專利名稱：流體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
申請者的發(fā)明是關(guān)于一種用于處理流體的裝置及一種用于處理流體的方法。更具體而言，本發(fā)明是關(guān)于一流體且尤其是水的處理系統(tǒng)，其不使用化學(xué)品即可降低流體中的細(xì)菌、藻類及菌類。
背景技術(shù)：
地球上的水經(jīng)過一自然循環(huán)系統(tǒng)不斷地循環(huán)。水自池塘、小溪、湖泊及江河流入海洋中，蒸發(fā)并進(jìn)入大氣中，又自空氣中落回到地球上，被地面吸收并聚集于地下含水層中并通過泉從地下重新涌現(xiàn)。
基本上未受人類影響的水可稱為“天然水”。人類使用循環(huán)的“天然”水，并隨后將水返回至該循環(huán)系統(tǒng)。令人遺憾的是，通常人類的使用會污染水而導(dǎo)致“非天然水”?！胺翘烊凰蔽涨乙子谏L對健康有害的細(xì)菌、藻類及菌類?！胺翘烊凰钡膒H處于變動狀態(tài)且表面張力比“天然水”的表面張力高。
水發(fā)出一可測量的電磁頻率(EMF)。天然水有其自己的EMF特征。然而，水是一種能量吸收物質(zhì)，其可吸收礦物質(zhì)、化學(xué)品及其他所接觸的物質(zhì)的頻率。當(dāng)此種情況發(fā)生時，水的EMF特征被改變以模擬雜質(zhì)的EMF特征。因而，可以說水具有“記憶”。雖然可通過化學(xué)或機(jī)械方式對水進(jìn)行“純化”以盡可能多地去除水中的有毒物質(zhì)，其水仍攜帶所記憶的以特定頻帶(波長)形式存在的電頻率。經(jīng)任何純化、化學(xué)處理、過濾甚至蒸餾后，污染物的有害信息仍存留在水中。所記憶的EMF特征可用于精確跟蹤處理前水中的有害物質(zhì)。
如美國專利第5,711,950號所述，“當(dāng)氯化鈉溶于水時，水分子包圍鈉及氯離子并產(chǎn)生離子水合物。所產(chǎn)生的水分子幾何形狀不同于先前以氫鍵結(jié)合的水分子團(tuán)。水分子在結(jié)構(gòu)上變得更規(guī)則并且更有序。在微聚集水(microclustered water)中添加氯化鈉可實現(xiàn)同樣的效果。因而，可以說氯化鈉起著一改變用“模板”的作用。正是此模板或“模式”將改變保留在水中，鎖定在由此發(fā)明產(chǎn)生的特別結(jié)構(gòu)中?！狈肿拥男螤钊缙浣M成一樣，對功能具有相同的重要性。由原子團(tuán)形狀決定的電子結(jié)合模式可改變物質(zhì)所有相的行為及性質(zhì)。當(dāng)電子以一離域模式被整個原子團(tuán)共用時，負(fù)電荷被均勻分布且該原子團(tuán)可呈現(xiàn)某些固體金屬態(tài)，例如，導(dǎo)電性。當(dāng)電子均被緊緊束縛在原子上時，原子團(tuán)類似于離散分子。
兩個氫原子與一個氧原子的共價鍵結(jié)形成水分子(H2O)。為了填滿其外層，氧原子需要兩個電子，且通過與每一或兩個氫原子共用一個電子來獲得這兩個電子。該些氫原子與氧原子鍵結(jié)形成一三角形結(jié)構(gòu)。此形狀很重要，因為其形成了許多支持生命的溶液及化合物的基礎(chǔ)。
因為鍵結(jié)的原子共用電子，但電子被更強(qiáng)地吸引至氧原子核而非氫原子核，所以水分子的共價鍵是極性的。這在兩個氫原子核附近產(chǎn)生一小的正電荷。由于氫原子的正電荷被從其它水分子吸引至氧原子的負(fù)電荷，因而形成了水分子團(tuán)。眾所周知，此氫鍵在許多生物化合物中扮演著重要角色，且對于維持大分子(例如，蛋白質(zhì)及核酸)的形狀是至關(guān)重要的。
水的聚集模式因能夠透過水所形成的晶體進(jìn)行拍照而得到證明。晶體是一種具有有序構(gòu)形原子及分子的固體物質(zhì)。晶體除了存在于雪及結(jié)晶石英中外，還可在天然礦物(例如金剛石)及食鹽中看到晶體。當(dāng)水分子結(jié)晶時，純或“天然”水成為純晶體，但被污染的、經(jīng)過化學(xué)處理的“死”水不能結(jié)晶為天然四面體。經(jīng)本發(fā)明處理的水可以與“天然”水一樣結(jié)晶。
渦流是自然界普遍的現(xiàn)象。渦流輸送能量且是自然界用于聚集或分解其所產(chǎn)生物質(zhì)的工具。渦流形成物質(zhì)、賦予其形狀并使其聚集。渦流通過向心方式加料及供養(yǎng)生長并隨后以離心方式解除生長并使其返回至死亡或不運(yùn)動狀態(tài)來引導(dǎo)各種過程。渦流是一種有序、持續(xù)、可再生的技術(shù)。
渦流存在于水(例如，小溪、河流)中或空氣中。在每一溪流中，水在被稱為漩渦的小渦流中不斷盤旋。在海洋不斷翻滾盤旋的波浪中也可看到同樣的運(yùn)動。此運(yùn)動使水聚集電力。水可儲存勢能。水的向心向內(nèi)運(yùn)動使其自身恢復(fù)活力。
內(nèi)爆使物質(zhì)發(fā)生向內(nèi)運(yùn)動。此向內(nèi)(向心)運(yùn)動不是沿一直線路徑而是一螺旋旋轉(zhuǎn)路徑(一渦流)到達(dá)中心。渦流的外部運(yùn)動慢而中心運(yùn)動很快。當(dāng)水發(fā)生內(nèi)爆時，比水粘稠的懸浮顆粒被吸入水流的中心，摩擦阻力減小而流動速度加快。已有報道說水的化學(xué)性質(zhì)(包括氧含量)會發(fā)生變化，表面張力降低且金屬離子發(fā)生沉淀及鍵結(jié)。
因而，需要一種方法及裝置來擦除被污染的水的記憶，并將水的EMF特征從污染物改變?yōu)樘烊凰?br> 先前技術(shù)的裝置已證明能夠在一定程度上改良水量。多數(shù)裝置使用一安裝于水管外部上的一環(huán)形或馬蹄形磁鐵來影響水分子的極化。其他裝置則使用直流電流線圈來獲得同樣的結(jié)果。少數(shù)裝置則將直流電極嵌入水空穴中來改良水質(zhì)。其他裝置使用高壓放電在一封閉室腔內(nèi)產(chǎn)生臭氧，所產(chǎn)生氣體注入水流中對水進(jìn)行殺菌。
