專利名稱：從原料氣流中吸附一氧化二氮的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及從原料氣流中吸附一氧化二氮的方法。特別是，本發(fā)明涉及一種從空氣中除去一氧化二氮以使之適合于下游處理，尤其是深冷提純的熱擺動(dòng)吸附方法。
背景技術(shù)：
空氣的深冷提純通常需要預(yù)提純步驟以便除去高沸點(diǎn)的和有害的物質(zhì)。高沸點(diǎn)的空氣組分包括水和二氧化碳。如果不從環(huán)境空氣中除去這些雜質(zhì)的話，水和二氧化碳在分離過程的寒冷區(qū)域可能凍冰，造成壓力下降以及流動(dòng)和操作問題。另外，還希望除去包括乙炔及其他烴類的各種有害的物質(zhì)。在其中存在液態(tài)氧的處理過程中，高沸點(diǎn)烴類可能導(dǎo)致爆炸事故。
一氧化二氮(N2O)以約0.3ppm的微量組分存在于空氣中。一氧化二氮將對(duì)溫室效應(yīng)起作用并將破壞臭氧層。在大氣中一氧化二氮的濃度據(jù)信每年將穩(wěn)定地增加約0.2-0.3％。已知一氧化二氮將增加有機(jī)化合物的燃燒并且對(duì)沖擊是敏感的。這意味著一氧化二氮存在著安全隱患。此外，一氧化二氮由于在該工藝的寒冷部分中形成固相，因此，在空氣的預(yù)提純時(shí)存在著潛在的操作問題。在低溫蒸餾之前，從環(huán)境空氣中除去微量一氧化二氮在工業(yè)上意義重大。
Wenning(“空氣分離裝置中的一氧化二氮”，Proceedings fromMUST，1996，79-89頁)指出了空氣分離裝置中一氧化二氮的問題，這表明，所述問題近年來僅僅是有所認(rèn)識(shí)。由在空氣分離裝置中注意到的固相的形成、可能是由一氧化二氮所致的問題通常歸因于二氧化碳。此外，當(dāng)在某些應(yīng)用中所需的氣體產(chǎn)物的純度增加時(shí)，更需注意一氧化二氮以及將其從空氣中除去。
從例如空氣的氣體中吸附性清除組分的已知預(yù)凈化法包括熱擺動(dòng)吸附(TSA)法，例如，如US 4541851和5137548中所述；和壓力擺動(dòng)吸附(PSA)法，例如，如US 5232474中所述。TSA和PSA方法兩者都包括將包含不需要組分的原料氣流與吸附劑接觸，后者周期性地再生。在不需要組分存在于由吸附劑排出(所謂的″穿透″)的提純氣流中之前進(jìn)行再生。在TSA中，通過在高溫使吸附劑與再生氣體接觸而完成再生。在PSA中，通過將吸附劑曝露至低壓條件下而完成再生。包括溫度和壓力改變以再生吸附劑的方法也是已知的，并且通常稱為溫度、壓力擺從吸附(TPSA)和熱增強(qiáng)的壓力擺動(dòng)吸附(TEPSA)。為了參考方便，除非另有說明，在此術(shù)語“TSA”也包括TPSA和TEPSA法。
Wenning指出，在目前的TSA方法中，與二氧化碳相比較，一氧化二氮不太強(qiáng)地吸附至沸石如5A上。這可能導(dǎo)致在二氧化碳之前一氧化二氮的穿透，這將導(dǎo)致一氧化二氮排出該工藝的TSA階段并進(jìn)入設(shè)備的寒冷部分中。同樣的情況，也就是說在二氧化碳之前一氧化二氮的穿透將存在于標(biāo)準(zhǔn)的氧化鋁基PSA中。US 5919286披露了一種方法，其中采用沸石層來解決在PSA床產(chǎn)物端的所述問題，以便除去一氧化二氮。
盡管可獲得將一氧化二氮轉(zhuǎn)化成氮?dú)夂脱醯拇呋瘎?，但這些催化劑一般在高溫起作用。
在TSA方法中，用于從環(huán)境空氣中除去一氧化二氮的吸附劑是已知的。例如，US 6106593指出，在30℃一氧化二氮相比二氧化碳的亨利定律選擇性為0.49或更大的吸附劑，如鈣和鋇交換的X型沸石和鈉絲光沸石可用于在TSA應(yīng)用中從空氣中除去一氧化二氮。
EPA 0995477指出，八面沸石如CaLSX(低二氧化硅X)對(duì)于TSA方法從空氣中除去一氧化二氮是良好的吸附劑。EPA 1092465披露了通過TSA法從空氣中除去一氧化二氮的吸附劑。所述材料包括呈不同陽離子形式的LSX沸石。
