專利名稱：具有動磁體或定磁體的流體磁處理單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于對流體進(jìn)行磁處理的裝置和方法，其中流體的流動方向總是垂直于一個或多個環(huán)形磁體所產(chǎn)生的磁力線，并緊密地沿著所述一個或多個環(huán)形磁體的表面，所述流體以順序、并行或順序與并行的任意組合的形式流動，更具體地本發(fā)明涉及，通過使所述一個或多個環(huán)形磁體任選地沿著優(yōu)選與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)，而使磁處理效果最大化。
背景技術(shù)：
在本發(fā)明之前，已知流體經(jīng)過磁處理單元會使流體分子活化。流體分子的活化效果取決于流體經(jīng)過磁處理單元的方式。
美國專利No.5,882,514公開了一種包括一組(stack)環(huán)狀磁體(ring magnet)或盤狀磁體的裝置，用于通過使流體成螺旋形分別經(jīng)過該裝置內(nèi)部或外部而對流體進(jìn)行磁處理。該方法通過使流體流動方向相對于磁力線成近似45度角但絕不垂直于磁力線而延長流體經(jīng)過該裝置的持續(xù)時間。美國專利No.6,752,923公開了一種包括一組環(huán)狀磁體的類似裝置，其中流體成螺旋形經(jīng)過該裝置的內(nèi)部。與美國專利No.5,882,514相同，通過使流體流動方向相對于磁力線成近似45度角但絕不垂直于磁力線而延長流體經(jīng)過該裝置的持續(xù)時間。美國專利No.4,935,133公開了一種包括一組環(huán)狀磁體的裝置，用于通過使流體基本上從環(huán)狀磁體內(nèi)部經(jīng)過該裝置而對流體進(jìn)行磁處理。該方法確保了流體流動方向總是垂直于磁力線但不會延長持續(xù)時間。美國專利No.5,866,010公開了一種包括一組環(huán)狀磁體的類似裝置，用于通過使流體基本上依次順序經(jīng)過該組環(huán)狀磁體而對流體進(jìn)行磁處理。該方法確保了流體流動方向總是垂直于磁力線且顯著了延長持續(xù)時間。不過，仍然有改進(jìn)的余地。
因此，設(shè)計一種流體磁處理單元以消除與現(xiàn)有技術(shù)的流體磁處理單元相關(guān)的缺點并加以改進(jìn)是有利的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及用于對流體進(jìn)行磁處理的裝置和方法，其中流體的流動方向總是垂直于一個或多個環(huán)形磁體所產(chǎn)生的磁力線，并緊密地沿著所述一個或多個環(huán)形磁體的表面流動，所述流體以順序、并行或順序與并行的任意組合的形式流動。為了使磁處理效果最大化，驅(qū)動所述一個或多個環(huán)形磁體以沿著優(yōu)選與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。
本發(fā)明公開了一種用于對流體進(jìn)行磁處理的裝置，其包括一組環(huán)形磁體。環(huán)形磁體可以是環(huán)狀磁體、盤狀磁體或環(huán)狀電磁體。對于環(huán)狀磁體，有四(4)個環(huán)形表面，即上環(huán)形表面、下環(huán)形表面、內(nèi)環(huán)形表面和外環(huán)形表面。該裝置包括具有入口、出口的殼體和至少一個環(huán)狀磁體。流體通過入口流入殼體，然后沿著各環(huán)狀磁體的環(huán)形表面環(huán)向流動，并最終通過出口流出殼體。流體沿著各環(huán)狀磁體的各環(huán)形表面并行地環(huán)向流動，所述流體順序流動或以并行和順序的任意組合的形式流動。例如，對于平均直徑為2英寸、厚度為0.25英寸的環(huán)狀磁體，如果流體垂直流經(jīng)環(huán)狀磁體，則有效距離僅為0.25英寸，并且流體流動方向并不總是垂直于環(huán)狀磁體所產(chǎn)生的所有磁力線。如果流體沿著環(huán)狀磁體的各環(huán)形表面順序環(huán)向流動，那么有效距離為25.13(4×2×3.1416)英寸，這是上述距離的100倍，并且流體流動方向總是垂直于環(huán)狀磁體所產(chǎn)生的所有磁力線。對于磁力線強(qiáng)度分布，越接近環(huán)狀磁體的磁極，則磁力線強(qiáng)度就越強(qiáng)。磁力線強(qiáng)度與距離的平方成反比。因此，特別是當(dāng)一組環(huán)狀磁體的相鄰環(huán)狀磁體的相反磁極彼此相對地定位的時候，在環(huán)狀磁體的上下表面上的磁力線強(qiáng)度比在相同環(huán)狀磁體的內(nèi)外表面上的強(qiáng)。因此，使流體僅沿著各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和/或下環(huán)形表面環(huán)向流動是更優(yōu)選的，所述流體以順序、并行或順序與并行的任意組合的形式流動。
另外，如果流體在下面情況下流經(jīng)環(huán)形通道時流體分子的活化效果為1，即，在該環(huán)形通道的一側(cè)為環(huán)狀磁體的一個磁極而在另一側(cè)僅是分隔件(partition)，那么相同流體在下面情況下流經(jīng)相同環(huán)形通道時流體分子的活化效果為4倍，即，在該環(huán)形通道的一側(cè)為環(huán)狀磁體的一個磁極，而在該相同環(huán)形通道的另一側(cè)為另一環(huán)狀磁體的另一磁極。因此，當(dāng)環(huán)形通道兩側(cè)均為環(huán)狀磁體的磁極時使流體環(huán)向流動是更優(yōu)選的。
應(yīng)理解的是，也可以使環(huán)狀磁體在內(nèi)外環(huán)形表面而不是上下環(huán)形表面上具有磁極。盡管使流體經(jīng)過磁體的兩極更加有利，但是在經(jīng)過南極的流體與經(jīng)過北極的流體之間流體分子的活化效果存在差別。磁性研究表明，在北極能量和南極能量之間存在顯著差異。北極能量順旋并供給能量。南極能量逆旋并吸取能量。因此，流體流經(jīng)環(huán)狀磁體需要三個不同的方式，即流體流經(jīng)兩級、流體流經(jīng)南級和流體流經(jīng)北級。另外，該組環(huán)狀磁體可以以這樣的方式布置，即其被驅(qū)動以沿著優(yōu)選與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。例如，如果流體以每秒1轉(zhuǎn)的速度流動并且驅(qū)動該組環(huán)狀磁體以每秒100轉(zhuǎn)沿著相反方向旋轉(zhuǎn)，那么效果改善了100倍。
通過修改，可以用一組環(huán)狀電磁體代替上述裝置中的環(huán)狀磁體組并獲得相同的效果。
通過另一修改，可以用一組盤狀磁體代替上述裝置中的環(huán)狀磁體組，并且除了僅有三(3)個環(huán)形表面(上環(huán)形表面、下環(huán)形表面和外環(huán)形表面)而不是四(4)個環(huán)形表面(上環(huán)形表面、下環(huán)形表面、內(nèi)環(huán)形表面和外環(huán)形表面)之外獲得與以上相同的效果。


參照以下結(jié)合附圖對本發(fā)明目前優(yōu)選實施例的描述，將更加清楚本發(fā)明的優(yōu)點和特征，其中相同的附圖標(biāo)記用于相同的元件，附圖中圖1是表示關(guān)于流體流動方向與磁體所產(chǎn)生的磁力線方向之間的關(guān)系的處理效果的示意圖；圖2是表示磁體的磁力線強(qiáng)度分布的示意圖；圖3是一示意圖，表示在順時針方向上沿環(huán)狀磁體的四個環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的環(huán)狀磁體；圖3A是具有罩的環(huán)狀磁體的剖視圖；
圖4是一示意圖，表示在順時針方向上沿相同磁極彼此相對的一組環(huán)狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該組環(huán)狀磁體；圖5是一示意圖，表示在順時針方向上沿相反磁極彼此相對的一組環(huán)狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該組環(huán)狀磁體；圖6是一示意圖，表示在順時針方向上沿盤狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的盤狀磁體；圖6A是具有罩的盤狀磁體的剖視圖；圖7是一示意圖，表示在順時針方向上沿相同磁極彼此相對的一組盤狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該組盤狀磁體；圖8是一示意圖，表示在順時針方向上沿相反磁極彼此相對的一組盤狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該組盤狀磁體；圖9是一示意圖，表示在順時針方向上沿環(huán)狀電磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該環(huán)狀電磁體；圖10是環(huán)狀電磁體的優(yōu)選實施例的分解圖；圖11是在其間設(shè)有插入件(insert)的一組環(huán)狀磁體的組件；圖12是在其間設(shè)有插入件的一組環(huán)狀磁體的優(yōu)選實施例的分解圖；圖13是在其間設(shè)有插入件的一組環(huán)狀磁體，以及允許流體沿著各環(huán)狀磁體的三個環(huán)形表面順序經(jīng)過的單獨殼體的剖視圖；圖13A是在其間設(shè)有插入件的一組盤狀磁體，以及允許流體沿著各環(huán)狀磁體的三個環(huán)形表面順序經(jīng)過的單獨殼體的剖視圖；圖14是在其間設(shè)有插入件的一組環(huán)狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的三個環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖；圖15是允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組；
