卷對(duì)卷聚酰亞胺膜的清洗系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型有關(guān)于一種卷對(duì)卷聚酷亞胺膜的清洗系統(tǒng)，特別是指一種聚酷亞胺膜 經(jīng)過激光加工后，予W清除其膜面雜質(zhì)或污垢，使其更有利于之后的金屬化制程。
【背景技術(shù)】
[0002] 可曉性銅錐積層板（Flexiblecoppercladlaminate,FCCL)廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn) 業(yè)中作為電路基板（PCB)，F(xiàn)C化除了具有輕、薄及可曉的優(yōu)點(diǎn)外，用聚酷亞胺膜還具有電性 能、熱性能及耐熱性優(yōu)良的特點(diǎn)外，其較低的介電常數(shù)值k)性，使得電信號(hào)得到快速的傳 遞，良好的熱性能，可使組件易于降溫，較高的玻璃化溫度（Tg)，可使組件在較高的溫度下 良好運(yùn)行。
[0003] 曉性銅錐基材要分為二大類，一為傳統(tǒng)接著劑型Ξ層軟板基材（3FC化)，另一種為 新型無接著劑二層軟板基材（2FCCL)兩大類，此兩類基材材料，其制造方法不同，其應(yīng)用產(chǎn) 品項(xiàng)目也不同，Ξ層軟板基材一般應(yīng)用于大宗軟板產(chǎn)品上，二層軟板基材具有輕薄短小的 優(yōu)勢(shì)，可應(yīng)用于較高階軟板制造上。就現(xiàn)有二層軟板基材的制造方法而言，可分為涂布型 WastingType)、壓合型化amination)、瓣鍛型及濕式鍛法型四種，其系皆在一介電材料上 形成金屬層，W完成可曉性金屬基板的制作，該等制造方法皆為現(xiàn)有技術(shù)，于此不加寶述。
[0004] 而現(xiàn)有可曉性電路板的制造方式，是先將前述曉性銅錐基板進(jìn)行鉆孔，使基板12 上形成多個(gè)貫孔14,再于貫孔14內(nèi)形成導(dǎo)電介質(zhì)16(如傳統(tǒng)化銅、電鍛銅及傳統(tǒng)導(dǎo)電石墨 等金屬化微孔，W形成導(dǎo)電介質(zhì)16)，最后再將曉性金屬基板12上進(jìn)行電鍛二次銅18,使一 次銅10上方及貫孔14內(nèi)形成二次銅18,而得W使基板12上、下電路導(dǎo)通，此種現(xiàn)有可曉 性電路板的制造上較為繁瑣，且成本較高，且電路板的厚度較大，不利于細(xì)線及高密度的需 求，而貫孔14內(nèi)的傳統(tǒng)導(dǎo)電介層16制作方式（如傳統(tǒng)化銅、電鍛銅及傳統(tǒng)導(dǎo)電石墨等金屬 化微孔），其厚度較大，亦不利于微孔化的需求。 陽0化]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)可曉性電路板及制作的缺點(diǎn)，創(chuàng)作人遂創(chuàng)作出本實(shí)用新型， 其是于聚壓亞胺膜上先進(jìn)行激光加工，W形成預(yù)鉆孔，再進(jìn)行后續(xù)化學(xué)鍛儀及電鍛銅制程， W解決上述現(xiàn)有的缺點(diǎn)，但于激光加工后將在聚酷亞胺膜上殘留有雜質(zhì)/污垢，此時(shí)便不 利于后續(xù)化學(xué)鍛儀及電鍛銅制程，而，如何有效清洗激光加工后的聚酷亞胺膜，是為業(yè)界努 力研究的種要課題。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006] 本實(shí)用新型的目的是提供一種卷對(duì)卷聚酷亞胺膜的清洗系統(tǒng)。
[0007] 為達(dá)成所述目的，本實(shí)用新型的卷對(duì)卷的聚酷亞胺膜清洗系統(tǒng)，其包括有一放卷 裝置，用W將卷筒式聚酷亞胺膜進(jìn)行放卷；一膜面清潔裝置與放卷裝置連接，用W清潔該聚 酷亞胺膜；膜面清潔裝置包括一干式清潔機(jī)和一濕式清潔機(jī)，其可先為一干式處理機(jī)再為 一濕式處理機(jī)，或可先為一濕式處理機(jī)再為一干式處理機(jī)；及一收卷裝置與膜面清潔裝置 連接，用W將清潔的聚酷亞胺膜收起成卷。
[0008] 優(yōu)選實(shí)施例，于該膜面清潔裝置前設(shè)置有一黏塵裝置。
[0009] 優(yōu)選實(shí)施例，該黏塵裝置為黏層輪。
[0010] 優(yōu)選實(shí)施例，該干式清潔機(jī)為電暈、電漿或紫外光照射的高能量處理機(jī)。
[0011] 優(yōu)選實(shí)施例，該濕式清潔機(jī)為化學(xué)清洗裝置。
[0012] 優(yōu)選實(shí)施例，該濕式清潔機(jī)還包括有一超音波震蕩裝置。
[0013] 優(yōu)選實(shí)施例，該膜面清潔裝置后設(shè)有一烘干處理機(jī)。