已知某些水磁化處理可對水產(chǎn)生持續(xù)效果。人們曾使用X射線結(jié)晶學(xué)及電子顯微術(shù)來測定硬水形成的水垢。未經(jīng)處理的水與經(jīng)磁化處理的水所形成的水垢是不同的。經(jīng)處理的水與未經(jīng)處理的水所形成水垢間存在的差異可持續(xù)數(shù)天。
例如，比利時的CEPI-CO公司已出售數(shù)十萬套磁化水處理裝置來減少工業(yè)冷卻回路中的結(jié)垢。該些磁化水處理裝置安裝在持續(xù)循環(huán)的系統(tǒng)中且僅用于抑制水垢的目的。然而，其有益的結(jié)果證明水的磁化處理可具有持續(xù)的有益效果且可改變水的結(jié)晶行為。該些結(jié)果僅可通過動態(tài)磁化處理獲得，即，流體快速流過一正交磁場以在水中產(chǎn)生半永久性變化。
而且，已知磁場還可降低水的表面張力及粘度。研究顯示水的磁化處理可改變某些以細(xì)菌為媒介的污染物氧化方式的效果。
本發(fā)明同樣以一種賦予水有益記憶或半永久性效果的方式對水進(jìn)行非化學(xué)處理。
目前有多種先前用于磁化處理流體的裝置。通常通過圍繞一流體通過的管道或容器纏繞一電磁線圈來軸向施加磁場。因此，由于所施加的電壓在靠近磁鐵處增大而在管道中心處減小，故效果較差。其場強(qiáng)不均勻，因而效率低下。
專利第3,873,448號此專利被描述為“一種特別實用的可從粘性流體中分離出尺寸為微米級的鐵磁體物質(zhì)的磁力分離器”。該分離器使用一構(gòu)成一流體流過的鐵磁體顆粒床的鐵磁體填料。該建立在過濾器內(nèi)的磁場沿流體方向橫向延伸。位于與電磁鐵相關(guān)位置上的電磁線圈產(chǎn)生該磁場。當(dāng)過濾介質(zhì)充滿顆粒時，此發(fā)明另外需要沖洗。此外，線圈中的直流電壓必須改為交流電壓。此改變導(dǎo)致形成填料的顆粒去磁。該填料介質(zhì)被描述為“組成過濾器的鋼丸或其他顆?！?，且在本發(fā)明設(shè)計中為一層7英寸厚的1/16英寸鋼丸。此文未涉及該鋼丸圓球的重要性，且該專利似乎僅使用該鋼丸作為一種可磁化的過濾材料。盡管此專利未包括作為過濾材料的圓鋼丸，但其用途是作為一鐵磁材料的分離器。
專利第4,836,932號此發(fā)明使用一“水處理電池”產(chǎn)生局部強(qiáng)“超磁場(60,000至250,000高斯)?！贝丝稍诋a(chǎn)生若干微小的高強(qiáng)度磁場時通過微磁體的穩(wěn)定化而實現(xiàn)。該些微細(xì)顆粒分散于非磁性介質(zhì)中。然后，該“超磁體”被置于一處理水用容器中。水中的礦物質(zhì)(例如離子化鈣)在容器底部作為鈣粉末沉淀出來。此技術(shù)主要用于從水中分離廢料。此外，還需要一湍流，但該湍流需要進(jìn)行調(diào)整。此發(fā)明的擬定用途是在一循環(huán)系統(tǒng)中用于除水垢。發(fā)明中不使用圓球或磁體，水進(jìn)入一包含該些超磁體的容器。
專利第3,869,390號此裝置是一用于從蒸汽發(fā)電廠鍋爐給水中去除鐵氧化物的電磁過濾器。該裝置包括位于一容器內(nèi)的一金屬球過濾床及一圍繞該容器的勵磁線圈。該線圈具有冷卻通路，并且一夾套可以供打開冷卻介質(zhì)之用。該磁場在該些球的外部產(chǎn)生。該裝置是一過濾器，其需要直流及交流電且局限于一特殊用途。
專利第4,501,661號-此發(fā)明宣稱可提供一種用于對水進(jìn)行純化及活化的方法及裝置，并獲得不含真菌的、干凈且口感好及富含礦物質(zhì)的類似天然水。此裝置包括三個室1、第一室為一減速區(qū)，其使用一種多孔顆粒形式的藥劑且能夠分解結(jié)合的氯、吸收自由氯(例如，自甲殼類動物的殼獲得的鈣質(zhì)陶瓷)并在超高溫下對其進(jìn)行處理；2、第二室為一活化區(qū)，其中使水的平衡狀態(tài)無序化并進(jìn)行電離。在此區(qū)內(nèi)，水將呈中性或弱堿性。此結(jié)果可通過使用白色英斑巖(磁性多元素礦物)的帶電顆粒及在該些顆粒中徑向安放的磁性棒來實現(xiàn)；3、第三室為沉淀區(qū)，其用于破壞水的離子平衡并將水定向為軟化，該室包含一由丙烯酸樹脂制成的磁性球，其自由空間內(nèi)包含一磁性小球。小球的數(shù)量可少至3個。此裝置復(fù)雜，包含多種處理介質(zhì)且磁性球不用于流動或?qū)?，而僅用作一磁場源。此發(fā)明未宣稱該磁場可除去氯，而是宣稱第一室內(nèi)的一介質(zhì)可實現(xiàn)去氯目的。磁性球的用途不能與本發(fā)明相比。
專利第4,904,381號-此裝置是一用于對流體進(jìn)行磁化處理的裝置，其具有在一流體通路或蓄水池內(nèi)旋轉(zhuǎn)并配備一磁場發(fā)生器的轉(zhuǎn)子及一耦合至該轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件。水處理是通過磁場發(fā)生器來實施的，該磁場發(fā)生器整體旋轉(zhuǎn)，在其周圍產(chǎn)生一旋轉(zhuǎn)磁場。此外，在一包含若干由一永磁形成的小球且鍍金或鍍銀的室內(nèi)對水施用一過濾元件。每個小球各在水中產(chǎn)生一靜磁場并且狹窄的間隙有助于去除水中包含的雜質(zhì)。發(fā)明者申明過濾元件不需僅限于圓球形磁體，也可為包含Ca、Mg及其他對飲用水及農(nóng)產(chǎn)品有益的元素的陶瓷。該磁場發(fā)生器包括多個永磁。裝置中設(shè)置有一空氣吸管以增加水的流速，并產(chǎn)生水泡以增加水的氧含量。該過濾元件(圓形磁球)是用于去除雜質(zhì)而不是處理水。水由第一室內(nèi)旋轉(zhuǎn)的磁場產(chǎn)生器進(jìn)行處理并改變。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括一個可在一流體中引入快速旋轉(zhuǎn)渦流的結(jié)構(gòu)。渦流對流體進(jìn)行制備，擦除該流體所記憶的有害物質(zhì)的EMF特征并引入一新的期望特征。本發(fā)明進(jìn)一步包括一用于向該流體添加一期望頻率的方法。此目的可通過許多不同的方法來實現(xiàn)，包括本文所揭示的那些實施例。