圖16是允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組；圖17是允許流體并行經(jīng)過所有環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組；圖18是允許流體并行經(jīng)過所有環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組；圖19是一組環(huán)狀磁體和允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的四個環(huán)形表面的單獨殼體的剖視圖；圖20是允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的四個環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖；圖21是允許流體順序經(jīng)過環(huán)狀磁體的四個環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出環(huán)狀磁體組；圖22是在其間具有分隔件的一組環(huán)狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的殼體的剖視圖；圖23是在其間具有分隔件的一組環(huán)狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的殼體的優(yōu)選實施例的分解圖；圖24是允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的、具有分隔件的殼體的優(yōu)選實施例的分解圖；圖25是允許流體并行經(jīng)過所有環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的、具有分隔件的殼體的優(yōu)選實施例的分解圖；圖26是允許流體并行經(jīng)過所有環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面、下環(huán)形表面和內(nèi)環(huán)形表面的、具有分隔件的殼體的優(yōu)選實施例的分解圖；圖27是在其間具有分隔件的一組盤狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各盤狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的殼體的剖視圖；圖28是在其間具有分隔件的一組盤狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各盤狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖；圖29是允許流體順序經(jīng)過各盤狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的盤狀磁體組；圖30是允許流體并行經(jīng)過所有盤狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的盤狀磁體組；圖31是允許流體并行經(jīng)過所有盤狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的盤狀磁體組；圖32是允許流體順序經(jīng)過各盤狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的盤狀磁體組；以及圖33是在環(huán)狀磁體頂部上的分隔件的優(yōu)選實施例的分解圖，其中流體沿著該環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面流經(jīng)兩個環(huán)形路徑(pass)。
具體實施例方式
這里公開了一種用于對流體進(jìn)行磁處理的流體磁處理單元，所述流體流經(jīng)該單元。該單元包括具有入口、出口的殼體以及至少一個環(huán)形磁體。流體通過入口流入殼體，然后沿著各環(huán)形磁體的環(huán)形表面繼續(xù)環(huán)向流動，最終通過出口流出殼體。流體沿著各環(huán)形磁體的各環(huán)形表面環(huán)向流動，所述流體以順序、并行或順序與并行任意組合的方式流動。為了使磁處理效果最大化，驅(qū)動環(huán)形磁體沿優(yōu)選與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。關(guān)于這點，將環(huán)形磁體定位在殼體內(nèi)而不與流體通道的殼體接觸，因此可自由旋轉(zhuǎn)?？赏ㄟ^轉(zhuǎn)動裝置直接或間接地使環(huán)形磁體可轉(zhuǎn)動地旋轉(zhuǎn)，例如通過將環(huán)形磁體與由流體流驅(qū)動的電機(jī)或渦輪機(jī)連接，或者任何其它通?？捎玫姆椒ā?br> 還公開了一種采用本發(fā)明的處理單元進(jìn)行流體磁處理的方法。
參照圖1，該圖是表示關(guān)于在流體流動方向與磁體所產(chǎn)生的磁力線方向之間的關(guān)系的處理效果的示意圖。當(dāng)流體流與磁力線平行時處理效果最小，而當(dāng)流體流與磁力線垂直時處理效果增至最大。
參照圖2，該圖是表示磁體的磁力線強(qiáng)度分布的示意圖。越接近兩磁極中的任一個，磁力線強(qiáng)度就越強(qiáng)。結(jié)果，磁力強(qiáng)度在中間最弱。
參照圖3，該圖是表示在順時針方向上沿環(huán)狀磁體的四個環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的環(huán)狀磁體的示意圖。環(huán)狀磁體10具有四個環(huán)形表面，即下環(huán)形表面11、外環(huán)形表面12、上環(huán)形表面13和內(nèi)環(huán)形表面14。箭頭21、箭頭22、箭頭23和箭頭24分別表示沿著下環(huán)形表面11、外環(huán)形表面12、上環(huán)形表面13和內(nèi)環(huán)形表面14的流體流，并且環(huán)狀磁體10被驅(qū)動以沿箭頭25所示的與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。
應(yīng)理解的是，本發(fā)明使用的環(huán)形的環(huán)狀磁體可以在外環(huán)形表面和內(nèi)環(huán)形表面上，而不是上環(huán)形表面和下環(huán)形表面上具有磁極。
參照圖3A，該圖是具有罩的環(huán)狀磁體的剖視圖。某些磁體材料(例如十倍磁力的釹鐵硼(Nd-Fe-B))比普通的磁體材料(例如鐵氧體(ferrite))磁力更強(qiáng)，但容易生銹。因此需要保護(hù)。如圖3A所示，保護(hù)磁體而不損失任何磁功率的最佳方式是，將用諸如鐵氧體的磁性材料制成的罩10a和10b放在環(huán)狀磁體10的磁極上，并將用諸如塑料的非磁性材料制成的罩10c和10d放在環(huán)狀磁體10的另外兩個環(huán)形表面上。
參照圖4，該圖是表示在順時針方向上沿相同磁極彼此相對的一組環(huán)狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該組環(huán)狀磁體的示意圖。一組環(huán)狀磁體由3個環(huán)狀磁體構(gòu)成，即環(huán)狀磁體30、環(huán)狀磁體31和環(huán)狀磁體32，它們的相同磁極彼此相對以使得磁力線強(qiáng)度在四個環(huán)形表面上分布更加均勻。優(yōu)選地使流體沿這四個環(huán)形表面流動。對于環(huán)狀磁體30，箭頭33、箭頭34、箭頭36和箭頭37分別表示沿著下環(huán)形表面、外環(huán)形表面、上環(huán)形表面和內(nèi)環(huán)形表面的流體流，并且環(huán)狀磁體30被驅(qū)動而沿箭頭35所示的與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。對于環(huán)狀磁體31，箭頭36、箭頭38、箭頭40和箭頭41分別表示沿著下環(huán)形表面、外環(huán)形表面、上環(huán)形表面和內(nèi)環(huán)形表面的流體流，并且環(huán)狀磁體31被驅(qū)動而沿箭頭39所示的與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。對于環(huán)狀磁體32，箭頭40、箭頭42、箭頭44和箭頭45分別表示沿著下環(huán)形表面、外環(huán)形表面、上環(huán)形表面和內(nèi)環(huán)形表面的流體流，并且環(huán)狀磁體32被驅(qū)動而沿箭頭43所示的與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。
參照圖5，該圖是表示在順時針方向上沿相反磁極彼此相對的一組環(huán)狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該組環(huán)狀磁體的示意圖。除了環(huán)狀磁體50、51和52以相反磁極彼此相對的方式布置，以使得磁力線強(qiáng)度在上環(huán)形表面和下環(huán)形表面上比在外環(huán)形表面和內(nèi)環(huán)形表面上更強(qiáng)之外，圖5與圖4相同。優(yōu)選地使流體僅沿著環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面流動。
