本技術屬于半導體制造設備，更具體地說，是涉及一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置。

背景技術：

1、igbt(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件，廣泛應用于軌道交通、智能電網、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域，而大部分igbt模塊工作電壓在650v以上，為滿足高壓的工作環(huán)境，模塊必須具有高的絕緣耐壓性。但是封裝環(huán)境中的水汽、雜質離子、金屬碎屑會導致igbt模塊漏電流增加芯片耐壓下降，其中鍵合后殘留的碎屑是影響最大的。另一方面，dbc中氧化鋁陶瓷易碎裂，碎裂后肉眼很難觀察到，很容易導致模塊絕緣耐壓能力下降。

2、現(xiàn)有技術中，為減少鍵合后金屬碎屑的處理方法通常是定時清洗劈刀及定時更換導線管，但頻繁清洗劈刀與更換導線管費時費力且重復安裝劈刀、切刀影響產品鍵合一致性，另一方面金屬碎屑的產生受鍵合絲弧高弧長影響，不同的打線方式導線嘴、導線管磨損程度不同，產生鍵合絲碎屑的量也不同，如果只靠清洗劈刀、更換導線嘴等方式無法完全避免鍵合后金屬碎屑的殘留。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型就是針對現(xiàn)有技術中存在的技術問題，提供一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置。

2、為解決上述技術問題，為此本實用新型包括支撐機構及清理系統(tǒng)，清理系統(tǒng)包括粉塵過濾機構和吸附機構，支撐機構包括鍵合底座，鍵合底座外周連接有殼體結構，鍵合底座上連接有工件定位機構，工件定位采用真空負壓定位方式，清理系統(tǒng)還包括清屑機構，清屑機構連接在鍵合底座上，清屑機構包括通氣部、出氣部，粉塵過濾機構與吸附機構相連通，粉塵過濾機構包括多級過濾組件。

3、優(yōu)選的，鍵合底座包括上下兩區(qū)域，鍵合底座的上部區(qū)域為工件支撐區(qū)，工件支撐區(qū)結構與鍵合工裝結構相同，鍵合底座的下部區(qū)域連接有清屑機構，通過清屑機構對底座空間進行吹掃處理。

4、優(yōu)選的，清屑機構包括通氣管，通氣管的一端部連接有氣源，通氣管的另一端部連接有通氣槽，通氣槽上至少設置有一個通氣孔，通氣孔設置在鍵合底座下端。

5、優(yōu)選的，工件定位機構包括真空泵，真空泵可將殼體結構內腔形成真空腔，真空泵上連接有電磁控制閥和壓力監(jiān)測裝置。

6、優(yōu)選的，清理系統(tǒng)包括控制機構，控制機構與工件定位機構電連接，控制機構設有控制開關，控制開關用于控制清理系統(tǒng)的啟閉。

7、優(yōu)選的，清理系統(tǒng)還包括離子發(fā)生器機構，離子發(fā)生器機構與殼體結構內部腔體連接。

8、優(yōu)選的，粉塵過濾機構包括第一過濾組件和第二過濾組件，第二過濾組件設置在第一過濾組件空氣流向的后端，第一過濾組件設有網板分離裝置，第二過濾組件設有導流裝置和粉塵過濾網。

9、優(yōu)選的，網板分離裝置包括多孔過濾板，第二過濾組件包括多個導流板，導流板豎直設置，且導流板上連接有過濾網，導流板與過濾網呈角度設置。

10、優(yōu)選的，粉塵過濾機構還包括第三過濾組件，第三過濾組件設置在第二過濾組件空氣流動后端，第三過濾組件包括吸附分離裝置，吸附分離裝置由至少一層吸附分子篩構成。

11、優(yōu)選的，鍵合底座上設置有多個清理工位，粉塵過濾機構與殼體結構上的出氣口相連通。

12、與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具備以下有益效果：

13、本實用新型清理高效徹底，通過鍵合底座的適配支撐，減少了dbc拿取次數，降低了dbc陶瓷碎裂幾率，同時縮短作業(yè)時間，而且通過真空負壓的工件定位機構，對工件進行吸附固定，工件吸附更加牢固穩(wěn)定。本實用新型在清屑機構及粉塵過濾機構的配合作用下，實現(xiàn)粉塵顆粒的吸附沉積過濾收集，實現(xiàn)dbc鍵合后殘留金屬碎屑的徹底清理，并且將潔凈空氣排出，不會產生二次污染。