本發(fā)明提供了一可對水及其他流體進(jìn)行處理以使其返還自然狀態(tài)的新穎裝置。
本發(fā)明的其他目的為a、對被污染的水及流體進(jìn)行處理。
b、降低或消除游泳池、溫泉、冷卻塔及城市及其他水系統(tǒng)中對化學(xué)消毒劑(例如，氯、溴、穩(wěn)定劑、除藻劑及澄清劑)的需求。
c、對水進(jìn)行處理以使水在一動物體內(nèi)具有更高的吸收率并因此能夠增加營養(yǎng)從食物、營養(yǎng)補(bǔ)品及藥品及醫(yī)藥制品中的釋放量。
d、增加化妝品及護(hù)膚品的滲透及細(xì)胞水合作用。
e、降低或消除農(nóng)業(yè)生產(chǎn)工藝中對殺蟲劑、除草劑及肥料的需求。
f、對其他流體進(jìn)行處理，以提供更有效和有用的水分子團(tuán)。
g、為降低表面張力，本發(fā)明是可測量的。水的表面張力自每厘米72達(dá)因降低至62達(dá)因。(達(dá)因是一用于闡述流體滲透性的測量單位。)h、抑制水中藻類、細(xì)菌及真菌的生長。
i、增加導(dǎo)電性。
j、形成氫鍵。水可經(jīng)過排列或不經(jīng)過排列，此取決于氫鍵是否將水分子團(tuán)連接在一起。經(jīng)過氫鍵排列的水將有一更平衡的pH。
在正常狀況下，水分子的自然聚集存活時間短且水分子團(tuán)的尺寸無法預(yù)測。本發(fā)明改變了水或其他流體的水分子團(tuán)模式，使變化持久存在。其他發(fā)明通過對水進(jìn)行磁性處理已經(jīng)生產(chǎn)出經(jīng)處理后水分子排列更規(guī)則且更穩(wěn)定的水，但無一發(fā)明賦予水以新的水分子團(tuán)模式，因而其不能“保持”水的改變。該些發(fā)明未完成去除消極程序且賦予新程序所需的過程，因而僅半永久性地改變了水。
本發(fā)明將能夠去除消極的“頻率或程序”，對水進(jìn)行排列以接收一新程序并將該程序賦予水。此過程將使水的改善持續(xù)時間更長，而不需在裝置中對水不斷進(jìn)行再循環(huán)。
預(yù)計本發(fā)明可用于工業(yè)中，例如城市水處理、池塘及溫泉、旅館及飯店、空調(diào)、農(nóng)業(yè)、化妝品、食品及飲料。
而且，通過降低生物活性流體(例如，鮮乳、生酒、果汁及其他流體)中的活細(xì)菌數(shù)量而延長其儲存期。例如，對牛奶進(jìn)行超巴斯德滅菌可使牛奶具有一長儲存期。本發(fā)明的一特點是同樣使用所述結(jié)構(gòu)及方法來減少經(jīng)處理流體中此種潛在有害細(xì)菌的數(shù)量。
然而，與未經(jīng)處理的流體相比，經(jīng)過所述結(jié)構(gòu)及方法處理后的流體可阻止變質(zhì)且減緩或防止引入經(jīng)處理流體中的新細(xì)菌的生長。例如，因為超巴斯德滅菌大大減少了牛奶中細(xì)菌的數(shù)量，超巴斯德滅菌牛奶會長時間阻止變質(zhì)。然而，一旦超巴斯德滅菌牛奶打開并暴露于新的細(xì)菌，其很快就壞掉。然而，經(jīng)本發(fā)明處理的牛奶卻不易接受新引入的細(xì)菌并因而在暴露于新細(xì)菌后比經(jīng)超巴斯德滅菌的牛奶具有更長的儲存期。
該兩個好處——第一，降低經(jīng)處理流體中細(xì)菌的數(shù)量；第二，長期調(diào)節(jié)流體以隨后阻止重新引入的細(xì)菌使流體變質(zhì)，除對牛奶有效用外，也對可生物降解的流體有效用。
通過此方法生產(chǎn)的經(jīng)處理流體可依據(jù)其施用的量及濃度用來改良或負(fù)面影響活性有機(jī)體。高度處理的水可用來殺死植物、微生物及不需要的生命。處理量較低的經(jīng)處理流體可用于改良植物、微生物及其他不需要的生命的健康狀態(tài)。例如，剪切的花卉放置于經(jīng)處理的水中會持續(xù)更長時間。而且，盆栽花卉用適量經(jīng)處理水處理后將生長得更快，但如果經(jīng)處理水的濃度太高，植物的生長將受到阻滯。
除其他效果外，經(jīng)測量，本發(fā)明可使自來水的表面張力自每厘米72達(dá)因降低至62達(dá)因。
所闡述效果的半永久性質(zhì)使該處理方法可用于池塘、城市供水及類似地方。
附圖簡單說明

圖1是本發(fā)明第一實施例的側(cè)視圖。
圖2是本發(fā)明第一實施例的流體進(jìn)入管的側(cè)視圖。
圖3是本發(fā)明第一實施例的左旋渦流室的側(cè)視圖。
圖4是本發(fā)明第一實施例的左旋渦流室的俯視圖。
圖5是本發(fā)明第一實施例的具有一銅線圈的右旋渦流室的側(cè)視圖。
圖6是本發(fā)明第一實施例的具有一銅線圈的右旋渦流室的俯視圖。
圖7是本發(fā)明第一實施例的具有一銀線圈及頻率天線的右旋渦流室的側(cè)視圖。
圖8是本發(fā)明第一實施例的具有一銀線圈及頻率天線的右旋渦流室的俯視圖。
圖9是本發(fā)明第二實施例的側(cè)視圖。
圖10是沿圖9的X-X軸線截取的微型球體的剖面圖。
圖11是流體圍繞本發(fā)明微型球體流動的示意圖。
圖12是本發(fā)明第三實施例的側(cè)視圖。
圖13是本發(fā)明第四實施例的側(cè)視圖。
圖14是本發(fā)明第五實施例的俯視圖。
