專利名稱：全程水處理器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及水處理技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種采用了低壓高頻脈沖電場的全程水處理器。
背景技術(shù)：
全程水處理器是針對各種循環(huán)水系統(tǒng)中普遍存在的四大問題腐蝕、結(jié)垢、菌藻、水質(zhì)惡化而研制的綜合處理器，由單臺(tái)設(shè)備代替了需要多臺(tái)設(shè) 備才能完成的處理過程，從而取代了傳統(tǒng)的處理方式。具有對水質(zhì)綜合優(yōu)化處理，防垢、防腐、殺菌、滅藻、超凈過濾功能。主要適用于循環(huán)水、自來水、地表水、地下水、海水、游泳池用水、熱水的水質(zhì)處理及控制，也可以適用于石油、輪胎、橡膠、化工、鋼鐵、發(fā)電、中央空調(diào)、采暖、地源熱泵、及其它工礦企業(yè)的循環(huán)水、源水及污水處理等。當(dāng)前的全程水處理器都是采用的高頻電磁場來實(shí)現(xiàn)防垢、防腐、殺菌、滅藻的功能，但是這種傳統(tǒng)的高頻電磁技術(shù)，由于高頻電磁自身的特性，決定了這種技術(shù)不能實(shí)現(xiàn)完全的防垢、防腐、殺菌和滅藻，效果并不是最佳的，本發(fā)明人經(jīng)過細(xì)心研究發(fā)現(xiàn)，其中的具體原因是因?yàn)椴煌l譜的電磁場之間是會(huì)相互產(chǎn)生干擾影響的，從而嚴(yán)重的制約了高頻電磁技術(shù)的效果。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是要提供一種采用了低壓高頻脈沖電場的全程水處理器。根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供的全程水處理器，包括水處理器殼體和控制箱，所述水處理器殼體內(nèi)設(shè)有低壓高頻脈沖電場發(fā)生器和過濾裝置，所述控制箱固定于水處理器殼體外，所述低壓高頻脈沖電場發(fā)生器與所述控制箱連接。通過采用低壓高頻脈沖電場發(fā)生器取代傳統(tǒng)的高頻電磁場發(fā)生器，也就不會(huì)有不同頻譜的電磁場之間相互干擾的問題了，從而本實(shí)用新型提供的全程水處理器可以高效的實(shí)現(xiàn)防垢、防腐、殺菌、滅藻、超凈過濾功能。在一些實(shí)施方式中，所述水處理器殼體上設(shè)有進(jìn)水口、出水口和排污口。在一些實(shí)施方式中，所述進(jìn)水口位于水處理器殼體的側(cè)壁上，所述進(jìn)水口的接頭處采用法蘭連接。進(jìn)水口與進(jìn)水管道相連接，待處理的水從進(jìn)水口進(jìn)入到全程水處理器內(nèi)，進(jìn)水口與進(jìn)水管道采用法蘭連接，可以保證連接的密封性和穩(wěn)定性。在一些實(shí)施方式中，所述出水口位于水處理器殼體的頂部，所述進(jìn)水口的接頭處采用法蘭連接。出水口與出水管道相連接，處理后的水從出水口流出，出水口與出水管道之間采用法蘭連接，這樣可以保證連接的密封性和穩(wěn)定性。在一些實(shí)施方式中，所述排污口位于水處理器殼體的底部，所述排污口的接頭處采用法蘭連接。排污口與排污管道相連接，待排放的污泥和雜物從排污口經(jīng)排污管道排放出去，進(jìn)水口與進(jìn)水管道采用法蘭連接，可以保證連接的密封性和穩(wěn)定性。在一些實(shí)施方式中，所述水處理器殼體的外層還套設(shè)有一防護(hù)罩。防護(hù)罩的設(shè)置可以對整個(gè)水處理器殼體作一個(gè)保護(hù)，延長水處理器殼體的使用壽命。

圖I是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的全程水處理器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖I中本實(shí)用新型一實(shí)施方式的全程水處理器的結(jié)構(gòu)示意圖的左視圖。圖3是圖I中本實(shí)用新型一實(shí)施方式的全程水處理器的結(jié)構(gòu)示意圖的俯視圖。圖4是本實(shí)用新型一實(shí)施方式 的全程水處理器的安裝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。圖I至圖3示意性地顯示了根據(jù)本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式的全程水處理器。如圖所示，其包括水處理器殼體I和控制箱2，所述水處理器殼體內(nèi)設(shè)有低壓高頻脈沖電場發(fā)生器和過濾裝置，所述控制箱2固定于水處理器殼體I外，所述低壓高頻脈沖電場發(fā)生器與所述控制箱連接。