[0014] 本實(shí)用新型的有益效果：為解決上述現(xiàn)有可曉性電路板及制作的缺點(diǎn)，本實(shí)用新 型通過W上清洗系統(tǒng)，可有效地將激光加工完成預(yù)鉆孔的聚酷亞胺膜清洗完成，W便于后 續(xù)金屬化制成（如化學(xué)鍛儀及電鍛銅）。
【附圖說明】
[0015] 圖1為本實(shí)用新型卷對(duì)卷聚酷亞胺膜的清洗系統(tǒng)的第一實(shí)施例。
[0016] 圖2為本實(shí)用新型卷對(duì)卷聚酷亞胺膜的清洗系統(tǒng)的第二實(shí)施例。
[0017] 圖3為本實(shí)用新型卷對(duì)卷聚酷亞胺膜系統(tǒng)的清洗方法的流程的第一實(shí)施例。
[0018] 圖4為本實(shí)用新型卷對(duì)卷聚酷亞胺膜系統(tǒng)的清洗方法的流程的第二實(shí)施例。
[0019] 圖5為未實(shí)施膜面清洗而直接化鍛。
[0020] 圖6為未實(shí)施膜面清洗而直接化鍛。
[0021] 圖7為實(shí)施膜面清洗后進(jìn)行化鍛。
[0022] 【符號(hào)說明】
[0023] 放卷裝置 30、40
[0024] 黏塵裝置 31、41 陽0巧]干式清潔機(jī) 32、45 陽0%] 濕式清潔機(jī) 33、42
[0027] 超音波震蕩裝置34、43
[0028] 烘干處理機(jī) 35、44
[0029] 收卷裝置 36、46
【具體實(shí)施方式】
[0030] 為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，W下結(jié)合具體實(shí)施例，并 參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0031] 本實(shí)用新型卷對(duì)卷聚酷亞胺膜的清洗系統(tǒng)，其中，該聚酷亞胺膜是已完成激光加 工形成多個(gè)預(yù)鉆孔，在激光加工時(shí)將造成該聚酷亞胺膜表面及孔殘留有雜質(zhì)，而若后續(xù)欲 進(jìn)行金屬化制程（如化學(xué)鍛儀及電鍛銅）時(shí)，該雜質(zhì)若未能有效予W清除，將對(duì)后續(xù)金屬化 制程造成不利的影響，甚而影響到曉性電路板的質(zhì)量。
[0032] 請(qǐng)參閱圖1所示，本實(shí)用新型卷對(duì)卷聚酷亞胺膜清的清洗系統(tǒng)的第一實(shí)施例，其 依序包括有下列裝置。
[0033] 一放卷裝置30,其是用W將卷筒式聚酷亞胺膜進(jìn)行放卷制程。
[0034]一黏塵裝置31，其為一黏層輪，用W黏著膜面的較大的雜質(zhì)。
[0035] 一膜面清潔裝置，其依序?yàn)橐桓墒角鍧崣C(jī)32,再為一濕式清潔機(jī)33,其中，該濕 式清潔機(jī)33還包括有一超音波震蕩裝置34 ;干式清潔機(jī)32可為電暈（Corona)、電漿 (Plasma)及紫外線照射（UVirradiation)等物理性高能量處理機(jī)。
[0036] 烘干處理機(jī)35,其用W烘干該清洗完成的聚酷亞胺膜。及
[0037] 一收卷裝置36,將烘干完的聚酷亞胺膜收起成卷。
[0038] 請(qǐng)參閱圖2所示，本實(shí)用新型卷對(duì)卷聚酷亞胺膜的清洗系統(tǒng)的第二實(shí)施例，其依 序包括有下列裝置。
[0039] 一放卷裝置40,其用W將卷筒式聚酷亞胺膜進(jìn)行放卷制程。
[0040]一黏塵裝置41，其為一黏層輪，用W黏著膜面的較大的雜質(zhì)。
[0041] 一膜面清潔裝置，其是一濕式清潔機(jī)42,其中，該濕式清潔機(jī)42還包括有一超音 波震蕩裝置43。
[0042] 一烘干處理機(jī)44,其用W烘干該清洗完成的聚酷亞胺膜。及
[0043] 一干式清潔機(jī)45,其用W清潔該聚酷亞胺膜，其可為電暈（Corona)、電漿 (Plasma)及紫外線照射（UVirradiation)等物理性高能量處理機(jī)為之。及
[0044] 一收卷裝置46,是將烘干完的聚酷亞胺膜收起成卷。
[0045] 請(qǐng)參閱圖3所示，為本實(shí)用新型卷對(duì)卷聚酷亞胺膜系統(tǒng)的清洗方法的流程的第一 實(shí)施例：步驟S1 :首先，提供一卷筒式聚酷亞胺膜；步驟S2 :將該聚酷亞胺膜進(jìn)行放卷制 程；步驟S3 :將聚酷亞胺膜進(jìn)行一黏塵制程，W黏除較大顆粒的雜質(zhì)；步驟S4 :該聚酷亞胺 膜進(jìn)行一膜面清潔，其中該膜面清潔是先進(jìn)行干式膜面清潔制程；步驟S5 :再將完成干式 膜面清潔的聚酷亞胺膜進(jìn)行濕式膜面清潔制程；步驟S6 :進(jìn)行烘干制程；步驟S7 :W及進(jìn) 行一收卷制程。