較佳實施例詳細(xì)說明參照附圖，圖1展示本發(fā)明第一實施例的一側(cè)視圖。流體處理裝置(2)包含兩個或以上其中產(chǎn)生一渦流(6)的渦流室(10、12、14及16)。如圖1所示，該流體處理裝置(2)的第一實施例使用四個渦流室(10、12、14及16)，渦流室大致呈管狀，換言之，即一具有一沿圓柱體縱軸延伸的孔的圓柱體。然而，預(yù)期第一實施例的流體處理裝置(2)的最多變化是包含2至10個渦流室(10、12、14及16)。渦流室(10、12、14及16)與第一渦流室的一流體入口(20)串聯(lián)連接，以容許流體(未圖示)從流體源(未圖示)流入渦流室(10、12、14及16)。流體(未圖示)(通常為水(未圖示))流經(jīng)流體進(jìn)入管(18)并在靠近第一渦流室的一第一端(10a)處進(jìn)入第一渦流室(10)。流體(未圖示)從第一渦流室的第一端(10a)向下流至第一渦流室的第二端(10b)，并在此處通過流體出口(22)離開第一渦流室(10)。然后，流體(未圖示)流過一連接管(24)，該連接管(24)在流體連接管的第一端(24a)處連接至流體出口(22)而在流體連接管的第二端(24b)處連接至靠近第二渦流室第一端(12a)的流體入口(20)。流體(未圖示)再次向下流通第二渦流室(12)，并在此處離開靠近第二渦流室第二端(12b)處的流體出口(22)。流體(未圖示)繼續(xù)流通第三渦流室(14)及第四渦流室(16)，或者，若串聯(lián)的渦流室多于四個，則繼續(xù)流動直至到達(dá)最后的渦流室(未圖示)并通過一最終流體出口(22)離開。
為優(yōu)化流體處理裝置(2)中流體(未圖示)的注入特性并增加渦流室(10、12、14及16)內(nèi)產(chǎn)生的渦流(6)，流體入口(20)及流體出口(22)的尺寸和位置均經(jīng)過合理設(shè)計。渦流室(10、12、14及16)及入口及出口的直徑可改變，但通常按比例改變。已發(fā)現(xiàn)，流體入口(20)/流體出口(22)直徑與渦流室直徑的理想比例介于2/3至1/6之間。因此，假如渦流室(10、12、14及16)的直徑為4英寸，則流體入口(20)、流體出口(22)及連接管(24)的直徑應(yīng)約為1至2英寸?？砂幢壤淖冎睆?。
舉例而言，可根據(jù)上述說明處理池水或城市用水，且可根據(jù)擬處理的水(未圖示)的體積、兩次處理之間的預(yù)期時間周期及水(未圖示)的污染程度依據(jù)需要按比例放大或縮小。流體處理裝置(2)將比其他用于殺死生物活性成分的方法更溫和地殺死被處理流體(未圖示)中的生物活性成分。重度氯化、一足夠強(qiáng)的磁場及充足的壓力都將能夠殺死細(xì)菌。然而，本發(fā)明可更經(jīng)濟(jì)地殺死細(xì)菌且具有半永久性效果，換句話說，經(jīng)本發(fā)明處理的水(未圖示)可抵抗生物污染物(例如，細(xì)菌、藻類及真菌)的再感染。
第四渦流室(16)還具有一附裝于第四渦流室(16)內(nèi)的頻率天線(26)。頻率天線(26)位于靠近第四渦流室第二端(16b)處并接近流體出口(22)的液位。頻率天線(26)通過一頻率導(dǎo)線(36)連接至一頻率天線發(fā)生器(28)。
流體處理裝置(2)可與一流體系統(tǒng)(未圖示)聯(lián)合使用，該流體系統(tǒng)可包括多種類型的流體傳輸系統(tǒng)(未圖示)，例如，一管道(未圖示)或一簡單的流體容器(未圖示)。如本文中所用，流體系統(tǒng)(未圖示)可包括任何將流體供應(yīng)至流體處理裝置(2)的源或方法。
流體處理裝置(2)可由任何數(shù)量的渦流室(10、12、14及16)組成，但通常由2至10個其內(nèi)部生成渦流(6)的渦流室(10、12、14及16)組成。渦流室(10、12、14及16)與來自流體源(未圖示)的第一渦流室(10)的流體入口(20)串聯(lián)連接。來自第一渦流室(10)的流體出口(20)連接至第二渦流室(12)的流體入口(20)，且所有的渦流室(10、12、14及16)均以類似方式連接。
可定位流體入口(20)使其具有一角度(通常介于8至15度之間)，以改良流體(未圖示)的流動性并增加渦流(6)的力量。同樣流體出口(22)也可具有一定角度。
圖2為本發(fā)明第一實施例的流體進(jìn)入管(18)的側(cè)視圖。流體進(jìn)入管(18)與一流體系統(tǒng)(未圖示)或流體源(未圖示)連通，且附裝至第一渦流室(10)的流體入口(20)。流體進(jìn)入管(18)容許流體(未圖示)進(jìn)入處理裝置(2)。流體進(jìn)入管(18)可具有多個配套的磁性環(huán)(30)。磁性環(huán)(30)可附裝并環(huán)繞在流體進(jìn)入管(18)上。擬定磁性環(huán)(30)具有相當(dāng)強(qiáng)的磁力。例如，每一磁性環(huán)(30)的強(qiáng)度較佳等于或大于5000高斯。磁性環(huán)(30)均被極化且具有一正極性端(30a)及負(fù)極性端(30b)。該多個磁性環(huán)(30)沿流體進(jìn)入管(18)相互鄰近定位和定向，以使磁性環(huán)(30)的相同極性端緊靠在一起。由此，正極性端(30a)靠近其他正極性端(30a)，且負(fù)極性端(30b)靠近其他負(fù)極性端(30b)。雖然也可采用其他磁性環(huán)(30)數(shù)量及放置方式，但預(yù)期流體處理裝置(2)將包含以英寸至5英寸間隔設(shè)置的3至10個磁性環(huán)(30)。例如，流體進(jìn)入管(18)可環(huán)繞有高斯強(qiáng)度為5000或以上的間隔為1英寸的7個磁性環(huán)(30)。磁性環(huán)(30)的內(nèi)徑等于流體進(jìn)入管(18)的外徑。