EPA 1064978披露了在低溫蒸餾之前從空氣中除去二氧化碳、一氧化二氮和有機(jī)雜質(zhì)的鋇交換型沸石的用途。
本發(fā)明人業(yè)已發(fā)現(xiàn)，通過選擇具有某些特性的吸附劑，與TSA法中從氣流中除去一氧化二氮常用的溫度相比，使吸附劑能夠在更低的溫度下再生。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明涉及從包含一氧化二氮的原料氣流中除去一氧化二氮的方法，該方法包括如下步驟將所述氣流與吸附一氧化二氮的第一吸附劑接觸，所述第一吸附劑在30℃時(shí)的一氧化二氮亨利定律常數(shù)為14毫摩爾/克/大氣壓或更高，優(yōu)選為73毫摩爾/克/大氣壓或更高，而一氧化二氮/二氧化碳的亨利定律選擇性在30℃時(shí)小于0.49，從而形成凈化的氣流；和通過在30-100℃的溫度使吸附劑與再生氣體接觸而周期性地再生第一吸附劑。
合適的是，再生氣體的溫度在40-80℃之間。
合適的是，第一吸附劑選自鈣A沸石(CaA)，鈣絲光沸石，及其混合物。合適的是，第一吸附劑具有大于50％的鈣交換。合適的是，第一吸附劑處于無粘合劑的形式。對(duì)第一吸附劑進(jìn)行選擇，以便能夠在進(jìn)行該方法再生步驟的溫度下進(jìn)行再生。
合適的是，原料氣流的溫度在0-50℃之間。合適的是，原料氣流的壓力為2-20個(gè)絕對(duì)大氣壓。
合適的是，再生氣體的壓力為0.1-20個(gè)絕對(duì)大氣壓。
合適的是，再生氣流和原料氣流之間的摩爾比為0.1至0.6，優(yōu)選為0.3至0.5。
優(yōu)選原料氣流是空氣。
合適的是，再生氣體選自氧氣、氮?dú)?、甲烷、氫氣，氬氣以及其兩種或多種的混合物。
優(yōu)選的是，本發(fā)明的方法是一種從原料氣流中除去二氧化碳和一氧化二氮的方法，該方法另外還包括使原料氣流與用于吸附二氧化碳的第二吸附劑床接觸的步驟。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，使原料氣流在與第一吸附劑床接觸之前與第二吸附劑接觸。
合適的是，第二吸附劑選自浸漬的氧化鋁，浸漬的復(fù)合氧化鋁/沸石，A沸石，X沸石例如無粘合劑的13X沸石和低二氧化硅X型沸石以及絲光沸石，以及其兩種或多種的混合物。優(yōu)選的是，第一和第二吸附劑是相同的材料。
優(yōu)選的是，所述方法是一種從原料氣流中除去水、二氧化碳和一氧化二氮的方法，并且該方法另外還包括使原料氣流在干燥劑上通過的步驟。理想的是，原料氣流在與第二吸附劑床接觸之前與干燥劑接觸。合適的是，干燥劑選自氧化鋁，硅膠，浸漬的氧化鋁，A沸石，X沸石以及其兩種或多種的混合物。
當(dāng)采用放射狀床時(shí)，干燥劑、第二吸附劑和第一吸附劑希望是相同材料，因?yàn)檫@將有利地簡化原料向床中的裝載。在這種情況下，吸附劑優(yōu)選包含沸石和氧化鋁的復(fù)合材料，合適的是其重量比為70∶30至30∶70。
第二方面，本發(fā)明涉及分離一種或多種空氣組分的方法，該方法包括如下步驟根據(jù)本發(fā)明的第一方面，實(shí)施從原料氣流中除去一氧化二氮的工藝，以便形成凈化的空氣流；使凈化的空氣流液化；和使液化的凈化空氣流進(jìn)行深冷分離，優(yōu)選的是蒸餾，從而分離凈化空氣流的一個(gè)或多個(gè)組分。
第三方面，本發(fā)明涉及在進(jìn)行吸附過程的溫度下從原料氣流中除去一氧化二氮的裝置，所述裝置包括吸附組件，用于加熱再生氣體的加熱器，并還包括用于控制原料氣流和再生氣體通過吸附組件的流量和用于將再生氣體的溫度控制在30-100℃的控制機(jī)構(gòu)；所述吸附組件包括流體串聯(lián)連接的進(jìn)口組件，適于接收第一吸附劑以便除去在30℃一氧化二氮亨利定律常數(shù)為14毫摩爾/克/大氣壓或更高并且在30℃一氧化二氮/二氧化碳亨利定律選擇性小于0.49的一氧化二氮的容器，和出口組件。