參照圖6，該圖是表示在順時針方向上沿盤狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該盤狀磁體的示意圖。盤狀磁體70具有三個環(huán)形表面，即下環(huán)形表面71、外環(huán)形表面72和上環(huán)形表面73。箭頭74、箭頭75和箭頭77分別表示沿著下環(huán)形表面71、外環(huán)形表面72和上環(huán)形表面73的流體流，并且盤狀磁體70被驅(qū)動而沿箭頭76所示的與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。
參照圖6A，該圖是具有罩的盤狀磁體的剖視圖。如上所述，某些磁體材料(例如十倍磁力的釹鐵硼(Nd-Fe-B))比普通的磁體材料(例如鐵氧體)磁力更強(qiáng)，但容易生銹。因此需要保護(hù)。如圖6A所示，保護(hù)磁體而不損失任何磁功率的最佳方式是，將用諸如鐵氧體的磁性材料制成的罩70a和70b放在盤狀磁體70的磁極上，并將用諸如塑料的非磁性材料制成的罩70c放在盤狀磁體70的外環(huán)形表面上。
參照圖7，該圖是表示在順時針方向上沿相同磁極彼此相對的一組盤狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該組盤狀磁體的示意圖。一組盤狀磁體由3個盤狀磁體構(gòu)成，即盤狀磁體80、盤狀磁體81和盤狀磁體82，它們的相同磁極彼此相對以使得磁力線強(qiáng)度在三個環(huán)形表面上分布更加均勻。優(yōu)選地使流體沿所有這三個環(huán)形表面流動。對于盤狀磁體80，箭頭83、箭頭84和箭頭86分別表示沿著下環(huán)形表面、外環(huán)形表面和上環(huán)形表面的流體流，并且盤狀磁體80被驅(qū)動而沿箭頭85所示的與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。對于盤狀磁體81，箭頭86、箭頭87和箭頭89分別表示沿著下環(huán)形表面、外環(huán)形表面和上環(huán)形表面的流體流，并且盤狀磁體81被驅(qū)動而沿箭頭88所示的與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。對于盤狀磁體82，箭頭89、箭頭90和箭頭92分別表示沿著下環(huán)形表面、外環(huán)形表面和上環(huán)形表面的流體流，并且盤狀磁體82被驅(qū)動而沿箭頭91所示的與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。
參照圖8，該圖是表示在順時針方向上沿相反磁極彼此相對的一組盤狀磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該組盤狀磁體的示意圖。除了盤狀磁體100、101和102以相反磁極彼此相對的方式布置，以使得磁力線強(qiáng)度在上環(huán)形表面和下環(huán)形表面上比在外環(huán)形表面上更強(qiáng)之外，圖8與圖7相同。優(yōu)選地使流體僅沿著盤狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面流動。
參照圖9，該圖是表示在順時針方向上沿環(huán)狀電磁體的環(huán)形表面的流體流，以及被驅(qū)動而沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)的該環(huán)狀電磁體的示意圖。環(huán)狀電磁體120具有四個環(huán)形表面，即下環(huán)形表面124、外環(huán)形表面125、上環(huán)形表面126和內(nèi)環(huán)形表面127。箭頭128、箭頭129、箭頭131和箭頭132分別表示沿著下環(huán)形表面124、外環(huán)形表面125、上環(huán)形表面126和內(nèi)環(huán)形表面127的流體流，并且環(huán)狀電磁體120被驅(qū)動而沿箭頭130所示的與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。
參照圖10，該圖是環(huán)狀電磁體的優(yōu)選實施例的分解圖。環(huán)狀電磁體120包括電線圈122、殼體121和殼體罩123。
參照圖11，該圖是在其間設(shè)有插入件的一組環(huán)狀磁體的組件。一組環(huán)狀磁體由環(huán)狀磁體180、環(huán)狀磁體181和環(huán)狀磁體182構(gòu)成。如圖11所示，在各環(huán)狀磁體之間設(shè)置有插入件186、插入件185、插入件184和插入件183。
參照圖12，該圖是如圖11所示的在其間設(shè)有插入件的一組環(huán)狀磁體的優(yōu)選實施例的分解圖。一組環(huán)狀磁體的實施例可由在其間設(shè)有插入件的一組環(huán)狀電磁體的實施例代替。
參照圖13，該圖是在其間設(shè)有插入件的一組環(huán)狀磁體，以及允許流體沿著各環(huán)狀磁體的三個環(huán)形表面順序經(jīng)過的單獨殼體的剖視圖。該圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，該實施例是一流體處理單元，包括殼體153，該殼體具有外壁200、在外壁200內(nèi)限定一腔室的頂部分隔件201和底部分隔件199。殼體153具有中央縱軸線和一對沿該軸線間隔開的相對端。殼體153在上端設(shè)有流體入口202，在下端設(shè)有流體出口213(二者如圖14所示)，從而允許流體流經(jīng)所述腔室。在該腔室內(nèi)布置有一組三個環(huán)形磁體。這三個環(huán)形磁體橫過該腔室相對于所述縱軸線垂直延伸。在各環(huán)形磁體的頂部和下方添加分隔件，以允許流體流沿環(huán)形磁體的至少一個環(huán)形表面流動。環(huán)形磁體可被驅(qū)動而優(yōu)選地沿與流體流動相反的方向旋轉(zhuǎn)。
環(huán)狀磁體180、181和182用作圖13中的環(huán)形磁體的示例并在下文詳細(xì)描述。
所述環(huán)狀磁體組有3個環(huán)狀磁體180、181和182構(gòu)成，它們之間設(shè)有插入件186、185、184和183。在該環(huán)狀磁體組與殼體153之間存在間隙，以使得在其間設(shè)有插入件的該環(huán)狀磁體組或者被驅(qū)動而沿與沿著各環(huán)狀磁體的三個環(huán)形表面順序流動的流體相反的方向旋轉(zhuǎn)或者靜止。如上所述，可通過轉(zhuǎn)動裝置直接或間接地使環(huán)狀磁體可轉(zhuǎn)動地旋轉(zhuǎn)，例如通過將環(huán)狀磁體與由流體流驅(qū)動的電機(jī)或渦輪機(jī)連接，或者任何其它通?？捎玫姆椒?。在殼體153內(nèi)有七個環(huán)形流動通道·第一環(huán)形流動通道188，其允許流體沿著環(huán)狀磁體182的上環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)145和O型環(huán)146的分隔件201和分隔件187形成；·第二環(huán)形流動通道189，其允許流體沿著環(huán)狀磁體182的外環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)141和O型環(huán)142的分隔件187、分隔件190和外壁200形成；·第三環(huán)形流動通道191，其允許流體沿著環(huán)狀磁體182的下環(huán)形表面和環(huán)狀磁體181的上環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)147和O型環(huán)148的分隔件190和分隔件192形成；
·第四環(huán)形流動通道193，其允許流體沿著環(huán)狀磁體181的外環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)142和O型環(huán)143的分隔件192、分隔件194和外壁200形成；·第五環(huán)形流動通道195，其允許流體沿著環(huán)狀磁體181的下環(huán)形表面和環(huán)狀磁體180的上環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)149和O型環(huán)150的分隔件194和分隔件196形成；·第六環(huán)形流動通道197，其允許流體沿著環(huán)狀磁體180的外環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)143和O型環(huán)144的分隔件196、分隔件198和外壁200形成；以及·第七環(huán)形流動通道208，其允許流體沿著環(huán)狀磁體180的下環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)151和O型環(huán)152的分隔件198和分隔件199形成。
盡管圖13表示一組三個環(huán)狀磁體的結(jié)構(gòu)，但該結(jié)構(gòu)可容易修改為一個環(huán)狀磁體或一組四個或更多個環(huán)狀磁體。通過修改，可用一組環(huán)狀電磁體代替根據(jù)本發(fā)明公開的結(jié)構(gòu)的環(huán)狀磁體組，并得到與這里公開相同的結(jié)果。