圖3是本發(fā)明第一實施例的第一渦流室(10)的側(cè)視圖。其描述了第一渦流室(10)內(nèi)水流(4)的方向。如圖所示，水(未圖示)通過流體入口(20)進(jìn)入第一渦流室(10)并通過流體出口(22)離開。流體入口(20)及流體出口(22)的位置可使流體(4)及所產(chǎn)生的渦流(6)均為左旋定向或反時針旋轉(zhuǎn)。水(未圖示)充滿第一渦流室(10)，但水(未圖示)的離開產(chǎn)生渦流(6)。主渦流(6)沿第一渦流室(10)的內(nèi)部中心縱向延伸。一渦流(6)的組成為多個小渦流生成該主渦流(6)。在渦流(6)的底部，水(未圖示)的能量達(dá)到最高。此點是渦流(6)的混沌點(未圖示)或頂點(未圖示)。在該混沌點(未圖示)，水流(未圖示)具有朝其在渦流(6)中旋轉(zhuǎn)的相反方向轉(zhuǎn)向的趨勢。因此，已通過一反時針渦流(6)的水(未圖示)在混沌點(未圖示)有欲順時針回轉(zhuǎn)的趨向。
圖3描繪的是第二渦流室。
圖4是第一渦流室(10)的俯視圖。其描述水流(4)通過流體入口(20)從流體進(jìn)入管(18)進(jìn)入并產(chǎn)生一如圖所示的反時針渦流(6)。然后，水(未圖示)通過流體出口(22)離開并進(jìn)入一連接管第一端(24a)。
圖5是第三渦流室(14)的側(cè)視圖。第三渦流室(14)以圖3及4中描述的第一渦流室(10)的相同方式操縱，不同之處在于流體入口(20)及流體出口(22)被布置為使產(chǎn)生的渦流(6)具有右旋或順時針旋轉(zhuǎn)。此外，第三渦流室(14)內(nèi)包含一銅線圈(32)。該銅線圈的纏繞方向與渦流(6)的設(shè)計旋轉(zhuǎn)方向相同。在第一渦流室(10)及第二渦流室(12)被設(shè)計用于從流體(未圖示)中“擦除”記憶的同時，銅線圈(32)的存在可容許來自銅的期望頻率共振穿過水(未圖示)。其賦予水(未圖示)記憶，以在水(未圖示)中產(chǎn)生一永久性變化，稱作聚集水(clustered water)(未圖示)。人已知銅具有除藻及殺真菌的性質(zhì)。當(dāng)水(未圖示)經(jīng)過該些金屬時，金屬賦予水一可對水(未圖示)進(jìn)行排列的頻率或“記憶”。
銅離子還通過電化腐蝕過程轉(zhuǎn)移至水(未圖示)中，賦予水包含能直接對抗藻類及真菌的離子的額外優(yōu)點。當(dāng)不同導(dǎo)電材料連接并暴露于一電解液時，會發(fā)生電化腐蝕。電化腐蝕使金屬呈現(xiàn)不同的腐蝕電壓。正是電壓差形成了電化電流的驅(qū)動力。在本發(fā)明中，銅成為一陽極且銀將作為一陰極，而水(未圖示)是電解液。
圖6是第三渦流室(14)的俯視圖。類似圖4，其描述水(未圖示)的液體流(4)。與圖4不同的，第三渦流室(14)的液體流(4)為順時針或向右。圖6也展示有放置在第三渦流室(14)內(nèi)的銅線圈(32)。
圖7是第四渦流室(16)的側(cè)視圖。圖7所描述的第四渦流室(16)及液體流(4)實質(zhì)上與圖5中所描述的第三渦流室(14)及液體流相同。第四渦流室(16)的流體入口(20)及流體出口(22)的定位方式與第三渦流室(14)相同，以使流體(未圖示)產(chǎn)生一右旋或順時針旋轉(zhuǎn)的渦流(6)。第四渦流室(16)也具有一線圈，但插入了一銀線圈(34)代替了銅線圈(32)。同樣，銀線圈(34)以與渦流(6)擬旋轉(zhuǎn)方向相同的方向纏繞。與銅線圈(32)相同，銀線圈(34)賦予水(未圖示)記憶，以在水(未圖示)中產(chǎn)生永久性變化，稱作聚集水(clustered water)(未圖示)。銀是一種殺菌劑。當(dāng)水(未圖示)經(jīng)過銀線圈(34)時，銀線圈賦予水(未圖示)一可對水(未圖示)進(jìn)行排列的頻率或“記憶”。銀離子還通過電化腐蝕過程轉(zhuǎn)移至水(未圖示)中，賦予其包含能直接對抗細(xì)菌的離子的額外優(yōu)點。
在第四渦流室第二端(16b)附裝有一頻率天線(26)。頻率天線位于第四渦流室(16)的中心。其所在高度可使頻率天線(26)懸置于渦流(6)的混沌點(未圖示)附近。頻率天線(26)通過一頻率導(dǎo)線(36)與頻率發(fā)生器(28)聯(lián)絡(luò)。頻率發(fā)生器(28)為頻率天線(26)提供電力。頻率導(dǎo)線(36)可為一連接至頻率發(fā)生器(28)的不設(shè)置接地線的單導(dǎo)線。在此情況下，頻率天線(26)與頻率發(fā)生器(28)間的電路不完整。送往頻率天線(26)的電力為頻率不超過1000赫茲的變頻直流電。因而，頻率在渦流(6)底部靠近混沌點(未圖示)處釋放至水(未圖示)中。
圖8是第四渦流室(16)的俯視圖。除了用銀線圈(34)代替銅線圈(32)且第四渦流室(16)的中心設(shè)置有一頻率天線(26)外，其在所有方面均與圖6相同。
圖9是本發(fā)明第二實施例的透視圖。圖9描述本發(fā)明的另一實施例，其具有與同一實施例相同的特征。與第一實施例相同，第二實施例包含一流體系統(tǒng)(未圖示)或配備有一渦流產(chǎn)生裝置及一頻率發(fā)生裝置的流體源(未圖示)。各個實施例的主要區(qū)別是渦流產(chǎn)生裝置及頻率發(fā)生裝置所采取的形式。第一實施例的渦流產(chǎn)生裝置采取了一系列渦流室(10、12、14及16)的形式，且頻率發(fā)生裝置采取了多個金屬線圈(32及34)和一頻率天線(26)的形式，而第二實施例使用不同形式的渦流產(chǎn)生裝置及頻率發(fā)生裝置。圖9所示的第二實施例使用一具有第一端(40a)及第二端(40b)的渦流室構(gòu)件(40)。渦流室構(gòu)件(40)的形狀大致呈管狀。水(未圖示)通過第一口(46)進(jìn)入渦流室構(gòu)件(40)。流體(未圖示)流過渦流室構(gòu)件(40)并通過第二口(48)離開。附裝在渦流室構(gòu)件第一端(40a)上的是一流體入口件(44)。流體入口件(44)可采取不同形式。圖9描述一實施例，其中流體入口件(44)大致呈一三角頂飾，以使流體(未圖示)更容易地注入渦流室構(gòu)件(40)。此構(gòu)造可容許本發(fā)明在“桌面”上使用，使用者可將水(未圖示)或其他流體(未圖示)傾倒入渦流室構(gòu)件(40)內(nèi)。如圖12、13及14所示，為使渦流室構(gòu)件(40)能夠嵌入一管道(未圖示)或其他流體系統(tǒng)(未圖示)中，流體入口件(44)可車有螺紋。在渦流室第二端(40b)處附裝在渦流室構(gòu)件(40)上的還有流體出口件(58)。與流體入口件(44)相同，流體出口件(58)可采取多種形式，包括(但不限于)圖12、13及14所示的螺紋形式。
