Ito薄膜濺射靶材的清潔方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及ITO薄膜濺射靶材的表面清潔技術(shù)，尤其涉及一種ITO薄膜濺射靶材的清潔方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在ITO濺射成膜的生產(chǎn)工藝中，由于靶材表面潔凈度不高，通常會在靶材濺射表面累積一些從幾微米到幾毫米大小的黑色氧化物，這些異物被認為是IN或SI的不完全氧化物，一般稱之為結(jié)瘤。結(jié)瘤具有絕緣性，結(jié)瘤量增加，多引發(fā)濺射過程中的異常放電，使ITO膜出現(xiàn)粒狀物，影響成膜質(zhì)量。隨靶材表面結(jié)瘤異常的增加，需要中止濺射操作，對濺射靶材表面的結(jié)瘤進行清潔再生產(chǎn)處理，但由于清潔不夠切底，濺射靶材潔凈度不高，在濺射生產(chǎn)過程中又會很快出現(xiàn)結(jié)瘤，這樣造成生產(chǎn)作業(yè)不連續(xù)，導(dǎo)致生產(chǎn)效率下降。即使去除了結(jié)瘤，反復(fù)進行再生處理也很難恢復(fù)到新靶材的狀態(tài)，這樣造成一種結(jié)果，就是靶材在用盡以前會因為結(jié)瘤的增加導(dǎo)致靶材廢棄。正因如此，需要改進濺射靶材的清潔方法，提高靶材的潔凈度。
[0003]目前對濺射靶材的表面進行處理時，主要利用砂紙對靶材表面進行打磨，再使用氣槍吹除粉塵顆粒和碎肩，或采用無殘留膠帶粘除。使用氣槍吹除很容易造成無塵車間的污染，而采用無殘留膠帶的方式不僅增加了制造成本，而且不能將所有雜質(zhì)都粘除，難以提高濺射靶材的潔凈度，例如大的顆?；蛟诳p隙里的粉塵都是無殘留膠帶難以粘除干凈的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的在于提供一種ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，其能有效減少濺射靶材表面的氧化物和雜質(zhì)，提高靶材表面潔凈度，進而提高靶材的利用率。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下之技術(shù)方案:
[0006]—種ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，包括如下步驟:
[0007](I)清除大顆粒物:采用吸塵器將濺射成膜過程中沉落到靶材濺射面的大顆粒物吸除干凈，得到A ;
[0008](2)砂紙打磨:采用相應(yīng)目數(shù)的砂紙對靶材A的濺射面進行打磨，打磨方向順應(yīng)靶材濺射面形成有的跑道的方向，同時將位于跑道中間表面泛黃的氧化層打磨干凈，去除濺射面的氧化物和雜質(zhì)，得到B;
[0009](3)清潔除塵:采用吸塵器將靶材B的濺射面上由于砂紙打磨而產(chǎn)生的顆粒物和灰塵吸除干凈，得到C ;
[0010](4)擦拭清潔:采用無塵布蘸取少量酒精對靶材C的濺射面進行擦拭清潔，除去沒有完全吸除的灰塵；
[0011](5)重復(fù)步驟(4)，直至無塵布表面只有輕微變色。
[0012]本發(fā)明中，步驟(2)和步驟(3)可以同時進行，即可以一邊用砂紙進行打磨，一邊采用吸塵器進行吸塵。
[0013]作為一種優(yōu)選方案，所述靶材為ITO靶材和Si靶材。
[0014]作為一種優(yōu)選方案，所述ITO靶材選用>150目的砂紙進行打磨，所述Si靶材選用>30目的砂紙進行打磨。
[0015]作為一種優(yōu)選方案，所述ITO靶材選用>200目的砂紙進行打磨，所述Si靶材選用>60目的砂紙進行打磨。
[0016]作為一種優(yōu)選方案，所述吸塵器為KARDV吸塵器。
[0017]作為一種優(yōu)選方案，所述無塵布的潔凈等級為1000級以下。