在水處理器殼體的側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)水口 3，進(jìn)水口 3與進(jìn)水管道連接。水處理器殼體的頂部設(shè)有出水口 4，出水口 4與出水管道連接。水處理器殼體的底部設(shè)有排污口5，排污口 5與排污管道連接。其中進(jìn)水口、出水口和排污口的連接處均采用法蘭連接，以保證連接的密封性和穩(wěn)定性，防止?jié)B漏現(xiàn)象的發(fā)生。在水處理器殼體的外部還套設(shè)有一個(gè)防護(hù)罩6,防護(hù)罩6可以有效的保護(hù)水處理器殼體不受損壞。本實(shí)用新型的工作原理如圖4所示，待處理的水從進(jìn)水管道7經(jīng)由進(jìn)水口 3進(jìn)入到全程水處理器中，控制箱控制全程水處理器中的低壓高頻脈沖電場發(fā)生器開始工作，發(fā)出低壓高頻脈沖電場，在低壓高頻脈沖電場的作用下，溶解氧得到活化，產(chǎn)生超氧陰離子自由基、羥基自由基、過氧化氫、單線態(tài)氧等活性氧。活性氧對微生物機(jī)體產(chǎn)生作用，造成有機(jī)體衰老，直至死亡，從而實(shí)現(xiàn)殺菌滅藻的功能。同時(shí)低壓高頻脈沖電場改變了水的活化性，極微小的水分子就可以滲透、包圍、溶解、去除原有的老垢，提高了水分子對鈣鎂離子、碳酸根離子等成垢組分的水合能力，起到阻止水垢形成的作用。同時(shí)原有的水垢結(jié)晶會(huì)逐漸變得松軟、脫落、溶解，從而達(dá)到除垢之目的。氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕是管道腐蝕和生銹的主要原因，而在低壓高頻脈沖電場的作用下，水垢得以控制和去除，溶解氧與水分子結(jié)合不易析出，從而抑制氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕的發(fā)生，起到良好的防腐阻銹的作用。經(jīng)過低壓高頻脈沖電場處理過后的水經(jīng)過濾裝置過濾后就會(huì)從出水口 4中經(jīng)出水管道8接至用水端，過濾出來的雜物和污泥就會(huì)由于重力作用落入到排污口 5中，經(jīng)過排污管道9排放出去。本實(shí)用新型可以控制的腐蝕率小于0. 092毫米/年，過濾效率為73% 99%，防垢除垢效率大于95%，滅菌滅藻率大于97%。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干相似的變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.全程水處理器，其特征在于，包括水處理器殼體和控制箱，所述水處理器殼體內(nèi)設(shè)有低壓高頻脈沖電場發(fā)生器和過濾裝置，所述控制箱固定于水處理器殼體外，所述低壓高頻脈沖電場發(fā)生器與所述控制箱連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的全程水處理器，其特征在于，所述水處理器殼體上設(shè)有進(jìn)水口、出水口和排污口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全程水處理器，其特征在于，所述進(jìn)水口位于水處理器殼體的側(cè)壁上，所述進(jìn)水口的接頭處采用法蘭連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全程水處理器，其特征在于，所述出水口位于水處理器殼體的頂部，所述進(jìn)水口的接頭處采用法蘭連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全程水處理器，其特征在于，所述排污口位于水處理器殼體的底部，所述排污口的接頭處采用法蘭連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中的任意一項(xiàng)所述的全程水處理器，其特征在于，所述水處理器殼體的外層還套設(shè)有一防護(hù)罩。
專利摘要本實(shí)用新型涉及水處理裝置技術(shù)領(lǐng)域，公開了全程水處理器，包括水處理器殼體和控制箱，所述水處理器殼體內(nèi)設(shè)有低壓高頻脈沖電場發(fā)生器和過濾裝置，所述控制箱固定于水處理器殼體外，所述低壓高頻脈沖電場發(fā)生器與所述控制箱連接。通過采用低壓高頻脈沖電場發(fā)生器取代傳統(tǒng)的高頻電磁場發(fā)生器，也就不會(huì)有不同頻譜的電磁場之間相互干擾的問題了，從而本實(shí)用新型提供的全程水處理器可以高效的實(shí)現(xiàn)防垢、防腐、殺菌、滅藻、超凈過濾功能。
文檔編號C02F1/48GK202440352SQ20122002390
公開日2012年9月19日 申請日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者曹罡 申請人:蘇州水創(chuàng)環(huán)?？萍加邢薰?br>