參照圖13A，該圖是在其間設(shè)有插入件的一組盤狀磁體，以及允許流體沿著各盤狀磁體的三個環(huán)形表面順序經(jīng)過的單獨殼體的剖視圖。除了用一組盤狀磁體代替所述環(huán)狀磁體組之外，處理單元的設(shè)置與圖13所示的完全相同。該組盤狀磁體由三個盤狀磁體180a、181a和182a構(gòu)成，在它們之間有插入件186a、185a、184a和183a，并由銷161保持在一起。
參照圖14，該圖是在其間設(shè)有插入件的一組環(huán)狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的三個環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖。流體通過入口202進(jìn)入第一環(huán)形通道188，沿順時針方向流動直到被凸起170阻擋，然后通過出口203流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第二環(huán)形通道189直到被凸起171和凸起172阻擋，然后通過第三環(huán)形通道191的入口206流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第三環(huán)形通道191直到被凸起173阻擋，然后通過第三環(huán)形通道191的出口207流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第四環(huán)形通道193直到被凸起174和凸起175阻擋，然后通過第五環(huán)形通道195的入口210流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第五環(huán)形通道195直到被凸起176阻擋，然后通過第五環(huán)形通道195的出口211流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第六環(huán)形通道197直到被凸起177和凸起178阻擋，然后通過第七環(huán)形通道208的入口212流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第七環(huán)形通道208直到被凸起209阻擋，然后通過第七環(huán)形通道208的出口213流出。圖13A中示出了此處描述的各個通道。
參照圖15，該圖是允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組。箭頭221表示在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組被驅(qū)動而沿著逆時針方向旋轉(zhuǎn)或靜止。箭頭215表示流體通過入口202進(jìn)入第一環(huán)形通道188，沿箭頭214和216所示的順時針方向流動直到被凸起170阻擋，然后通過出口203流出。流體繼續(xù)沿箭頭217、218、219和220所示的順時針方向流入第二環(huán)形通道189直到被凸起171和凸起172阻擋，然后通過第三環(huán)形通道191的入口206流出。對于流體如何沿著環(huán)狀磁體182的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于環(huán)狀磁體181和180。
參照圖16，該圖是允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組。箭頭221表示在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組被驅(qū)動而沿著逆時針方向旋轉(zhuǎn)或靜止。箭頭215表示流體通過入口202進(jìn)入第一環(huán)形通道188，沿箭頭214和216所示的順時針方向流動直到被凸起170阻擋，然后通過出口203流出。流體流被凸起171a和凸起172a阻擋并繞過第二環(huán)形通道189。流體通過如箭頭217和220所示的第三環(huán)形通道191的入口206流出。對于流體如何沿著環(huán)狀磁體182的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于環(huán)狀磁體181和180。
再次參照圖14，如果去除凸起173和凸起209，則流體將繞過第三環(huán)形通道191和第七環(huán)形通道208。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的北極。另外，如果將凸起170也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為北極的環(huán)形通道。類似地，如果去除凸起170和凸起176，則流體將繞過第一環(huán)形通道188和第五環(huán)形通道195。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的南極。另外，如果將凸起209也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為南極的環(huán)形通道。
參照圖17，該圖是允許流體并行經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組。箭頭221表示在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組被驅(qū)動而沿著逆時針方向旋轉(zhuǎn)或靜止。流體流被附加的凸起223a、223b、224a和224b阻擋，從而繞過第二環(huán)形通道189。通過凸起171b和凸起172b，箭頭215和220分別表示流體通過入口202和入口206同時流入第一環(huán)形通道188和第三環(huán)形通道191。流體繼續(xù)沿順時針方向流動直到被凸起170和173阻擋。箭頭217和225分別表示流體通過出口203和出口207流出。對于流體如何沿著環(huán)狀磁體182和181的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于環(huán)狀磁體182、181和180。
再次參照圖14，如果去除入口206和入口212，則流體將繞過第三環(huán)形通道191和第七環(huán)形通道208。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的北極。另外，如果將入口202也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為北極的環(huán)形通道。類似地，如果去除入口202和入口210，則流體將繞過第一環(huán)形通道188和第五環(huán)形通道195。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的南極。另外，如果將入口212也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為南極的環(huán)形通道。
參照圖18，該圖是允許流體并行經(jīng)過所有環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組。箭頭221表示在其間設(shè)有插入件的環(huán)狀磁體組被驅(qū)動而沿著逆時針方向旋轉(zhuǎn)或靜止。通過凸起171b和凸起172b，箭頭215、218和220分別表示流體通過入口202、入口202和入口206之間的空間同時流入第一環(huán)形通道188、第二環(huán)形通道189和第三環(huán)形通道191。流體繼續(xù)沿順時針方向流動直到被分隔件170、171b、172b和173阻擋。箭頭217、219和225分別表示流體通過出口203、出口203和出口207之間的空間流出。對于流體如何沿著環(huán)狀磁體182和181的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于環(huán)狀磁體182、181和180。
應(yīng)理解的是，可通過以任意組合增加圖15、圖16、圖17和圖18而產(chǎn)生環(huán)狀磁體組的新結(jié)構(gòu)。
參照圖19，該圖是一組環(huán)狀磁體和允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的四個環(huán)形表面的單獨殼體的剖視圖。其間設(shè)有插入件的該組環(huán)狀磁體靜止不動。