[0046] 請(qǐng)參閱圖4所示，為本實(shí)用新型卷對(duì)卷的聚酷亞胺膜系統(tǒng)的清洗方法的流程的第 二示意圖，步驟S11 :首先，提供一卷筒式聚酷亞胺膜；步驟S12 :將該聚酷亞胺膜進(jìn)行放卷 制程；步驟S13 :將聚酷亞胺膜進(jìn)行一黏塵制程，W黏除較大顆粒的雜質(zhì)；步驟S14 :該聚酷 亞胺膜進(jìn)行一膜面清潔，其中該膜面清潔是先進(jìn)行濕式膜面清潔制程；步驟S15 :進(jìn)行烘干 制程；步驟S16 :進(jìn)行干式膜面清潔制程；步驟S17 :W及進(jìn)行一收卷制程。
[0047] 其中，該干式膜面清潔制程可W電暈（Corona)、電漿（Plasma)及紫外線照射 OJVirradiation)等物理性高能量制程為之，此不但可清潔膜面外，亦可具有不同程度的表 面改質(zhì)，W增加其表面的附著力，而電暈方式更可活化膜面的親水性，有利于后續(xù)的濕式膜 面清洗制程。
[0048] 其中，該濕式膜面清潔制程可為化學(xué)藥液清洗，其還包括有一超音波震蕩制程，可 促進(jìn)化學(xué)藥液對(duì)膜面污垢的處理效率。
[0049] 如下表格顯示，經(jīng)電暈處理可提升化儀作業(yè)的質(zhì)量。 陽化0]
[0051] 圖5為未實(shí)施膜面清洗而直接化鍛，而有漏鍛的情形發(fā)生。
[0052] 圖6為未實(shí)施膜面清洗而直接化鍛，而鉆孔邊緣有漏鍛的情形發(fā)生。
[0053] 圖7為實(shí)施膜面清洗后進(jìn)行化鍛，其外觀正常，未有漏鍛的情形。
[0054] W上所述，僅為本實(shí)用新型中的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局 限于此，任何熟悉該技術(shù)的人在本實(shí)用新型所掲露的技術(shù)范圍內(nèi)，可理解想到的變換或替 換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的包含范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種卷對(duì)卷聚酰亞胺膜的清洗系統(tǒng)，其特征在于依序包括有： 一放卷裝置，用以將卷筒式聚酰亞胺膜進(jìn)行放卷； 一膜面清潔裝置與放卷裝置連接，用以清潔該聚酰亞胺膜；膜面清潔裝置包括一干式 清潔機(jī)和一濕式清潔機(jī)，其依序?yàn)橐桓墒角鍧崣C(jī)，再為一濕式清潔機(jī)；或依序?yàn)橐粷袷角鍧?機(jī)，再為一干式清潔機(jī)；及 一收卷裝置與膜面清潔裝置連接，用以將清潔的聚酰亞胺膜收起成卷。2. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，于該膜面清潔裝置前設(shè)置有一黏塵裝置。3. 如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，該黏塵裝置為黏層輪。4. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，該干式清潔機(jī)為電暈、電漿或紫外光照射的 高能量處理機(jī)。5. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，該濕式清潔機(jī)為化學(xué)清洗裝置。6. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，該濕式清潔機(jī)還包括有一超音波震蕩裝置。7. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，該膜面清潔裝置后設(shè)有一烘干處理機(jī)。
【專利摘要】本實(shí)用新型是一種卷對(duì)卷聚酰亞胺膜的清洗系統(tǒng)，該清洗系統(tǒng)依序包括有一放卷裝置，用以將卷筒式聚酰亞胺膜進(jìn)行放卷；一膜面清潔裝置與放卷裝置連接，用以清潔該聚酰亞胺膜；膜面清潔裝置包括一干式清潔機(jī)和一濕式清潔機(jī)，其可先為一干式處理機(jī)，再為一濕式處理機(jī)，或可先為一濕式處理機(jī)，再為一干式處理機(jī)；及一收卷裝置與膜面清潔裝置連接，用以將清潔的聚酰亞胺膜收起成卷。
【IPC分類】B08B3/08, B08B3/12, B08B7/00, B08B13/00, B08B7/04
【公開號(hào)】CN205008319
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520299948
【發(fā)明人】陳宗儀, 濱澤晃久, 陳文欽, 邱建峰, 范士誠(chéng)
【申請(qǐng)人】柏彌蘭金屬化研究股份有限公司, 達(dá)邁科技股份有限公司, 荒川化學(xué)工業(yè)股份有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年5月11日