在優(yōu)選的實(shí)施方案中，該裝置適合于從原料氣流中除去水、二氧化碳和一氧化二氮，并且包含兩個(gè)容器，所述容器以并聯(lián)流體連接方式排列，并且每個(gè)容器均包括流體串聯(lián)連接的、適于容納干燥劑以便吸附水的第一區(qū)域，適于容納第二吸附劑以便除去二氧化碳的第二區(qū)域以及適于容納第一吸附劑以便除去一氧化二氮的第三區(qū)域。
第四方面，本發(fā)明提供了在30℃一氧化二氮亨利定律常數(shù)為14毫摩爾/克/大氣壓或更高并且在30℃一氧化二氮/二氧化碳亨利定律選擇性小于0.49的吸附劑的用途，用于通過在TSA法中使原料氣流與吸附劑接觸，而從原料氣流中吸附一氧化二氮；其中，通過在30-100℃的溫度接觸再生氣體以便解吸吸附的一氧化二氮，從而周期性地再生吸附劑。


圖1示意地示出了用于本發(fā)明第一方面優(yōu)選實(shí)施方案的、根據(jù)發(fā)明第三方面的裝置。
具體實(shí)施例方式
在圖1所示的優(yōu)選實(shí)施方案中，在進(jìn)口12處將待凈化的空氣提供至主風(fēng)壓縮機(jī)系統(tǒng)10，在其中，空氣通過多級(jí)壓縮機(jī)進(jìn)行壓縮，其中通過與水的熱交換而進(jìn)行中間冷卻和后冷卻。任選地，壓縮空氣進(jìn)料在冷卻器8中進(jìn)行輔助冷卻。將冷卻的壓縮空氣供至進(jìn)氣歧管14，后者包含其上連接有一對(duì)吸附床的進(jìn)口控制閥16和18，所述吸附床包含有容器20和22。通過包含通風(fēng)閥26、28的通風(fēng)歧管24，將進(jìn)氣歧管跨接控制閥16和18的下游，所述通風(fēng)閥用來關(guān)閉和打開相應(yīng)的吸附劑容器20和22的上游端和通過消音器32的通風(fēng)孔30之間的連接。兩個(gè)吸附床20和22的每一個(gè)均包含三種吸附劑。吸附床的下部指定為相應(yīng)床中的數(shù)字34、34′，中部指定為35、35′，而上部指定為數(shù)字36、36′。下部34、34′包含干燥劑(例如氧化鋁)以便吸附水。中部35、35′包含第二吸附劑(例如浸漬的氧化鋁)以便吸附二氧化碳。上部36、36′包含第一吸附劑以便吸附一氧化二氮(例如CaA)。
在另一實(shí)施方案中，吸附劑可以層狀排列，例如吸附劑可以呈放射狀地分層。很清楚，如果希望的話，容器20和22分別可分成串聯(lián)排列的更小的容器，并且上面吸附劑“各層”的關(guān)系包括獨(dú)立的吸附劑置于串聯(lián)排列的獨(dú)立的容器中的排列形式，和吸附劑的其它常規(guī)排列形式。
該裝置具有通過包含出口控制閥42、44的出口歧管40連接到兩個(gè)吸附劑容器20、22下游端的出口38。該出口連接至空氣分離裝置(ASU)。出口歧管40借助包含再生氣體控制閥48和50的再生氣體歧管46而進(jìn)行跨接。包含控制閥54的管線52也在再生氣體歧管46的上游跨接出口歧管40。
在通過控制閥58連接的56處，提供再生氣體的出口，以便通過加熱器62至再生氣體歧管46。各閥的操作可通過合適的可編程的定時(shí)和閥門開啟裝置(未示出)來控制。氣流溫度通過合適的氣體溫度控制裝置來控制。
操作中，空氣在主壓縮機(jī)系統(tǒng)10中被壓縮，并供至進(jìn)氣歧管14以及通過包含吸附劑的兩個(gè)容器之一。從空氣通過開口閥16通至吸附劑容器20，并通過開口閥42通至出口38和空氣分離裝置的位置開始，進(jìn)氣歧管中的閥18將是關(guān)閉的，以便切斷容器22獲得提純空氣進(jìn)料。閥44也將處于關(guān)閉狀態(tài)。這時(shí)，閥46、50、54、26和28全部封閉。因此，床20處于在線狀態(tài)，而床22處于再生狀態(tài)。
為了使床22開始減壓，打開閥28，并且一旦容器22中的壓力降至希望值時(shí)，在閥28保持打開的同時(shí)，打開閥50，以便使再生氣體開始流動(dòng)。