[0018]本發(fā)明通過采用以上技術(shù)方案，具有明顯的優(yōu)點和有益效果，具體而言:1、通過采用砂紙對靶材表面進行打磨，并且順應(yīng)靶材的跑道方向，可有效去除靶材表面的氧化物和雜質(zhì)，同時可以避免一些灰塵落于縫隙中；2、在打磨后采用吸塵器對靶材表面的顆粒物或粉塵進行清潔，不僅可以清除較大的顆粒物和粉塵，也可以清除落入到縫隙中的粉塵，提高了靶材表面的潔凈度，同時采用吸塵的方式也可以避免粉塵污染無塵車間的情況；3、最后采用無塵布蘸取少量酒精對靶材的表面進行擦拭，進一步提高靶材的潔凈度。由此，清除了濺射靶材表面氧化物、雜質(zhì)和粉塵，進而可減少ITO薄膜生產(chǎn)中靶材表面結(jié)瘤，降低異常放電次數(shù)，也減少了對靶材的清潔次數(shù)，提高了生產(chǎn)效率，也提高了靶材的利用率，降低了生產(chǎn)成本；同時，氧化物和雜質(zhì)的減少，也降低了對ITO薄膜表面阻值、霧度、透過率影響，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
【附圖說明】
[0019]圖1為ITO薄膜濺射生產(chǎn)示意圖；
[0020]圖2為ITO靶材濺射后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本發(fā)明方法之操作流程圖。
[0022]附圖標(biāo)識說明:
[0023]1、密封腔體， 2、放卷輥， 3、鍍膜主輥，
[0024]4、收卷輥，5、靶材，6、基材，
[0025]51、跑道，52、泛黃氧化層。
【具體實施方式】
[0026]為更清楚地闡述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征、技術(shù)手段及其所達到的具體目的和功能，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細說明:
[0027]如圖1所示，ITO薄膜濺射生產(chǎn)的裝置，包括密封腔體1，以及設(shè)置于密封腔體I內(nèi)的放卷棍2、收卷棍4、鍍膜主棍3和革E材5，所述放卷棍2和收卷棍3分別位于密封腔體I的兩側(cè)，所述鍍膜主輥3位于放卷輥2和收卷輥4之間的下方，所述靶材5位于鍍膜主輥3的正下方，放卷輥2上的基材6繞過鍍膜主輥3的下端到達收卷輥4。在成膜過程中，位于下方的靶材5表面的雜質(zhì)不斷被氧化和轟擊，被轟擊飛出的IN、SI氧化物顆粒以及粉塵又沉落到位于鍍膜主輥3下方的靶材5表面，形成結(jié)瘤，隨時間的增加，結(jié)瘤越來越嚴(yán)重，造成異常放電。部分被轟擊的氧化物也會飛向基材6，混入膜層，降低ITO膜的穩(wěn)定性。
[0028]如圖2所示，ITO膜在成膜過程中，經(jīng)過長時間的濺射生產(chǎn)，靶材5的表面會形成跑道51，并在跑道51的中間出現(xiàn)泛黃的濺射氧化物層52。
[0029]因此，在生產(chǎn)過程中，為了提高靶材的利用率，重新利用濺射靶材，需要對產(chǎn)生結(jié)瘤的濺射靶材進行清潔，提高濺射靶材的潔凈度。
[0030]如圖3所示，一種ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，包括如下步驟:
[0031](I)清除大顆粒物:采用KARDV吸塵器將濺射成膜過程中沉落到靶材5的濺射面的氧化物顆粒以及粉塵吸除干凈，減少顆粒物有粉塵，得到A ;
[0032](2)砂紙打磨:采用相應(yīng)目數(shù)的砂紙對靶材A的濺射面進行打磨，打磨方向順應(yīng)靶材5的濺射面形成有的跑道51的方向，防止有些灰塵落入縫隙中，同時將位于跑道中間表面泛黃的氧化層52打磨干凈，去除濺射面的氧化物和雜質(zhì)，得到B ;
[0033](3)清潔除塵:采用KARDV吸塵器將靶材B的濺射面上由于砂紙打磨而產(chǎn)生的顆粒物和灰塵吸除干凈，得到C ;
[0034](4)擦拭清潔:采用潔凈等級為1000級以下的無塵布蘸取少量酒精對靶材C的濺射面進行擦拭清潔，擦拭過程中，應(yīng)順應(yīng)跑道的方向進行擦拭，以便將落入縫隙中的灰塵擦除干凈，同時除去沒有完全吸除的灰塵和顆粒物；
[0035](5)重復(fù)步驟(4)，直至無塵布表面只有輕微變色。