不管其具體形式如何，本發(fā)明的渦流產(chǎn)生裝置均設(shè)計位可在流體(未圖示)內(nèi)產(chǎn)生渦流(6)。在圖9所示的第二實施例中，渦流(6)由一系列排列成排的微型球體(38)產(chǎn)生。多個微型球體(38)通過第一濾網(wǎng)(42a)及第二濾網(wǎng)(42b)被保持在渦流室構(gòu)件(40)內(nèi)。第一濾網(wǎng)(42a)被附裝在渦流室構(gòu)件(40)內(nèi)部靠近渦流室第一端(40a)的位置。第二濾網(wǎng)(42b)被附裝在渦流室構(gòu)件(40)內(nèi)部靠近渦流室第二端(40b)的位置。第一濾網(wǎng)(42a)及第二濾網(wǎng)(42b)均設(shè)計為流體(未圖示)可通過而微型球體(38)不能通過。雖未圖示，但流體入口件(44)及流體出口件(58)也可作為第一濾網(wǎng)(42a)及第二濾網(wǎng)(42b)。
通過渦流室構(gòu)件(40)的水(未圖示)被收集于一流體容器(50)內(nèi)或繼續(xù)送至接續(xù)的流體系統(tǒng)(未圖示)中。流體容器(50)位于一基座構(gòu)件(52)上?；鶚?gòu)件(52)內(nèi)有一通過一電源線(56)連接至一電源(62)的變送器(54)。此機(jī)構(gòu)的一實例為使用聲頻揚(yáng)聲器(其為一種變送器)提供頻率。因此，在該第二實施例中，變送器(54)用作頻率發(fā)生裝置。其向上通過容納于流體容器(50)中的流體傳遞聲波(未圖示)并將頻率賦予流體(未圖示)。
為接受期望的頻率，流體(未圖示)必須已通過渦流(6)充分擦除了所有不需要的頻率。在第二實施例中，微型球體(38)用作渦流產(chǎn)生裝置。當(dāng)水(未圖示)在微型球體(38)之間的空隙中流動時，其經(jīng)受強(qiáng)烈的擾亂及許多渦流。該些渦流可擦除水(未圖示)中的記憶且使其準(zhǔn)備接收由變送器(54)產(chǎn)生的頻率。變送器(54)發(fā)出聲音的音頻通常介于300至1500赫茲之間。
圖10是沿圖9的X-X平面截取的一俯視剖面圖。當(dāng)流體(未圖示)位于微型球體(38)所形成的空隙中間時，如圖11所示，其經(jīng)受強(qiáng)烈的擾亂和渦流。微型球體(38)可具有高高斯磁性，通常至少3500。磁化微型球體(38)的極性產(chǎn)生一復(fù)雜的交變磁場，所有微型球體(38)共同充當(dāng)一所有流體(未圖示)流過的大多孔磁鐵。
為確保產(chǎn)生渦流(6)及增加其能量，流體(未圖示)可通過一使用相對高壓力(通常至少20磅)的渦流室構(gòu)件(40)。該壓力可容許與微型球體(38)的較長時間接觸及均勻暴露。然而，不是所有情況都需要該壓力。
可將微型球體(38)布置成多個有序的排，盡管并不需要如此。該些排可如圖10所示組織，6個微型球體(38)環(huán)繞渦流室構(gòu)件(40)的內(nèi)壁而1個微型球體(38)位于中心，如果此一排列適應(yīng)渦流室構(gòu)件(40)的話。此一排列取決于渦流室構(gòu)件(40)的內(nèi)部直徑及微型球體(38)的直徑。可調(diào)整每一排中微型球體(38)的數(shù)量及其位置以適應(yīng)渦流室構(gòu)件(40)。在那些使用磁化微型球體(38)的情況中，微型球體(38)通常根據(jù)其極性自我取向。
圖9描述使用變送器(54)提供頻率的本發(fā)明第二實施例。還可使用與第一實施例闡述的線圈類似的金屬股線(60)來提供此頻率。金屬股線(60)由銅或銀制成，以賦予流體(未圖示)有益的效果。
水(未圖示)中任何痕量的礦物鹽在離開該系統(tǒng)時一經(jīng)通過終端即會被極化。這樣會使所有物質(zhì)因極化而懸浮在水(未圖示)中并防止像隨機(jī)極化的礦物鹽那樣在流體系統(tǒng)(未圖示)的內(nèi)部形成任何沉積(稱為結(jié)垢)。
pH是水(未圖示)中該些電荷之間的平衡度。pH的較大變化會損壞設(shè)備且可降低化學(xué)品的有效性。通過以磁性方式組織水將使pH更穩(wěn)定。
圖11是一描述圍繞本發(fā)明微型球體(38)的液體流(4)示意圖。其也是沿圖9的X-X平面截取的微型球體(38)的側(cè)視圖。液體流(4)在一直線路徑中前進(jìn)直至其遇到微型球體(38)，此時其環(huán)繞微型球體(38)旋轉(zhuǎn)，若干水流(未圖示)匯集在一起形成微渦流(未圖示)。微型球體(38)在高高斯微型球體(38)之間將被處理流體(未圖示)快速旋轉(zhuǎn)形成許多渦流(6)。作用在流體(未圖示)上的使其移動通過渦流室構(gòu)件(40)的相對高的壓力使流體經(jīng)受上述頻率發(fā)生裝置的影響。小球形高高斯磁性微型球體(38)與以足夠速度將流體送過流體處理裝置(2)以產(chǎn)生渦流(6)的高壓力相互結(jié)合，可殺死不需要的細(xì)菌。一額外優(yōu)點是可沉淀礦物質(zhì)(例如，鐵、鈣及鎂)，因此有助于防止結(jié)垢。
圖12是本發(fā)明的第三實施例的側(cè)視圖。其也是渦流室(40)的一替代實施例，其中使用頻率天線(26)而非變送器(54)賦予流體(未圖示)頻率。圖12展示充滿微型球體(38)的渦流室構(gòu)件(40)。如上所述，流體入口件(44)及流體出口件(58)有螺紋，以便將渦流室構(gòu)件(40)嵌入管道中。流體(未圖示)仍沿流體流動管線(4)流過渦流室構(gòu)件(40)。頻率天線(26)由頻率發(fā)生器(28)賦能并通過頻率導(dǎo)線(36)連接。頻率以本發(fā)明第一實施例所述的相同方式被賦予流體(未圖示)。