再生氣體通常是得自空氣分離裝置冷藏箱的干燥、無二氧化碳的氮?dú)饬鳎渲锌赡馨倭繗鍤?、氧氣及其他氣體，其中在所示裝置中提純的空氣通過所述冷藏箱。打開閥58，以便在通入容器22中之前，將再生氣體加熱至例如70℃的溫度。出口的清洗氣以冷卻狀態(tài)從通風(fēng)出口30排出。
在規(guī)定的再生周期結(jié)束時(shí)，可關(guān)閉閥58，以便終止再生氣體的流動(dòng)；并且可以打開閥54以便從吸附劑中置換氮?dú)?，并在閥28關(guān)閉之后，再次用凈化空氣對(duì)容器22加壓。然后，可以關(guān)閉閥54并打開閥18和44，以便使容器22投入在線運(yùn)行。然后以類似的方式使容器20再生，并在操作循環(huán)期間，繼續(xù)整個(gè)順序，即容器在線、降壓、再生、再加壓、和返回至在線。
應(yīng)當(dāng)理解的是，盡管已參考優(yōu)選實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在本發(fā)明的范圍內(nèi)還可能進(jìn)行許多改變和改進(jìn)。
實(shí)施例對(duì)比例A在雙容器系統(tǒng)中進(jìn)行從空氣中除去水、二氧化碳和一氧化二氮的TSA實(shí)驗(yàn)。每個(gè)容器的尺寸為8英寸(20厘米)直徑和6英尺(1.8米)長。所使用的TSA循環(huán)是在US 5614000中所描述的。在上游端用75％堿處理的氧化鋁填充床體積，所述氧化鋁是借助用碳酸鉀水溶液浸漬氧化鋁所形成的Alcan AA-300，以便在活性氧化鋁上產(chǎn)生5％重量的碳酸鉀。其余的下游端25％的床體積用CaX填充。進(jìn)料氣溫度為36℃，進(jìn)料壓力為7.3巴絕對(duì)壓力(7.3×105Pa)，再生脈沖溫度為70℃，總的在線時(shí)間為32分鐘(10分鐘加熱，16分鐘冷卻，6分鐘轉(zhuǎn)換)，并且清洗氣/空氣摩爾比為0.45。在這些進(jìn)料條件下，人們發(fā)現(xiàn)，床流出物的二氧化碳時(shí)間平均濃度約為14ppm。該出口濃度對(duì)用于低溫空氣預(yù)凈化系統(tǒng)而言認(rèn)為太高。
以時(shí)間平均值計(jì)，該目標(biāo)出口二氧化碳濃度約為20ppb。利用現(xiàn)有技術(shù)的吸附劑，CaX，在70℃的再生溫度時(shí)不能有利地從原料氣中除去二氧化碳，因此，將觀察到有大量的二氧化碳穿透。
實(shí)施例1進(jìn)行如對(duì)比例A中所述相同的實(shí)驗(yàn)，所不同的是，用NaX代替CaX填充下游25％的床體積。在線時(shí)間增加至35分鐘(10分鐘加熱，19分鐘冷卻，6分鐘轉(zhuǎn)換)，并且在床流出物中的時(shí)間平均二氧化碳濃度基本上為0ppb。與CaX相反，在70℃的再生溫度下，利用NaX將降低床流出物中二氧化碳的濃度。另外，還測量了該系統(tǒng)一氧化二氮的除去能力?？梢源_定的是，該循環(huán)和吸附劑混合物除去了82％的進(jìn)入該系統(tǒng)的一氧化二氮(進(jìn)口一氧化二氮約300ppb)。該一氧化二氮除去能力適合于其中80％的一氧化二氮除去率是可接受的低溫空氣分離方法。
實(shí)施例2進(jìn)行實(shí)施例1中所述的實(shí)驗(yàn)，改進(jìn)之處在于用30％體積的硅膠、30％體積的堿處理的氧化鋁、20％體積的NaX和20％體積的5A(CaA)沸石填充所述床，其中5A層在床的產(chǎn)物端，而硅膠在進(jìn)料端。在線時(shí)間增加至37分鐘(10分鐘加熱，21分鐘冷卻，6分鐘轉(zhuǎn)換)，并且在床流出物中的時(shí)間平均二氧化碳濃度為34ppb。利用這種床構(gòu)形，一氧化二氮時(shí)間平均流出濃度基本上為0ppb，這相當(dāng)于100％的一氧化二氮除去率。很清楚的是，將5A層添加至TSA的頂部改善了在低再生溫度下該系統(tǒng)的一氧化二氮除去能力。令人驚訝的是，5A給出了良好的一氧化二氮除去結(jié)果，尤其是因?yàn)閃enning在TSA系統(tǒng)中對(duì)一氧化二氮除去的初期工作明確地表明，5A顯示出明顯的一氧化二氮穿透。