在殼體253內(nèi)具有十個環(huán)形流動通道·第一環(huán)形流動通道235，其允許流體沿著環(huán)狀磁體232的上環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)905和O型環(huán)906的分隔件234和分隔件236形成；·第二環(huán)形流動通道237，其允許流體沿著環(huán)狀磁體232的外環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)901和O型環(huán)902的分隔件236、分隔件238和外壁249形成；·第三環(huán)形流動通道239，其允許流體沿著環(huán)狀磁體232的下環(huán)形表面和環(huán)狀磁體231的上環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)907和O型環(huán)908的分隔件238和分隔件240形成；·第四環(huán)形流動通道241，其允許流體沿著環(huán)狀磁體231的外環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)902和O型環(huán)903的分隔件240、分隔件242和外壁249形成；·第五環(huán)形流動通道243，其允許流體沿著環(huán)狀磁體231的下環(huán)形表面和環(huán)狀磁體230的上環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)909和O型環(huán)910的分隔件242和分隔件244形成；·第六環(huán)形流動通道245，其允許流體沿著環(huán)狀磁體230的外環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)903和O型環(huán)904的分隔件244、分隔件246和外壁249形成；·第七環(huán)形流動通道247，其允許流體沿著環(huán)狀磁體230的下環(huán)形表面流動，由具有用于密封的O型環(huán)911和O型環(huán)912的分隔件246和分隔件248形成；·第八環(huán)形流動通道252，其允許流體沿著環(huán)狀磁體230的內(nèi)環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件244、分隔件246、分隔件248和內(nèi)壁233形成；·第九環(huán)形流動通道251，其允許流體沿著環(huán)狀磁體231的內(nèi)環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件240、分隔件242、分隔件244和內(nèi)壁233形成；以及·第十環(huán)形流動通道250，其允許流體沿著環(huán)狀磁體232的內(nèi)環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件236、分隔件238、分隔件240和內(nèi)壁233形成。
盡管圖19表示一組三個環(huán)狀磁體的結(jié)構(gòu)，但該結(jié)構(gòu)可容易修改為一個環(huán)狀磁體或一組四個或更多個環(huán)狀磁體。通過修改，可以用一組環(huán)狀電磁體代替根據(jù)本發(fā)明公開的結(jié)構(gòu)的環(huán)狀磁體組，并得到與這里公開相同的結(jié)果。
如圖19所示，這三個環(huán)狀磁體不接觸分隔件。通過修改，可將分隔件與環(huán)狀磁體的環(huán)形表面之間的間隙減小為零，從而除去分隔件的與環(huán)狀磁體的環(huán)形表面接觸的部分的材料，這樣流體流接觸環(huán)狀磁體的環(huán)形表面并獲得更好的效果。
參照圖20，該圖是允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的四個環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖。流體通過入口260進(jìn)入第一環(huán)形通道235，并沿順時針方向流動直到被凸起913阻擋，然后通過出口261流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第二環(huán)形通道237直到被凸起914和凸起915阻擋，然后通過第三環(huán)形通道239的入口264流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第三環(huán)形通道239直到被凸起916阻擋，然后通過第三環(huán)形通道239的出口265流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第四環(huán)形通道241直到被凸起917和凸起918阻擋，然后通過第五環(huán)形通道243的入口268流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第五環(huán)形通道243直到被凸起919阻擋，然后通過第五環(huán)形通道243的出口269流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第六環(huán)形通道245直到被凸起920和凸起921阻擋，然后通過第七環(huán)形通道247的入口272流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第七環(huán)形通道247直到被凸起923阻擋，然后通過第七環(huán)形通道247的出口273流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第八環(huán)形通道252直到被凸起938和凸起939阻擋，然后通過第九環(huán)形通道251的入口931流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第九環(huán)形通道251直到被凸起936和凸起937阻擋，然后通過第十環(huán)形通道250的入口932流出。流體繼續(xù)沿順時針方向流入第十環(huán)形通道250直到被凸起934和凸起935阻擋，然后通過第十環(huán)形通道250的出口933流出。
參照圖21，該圖是允許流體順序經(jīng)過環(huán)狀磁體230(未示出)的四個環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出環(huán)狀磁體組。箭頭284表示流體通過入口268進(jìn)入第五環(huán)形通道243，沿箭頭282和283所示的順時針方向流動直到被凸起919阻擋，然后通過出口269流出。流體繼續(xù)沿箭頭285、286、287和288所示的順時針方向流入第六環(huán)形通道245直到被凸起920和凸起921阻擋，然后通過第七環(huán)形通道247的入口272流出。箭頭291表示流體通過入口272進(jìn)入第七環(huán)形通道247，沿箭頭289和290所示的順時針方向流動直到被凸起923阻擋，然后通過出口273流出。流體繼續(xù)沿箭頭292、299和301所示的順時針方向流入第八環(huán)形通道252直到被凸起938和凸起939阻擋，然后通過第九環(huán)形通道251的入口931流出。對于流體如何沿著環(huán)狀磁體230的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于環(huán)狀磁體231和232。
參照圖22，該圖是在其間具有分隔件的一組環(huán)狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的殼體的剖視圖。該組環(huán)狀磁體靜止不動。為了使效果最大化，流體流接觸所有環(huán)狀磁體的所有表面。在殼體800內(nèi)有十個環(huán)形流動通道·第一環(huán)形流動通道801，其允許流體沿著環(huán)狀磁體312的上環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件317、環(huán)狀磁體312的上環(huán)形表面和分隔件313形成；·第二環(huán)形流動通道802，其允許流體沿著環(huán)狀磁體312的外環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件313、環(huán)狀磁體312的外環(huán)形表面、分隔件314和外壁320形成；·第三環(huán)形流動通道803，其允許流體沿著環(huán)狀磁體312的下環(huán)形表面和環(huán)狀磁體311的上環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件314、環(huán)狀磁體312的下環(huán)形表面和環(huán)狀磁體311的上環(huán)形表面形成；·第四環(huán)形流動通道804，其允許流體沿著環(huán)狀磁體311的外環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件314、環(huán)狀磁體311的外環(huán)形表面、分隔件315和外壁320形成；·第五環(huán)形流動通道805，其允許流體沿著環(huán)狀磁體311的下環(huán)形表面和環(huán)狀磁體310的上環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件315、環(huán)狀磁體311的下環(huán)形表面和環(huán)狀磁體310的上環(huán)形表面形成；·第六環(huán)形流動通道806，其允許流體沿著環(huán)狀磁體310的外環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件315、環(huán)狀磁體310的外環(huán)形表面、分隔件316和外壁320形成；·第七環(huán)形流動通道807，其允許流體沿著環(huán)狀磁體310的下環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件316、環(huán)狀磁體310的下環(huán)形表面和分隔件318形成；·第八環(huán)形流動通道808，其允許流體沿著環(huán)狀磁體310的內(nèi)環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件316、環(huán)狀磁體310的內(nèi)環(huán)形表面、分隔件315和內(nèi)壁319形成；·第九環(huán)形流動通道809，其允許流體沿著環(huán)狀磁體311的內(nèi)環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件315、環(huán)狀磁體311的內(nèi)環(huán)形表面、分隔件314和內(nèi)壁319形成；·第十環(huán)形流動通道810，其允許流體沿著環(huán)狀磁體312的內(nèi)環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件314、環(huán)狀磁體312的內(nèi)環(huán)形表面、分隔件313和內(nèi)壁319形成。
