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      超純水殺菌組合物,其傳輸系統(tǒng)和對該系統(tǒng)進行滅菌的方法

      文檔序號:4889420閱讀:203來源:國知局

      專利名稱::超純水殺菌組合物,其傳輸系統(tǒng)和對該系統(tǒng)進行滅菌的方法
      技術領域
      :本發(fā)明涉及一種用于制備半導體元件制造過程中的超純水的殺菌組合物,用其對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,以及超純水傳輸系統(tǒng),更具體地說,是一種由過氧化氫和過乙酸混合組成的殺菌組合物,用這種殺菌組合物和熱水對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,以及所用超純水傳輸系統(tǒng)。半導體元件制造過程中需要使用超純水或高純度的去離子水。由于所要加工的晶片要在水中處理較長的時間,而且作為一個單一步驟的洗潔過程,晶片要在水中暴露最長的時間,所以特別要強調超純水和高純度的去離子水在洗潔過程中的重要性。因此,由于在半導體元件制造過程中所用的水含有很多污染物,例如,水溶性礦物質,各種顆粒,細菌,所以除非使用超純水,不然水本身就起了污染源的作用。因此,應通過超純水傳輸系統(tǒng)將半導體元件制造過程中處理晶片所用的水制備成超純水或去離子水,而且所制備的超純水應通過超純水管線直接提供到處理位點上而不要暴露在其它的污染源中。一般地,為了制備超純水,要用各種方法和設備或其組合來去除水中的水溶性礦物質,或污染顆粒,例如,用篩和反相滲透進行物理學過濾,用活性炭層過濾,脫氣,以及通過離子交換法進行離子吸附。而且,為了去除水中象細菌一樣的微生物,要用紫外線滅菌法。對于相關領域的技術人員來說,這些制備超純水或去離子水的方法是公知的。但是,不象顆粒或離子,雖然水中的污染物微生物能夠被去除到一定的程度,但是,將其徹底去除是不可能的,而且,經(jīng)常有可能被大氣中的微生物再次污染,且一旦被再次污染,微生物就會利用各種營養(yǎng)而增殖,所以單純微生物細胞數(shù)目上的減少是沒有意義的且對徹底去除是沒有幫助的。因此,對微生物的控制方法應有所不同。而且,由于微生物的增殖而導致形成的生物膜和生物淤積是一個更加嚴重的問題。生物膜是附著并生長在水系環(huán)境中的固體和液體的界面、基質上的微生物家族和胞外聚合物所形成的一種膠態(tài)物質,而且主要成分是水(總濕重的70-95%),除去水后總干重的成分主要是有機物(總干重的70-95%)。微生物存在于生物膜的深層內,且根據(jù)微生物在生物膜內的生存環(huán)境條件及類型的不同,其化學結構有所變化,但是大多數(shù)是多糖。這種生物膜被稱作糖萼(glucocalyx)。該生物膜在整個表面均勻地延伸,或者在一些區(qū)域形成塊狀,而且很薄,最大厚度只有幾百μm。該生物膜可阻止溶于水中的氧的擴散,因此當其厚度達到50-150μm時就能為厭氧菌提供良好的生存環(huán)境。作為生物膜的特性,由于生物膜內包含不同種的微生物,所以顯示出結構上的不均勻性,而且微生物的種類也在隨時間和地點在不斷變化。但是,由于微生物形成了共生體(microconsortia)且結構上有相同的功能,從而使生物膜顯示出了均一的功能。生態(tài)學上認為,生物膜的功能是適應不良環(huán)境的一種生物機制。就是說,對不同的微生物有不同的作用,例如在不良營養(yǎng)條件的水系中儲存少量營養(yǎng),擁有對短時間內環(huán)境變化一象pH值,堿基,殺菌劑,脫水等的抗性,在生物膜中生存的共生微生物間提供基因交換庫,因此,生物膜顯示出了微生物群體有了新的生態(tài)位的的特點,例如分解不能分解的物質。