一種懸浮熔煉用水冷坩堝冷卻壁的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及坩堝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種懸浮熔煉用水冷坩堝冷卻壁。
【背景技術(shù)】
[0002]水冷坩堝電磁感應(yīng)真空懸浮熔煉方法，是近年來飛速發(fā)展的一種熔煉方法，只要用來制取高熔點、高純度的難熔金屬，在冶金和高進(jìn)度按材料制備等許多重要領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，顯示出良好的應(yīng)用前景。
[0003]水冷坩堝電磁感應(yīng)真空熔煉方法，是在真空條件下將所熔煉的金屬或非金屬固體爐料，置于感應(yīng)線圈所形成的高頻或中頻交變電場中，并利用桶水冷卻的金屬坩堝作為磁場。使能源磁場能量集中于坩堝容積空間，進(jìn)而在爐料表層附近形成強(qiáng)大的渦電流，一方面釋放出焦耳熱使?fàn)t料熔化，另一方面形成洛倫茲力場使熔體懸浮(或半懸浮)和攪拌。由于磁懸浮的作用，使熔體與坩堝內(nèi)壁脫離接觸，這樣熔體與坩堝之間的散熱行為由傳導(dǎo)散熱改變?yōu)檩椛渖?，從而島主散熱速度驟減，使熔體可達(dá)到很高的溫度，宜于熔煉高熔點金屬或其合金。更重要的方面是:熔煉時爐料的懸浮將有效防止?fàn)t料與坩堝壁接觸所帶來的污染，宜于獲得高純度或極活潑的金屬與非金屬材料。再者，水冷坩堝是通過感應(yīng)線圈中的中頻或高頻電流來控制熔體的懸浮和升溫，因而有可能實現(xiàn)很好的控制能力，同時感應(yīng)加熱方法本身是一種非接觸的加熱方式，避免了用等離子束、電子束等加熱方法給坩堝和金屬溶液帶來的沖擊與揮發(fā)。但現(xiàn)有的水冷坩堝冷卻壁由于水路問題造成冷卻效果不佳。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供一種懸浮熔煉用水冷坩堝冷卻壁:
[0005]一種懸浮熔煉用水冷坩堝冷卻壁，包括圓筒形側(cè)壁和圓臺形底部，其側(cè)壁和底部被切分為若干個分瓣，每個分瓣內(nèi)設(shè)有冷卻水通道，其特征在于，所述冷卻水通道包括兩根上下貫通的進(jìn)出水主道和與主道垂直設(shè)置的若干條水路，所述水路沿坩堝瓣呈蛇形回路。
[0006]有益效果:水路設(shè)計成蛇形，能夠使得冷卻效果更佳明顯。
【附圖說明】
[0007]圖1為實施例示意圖；
[0008]圖2為分瓣放大示意圖。
【具體實施方式】
[0009]為了使本實用新型的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合附圖和一具體實施例對本實用新型做進(jìn)一步闡述。
[0010]一種懸浮熔煉用水冷坩堝冷卻壁，包括圓筒形側(cè)壁I和圓臺形底部2，其側(cè)壁和底部被切分為若干個分瓣，每個分瓣內(nèi)設(shè)有冷卻水通道，所述冷卻水通道包括兩根上下貫通的進(jìn)出水主道3和4和與主道垂直設(shè)置的若干條水路5，所述水路沿坩堝瓣呈蛇形回路。
[0011]水路從進(jìn)水主道進(jìn)入分瓣，流入各水路，起到冷卻作用，然后從出水主道匯聚流出。
[0012]以上顯示和描述了本實用新型基本原理和主要特征及本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的知識說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和保護(hù)，這些變化和改變都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項】
1.一種懸浮熔煉用水冷坩堝冷卻壁，包括圓筒形側(cè)壁和圓臺形底部，其側(cè)壁和底部被切分為若干個分瓣，每個分瓣內(nèi)設(shè)有冷卻水通道，其特征在于，所述冷卻水通道包括兩根上下貫通的進(jìn)出水主道和與主道垂直設(shè)置的若干條水路，所述水路沿坩堝瓣呈蛇形回路。
【專利摘要】一種懸浮熔煉用水冷坩堝冷卻壁，包括圓筒形側(cè)壁和圓臺形底部，其側(cè)壁和底部被切分為若干個分瓣，每個分瓣內(nèi)設(shè)有冷卻水通道，所述冷卻水通道包括兩根上下貫通的進(jìn)出水主道和與主道垂直設(shè)置的若干條水路，所述水路沿坩堝瓣呈蛇形回路。有益效果：水路設(shè)計成蛇形，能夠使得冷卻效果更佳明顯。
【IPC分類】F27B14-10, F27D9-00
【公開號】CN204313644
【申請?zhí)枴緾N201420453842
【發(fā)明人】劉仕佳, 沈毅, 葛步春
【申請人】上海派特貴金屬環(huán)?？萍加邢薰? 張正
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2014年8月12日