本技術(shù)涉及晶片清洗，特別是涉及一種清洗噴頭。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體襯底晶片清洗技術(shù)發(fā)展，目前大部分半導(dǎo)體襯底采用自動清洗機(jī)清洗。清洗在半導(dǎo)體行業(yè)中是指在氧化、光刻以及外延等工序前，采用一系列物理化學(xué)方法對晶片表面的臟點(diǎn)，污染物，氧化物等進(jìn)行去除，最終表面達(dá)到清潔度符合要求的晶片的工序。

2、在晶片使用清洗機(jī)清洗的過程中，參閱圖1，一般將化學(xué)品藥液通過進(jìn)液管滴落在晶片表面，通過旋轉(zhuǎn)晶片達(dá)到清洗效果。傳統(tǒng)清洗機(jī)清洗藥液滴落，是通過管道直接滴到晶片中間表面，隨后藥液在離心力的作用下流至晶片邊緣，此種清洗方式，進(jìn)液管直接出液，藥液流量較大，對晶片的沖擊力強(qiáng)，而且藥液僅滴落在晶片中間位置，藥液在離心力的作用下分散至晶片邊緣部分，所需時間較久，同時，由于晶片中間的離心力較邊緣的離心力小，藥液容易在中間位置停留時間較久，對晶片造成過度腐蝕出現(xiàn)中心圈和不規(guī)則斑點(diǎn)的現(xiàn)象，此外，每次清洗僅能對晶片的表面進(jìn)行清洗，無法對晶片的背面進(jìn)行清洗，清洗效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是：提供一種清洗噴頭，可以全面清洗到晶片表面，邊緣以及晶片背面，清洗過程中藥液分布均勻，降低藥液對晶片表面的沖擊，避免晶片表面出現(xiàn)中心圈和斑點(diǎn)。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種清洗噴頭，包括依次連通的進(jìn)液管、噴頭主體、連接管以及噴管，所述噴頭主體內(nèi)部設(shè)有過液腔，所述過液腔和所述進(jìn)液管的出液口連通，所述過液腔的內(nèi)壁由上至下依次設(shè)有和所述進(jìn)液管同軸的第一臺階面和第二臺階面，所述噴頭主體底部對稱設(shè)有所述連接管，所述連接管的內(nèi)側(cè)壁與所述第二臺階面相接，所述連接管沿所述噴頭主體徑向內(nèi)彎折形成所述噴管，所述第一臺階面、所述第二臺階面、所述連接管以及所述噴管的內(nèi)側(cè)壁均設(shè)有滴液孔。

3、更進(jìn)一步地，所述第一臺階面與所述進(jìn)液管的出液口之間的間距在10mm-12mm。

4、更進(jìn)一步地，所述第一臺階面與所述第二臺階面之間的間距在5mm-10mm。

5、更進(jìn)一步地，所述滴液孔的孔徑在0.8mm-1.2mm之間。

6、更進(jìn)一步地，所述滴液孔的間距在2.5mm-3.5mm之間。

7、更進(jìn)一步地，所述連接管與所述噴管之間的夾角在60°-90°。

8、更進(jìn)一步地，所述連接管與所述噴管上的滴液孔的孔徑小于所述第一臺階面以及所述第二臺階面上的滴液孔的孔徑。

9、更進(jìn)一步地，所述第一臺階面與所述第二臺階面之間連接有緩沖錐面。

10、更進(jìn)一步地，所述噴頭主體的橫截面為v形，所述噴頭主體的頂部夾角在120°-150°之間，所述進(jìn)液管設(shè)于所述噴頭主體頂部且與所述噴頭主體同軸設(shè)置。

11、更進(jìn)一步地，所述連接管與所述噴管之間設(shè)有弧形過渡段。

12、本實(shí)用新型實(shí)施例一種清洗噴頭與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于：第一臺階面、第二臺階面、連接管以及噴管的內(nèi)側(cè)壁均設(shè)有滴液孔，第一臺階面上的滴液孔能將進(jìn)液管滴落的藥液進(jìn)行分流，降低藥液對晶片表面的沖擊，第二臺階面上的滴液孔能使藥液在晶片邊緣分布，能快速使藥液在晶片表面均勻分布，避免藥液在晶片中間長時間停留，從而避免晶片表面出現(xiàn)中心圈和斑點(diǎn)，此外，設(shè)有通過連接管以及噴管可對晶片的背面進(jìn)行同步清洗，提高晶片的清洗效率。

技術(shù)特征：

1.一種清洗噴頭，其特征在于：包括依次連通的進(jìn)液管、噴頭主體、連接管以及噴管，所述噴頭主體內(nèi)部設(shè)有過液腔，所述過液腔和所述進(jìn)液管的出液口連通，所述過液腔的內(nèi)壁由上至下依次設(shè)有和所述進(jìn)液管同軸的第一臺階面和第二臺階面，所述噴頭主體底部對稱設(shè)有所述連接管，所述連接管的內(nèi)側(cè)壁與所述第二臺階面相接，所述連接管沿所述噴頭主體徑向內(nèi)彎折形成所述噴管，所述第一臺階面、所述第二臺階面、所述連接管以及所述噴管的內(nèi)側(cè)壁均設(shè)有滴液孔。

2.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述第一臺階面與所述進(jìn)液管的出液口之間的間距在10mm-12mm。

3.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述第一臺階面與所述第二臺階面之間的間距在5mm-10mm。

4.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述滴液孔的孔徑在0.8mm-1.2mm之間。

5.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述滴液孔的間距在2.5mm-3.5mm之間。

6.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述連接管與所述噴管之間的夾角在60°-90°。

7.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述連接管與所述噴管上的滴液孔的孔徑小于所述第一臺階面以及所述第二臺階面上的滴液孔的孔徑。

8.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述第一臺階面與所述第二臺階面之間連接有緩沖錐面。

9.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述噴頭主體的橫截面為v形，所述噴頭主體的頂部夾角在120°-150°之間，所述進(jìn)液管設(shè)于所述噴頭主體頂部且與所述噴頭主體同軸設(shè)置。

10.如權(quán)利要求1所述的清洗噴頭，其特征在于：所述連接管與所述噴管之間設(shè)有弧形過渡段。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及晶片清洗技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種清洗噴頭，包括依次連通的進(jìn)液管、噴頭主體、連接管以及噴管，所述噴頭主體內(nèi)部設(shè)有過液腔，所述過液腔和所述進(jìn)液管的出液口連通，所述過液腔的內(nèi)壁由上至下依次設(shè)有和所述進(jìn)液管同軸的第一臺階面和第二臺階面，所述噴頭主體底部對稱設(shè)有所述連接管，所述連接管的內(nèi)側(cè)壁與所述第二臺階面相接，所述連接管沿所述噴頭主體徑向內(nèi)彎折形成所述噴管，所述第一臺階面、所述第二臺階面、所述連接管以及所述噴管的內(nèi)側(cè)壁均設(shè)有滴液孔。本技術(shù)的有益效果：可以全面清洗到晶片表面，邊緣以及晶片背面，清洗過程中藥液分布均勻，降低藥液對晶片表面的沖擊，避免晶片表面出現(xiàn)中心圈和斑點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：王金靈,田玉蓮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240228
技術(shù)公布日：2024/12/19