至于通過半導體元件生產(chǎn)線的水,其滯留時間比微生物增殖時間要短(在沒有營養(yǎng)的條件下大約要2小時)。就是說,在超純水和去離子水中的微生物的增殖不影響半導體元件生產(chǎn)的質量控制,因此,質量控制中對微生物進行控制的重要因素是超純水傳輸系統(tǒng),超純水系統(tǒng),生產(chǎn)線,或在半導體元件制造過程中生長在原材料表面的生物膜。在超純水中存在的生物膜具有180MΩ.cm的電阻率,這對于流行趨勢是高度集成化的半導體元件制造過程是很重要的??梢宰⒁獾?,即使當水中的微生物數(shù)量是1到10cfu/ml時,由于其生物膜質很高,生物膜上的微生物數(shù)量可達107-1011細胞/ml。存在于生物膜上的微生物會逐漸脫離并進入超純水中成為有機碳污染源。因此,去除存在于超純水傳輸系統(tǒng)和超純水管線中的生物膜也象去除水中的微生物一樣重要。解決由微生物引起的問題的最普通的方法是使用殺生物劑,但是上面描述的滅菌方法并不能從根本上解決問題,因為即使一些喪失了生理活性的微生物也能附著在材料的表面從而成為新來的微生物的營養(yǎng)物質,或者是為了能夠存活下來而附著在表面上。進一步說,即使由于殺菌劑而喪失了生理活性的生物膜也能夠成為新來的微生物的營養(yǎng)物質,或者為了能夠存活下來而附著在表面上。由于生物膜上的微生物形成了基質,所以難于將其殺滅成為單獨存在的浮游微生物。而且,不管水中的浮游微生物的數(shù)目是多少,形成的生物膜要穿過一定的傳輸裝置,影響生物膜和微生物數(shù)量的因素有營養(yǎng)的數(shù)量和類型,水的剪切力等。因此,殺滅微生物本身是重要的,但是去除共生體形成的生物膜更為重要且更加困難。去除象生物膜一類的微生物沉積物的兩步法如下。第一步是用氧化劑,或表面活性劑以及酶等化學方法來減少物質表面或生物膜基質間的吸引。這里,上述化學方法不能影響所處理物品自身。第二步是用剪切力,機械方法,超聲波能方法等物理方法將包括生物膜在內的微生物沉積物從物質表面去除掉。去除微生物形成的生物膜的化學殺菌劑應滿足如下特性條件。第一是去除微生物的效率。微生物的不完全去除會導致微生物的增殖。第二是殺菌劑的清除效率。殺菌劑的不完全清除及不盡快清除會給殺菌劑自身成為污染物提供機會。從經(jīng)濟方面考慮,清除殺菌劑的效率也是重要的。殺菌劑的清除是通過用殺菌劑處理過的超純水清洗設備或管線來實現(xiàn)的,而且優(yōu)選的應該對存在的殺菌劑的密度進行聯(lián)機測量。第三是殺菌劑的適合性。殺菌劑不能破壞所有要用殺菌劑處理的全部系統(tǒng)的組成部分的物理和化學性質。第四是殺菌劑的穩(wěn)定性。該殺菌劑應該能容易且安全地處理和攜帶。過氧化氫用作化學殺菌劑一般能滿足所有這些條件。用過氧化氫對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法是公知的而且象三星半導體制造廠一類的工廠,本發(fā)明的申請者,美國三菱半導體公司等已經(jīng)將其作為常規(guī)微生物滅菌法使用了。使用過氧化氫的滅菌法的優(yōu)點是大量使用過氧化氫后所剩的殘余物不會造成污染而且不會造成管線被腐蝕的負面效果,因為滅菌后過氧化氫會分解為水和氧氣。溫度越高以及過氧化氫密度越高,滅菌效果也會提高更多。但是,過氧化氫溫度過高會損壞管線的材料,而且有可能使管線中有機或無機物釋放電荷,因此滅菌通常在25℃的溫度下進行。由于高濃度的過氧化氫會導致費用的增加并且清除殺菌劑的時間的會更長,而且過氧化氫和微生物有機物質的反應會產(chǎn)生氣體等,所以通常使用象1%濃度一樣的低濃度過氧化氫來滅菌。