盡管圖22表示一組三個環(huán)狀磁體的結(jié)構(gòu)，但該結(jié)構(gòu)可容易修改為一個環(huán)狀磁體或一組四個或更多個環(huán)狀磁體。通過修改，可以用一組環(huán)狀電磁體代替根據(jù)本發(fā)明公開的結(jié)構(gòu)的環(huán)狀磁體組，并得到與這里公開相同的結(jié)果。
參照圖23，該圖是在其間具有分隔件的一組環(huán)狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的殼體的優(yōu)選實施例的分解圖。流體通過入口326進(jìn)入第一環(huán)形通道801，沿逆時針方向流動直到被凸起811阻擋，然后通過出口325流出。流體繼續(xù)流動，繞過第十環(huán)形通道810。流體繼續(xù)沿逆時針方向通過入口327流入第三環(huán)形通道803直到被凸起812阻擋，然后通過第三環(huán)形通道803的出口328流出。流體繼續(xù)流動，繞過第四環(huán)形通道804。流體繼續(xù)沿逆時針方向通過入口330流入第五環(huán)形通道805直到被凸起813阻擋，然后通過第五環(huán)形通道805的出口329流出。流體繼續(xù)流動，繞過第八環(huán)形通道808。流體繼續(xù)沿逆時針方向通過入口331流入第七環(huán)形通道807直到被凸起814阻擋，然后通過第七環(huán)形通道807的出口332流出。
參照圖24，該圖是允許流體順序經(jīng)過各環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的、具有分隔件的殼體的優(yōu)選實施例的分解圖。箭頭334表示流體通過入口326流入第一環(huán)形通道801，并繼續(xù)沿箭頭333和332所示的逆時針方向流動直到被凸起811阻擋。流體繼續(xù)流動，繞過第十環(huán)形通道810。流體繼續(xù)沿箭頭336和335所示的逆時針方向通過入口327流入第三環(huán)形通道803直到被凸起812阻擋，然后通過第三環(huán)形通道803的出口328流出。對于流體如何沿著環(huán)狀磁體312的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于環(huán)狀磁體311和310。
再次參照圖23，如果去除凸起812和凸起814，則流體將繞過第三環(huán)形通道803和第七環(huán)形通道807。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的北極。另外，如果將凸起811也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為北極的環(huán)形通道。類似地，如果去除凸起811和凸起813，則流體將繞過第一環(huán)形通道801和第五環(huán)形通道805。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的南極。另外，如果將凸起814也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為南極的環(huán)形通道。
參照圖25，該圖是允許流體并行經(jīng)過所有環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的、具有分隔件的殼體的優(yōu)選實施例的分解圖。環(huán)形凸起701、702、703、704、705、706、707和708與內(nèi)壁319或外壁320緊密配合以進(jìn)行密封。環(huán)形凸起701保持不變，并且還將環(huán)形凸起708從分隔件316的上部移至分隔件316的下部。各環(huán)形凸起702、703、704、705和706均由圖25所示的四個凸起點代替。環(huán)狀磁體組仍然如前所述保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。對于第三環(huán)形通道803，出口328從分隔件812的左邊移至分隔件812的右邊，并且入口327從分隔件812的右邊移至分隔件812的左邊。同樣對于第五環(huán)形通道805出口332從分隔件814的左邊移至分隔件814的右邊，并且入口331從分隔件814的右邊移至分隔件814的左邊。將環(huán)形通道802、804和806連接成內(nèi)環(huán)形通道709。類似地，將環(huán)形通道808、809和810也連接成外環(huán)形通道710。流體流入外環(huán)形通道710以進(jìn)入第一環(huán)形通道801和第三環(huán)形通道803。箭頭334和337分別表示流體通過入口326和入口328同時流入第一環(huán)形通道801和第三環(huán)形通道803，并沿著分別由箭頭333、332、335和336所示的逆時針方向流動。最終，流體通過出口325和出口327同時流入內(nèi)環(huán)形通道709。對于流體如何沿著環(huán)狀磁體312的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于環(huán)狀磁體311和310。
再次參照圖23，如果去除入口328和入口332，則流體將繞過第三環(huán)形通道803和第七環(huán)形通道807。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的北極。另外，如果將入口326也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為北極的環(huán)形通道。類似地，如果去除入口326和入口330，則流體將繞過第一環(huán)形通道801和第五環(huán)形通道805。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的南極。另外，如果將入口332也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為南極的環(huán)形通道。
參照圖26，該圖是允許流體并行經(jīng)過所有環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面、下環(huán)形表面和內(nèi)環(huán)形表面的、具有分隔件的殼體的優(yōu)選實施例的分解圖。環(huán)形凸起701、702、703、704、705、706、707和708與內(nèi)壁319或外壁320緊密配合以進(jìn)行密封。環(huán)形凸起701和707保持不變，并且還將環(huán)形凸起708從分隔件316的上部移至分隔件316的下部。各環(huán)形凸起702、703、704、705和706由圖26所示的四個凸起點代替。環(huán)狀磁體組仍然如前所述保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。對于第三環(huán)形通道803，在分隔件812的右側(cè)增加出口328a，并在分隔件812的左側(cè)增加入口327a。同樣對于第五環(huán)形通道805在分隔件814的右側(cè)增加出口332a，并在分隔件814的左側(cè)增加入口331a。環(huán)形通道802、804和806的右側(cè)連接成入口環(huán)形通道710b。同樣，環(huán)形通道802、804和806的左側(cè)也連接成出口環(huán)形通道710a。如圖26所示，向分隔件313增加分隔件811a和811b。與上述相同，如圖26所示，向分隔件314增加分隔件812a和812b。流體通過入口環(huán)形通道710b流入殼體800。箭頭334和337分別表示流體通過入口326和入口328同時流入第一環(huán)形通道801和第三環(huán)形通道803，并沿著分別由箭頭333、332、335和336所示的逆時針方向流動。同時，流體還在分別由箭頭712和711所示的逆時針方向上沿著環(huán)狀磁體312的外環(huán)形表面和內(nèi)環(huán)形表面流動，直到被分隔件812a、811a、812b和811b阻擋。最終，沿著環(huán)狀磁體312的四個環(huán)形表面流動的流體通過出口通道710a同時流出殼體800。對于流體如何沿著環(huán)狀磁體312的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于環(huán)狀磁體311和310。
應(yīng)理解的是，可通過以任意組合增加圖19、圖24、圖25和圖26而產(chǎn)生環(huán)狀磁體組的新結(jié)構(gòu)。