技術特征：

1.一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，包括支撐機構及清理系統(tǒng)，所述清理系統(tǒng)包括粉塵過濾機構和吸附機構，其特征在于，所述支撐機構包括鍵合底座，所述鍵合底座外周連接有殼體結構，所述鍵合底座上連接有工件定位機構，所述工件定位采用真空負壓定位方式，所述清理系統(tǒng)還包括清屑機構，所述清屑機構連接在所述鍵合底座上，所述清屑機構包括通氣部、出氣部，所述粉塵過濾機構與所述吸附機構相連通，所述粉塵過濾機構包括多級過濾組件。

2.根據權利要求1所述的一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，其特征在于，所述鍵合底座包括上下兩區(qū)域，所述鍵合底座的上部區(qū)域為工件支撐區(qū)，所述工件支撐區(qū)結構與鍵合工裝結構相同，所述鍵合底座的下部區(qū)域連接有清屑機構，通過所述清屑機構對底座空間進行吹掃處理。

3.根據權利要求1所述的一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，其特征在于，所述清屑機構包括通氣管，所述通氣管的一端部連接有氣源，所述通氣管的另一端部連接有通氣槽，所述通氣槽上至少設置有一個通氣孔，所述通氣孔設置在所述鍵合底座下端。

4.根據權利要求1所述的一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，其特征在于，所述工件定位機構包括真空泵，所述真空泵可將所述殼體結構內腔形成真空腔，所述真空泵上連接有電磁控制閥和壓力監(jiān)測裝置。

5.根據權利要求4所述的一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，其特征在于，所述清理系統(tǒng)包括控制機構，所述控制機構與所述工件定位機構電連接，所述控制機構設有控制開關，所述控制開關用于控制清理系統(tǒng)的啟閉。

6.根據權利要求4所述的一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，其特征在于，所述清理系統(tǒng)還包括離子發(fā)生器機構，所述離子發(fā)生器機構與所述殼體結構內部腔體連接。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，其特征在于，所述粉塵過濾機構包括第一過濾組件和第二過濾組件，所述第二過濾組件設置在所述第一過濾組件空氣流向的后端，所述第一過濾組件設有網板分離裝置，所述第二過濾組件設有導流裝置和粉塵過濾網。

8.根據權利要求7所述的一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，其特征在于，所述網板分離裝置包括多孔過濾板，所述第二過濾組件包括多個導流板，所述導流板豎直設置，且所述導流板上連接有過濾網，所述導流板與所述過濾網呈角度設置。

9.根據權利要求7所述的一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，其特征在于，所述粉塵過濾機構還包括第三過濾組件，所述第三過濾組件設置在所述第二過濾組件空氣流動后端，所述第三過濾組件包括吸附分離裝置，所述吸附分離裝置由至少一層吸附分子篩構成。

10.根據權利要求1所述的一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，其特征在于，所述鍵合底座上設置有多個清理工位，所述粉塵過濾機構與所述殼體結構上的出氣口相連通。

技術總結
本技術公開了一種殘留鍵合絲碎屑清理裝置，屬于半導體制造設備技術領域。本技術包括支撐機構及清理系統(tǒng)，清理系統(tǒng)包括粉塵過濾機構和吸附機構，支撐機構包括鍵合底座，鍵合底座上連接有工件定位機構，工件定位采用真空負壓定位方式，清理系統(tǒng)還包括清屑機構，清屑機構連接在鍵合底座上，清屑機構包括通氣部、出氣部，粉塵過濾機構與吸附機構相連通，粉塵過濾機構包括多級過濾組件。本技術通過鍵合底座的支撐，減少了DBC拿取次數，降低了DBC陶瓷碎裂幾率，而且工件通過真空吸附更加牢固穩(wěn)定，最后通過粉塵過濾機構的多級過濾，實現(xiàn)DBC鍵合后殘留金屬碎屑的徹底清理，并且將潔凈空氣排出，不會產生二次污染。

技術研發(fā)人員：王寧,劉勇
受保護的技術使用者：煙臺臺芯電子科技有限公司
技術研發(fā)日：20240123
技術公布日：2024/12/5