而且,上面描述的用過氧化氫的滅菌法已在許多半導體制造廠廣泛使用,但是在管線中殺滅微生物的方法中,還沒有建立起關于濃度、時間、以及處理循環(huán)次數(shù)的標準,所以每條生產(chǎn)線-即使在同一工廠中都有自己的不同滅菌標準,而且,按常規(guī)方法使用過氧化氫顯示出暫時的滅菌效果卻不能完全清除微生物從而為微生物的增殖提供機會。例如,對超純水傳輸系統(tǒng)(圖1為簡圖)及超純水管線的每一部分進行滅菌的效果,以及通過AOCD(吖啶橙直接計數(shù)用吖啶橙類染料對微生物菌落染色并用光學顯微鏡對菌落計數(shù))測量的結果如表1所示。(表1)</tables>如從表1中看到的,僅僅使用過氧化氫不能達到完全滅菌。在滅菌的初期階段,滅菌效果可以達到一定的程度,但是滅菌后的3個月內,微生物數(shù)量就增長了。從而不能有效地徹底去除并殺滅微生物及生物膜。因此,對于需要經(jīng)常滅菌的超純水傳輸系統(tǒng)和超純水管線來說,清洗周期較短。去除生物膜形成的基質是困難的,而且由于離子交換樹脂的化學特性,清除并殺滅包括離子交換樹脂的終端過濾器(Polisher)內的細菌也是困難的。而且,殺滅生物膜內被保護起來的微生物更加困難,而惡化的環(huán)境導致生物膜周圍形成更多的保護膜從而使去除生物膜和其中的微生物更困難。因此,僅僅使用過氧化氫,不能完全去除并殺滅微生物,因此需要不斷重復滅菌。因此,半導體元件的高度集成化趨勢需要新的滅菌方法以達到最大滅菌效果和最少的時間消耗,所以特別需要半導體元件制造過程中的清洗技術和對微生物引起的有機污染進行嚴格控制。本發(fā)明直接提供了一種用于制備在半導體元件制造過程中的超純水的殺菌組合物。本發(fā)明的另一個目的是提供一種用含有過氧化氫和過乙酸以及熱水的殺菌組合物對半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法。本發(fā)明進一步的目的是提供一種用該殺菌組合物和熱水進行滅菌的超純水傳輸系統(tǒng)。該殺菌組合物優(yōu)選地由0.3到0.7重量百分比的過氧化氫,0.03到0.07重量百分比的過乙酸,其余為去離子水組成。該殺菌組合物優(yōu)選地由0.5重量百分比的過氧化氫,0.05重量百分比的過乙酸,其余為去離子水組成。根據(jù)本發(fā)明的方法對半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法包括的步驟有用熱水對超純水傳輸系統(tǒng)(由純水箱,熱交換器,紫外線滅菌儀,OR-終端過濾器,MB-終端過濾器,以及超濾膜等組成)的OR-終端過濾器和MB-終端過濾器進行滅菌(熱水滅菌步驟),以及用含有殺菌劑的去離子水在超純水傳輸系統(tǒng)的純水箱,熱交換器,紫外線滅菌儀,以及超濾膜等內循環(huán)從而達到殺菌的目的(殺菌劑滅菌步驟)。所述滅菌步驟的優(yōu)選時間為大于60分鐘。該滅菌方法也用于與超純水傳輸系統(tǒng)相連的超純水管線。殺菌劑滅菌步驟中所用的滅菌劑是由過氧化氫,過乙酸,和去離子水的殺菌組合物組成。該殺菌組合物由0.3到0.7重量百分比的過氧化氫,0.03到0.07重量百分比的過乙酸,其余為去離子水組成,且優(yōu)選配方由0.5重量百分比的過氧化氫,0.05重量百分比的過乙酸,其余為去離子水組成。在熱水滅菌步驟中所用的熱水是加熱到26-40℃的去離子水,優(yōu)選的是加熱到28-34℃的去離子水。