參照圖27，該圖是在其間具有分隔件的一組盤狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各盤狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的殼體的剖視圖。該組盤狀磁體組靜止不動。為了使效果最大化，流體流接觸所有盤狀磁體的所有表面。在殼體868內(nèi)有七個環(huán)形流動通道·第一環(huán)形流動通道841，其允許流體沿著盤狀磁體854的上環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件861、盤狀磁體854的上環(huán)形表面和分隔件862形成；·第二環(huán)形流動通道842，其允許流體沿著盤狀磁體854的外環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件862、盤狀磁體854的外環(huán)形表面、分隔件863和外壁867形成；·第三環(huán)形流動通道843，其允許流體沿著盤狀磁體854的下環(huán)形表面和盤狀磁體853的上環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件863、盤狀磁體854的下環(huán)形表面和盤狀磁體853的上環(huán)形表面形成；·第四環(huán)形流動通道844，其允許流體沿著盤狀磁體853的外環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件863、盤狀磁體853的外環(huán)形表面、分隔件864和外壁867形成；·第五環(huán)形流動通道845，其允許流體沿著盤狀磁體853的下環(huán)形表面和盤狀磁體852的上環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件864、盤狀磁體853的下環(huán)形表面和盤狀磁體852的上環(huán)形表面形成；·第六環(huán)形流動通道846，其允許流體沿著盤狀磁體852的外環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件864、盤狀磁體852的外環(huán)形表面、分隔件865和外壁867形成；以及·第七環(huán)形流動通道847，其允許流體沿著盤狀磁體852的下環(huán)形表面流動，由緊密配合以密封而沒有任何O型環(huán)的分隔件865、盤狀磁體852的下環(huán)形表面和分隔件866形成。
盡管圖27表示一組三個盤狀磁體的結(jié)構(gòu)，但該結(jié)構(gòu)可容易修改為一個環(huán)狀磁體或一組四個或更多個盤狀磁體。
參照圖28，該圖是在其間具有分隔件的一組盤狀磁體，以及允許流體順序經(jīng)過各盤狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖。流體通過入口862a進(jìn)入第一環(huán)形通道841，沿順時針方向流動直到被凸起882阻擋，然后通過出口862b流出。流體繼續(xù)流動，繞過第二環(huán)形通道842。流體繼續(xù)沿順時針方向通過入口863a流入第三環(huán)形通道843直到被凸起883阻擋，然后通過第三環(huán)形通道843的出口863b流出。流體繼續(xù)流動，繞過第四環(huán)形通道844。流體繼續(xù)沿順時針方向通過入口864a流入第五環(huán)形通道845直到被凸起884阻擋，然后通過第五環(huán)形通道845的出口864b流出。流體繼續(xù)流動，繞過第六環(huán)形通道846。流體繼續(xù)沿順時針方向通過入口865a流入第七環(huán)形通道847直到被凸起885阻擋，然后通過第七環(huán)形通道847的出口865b流出。
參照圖29，該圖是允許流體順序經(jīng)過各盤狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的盤狀磁體組。箭頭891表示流體通過入口862a流入第一環(huán)形通道841，并繼續(xù)沿箭頭892和893所示的順時針方向流動直到被凸起882阻擋。流體繼續(xù)流動，如箭頭894和895所示繞過第二環(huán)形通道842。流體繼續(xù)沿順時針方向通過入口863a流入第三環(huán)形通道843直到被凸起883阻擋，然后如箭頭898所示通過第三環(huán)形通道843的出口863b流出。對于流體如何沿著盤狀磁體854的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于盤狀磁體853和852。
再次參照圖28，如果去除凸起883和凸起885，則流體將繞過第三環(huán)形通道843和第七環(huán)形通道847。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的北極。另外，如果將凸起882也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為北極的環(huán)形通道。類似地，如果去除凸起882和凸起884，則流體將繞過第一環(huán)形通道841和第五環(huán)形通道845。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的南極。另外，如果將凸起885也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為南極的環(huán)形通道。
參照圖30，該圖是允許流體并行經(jīng)過所有盤狀磁體的上環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的盤狀磁體組。各凸起882a-b、883a-b、884a-b和885a-b用三個凸起代替，如圖30所示。流體通過分隔件882e和882d之間的空間流入。箭頭891和895表示流體通過入口862a流入第一環(huán)形通道841以及同時通過入口863a流入第三環(huán)形通道843。流體繼續(xù)沿順時針方向流動直到被凸起882和883阻擋，然后通過出口862b和863b流出。最終流體通過分隔件882f和882d之間的空間流出。對于流體如何沿著盤狀磁體854的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于盤狀磁體853和852。
再次參照圖28，如果去除入口863a和入口865a，則流體將繞過第三環(huán)形通道843和第七環(huán)形通道847。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的北極。另外，如果將入口862a也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為北極的環(huán)形通道。類似地，如果去除入口862a和入口864a，則流體將繞過第一環(huán)形通道841和第五環(huán)形通道845。因此，流體僅流經(jīng)環(huán)狀磁體的南極。另外，如果將入口865a也去除，則流體將僅流經(jīng)環(huán)形通道兩側(cè)為南極的環(huán)形通道。
參照圖31，該圖是允許流體并行經(jīng)過所有盤狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的盤狀磁體組。各凸起882a-b、883a-b、884a-b和885a-b分別用凸起882d、883d、884d和885d代替，如圖31所示。流體通過凸起882d左側(cè)的空間流入。箭頭891、876和895表示流體通過入口862a流入第一環(huán)形通道841、第二通道842的左側(cè)，以及同時通過入口863a流入第三環(huán)形通道843。流體繼續(xù)沿箭頭892、893和877所示的順時針方向流動直到被凸起882、882d和883d阻擋，然后如箭頭894所示通過出口862b、如箭頭898所示通過第二環(huán)形通道842的右側(cè)和出口863b流出。最終，流體通過凸起882d右側(cè)的空間流出。對于流體如何沿著盤狀磁體854的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于盤狀磁體853和852。
參照圖32，該圖是允許流體順序經(jīng)過各盤狀磁體的上環(huán)形表面、外環(huán)形表面和下環(huán)形表面的單獨殼體的優(yōu)選實施例的分解圖，未示出在其間設(shè)有插入件的盤狀磁體組。箭頭891表示流體通過入口862a流入第一環(huán)形通道841，并繼續(xù)沿箭頭892和893所示的順時針方向流動直到被凸起882阻擋。流體繼續(xù)沿箭頭894、876和877所示的順時針方向流經(jīng)第二環(huán)形通道842直到被凸起882c和883a阻擋。流體繼續(xù)沿箭頭895所示的順時針方向通過入口863a流入第三環(huán)形通道843直到被凸起883阻擋，然后如箭頭898所示通過第三環(huán)形通道843的出口863b流出。對于流體如何沿著盤狀磁體854的環(huán)形表面流動的以上詳細(xì)描述也適用于盤狀磁體853和852。
應(yīng)理解的是，可通過以任意組合增加圖29、圖30、圖31和圖32而產(chǎn)生盤狀磁體組的新結(jié)構(gòu)。
參照圖33，該圖是在環(huán)狀磁體頂部上的分隔件的優(yōu)選實施例的分解圖，其中流體沿著該環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面流經(jīng)兩個環(huán)形路徑。基本上該圖與圖24中所描述的相同，但是流體沿著環(huán)狀磁體312的上環(huán)形表面流經(jīng)兩個環(huán)形路徑而不是圖24中所示的僅一個環(huán)形路徑。如箭頭990所示流體流入入口326。然后流體如箭頭991、992、993、994所示繼續(xù)流經(jīng)兩個環(huán)形路徑，并如箭頭995所示通過出口325流出。
盡管圖33表示在環(huán)狀磁體頂部上的分隔件的優(yōu)選實施例，其中流體沿著該環(huán)狀磁體的上環(huán)形表面流經(jīng)兩個環(huán)形路徑，但是該結(jié)構(gòu)可容易修改成流體僅流經(jīng)一個環(huán)形路徑、流經(jīng)兩個或多個環(huán)形路徑。通過修改，可以用環(huán)狀電磁體或盤狀磁體代替根據(jù)本發(fā)明公開的結(jié)構(gòu)的環(huán)狀磁體，并得到與這里所公開的相同的結(jié)果。