圖13再次展示渦流室(40)具有用于賦予流體(未圖示)頻率的第二替代方法。雖然第一實施例中使用的是銅線圈(32)及銀線圈(34)，但圖13描述金屬股線(60)與微型球體(38)一起嵌入渦流室構(gòu)件(40)的內(nèi)部。類似于銅線圈(32)和銀線圈(34)，金屬股線(60)由所需的金屬材料(例如，銅或銀)制成。因此，沿流體流動管線(4)流動的流體(未圖示)經(jīng)受諸多渦流，該些渦流可擦除流體(未圖示)中記憶，并同時將金屬股線(60)的有益特征賦予流體(未圖示)。
圖14是用于本發(fā)明第二實施例的頻率發(fā)生裝置的一第三替代實施例。圖14描述一具有兩組微型球體(38)的渦流室構(gòu)件(40)。微型球體(38)組由第一濾網(wǎng)(42a)及第二濾網(wǎng)(42b)兩組濾網(wǎng)保持在適當(dāng)位置。在此替代實施例中，可通過磁化一室內(nèi)的微型球體(38)且使用由頻率導(dǎo)線(36)連接的頻率天線(26)向另一室內(nèi)的頻率發(fā)生器(28)施加電力來產(chǎn)生頻率。由此，流體(未圖示)被排列且現(xiàn)存的模式被擦除，然后給流體施加期望的頻率。伸入渦流室構(gòu)件(40)的頻率天線(26)賦予流體(未圖示)有益頻率以產(chǎn)生一永久性改變。如果流體(未圖示)為水(未圖示)，則經(jīng)改良的水(未圖示)被稱作聚集水(clustered water)(未圖示)。由微型球體(38)產(chǎn)生的多個渦流導(dǎo)致水(未圖示)向心并向內(nèi)方向運(yùn)動。此自然的向心運(yùn)動將能量模式注入水(未圖示)中，引起一持久的變化。
盡管本發(fā)明有許多經(jīng)揭示的及可能的實施例，但其工作原理及使用相同方法均相同。每一實施例均包括一配備有一渦流發(fā)生裝置及一頻率產(chǎn)生裝置的流體系統(tǒng)(未圖示)或流體源(未圖示)。流體(通常為水)通過多個渦流。通常使用一設(shè)計在流體內(nèi)產(chǎn)生渦流的室來完成此過程。此過程旨在自流體中擦除對生物污染物的“記憶”。其也使流體準(zhǔn)備“記憶”一新的期望頻率，該頻率可使用諸如電源線、揚(yáng)聲器、變送器及磁鐵等元件通過多種方法(例如，電流、音頻及磁性)施加。也可通過使流體與例如銅及銀金屬股線等材料接觸來施加來自期望材料的頻率。期望的頻率可使流體變?yōu)橐徊贿m合生物污染物(例如，細(xì)菌、藻類及真菌)的環(huán)境，減少該些生物污染物在流體中的數(shù)量。
雖然本說明書已參照具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行了闡述，但其并非意欲以限制意義解釋本發(fā)明。在參照有關(guān)本發(fā)明的說明后，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可容易地構(gòu)想出對所揭示實施例的各種修改及本發(fā)明的替代實施例。因此，本發(fā)明所附的權(quán)利要求意欲包括該些屬于本發(fā)明范疇內(nèi)的改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種用于處理流體的裝置，其包括一流體系統(tǒng)；一與所述流體系統(tǒng)連通的渦流產(chǎn)生裝置，所述流體能夠流過所述渦流產(chǎn)生裝置；一頻率發(fā)生裝置，其以操作方式與所述渦流產(chǎn)生裝置相接合，以在所述流體的一混沌點附近將一頻率施加至所述流體。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述渦流產(chǎn)生裝置進(jìn)一步包括一大致為管狀的第一渦流室，所述第一渦流室在大致靠近所述第一渦流室的第一端處具有一流體入口并在大致靠近所述第一渦流室的第二端處具有一流體出口，所述流體入口及流體出口的位置可使流過所述第一渦流室的流體產(chǎn)生一左旋渦流；及一大致為管狀的第二渦流室，所述第二渦流室在大致靠近所述第二渦流室的第一端處具有一流體入口并在大致靠近所述第二渦流室的第二端處具有一流體出口，所述流體入口及流體出口的位置可使流過所述第二渦流室的流體產(chǎn)生一右旋渦流。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述渦流產(chǎn)生裝置進(jìn)一步包括一大致為管狀的渦流室構(gòu)件，所述渦流室構(gòu)件具有第一端及第二端；所述渦流室構(gòu)件第一端附裝至流體入口管；所述渦流室構(gòu)件第二端附裝至流體出口管；多個微型球體，其位于所述渦流室構(gòu)件內(nèi)并由附裝在所述渦流室構(gòu)件內(nèi)部靠近所述渦流室構(gòu)件第一端處的第一濾網(wǎng)及附裝在所述渦流室構(gòu)件內(nèi)部靠近所述渦流室構(gòu)件第二端處的第二濾網(wǎng)保持在合適的位置。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述微型球體被排列成多排，每一排微型球體包含7個微型球體，其中6個微型球體圍繞所述渦流室構(gòu)件的內(nèi)徑而1個微型球體位于其他6個微型球體的中心。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述微型球體已被磁化。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述頻率發(fā)生裝置進(jìn)一步包括一頻率天線，其附裝至所述渦流室構(gòu)件內(nèi)并與所述流體相接觸；及一頻率導(dǎo)線，其將所述頻率天線連接至一頻率發(fā)生器，所述頻率發(fā)生器為所述頻率天線供電且所述頻率天線的電未接地以使所述頻率發(fā)生器與所述頻率天線之間的電路不完整。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述頻率發(fā)生裝置進(jìn)一步包括一變送器，其以操作方式與所述流體系統(tǒng)相接合，以使所述變送器發(fā)出的聲波接觸所述流體。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括一金屬離子構(gòu)件，其位于所述渦流產(chǎn)生裝置內(nèi)且與所述流體相接觸。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述金屬離子構(gòu)件包含銅或銀。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述流體為水。