另一種根據(jù)本發(fā)明的方法對半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法包括的步驟有用熱水對超純水傳輸系統(tǒng)(由純水箱,熱交換器,紫外線滅菌儀,OR-終端過濾器,MB-終端過濾器,以及超濾膜等組成)的OR-終端過濾器和MB-終端過濾器進行滅菌(熱水滅菌步驟),然后使熱水通過上述超純水傳輸系統(tǒng)終端過濾器的旁道并用含有殺菌劑的去離子水在超純水傳輸系統(tǒng)的純水箱,熱交換器,紫外線滅菌儀,以及超濾膜等內循環(huán)從而達到殺菌的目的(殺菌劑滅菌步驟步驟)。按照本發(fā)明的半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)由純水箱,熱交換器,紫外線滅菌儀,OR-終端過濾器,MB-終端過濾器,超濾膜,繞過OR-終端過濾器和MB-終端過濾器的終端過濾器旁道線路,以及給OR-終端過濾器和MB-終端過濾器提供熱水的終端過濾器熱交換器組成。前面的一般描述和后面的詳細描述都應被認為是例證和說明并且是對本發(fā)明權利要求提供的進一步的解釋。附圖的簡要說明所附圖中圖1顯示了一個常規(guī)超純水傳輸系統(tǒng)實施例的簡要構造圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的超純水傳輸系統(tǒng)的簡要構造圖;且圖3是用圖表示的根據(jù)本發(fā)明的一個實施例和另一個實施例中測得的殺菌效果。詳細的內容可參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例,具體例子在附圖中作了說明。按照本發(fā)明制備用于半導體元件制造過程中的超純水的殺菌組合物是由過氧化氫,過乙酸,以及去離子水組成的。由于殺菌組合物中的過氧化氫在分解時會產(chǎn)生初生態(tài)氧,所以它具有較好的氧化性能以及滅菌效果。已知它能夠氧化有機材料,且具有通過使生物膜被氧化分離而去除超純水傳輸系統(tǒng)和傳輸線上形成的生物膜的功能。它也能夠對殺滅微生物,降低微生物的活性,抑制微生物的增殖有所幫助。而且,過氧化氫不含金屬離子,所以較容易被清除,而且,由于它降解后的副產(chǎn)品只有氧氣和水所以它不會造成再次污染。滅菌組合物中的過乙酸可通過在無水乙酸中加入硫和過氧化氫制備或用乙酸鈷對乙醛和氧的混合物進行放射性紫外線照射而制備。過乙酸可作為強力殺菌劑,特別是它的分解產(chǎn)物之一-乙酸,能夠去除在生物膜中作為膜起保護作用的碳酸鈉。由于本發(fā)明的殺菌組合物含有的過氧化氫和過乙酸都有強大的殺菌能力,所以組合物具有更強的殺菌能力。也就是說,滅菌組合物分解產(chǎn)生的初生態(tài)氧能夠非常有效地分解有機物,例如生物膜和分解物,而且,過乙酸分解產(chǎn)生的乙酸能夠去除在生物膜中作為膜起保護作用的碳酸鈉,所以甚至能夠徹底殺滅深藏于生物膜內不容易被殺滅的微生物。滅菌組合物是由0.3到1.0重量百分比的過氧化氫,0.01到0.2重量百分比的過乙酸,以及其余是去離子水所混合組成的。當過氧化氫的重量百分比低于0.3時,在短時間內不能獲得充分的滅菌效果,當重量百分比超過1.0時,在滅菌后就需要花費更多的時間清除過氧化氫。過乙酸會造成類似的問題。優(yōu)選的滅菌組合物由0.5重量百分比的過氧化氫,0.05重量百分比的過乙酸,其余是去離子水所混合組成的。根據(jù)本發(fā)明實施例的用于半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)由水箱11,熱交換器12,紫外滅菌儀13,OR-終端過濾器14,MB-終端過濾器15,以及超濾膜16組成,滅菌的步驟包括用熱水對超純水傳輸系統(tǒng)的OR-終端過濾器和MB-終端過濾器滅菌(熱水滅菌步驟),以及用含有殺菌劑的去離子水在超純水傳輸系統(tǒng)中的純水箱,熱交換器,紫外滅菌儀等內循環(huán)以達到滅菌目的(殺菌劑滅菌步驟)。