實(shí)施例3對(duì)對(duì)比例A和實(shí)施例1和2中試驗(yàn)的所有吸附劑，測量二氧化碳和一氫化二氮等溫線。在流動(dòng)氮?dú)庵杏?0℃進(jìn)行再生之后，在30℃測量等溫線。在表1中給出了用于二氧化碳和一氧化二氮的亨利定律常數(shù)(初始等溫線斜率)和二氧化碳/一氧化二氮選擇性(亨利定律常數(shù)之比)。
表1

由表1的結(jié)果可以清楚地看出，對(duì)于從空氣中低溫TSA除去一氧化二氮而言，具有高一氧化二氮/二氧化碳選擇性的材料不是優(yōu)選的。CaX具有最高的二氧化碳/一氧化二氮選擇性，對(duì)于如利用高溫再生的如US 6106593中教導(dǎo)的TSA而言是優(yōu)選的材料。另外，硅膠具有高的一氧化二氮/二氧化碳選擇性，但其一氧化二氮容量太低，以致不能有效除去痕量的一氧化二氮。低溫再生實(shí)驗(yàn)另外還表明NaX沸石顯示出了高的一氧化二氮除去能力。所試驗(yàn)的CaA材料(商購自UOP的UOP KEG 410)在70℃的再生溫度下顯示出了優(yōu)異的一氧化二氮除去能力。該材料的一氧化二氮亨利定律常數(shù)高于Nax，但一氧化二氮/二氧化碳選擇性低于CaX。在低溫TSA應(yīng)用中除去一氧化二氮的最佳和優(yōu)選的材料在30℃時(shí)一氧化二氮亨利定律常數(shù)為70毫摩爾/克/大氣壓或更高，并且其二氧化碳/一氧化二氮選擇性小于0.49。通常，在吸附應(yīng)用中高選擇性吸附劑是優(yōu)選的。表1的結(jié)果建議，如果吸附劑兼?zhèn)涓叩囊谎趸?二氧化碳選擇性和高的一氧化二氮亨利定律常數(shù)，那么將對(duì)二氧化碳和/或一氧化二氮進(jìn)行太強(qiáng)的吸附，以致不能在低溫有效再生。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案中，吸附劑包含CaA、鈣絲光沸石或其混合物作為最后一層一氧化二氮吸附劑。
權(quán)利要求
1.一種從原料氣流中除去一氧化二氮的方法，包括如下步驟將所述氣流與吸附一氧化二氮的第一吸附劑接觸，從而形成凈化的氣流，所述第一吸附劑在30℃時(shí)的一氧化二氮亨利定律常數(shù)為14毫摩爾/克/大氣壓或更高，而一氧化二氮/二氧化碳亨利定律選擇性在30℃時(shí)小于0.49；和通過在30-100℃的溫度利用再生氣流周期性地再生第一吸附劑。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，再生氣體的溫度在40-80℃之間。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一吸附劑選自鈣A沸石、鈣絲光沸石及其混合物。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，第一吸附劑具有大于50％的鈣交換。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，第一吸附劑為無粘合劑形式。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，原料氣流的溫度在0-50℃之間。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，原料氣流的壓力為2-20絕對(duì)大氣壓。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，再生氣體的壓力為0.1-20絕對(duì)大氣壓。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，再生氣流和原料氣流之間的摩爾比為0.1至0.6。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，再生氣流和原料氣流之間的摩爾比為0.3至0.5。