因此可理解的是，上述實施例僅是闡述用于實施本公開發(fā)明的公開元件的結(jié)構(gòu)的許多變型中的幾個。另外，雖然已參照本發(fā)明的優(yōu)選實施例和修改例具體示出、描述并詳細(xì)例示了本發(fā)明，但應(yīng)理解的是前述和其它修改僅是示例性的，并且可在不脫離本發(fā)明所要求的真正精神和范圍(除了現(xiàn)有技術(shù)中含有的之外)的情況下進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的等同改變。
權(quán)利要求
1.一種流體磁處理單元，包括殼體，其具有外壁、在所述外壁內(nèi)限定一腔室的頂部和底部；所述殼體具有中央縱軸線和一對沿所述軸線間隔開的相對端，所述殼體在所述一端形成有流體入口并在所述相同端或另一端形成有流體出口以允許流體流經(jīng)所述腔室；至少一個布置在所述腔室中的環(huán)形磁體，所述環(huán)形磁體橫過所述腔室相對于所述軸線垂直延伸；設(shè)在所述環(huán)形磁體上方和下方的頂部分隔件和底部分隔件，用于允許所述流體沿著所述環(huán)形磁體的至少一個環(huán)形表面環(huán)向流動。
2.如權(quán)利要求1所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體靜止不動。
3.如權(quán)利要求1所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體通過轉(zhuǎn)動裝置直接或間接可轉(zhuǎn)動地驅(qū)動以旋轉(zhuǎn)。
4.如權(quán)利要求3所述的單元，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)方向與所述流體的流動方向相反。
5.如權(quán)利要求1所述的單元，其特征在于，包括至少一對環(huán)形磁體。
6.如權(quán)利要求5所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體對定位成使得相鄰環(huán)形磁體的相同磁極彼此相對。
7.如權(quán)利要求6所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的兩個磁極，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
8.如權(quán)利要求6所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的相同磁極，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
9.如權(quán)利要求6所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的環(huán)形表面，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
10.如權(quán)利要求5所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體對定位成使得相鄰環(huán)形磁體的相反磁極彼此相對。
11.如權(quán)利要求10所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的兩個磁極，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
12.如權(quán)利要求10所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的環(huán)形表面，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
13.如權(quán)利要求5所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體為環(huán)狀磁體、盤狀磁體或環(huán)狀電磁體。
14.一種流體磁處理單元，包括殼體，其具有外壁、在所述外壁內(nèi)限定一腔室的頂部和底部；所述殼體具有中央縱軸線和一對沿所述軸線間隔開的相對端，所述殼體在所述一端形成有流體入口并在所述相同端或另一端形成有流體出口以允許流體流經(jīng)所述腔室；至少一個布置在所述腔室中的環(huán)形磁體，所述環(huán)形磁體橫過所述腔室相對于所述軸線垂直延伸；所述環(huán)形磁體在所述磁體的磁極上具有由磁性材料制成的第一組罩，并在所述磁體的其它環(huán)形表面上具有由非磁性材料制成的第二組罩；設(shè)在所述環(huán)形磁體上方和下方的頂部分隔件和底部分隔件，用于允許所述流體沿著所述環(huán)形磁體的至少一個環(huán)形表面環(huán)向流動。
15.如權(quán)利要求14所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體靜止不動。
16.如權(quán)利要求14所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體通過轉(zhuǎn)動裝置直接或間接可轉(zhuǎn)動地驅(qū)動以旋轉(zhuǎn)。
17.如權(quán)利要求16所述的單元，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)方向與所述流體的流動方向相反。
18.如權(quán)利要求14所述的單元，其特征在于，包括至少一對環(huán)形磁體。
19.如權(quán)利要求18所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體對定位成使得相鄰環(huán)形磁體的相同磁極彼此相對。
20.如權(quán)利要求19所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的兩個磁極，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
21.如權(quán)利要求19所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的相同磁極，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
22.如權(quán)利要求19所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的環(huán)形表面，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
23.如權(quán)利要求18所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體對定位成使得相鄰環(huán)形磁體的相反磁極彼此相對。
24.如權(quán)利要求23所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的兩個磁極，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
25.如權(quán)利要求23所述的單元，其特征在于，所述流體沿著所述環(huán)形磁體的環(huán)形表面，以并行或順序或并行和順序的任意組合的形式環(huán)向流動。
26.如權(quán)利要求18所述的單元，其特征在于，所述環(huán)形磁體為環(huán)狀磁體、盤狀磁體或環(huán)狀電磁體。
27.如權(quán)利要求14所述的單元，其特征在于，用于所述第一組罩的所述磁性材料是鐵氧體，并且用于所述第二組罩的所述非磁性材料是塑料。
28.一種對流體進(jìn)行磁處理的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟引導(dǎo)流體使其垂直于由安裝在如權(quán)利要求1所述的流體處理單元中的環(huán)形磁體產(chǎn)生的磁力線而流動。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟通過轉(zhuǎn)動裝置直接或間接可轉(zhuǎn)動地驅(qū)動所述環(huán)形磁體以旋轉(zhuǎn)。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)方向與所述流體的流動方向相反。
31.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述環(huán)形磁體為環(huán)狀磁體、盤狀磁體或環(huán)狀電磁體。
全文摘要
公開了流體磁處理單元和處理方法。流體流經(jīng)至少一個環(huán)形磁體，且流體的流動方向總是垂直于所述環(huán)形磁體所產(chǎn)生的磁力線，并緊密地沿著所述環(huán)形磁體的表面。所述流體以順序、并行或順序與并行的任意組合的形式流動。所述環(huán)形磁體可以為環(huán)狀磁體、盤狀磁體或環(huán)狀電磁體。為了使磁處理效果最大化，驅(qū)動環(huán)形磁體以使其沿著優(yōu)選與流體流動方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。
文檔編號C02F1/48GK101074126SQ20061008256
公開日2007年11月21日 申請日期2006年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月17日
發(fā)明者周耀周 申請人:周耀周