殺菌劑滅菌步驟中的殺菌劑是包括本發(fā)明滅菌組合物在內的常規(guī)殺菌劑,而且本領域技術人員知道通??傻玫降臍⒕鷦┛捎脕頊缇?。在殺菌劑滅菌步驟中用的優(yōu)選殺菌劑是按照本發(fā)明含有過氧化氫和過乙酸混合物的組合物。滅菌步驟所用時間大于60分鐘,優(yōu)選時間為60到120分鐘。用含有殺菌劑的去離子水進行循環(huán)的殺菌步驟中使過濾器分路的原因是含有殺菌組合物過氧化氫和過乙酸的去離子水能使過濾器內產(chǎn)生化學惰性的離子交換樹脂帶電以防止離子交換能力降低,并且可將過濾器內的離子交換樹脂取出使之復性或者用新的樹脂替換原有樹脂以使其帶電。更優(yōu)選的是,根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,在上述滅菌方法中的用于半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)是由純水箱11,熱交換器12,紫外滅菌儀13,OR-終端過濾器14,MB-終端過濾器15,以及超濾膜16組成的,實施通過提供熱水而對超純水傳輸系統(tǒng)的OR-終端過濾器和MB-終端過濾器進行滅菌的步驟(熱水滅菌步驟),然后通過分流超純水傳輸系統(tǒng)的終端過濾器和循環(huán)含有殺菌劑的去離子水對超純水傳輸系統(tǒng)的純水箱,熱交換器,紫外滅菌儀,以及超濾膜等進行滅菌(殺菌劑滅菌步驟)。即使超純水管線連接到超純水傳輸系統(tǒng)上,也可應用上述對用于半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,于是通過打開與超純水管線連接的閥門使超純水傳輸系統(tǒng)和超純水管線均得到滅菌(不能從簡圖中看出)。在熱水滅菌步驟中所用的熱水是加熱到26-40℃的去離子水,優(yōu)選的是用加熱到28-34℃的去離子水。當熱水溫度低于26℃時,不能達到用熱水對終端過濾器徹底滅菌的目的,當溫度超過34℃時,有時會使連接超純水傳輸系統(tǒng)和超純水線的管線的連接強度降低,以及導致終端過濾器內的帶電離子交換樹脂產(chǎn)生隋性等問題。如圖2所示,根據(jù)本發(fā)明,用于半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)由純水箱11,熱交換器12,紫外滅菌儀13,OR-終端過濾器14,MB-終端過濾器15,以及超濾膜16,與OR-終端過濾器14和MB-終端過濾器15并聯(lián)的終端過濾器旁路線路22,以及為OR-終端過濾器14和MB-終端過濾器15提供熱水的熱交換器21。本領域技術人員對已經(jīng)公知的且已商品化的超純水傳輸系統(tǒng)的純水箱11,熱交換器12,紫外滅菌儀13,OR-終端過濾器14,MB-終端過濾器15,超濾膜16是能夠完全理解的。OR-終端過濾器14主要用來去除用有機材料的離子交換時吸附的有物,裝有超過兩種離子交換床的MB-終端過濾器15也可清除由離子交換所吸附的象金屬離子一類的無機物。OR-終端過濾器14和MB-終端過濾器15是所屬領域的技術人員公知的,而且是商業(yè)上可獲得的。按照本發(fā)明,普通的超純水傳輸系統(tǒng)還包括一條與OR-終端過濾器14和MB-終端過濾器15并聯(lián)的線路22,以及與終端過濾器并聯(lián)并給OR-終端過濾器14和MB-終端過濾器15提供熱水的熱交換器21。終端過濾器旁路線22與上述終端過濾器并聯(lián)以防止殺菌組合物中的過氧化氫和過乙酸使離子交換樹脂失活以及液體流動的停止。