大所述加熱裝置的內(nèi)管的開口，以增大所述內(nèi)管與所述加熱裝置的加熱結(jié)構(gòu)之間的通氣間隙的截面積；以及響應(yīng)于所述實(shí)際溫度低于所述目標(biāo)溫度，縮小所述開口，以減小所述通氣間隙的截面積。

12、進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述的加熱方法還包括以下步驟：獲取所述加熱裝置的進(jìn)氣口的目標(biāo)壓力，并檢測所述進(jìn)氣口的實(shí)際壓力；響應(yīng)于所述實(shí)際壓力大于所述目標(biāo)壓力，擴(kuò)大所述開口，以增大所述通氣間隙的截面積；以及響應(yīng)于所述實(shí)際壓力小于所述目標(biāo)壓力，縮小所述開口，以減小所述通氣間隙的截面積。

13、此外，根據(jù)本發(fā)明第四方面提供的半導(dǎo)體器件的加工設(shè)備包括：氣箱，至少用于提供待加熱的工藝氣體；如本發(fā)明第二方面所述的氣體傳輸系統(tǒng)，用于加熱所述工藝氣體，并將其傳輸?shù)胶蠖说墓に嚽皇遥灰约八龉に嚽皇?，用于容納晶圓，并對其進(jìn)行薄膜沉積工藝。

技術(shù)特征：

1.一種氣體加熱裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，還包括：

3.如權(quán)利要求2所述的加熱裝置，其特征在于，所述內(nèi)管由多個(gè)部件拼接組成，其中，各所述部件之間分別設(shè)有所述開口，至少一個(gè)所述部件螺紋連接一個(gè)所述旋鈕。

4.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述加熱結(jié)構(gòu)由導(dǎo)熱材料制成，并設(shè)有至少一個(gè)插接加熱棒的安裝槽。

5.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，還包括：

6.如權(quán)利要求1或5所述的加熱裝置，其特征在于，還包括：

7.如權(quán)利要求5所述的加熱裝置，其特征在于，還包括：

8.一種氣體傳輸系統(tǒng)，其特征在于，包括：

9.一種氣體傳輸方法，其特征在于，包括以下步驟：

10.如權(quán)利要求9所述的傳輸方法，其特征在于，還包括以下步驟：

11.一種半導(dǎo)體器件的加工設(shè)備，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種氣體加熱裝置、氣體傳輸系統(tǒng)及方法，以及半導(dǎo)體器件的加工設(shè)備。所述氣體加熱裝置包括：外管，用于為待加熱氣體提供封閉的傳輸通道；內(nèi)管，設(shè)于所述外管的內(nèi)側(cè)，其上設(shè)有至少一個(gè)沿氣體流動方向延伸且大小可調(diào)的開口；以及加熱結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述內(nèi)管的內(nèi)側(cè)，并與所述內(nèi)管的內(nèi)壁保持一通氣間隙，其中，所述內(nèi)管通過調(diào)節(jié)所述開口的大小來調(diào)節(jié)所述通氣間隙的截面積，從而改變所述氣體加熱裝置的進(jìn)氣口壓力和/或出氣口溫度。

技術(shù)研發(fā)人員：張馳,李旭峰,黃明策,楊艷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：拓荊科技（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10