11.一種用于處理流體的裝置，其包括一流體系統(tǒng)；一第一渦流室，其大致為管狀且與所述流體系統(tǒng)相連通，所述第一渦流室在大致靠近所述第一渦流室的第一端處具有一流體入口并在大致靠近所述第一渦流室的第二端處具有一流體出口，所述流體入口及流體出口的位置可使流過所述第一渦流室的流體產(chǎn)生一左旋渦流；一第二渦流室，其大致為管狀且與所述流體系統(tǒng)相連通，所述第二渦流室在大致靠近所述第二渦流室的第一端處具有一流體入口并在大致靠近所述第二渦流室的第二端處具有一流體出口，所述流體入口及流體出口的位置可使流過所述第二渦流室的流體產(chǎn)生一右旋渦流；及一頻率天線，其附裝在所述第二渦流室內(nèi)并與所述流體相接觸。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其進(jìn)一步包括一頻率導(dǎo)線，其將所述頻率天線連接至一頻率發(fā)生器，所述頻率發(fā)生器為所述頻率天線供電，其中所述頻率天線未電接地以使所述頻率發(fā)生器與所述頻率天線之間的電路不完整。
13.如權(quán)利要求11所述的裝置，其進(jìn)一步包括一位于所述第二渦流室內(nèi)并由銀或銅制成的金屬線圈。
14.一種用于處理水的裝置，其包括一水源；一第一渦流室，其大致為管狀且與所述水源相連通，所述第一渦流室在大致靠近所述第一渦流室的第一端處具有一流體入口并在大致靠近所述第一渦流室的第二端處具有一流體出口，所述流體入口及流體出口的位置可使流過所述第一渦流室的水產(chǎn)生一左旋渦流；一第二渦流室，其大致為管狀且與所述水源相連通，所述第二渦流室在大致靠近所述第二渦流室的第一端處具有一流體入口并在大致靠近所述第二渦流室的第二端處具有一流體出口，所述流體入口及流體出口的位置可使流過所述第二渦流室的水產(chǎn)生一左旋渦流；一第三渦流室，其大致為管狀且與所述水源相連通，所述第三渦流室在大致靠近所述第三渦流室的第一端處具有一流體入口并在大致靠近所述第三渦流室的第二端處具有一流體出口，所述流體入口及流體出口的位置可使流過所述第三渦流室的水產(chǎn)生一右旋渦流；一第四渦流室，其大致為管狀且與所述水源相連通，所述第四渦流室在大致靠近所述第四渦流室的第一端處具有一流體入口并在大致靠近所述第四渦流室的第二端處具有一流體出口，所述流體入口及流體出口的位置可使流過所述第四渦流室的水產(chǎn)生一右旋渦流；一頻率天線，其附裝在所述第四渦流室內(nèi)并與水相接觸；一頻率導(dǎo)線，其將所述頻率天線連接至一頻率發(fā)生器，所述頻率發(fā)生器為所述頻率天線供電，其中所述頻率天線未電接地以使所述頻率發(fā)生器與所述頻率天線之間的電路不完整；一由銅制成的金屬線圈，其位于所述第三渦流室內(nèi)并與水接觸；及一由銀制成的金屬線圈，其位于所述第四渦流室內(nèi)并與水接觸。
15.一種用于處理流體的裝置，其包括一大致為管狀的渦流室構(gòu)件，所述渦流室構(gòu)件具有一第一端及一第二端；所述渦流室構(gòu)件的第一端附裝至流體入口管；所述渦流室構(gòu)件的第二端附裝至流體出口管；多個微型球體，其位于所述渦流室構(gòu)件內(nèi)且由附裝在所述渦流室構(gòu)件內(nèi)部靠近所述渦流構(gòu)件第一端處的第一濾網(wǎng)及附裝在所述渦流室構(gòu)件內(nèi)部靠近所述渦流構(gòu)件第二端處的第二濾網(wǎng)保持在合適的位置；及一變送器，其以操作方式與所述流體系統(tǒng)相接合以使所述變送器發(fā)出的聲波接觸所述流體。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中所述微型球體被排列成多排，每一排微型球體包含7個微型球體，其中6個微型球體圍繞所述渦流室構(gòu)件的內(nèi)徑而1個微型球體位于其他6個微型球體的中心。
17.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述微型球體已被磁化。
18.如權(quán)利要求15所述的裝置，其進(jìn)一步包括一流體容器，該流體容器以操作方式與所述渦流室構(gòu)件相接合，以便當(dāng)流體流過所述渦流室構(gòu)件室可聚集在所述流體容器內(nèi)。
19.一種用于減少水中生物污染物的方法，其包括使水形成多個渦流；使水經(jīng)過一銅股線；使水經(jīng)過一銀股線；及向水施加一頻率。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種可在一流體內(nèi)引入快速旋轉(zhuǎn)渦流的裝置，其具有一渦流產(chǎn)生裝置(2)及一頻率發(fā)生裝置(26)。
文檔編號C02F1/48GK1535248SQ02814711
公開日2004年10月6日 申請日期2002年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月30日
發(fā)明者R·薩德斯, R 薩德斯 申請人:市政供水技術(shù)有限公司