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，原料氣流是空氣。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，再生氣體選自氧氣、氮?dú)?、甲烷、氫氣、氬氣及其兩種或多種的混合物。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該方法是一種從原料氣流中除去二氧化碳和一氧化二氮的方法，還包括在使原料氣流與第一吸附劑接觸之前，使原料氣流與用于吸附二氧化碳的第二吸附劑床接觸的步驟。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，第一吸附劑選自浸漬的氧化鋁、浸漬的復(fù)合氧化鋁/沸石，A沸石，X沸石，低二氧化硅X沸石及其兩種或多種的混合物。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，第一和第二吸附劑是相同的材料。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，該方法是一種從原料氣流中除去水、二氧化碳和一氧化二氮的方法，還包括在使原料氣流與第二吸附劑接觸之前，使原料氣流與干燥劑接觸的步驟。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，干燥劑選自氧化鋁、硅膠、浸漬的氧化鋁、A沸石、X沸石及其兩種或多種的混合物。
18.一種分離空氣中一些或所有組分的方法，包括如下步驟進(jìn)行如權(quán)利要求11所述的方法，以便形成凈化空氣流；使凈化空氣流液化；和使液化的凈化空氣流進(jìn)行低溫蒸餾，以便產(chǎn)生分離的空氣組分。
19.一種在進(jìn)行吸附過程的溫度下從原料氣流中除去一氧化二氮的裝置，所述裝置包括吸附組件、用于加熱再生氣體的加熱器、并還包括用于控制原料氣流和再生氣體通過吸附組件的流量和用于將再生氣體的溫度控制在30-100℃的控制機(jī)構(gòu)；所述吸附組件包括以流體串聯(lián)方式連接的進(jìn)口組件，適于容納第一吸附劑以便除去在30℃一氧化二氮亨利定律常數(shù)為14毫摩爾/克/大氣壓或更高并且在30℃一氧化二氮/二氧化碳亨利定律選擇性小于0.49的一氧化二氮的容器，和出口組件。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的裝置，用于從原料氣流中除去水、二氧化碳和一氧化二氮，并且包含兩個(gè)容器，所述容器以并聯(lián)流體連接方式排列，并且每個(gè)容器均包含以流體串聯(lián)方式連接的、適于容納干燥劑以便吸附水的第一區(qū)域，適于容納第二吸附劑以便除去二氧化碳的第二區(qū)域以及適于容納第一吸附劑以便除去一氧化二氮的第三區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種通過使氣流與吸附劑接觸而從原料氣體中除去一氧化二氮的方法，所述吸附劑的一氧化二氮亨利定律常數(shù)在30℃時(shí)為14毫摩爾/克/大氣壓或更高，并且一氧化二氮/二氧化碳亨利定律選擇性在30℃時(shí)小于0.49；從而形成凈化氣流，并利用在30和100℃之間溫度的再生氣流在低溫下周期性地再生吸附劑。該方法尤其適用于空氣分離工藝。
文檔編號(hào)F25J3/04GK1498669SQ20031010449
公開日2004年5月26日 申請日期2003年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月30日
發(fā)明者M·A·卡巴斯, E·H·薩爾特, C·J·瀨斯維爾, T·C·戈登, F·W·泰勒, M A 卡巴斯, 戈登, 泰勒, 瀨斯維爾, 薩爾特 申請人:氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司