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      離子高壓靜電水處理器的制作方法

      文檔序號(hào):4889459閱讀:601來源:國知局
      專利名稱:離子高壓靜電水處理器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種通過產(chǎn)生高壓靜電場(chǎng)對(duì)循環(huán)水系統(tǒng)中水進(jìn)行處理的一種裝置。
      背景技術(shù)
      循環(huán)水系統(tǒng)中特別是管道,在運(yùn)行一段時(shí)間后,管道壁會(huì)產(chǎn)生水垢,如不處理,日積月累會(huì)嚴(yán)重影響整個(gè)系統(tǒng)的正常運(yùn)行。傳統(tǒng)的處理方式為化學(xué)處理,即在系統(tǒng)中投入化學(xué)物,用化學(xué)方法處理系統(tǒng)中水垢,其處理成本高,操作、控制繁雜、不安全,且易造成環(huán)境污染?,F(xiàn)在比較好的處理方式是采用高壓靜電處理,但現(xiàn)有技術(shù)中,產(chǎn)生的高壓電場(chǎng)不穩(wěn)定,不安全,水處理效果亦不穩(wěn)定。

      發(fā)明內(nèi)容
      本實(shí)用新型的目的是提供一種穩(wěn)定、安全、處理效果好的離子高壓靜電水處理器。
      實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案如下離子高壓靜電水處理器,具有一高壓電源,還具有一電極棒與高壓電源電聯(lián)接,所述的高壓電源具有一電源聯(lián)接器,電源聯(lián)接器通過電路I、II、III分別與高壓發(fā)生器電聯(lián)接,其中電路II上還聯(lián)接有脈沖信號(hào)發(fā)生器IC,電路III上聯(lián)接有工作信號(hào)發(fā)生器C,C發(fā)出工作信號(hào),即產(chǎn)生高壓,高壓發(fā)生器與電極棒電聯(lián)接。
      所述電路II中,脈沖信號(hào)發(fā)生器IC上還聯(lián)接有電位器L,用于調(diào)節(jié)靜電電場(chǎng)電壓高低。
      所述的脈沖信號(hào)發(fā)生器IC為集成電路,發(fā)出穩(wěn)定的方形脈沖信號(hào)波,用于控制靜電場(chǎng)的穩(wěn)定性及產(chǎn)生頻率,工作信號(hào)發(fā)生器C為晶體三極管。
      電極棒具有一固定座,固定座聯(lián)接有與高壓發(fā)生器電聯(lián)接的金屬電極管,金屬電極管外設(shè)置有絕緣層,電極棒為實(shí)際工作部件,其金屬電極管外產(chǎn)生高壓靜電場(chǎng),在靜電場(chǎng)的作用下,水分子將定向按正、負(fù)極排列,會(huì)阻止水中鈣、鎂離子不趨向管道內(nèi)壁表面產(chǎn)生結(jié)垢,而對(duì)于結(jié)垢表面則能破壞水垢分子間的電子結(jié)合力,使水垢剝落。
      本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是能產(chǎn)生穩(wěn)定、安全的高壓電場(chǎng),水處理效率大大提高。


      圖1為本實(shí)用新型最佳實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖,圖中1為電源聯(lián)接器,2為脈沖信號(hào)發(fā)生器IC,21為電位器L,3為工作信號(hào)發(fā)生器C,4為高壓發(fā)生器,5為電極棒,51為固定座,52為金屬電極管,53為絕緣層。
      圖2為上述實(shí)施方式的電路方框圖,圖中1為電源聯(lián)接器,2為脈沖信號(hào)發(fā)生器IC,21為電位器L,3為工作信號(hào)發(fā)生器C,4為高壓發(fā)生器,5為電極棒,6為電路I,7為電路II,8為電路III。
      以下結(jié)合附圖說明本實(shí)用新型的最佳實(shí)施方式。
      最佳實(shí)施方式如圖1、圖2所示。電極棒5與高壓電源電聯(lián)接,電極棒5具有一固定座51,固定座51聯(lián)接有金屬電極管52,金屬電極管52外設(shè)置有絕緣層53,高壓電源具有一電源聯(lián)接器1,電源聯(lián)接器1通過6-電路I、7-II、8-III分別與高壓發(fā)生器4電聯(lián)接,其中7-電路II上還聯(lián)接有由集成電路構(gòu)成的2-脈沖信號(hào)發(fā)生器IC,脈沖信號(hào)發(fā)生器IC上還聯(lián)接有21-電位器L,8-電路III上聯(lián)接有由晶體三極管構(gòu)成的3-工作信號(hào)發(fā)生器C,3發(fā)出工作信號(hào),即產(chǎn)生高壓,高壓發(fā)生器4與電極棒5的金屬電極管52電聯(lián)接。
      以下簡(jiǎn)述本實(shí)施方式的工作原理將電源(市電)與電源聯(lián)接器接通,通過高壓發(fā)生器傳至電極棒的金屬電極管時(shí)成為直流高壓,在電極棒外形成高壓靜電場(chǎng)。其間,IC產(chǎn)生的脈沖信號(hào)使電壓穩(wěn)定,并控制其頻率,電位器L起電壓調(diào)節(jié)作用,通過調(diào)節(jié)L可調(diào)整靜電場(chǎng)電壓高低,而工作信號(hào)發(fā)生器C則是對(duì)高壓發(fā)生器發(fā)出工作指令,使其工作或停止工作,其與IC相互作用、協(xié)調(diào)。
      權(quán)利要求1.離子高壓靜電水處理器,具有一高壓電源,還具有一電極棒與高壓電源電聯(lián)接,其特征在于所述的高壓電源具有一電源聯(lián)接器,電源聯(lián)接器通過電路I、II、III分別與高壓發(fā)生器電聯(lián)接,其中電路II上還聯(lián)接有脈沖信號(hào)發(fā)生器IC,電路III上聯(lián)接有工作信號(hào)發(fā)生器C,高壓發(fā)生器與電極棒電聯(lián)接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子高壓靜電水處理器,其特征在于所述電路II中,脈沖信號(hào)發(fā)生器IC上還聯(lián)接有電位器L。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的離子高壓靜電水處理器,其特征在于所述的脈沖信號(hào)發(fā)生器IC為集成電路,工作信號(hào)發(fā)生器C為晶體三極管。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子高壓靜電水處理器,其特征在于所述的電極棒具有一固定座,固定座聯(lián)接有與高壓發(fā)生器電聯(lián)接的金屬電極管,金屬電極管外設(shè)置有絕緣層。
      專利摘要離子高壓靜電水處理器,具有一高壓電源,還具有一電極棒與高壓電源電聯(lián)接,所述的高壓電源具有一電源聯(lián)接器,電源聯(lián)接器通過電路I、II、III分別與高壓發(fā)生器電聯(lián)接,其中電路II上還聯(lián)接有脈沖信號(hào)發(fā)生器IC,電路III上聯(lián)接有工作信號(hào)發(fā)生器C,C發(fā)出工作信號(hào),即產(chǎn)生高壓,高壓發(fā)生器與電極棒電聯(lián)接。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是能產(chǎn)生穩(wěn)定、安全的高壓電場(chǎng),水處理效率大大提高。
      文檔編號(hào)C02F1/48GK2723432SQ20042002667
      公開日2005年9月7日 申請(qǐng)日期2004年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月23日
      發(fā)明者陳友富, 貢繼忠 申請(qǐng)人:陳友富, 貢繼忠
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