[0036]本發(fā)明中，步驟(2)和步驟(3)可以同時進行，即可以一邊用砂紙進行打磨，一邊采用KARDV吸塵器進行吸塵。
[0037]本發(fā)明所述靶材5為ITO靶材和Si靶材，對于ITO靶材最好選用>150目的砂紙進行打磨，對于Si靶材最好選用>30目的砂紙進行打磨。
[0038]本實施例中，所述ITO靶材選用>200目的砂紙進行打磨，所述Si靶材選用>60目的砂紙進行打磨。
[0039]綜上所述，本發(fā)明通過采用吸塵器吸塵的方式，避免了粉塵等污染無塵車間的情況，同時在用砂紙打磨時，通過順應(yīng)靶材的跑道的方向，避免了灰塵落入縫隙中，降低了清潔的難度，提高了清潔的質(zhì)量。
[0040]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明的技術(shù)范圍作任何限制，故凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何細微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，其特征在于包括如下步驟: (1)清除大顆粒物:采用吸塵器將濺射成膜過程中沉落到靶材濺射面的大顆粒物吸除干凈，得到A ； (2)砂紙打磨:采用相應(yīng)目數(shù)的砂紙對靶材A的濺射面進行打磨，打磨方向順應(yīng)靶材濺射面形成有的跑道的方向，同時將位于跑道中間表面泛黃的氧化層打磨干凈，去除濺射面的氧化物和雜質(zhì)，得到B ; (3)清潔除塵:采用吸塵器將靶材B的濺射面上由于砂紙打磨而產(chǎn)生的顆粒物和灰塵吸除干凈，得到C ; (4)擦拭清潔:采用無塵布蘸取少量酒精對靶材C的濺射面進行擦拭清潔，除去沒有完全吸除的灰塵； (5)重復(fù)步驟(4)，直至無塵布表面只有輕微變色。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，其特征在于:所述靶材為ITO靶材和Si靶材。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，其特征在于:所述ITO靶材選用>150目的砂紙進行打磨，所述Si靶材選用>30目的砂紙進行打磨。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，其特征在于:所述ITO靶材選用>200目的砂紙進行打磨，所述Si靶材選用>60目的砂紙進行打磨。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，其特征在于:所述吸塵器為KARDV吸塵器。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，其特征在于:所述無塵布的潔凈等級為1000級以下。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種ITO薄膜濺射靶材的清潔方法，包括如下步驟：(1)先采用吸塵器將大顆粒物吸除干凈；(2)采用相應(yīng)目數(shù)的砂紙對靶材濺射面進行打磨，打磨方向順應(yīng)靶材濺射面形成有的跑道的方向，去除濺射面的氧化物和雜質(zhì)；(3)采用吸塵器將靶材的濺射面上由于砂紙打磨而產(chǎn)生的顆粒物和灰塵吸除干凈；(4)采用無塵布蘸取少量酒精對靶材的濺射面進行擦拭清潔，除去沒有完全吸除的灰塵；(5)重復(fù)步驟(4)，直至無塵布表面只有輕微變色。通過采用以上步驟可有效清除濺射靶材表面氧化物、雜質(zhì)和粉塵，進而可減少ITO薄膜生產(chǎn)中靶材表面結(jié)瘤，減少對靶材的清潔次數(shù)，提高生產(chǎn)效率，也提高靶材的利用率，降低生產(chǎn)成本。
【IPC分類】B24B27/033, B08B1/00, C23C14/34, B08B5/04
【公開號】CN105057235
【申請?zhí)枴緾N201510391872
【發(fā)明人】耿國凌, 由龍, 陳帥, 王洪浜, 鄒威
【申請人】山東金鼎電子材料有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年7月6日