而且,在熱水滅菌步驟中向終端過濾器提供的熱水會使附著在離子交換樹脂上的微生物和生物膜熱失活從而達到滅菌的目的。實施例1用30℃的熱水清洗超純水傳輸系統(tǒng)中裝有離子交換樹脂的終端過濾器30分鐘。然后,用由0.5重量百分比的過氧化氫,0.05重量百分比的過乙酸以及其余為去離子水所組成的殺菌組合物對超純水傳輸系統(tǒng)中除了上述終端過濾器外的其余裝有離子交換樹脂的部件清洗60分鐘。通過殺滅藤黃微球菌屬和假單胞菌屬的微生物,在滅菌前后用AODC法(吖啶橙直接計數(shù)法)對純水樣品中的微生物菌落染色,并用肉眼通過光學顯微鏡對菌落計數(shù),其結果如表2所示,單位為cfu(菌落形成數(shù))。實施例2除了用由0.5重量百分比的過氧化氫,0.1重量百分比的過乙酸以及其余為去離子水所組成的滅菌組合物作為殺菌劑外,其余步驟的實施同實施例1是一致的,且結果如表2所示。實施例3除了用由1.0重量百分比的過氧化氫,0.05重量百分比的過乙酸以及其余為去離子水所組成的滅菌組合物作為殺菌劑外,其余步驟的實施同實施例1是一致的,且結果如表2所示。實施例4除了用由1.0重量百分比的過氧化氫,0.1重量百分比的過乙酸以及其余為去離子水所組成的滅菌組合物作為殺菌劑外,其余步驟的實施同實施例1是一致的,且結果如表2所示。對比實施例1除了用由0.5重量百分比的過氧化氫,其余為去離子水所組成的滅菌組合物作為殺菌劑外,其余步驟的實施同實施例1是一致的,且結果如表2所示。對比實施例2除了用由1.0重量百分比的過氧化氫,其余為去離子水所組成的滅菌組合物作為殺菌劑外,其余步驟的實施同實施例1是一致的,且結果如表2所示。表2</tables>研究表2的結果可看出,僅用過氧化氫的傳統(tǒng)方法不能徹底殺滅對過氧化氫有抗性的微生物(由本發(fā)明的申請人申請的題為‘對過氧化氫有抗性的新微生物’的韓國專利申請No.97-5704)(可由對比實施例1和2的結果中看出),與之相比較,用按照本發(fā)明的殺菌組合物及由此使用的滅菌方法則顯示出了極好的滅菌能力(可從實施例1到4的結果中看出),因此,用本發(fā)明的殺菌組合物和滅菌方法滅菌60分鐘就可以徹底滅菌。而且,滅菌效果可至少保持6個月,優(yōu)選保持時間為10個月,比用滅菌效果僅保持3個月的傳統(tǒng)方法要好得多并且殺菌期大大縮短。因此,根據(jù)本發(fā)明,用熱水和由過氧化氫和過乙酸組成的殺菌組合物以可對超純水傳輸系統(tǒng)和超純水管線徹底滅菌。更具體的說,當對本發(fā)明進行具體描述時,應當清楚,對本發(fā)明進行不同的變化,替換以及改動是在不違背所附權利要求的精神且不超出范圍的情況下就可進行的。權利要求1.一種用于制造半導體元件制造過程中的超純水的殺菌組合物是由過氧化氫,過乙酸,以及去離子水所組成的。2.如權利要求1所述的殺菌組合物,該組合物包含0.3-0.7重量百分比的過氧化氫,0.03-0.07重量百分比的過乙酸,剩余百分比為去離子水。3.如權利要求2所述的殺菌組合物,所述組合物優(yōu)選的包含0.5重量百分比的過氧化氫,0.05重量百分比的過乙酸,剩余百分比為去離子水。4.對半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,包括的步驟為用熱水對由純水箱,熱交換器,紫外滅菌儀,OR-終端過濾器,MB-終端過濾器以及超濾膜等組成的超純水傳輸系統(tǒng)中的OR-終端過濾器和MB-終端過濾器進行滅菌(熱水滅菌步驟);以及循環(huán)含有殺菌劑的去離子水對超純水傳輸系統(tǒng)的所述純水箱,所述熱交換器,紫外滅菌儀,以及所述超濾膜等進行滅菌(殺菌劑滅菌步驟)。5.如權利要求4所述的對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,其中所述滅菌時間的優(yōu)選值為大于60分鐘。6.如權利要求4所述的對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,其中所述的滅菌方法也可應用于與所述超純水傳輸系統(tǒng)相連接的超純水管線。7.如權利要求4所述的對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,其中所述用于殺菌劑滅菌步驟中的殺菌劑是一種由過氧化氫,過乙酸,以及去離子水所組成的殺菌組合物。8.如權利要求7所述的對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,其中所述的殺菌組合物由0.3到0.7重量百分比的過氧化氫,0.03到0.07重量百分比的過乙酸,剩余百分比為去離子水所組成,且優(yōu)選組成為0.5重量百分比的過氧化氫,0.05重量百分比的過乙酸,剩余百分比為去離子水。9.如權利要求4所述的對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,其中用于熱水滅菌步驟中的熱水為加熱到26到40℃的去離子水。10.如權利要求9所述的對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,其中用于熱水滅菌步驟中的熱水為加熱到28到34℃的去離子水。11.一種對半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法,該方法包括的步驟有用熱水對由純水箱,熱交換器,紫外滅菌儀,OR-終端過濾器,MB-終端過濾器以及超濾膜等組成的超純水傳輸系統(tǒng)中的OR-終端過濾器和MB-終端過濾器進行滅菌的方法;以及為所述超純水傳輸系統(tǒng)的終端過濾器加旁路并循環(huán)含有殺菌劑的去離子水以對所述超純水傳輸系統(tǒng)的純水箱,熱交換器,紫外滅菌儀,和超濾膜等進行滅菌。(殺菌劑滅菌步驟)。12.半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng)由一個純水箱,一個熱交換器,紫外滅菌儀,OR-終端過濾器和MB-終端過濾器,一個超濾膜,與所述OR-終端過濾器和MB-終端過濾器并聯(lián)的終端過濾器旁路線,以及一個為所述OR-終端過濾器和MB-終端過濾器提供熱水的熱交換器。全文摘要這里提供了一種由過氧化氫,過乙酸和去離子水混合組成的殺菌組合物,一種用該殺菌組合物和熱水對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的滅菌方法,以及一種用于半導體元件制造過程中的超純水傳輸系統(tǒng),該傳輸系統(tǒng)是用本發(fā)明的殺菌組合物和熱水進行滅菌的。對超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌的方法所包括的步驟有:用熱水對超純水傳輸系統(tǒng)的OR-終端過濾器和MB-終端過濾器進行滅菌的步驟(熱水滅菌步驟),以及循環(huán)含有殺菌劑的去離子水以對所述超純水傳輸系統(tǒng)進行滅菌。(殺菌劑滅菌步驟)。文檔編號C02F1/44GK1196884SQ9810565公開日1998年10月28日申請日期1998年1月22日優(yōu)先權日1997年4月22日發(fā)明者金承彥,吳允哲,金秀蓮,黃正性申請人:三星電子株式會社
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