專利名稱：氧化鋯的濕法噴霧造粒工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氧化鋯的造粒工藝，特別是指一種氧化鋯的濕法噴霧造粒工藝。
背景技術(shù)：
隨著電子工業(yè)的發(fā)展，電子元件不斷地朝著微小化發(fā)展，如被動(dòng)元件、晶片式濾波元件、晶片線圈、鐵氧磁芯電源電感器等，尤其是被動(dòng)元件，由于被動(dòng)元件應(yīng)用的范圍涵蓋資訊、通訊、消費(fèi)電子及其他工業(yè)產(chǎn)品領(lǐng)域，是3C產(chǎn)業(yè)不可缺少的重要組件。隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展與資訊產(chǎn)品的擴(kuò)增，對(duì)這些被動(dòng)電子組件的需求日益迫切。除少發(fā)展數(shù)新技術(shù)外，傳統(tǒng)被動(dòng)元件因其價(jià)格低，且技術(shù)含量不高，可通過(guò)不斷擴(kuò)大生產(chǎn)能力來(lái)實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)規(guī)模，目前其產(chǎn)業(yè)已在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)及需求下進(jìn)入成熟期。由于利潤(rùn)微薄，其生產(chǎn)工藝、產(chǎn)品質(zhì)量以及成本控制成為企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的主要因素。以積層型陶瓷電容器(MLCC)為例，因其具有體積小、相對(duì)電容量大、高頻使用時(shí)損失率低及穩(wěn)定性高等特性，在電子產(chǎn)品的輕薄短小趨勢(shì)下，產(chǎn)品發(fā)展空間相當(dāng)大，產(chǎn)品主要使用于主機(jī)板、筆記本電腦、移動(dòng)電話、掃描器、光碟機(jī)及數(shù)據(jù)機(jī)等，MLCC尺寸大小也朝微小化發(fā)展，從早期的1206(長(zhǎng)12mm，寬6mm)到目前的0402，及往后的0201，一部移動(dòng)電話約需使用200顆MLCC，甚至有些功能強(qiáng)大的新型手機(jī)需使用240顆以上的MLCC，在全球手機(jī)需求猛增的帶動(dòng)下，MLCC已成為最炙手可熱的明星產(chǎn)品。
在電子元件的制造過(guò)程中，電子元件需置入一平面或盆狀的載具上入窯燒結(jié)。該載具為平面耐火基板(如氧化鋁基板、氧化鋯基板等)，尤其是氧化鋯基板為最不容易與被動(dòng)元件產(chǎn)生反應(yīng)的材質(zhì)，故大部分制造MLCC等被動(dòng)通訊元件，均需依賴氧化鋯為防護(hù)體，而且必須不斷地更新載具。另外，由于氧化鋯的比重接近5.8，已有生產(chǎn)方法采用壓碎法或干式磨粉機(jī)來(lái)造粒。該方法存在產(chǎn)生粉塵飛揚(yáng)污染環(huán)境及粒子大小不均等缺陷，且在后續(xù)置入被動(dòng)電子元件燒結(jié)的過(guò)程中，由于載具粒子大小不均，其凸出于基板的高度不同，承載面凹凸起伏過(guò)大，使置其上的被動(dòng)電子元件容易傾斜，而電子元件本身的未干膠質(zhì)或電極即有可能會(huì)粘附于基板承載面上(傾斜度越大污染越嚴(yán)重)，其結(jié)果會(huì)造成電子元件電極的損害，尤其是當(dāng)電子元件微小化后，表面粘接技術(shù)越高，對(duì)元件污染越嚴(yán)重，造成產(chǎn)品質(zhì)量下降。以上即為現(xiàn)有技術(shù)存在的最大缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種氧化鋯濕法噴霧造粒工藝，將顆粒狀的氧化鋯原料，經(jīng)研磨、加入溶劑攪拌、噴霧干燥造粒及冷卻工序，制成大小均勻的氧化鋯粒子，制作過(guò)程中不會(huì)造成空氣污染。
本發(fā)明提供的氧化鋯濕法噴霧造粒工藝，包括以下步驟(1)研磨將原為大顆粒狀的氧化鋯原料，置入球磨機(jī)內(nèi)，同時(shí)加入適量溶劑、水，研磨成較微小顆粒狀；(2)攪拌加入適量溶劑，攪拌成漿狀氧化鋯；(3)噴霧造粒漿狀氧化鋯用高壓加壓，送入造粒噴嘴，噴出到高溫干燥塔中，利用塔內(nèi)高速熱流的熱空氣，將造粒噴嘴噴出的漿狀氧化鋯瞬間干燥成大小均勻的氧化鋯粒子；(4)冷卻成品將大小均勻的氧化鋯粒子利用重力原理收集，冷卻即成顆粒成品。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是該造粒工藝所制成的氧化鋯粒子大小均勻，造粒過(guò)程中不會(huì)造成空氣污染；由于所制氧化鋯粒子大小均勻，在使用于電子元件載具時(shí)，由于承載面顆粒高低起伏較為平均，不致造成電子元件的傾斜，且承載面具有流動(dòng)通風(fēng)效果，能達(dá)到燒結(jié)的氣氛環(huán)境及較平均的燒結(jié)溫度，故能降低殘次品率，提供質(zhì)量穩(wěn)定且生產(chǎn)量大的氧化鋯粒子。


圖1為本發(fā)明氧化鋯濕法噴霧造粒工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，該圖所示為本發(fā)明氧化鋯濕法噴霧造粒工藝的實(shí)施方式，其步驟包括有(1)研磨將原為大顆粒狀的氧化鋯原料，置入球磨機(jī)內(nèi)并加入適量溶劑、水，研磨成較微小顆粒狀；(2)攪拌加入適量溶劑，如懸浮劑，以強(qiáng)力攪拌裝置攪拌成漿狀氧化鋯；(3)噴霧造粒漿狀氧化鋯用高壓裝置加壓，送入造粒噴嘴，噴出到高溫(約200-300℃)干燥塔中，利用塔內(nèi)高速熱流的熱空氣，造粒噴嘴噴出的漿狀氧化鋯瞬間干燥成大小均勻的氧化鋯粒子；(4)將大小均勻的氧化鋯粒子利用重力原理收集，冷卻即成顆粒成品。
權(quán)利要求
1.一種氧化鋯濕法噴霧造粒工藝，其特征在于包括以下步驟(1)研磨將原為大顆粒狀的氧化鋯原料，置入球磨機(jī)內(nèi)，同時(shí)加入適量溶劑、水，研磨成較微小顆粒狀；(2)攪拌加入適量溶劑，攪拌成漿狀氧化鋯；(3)噴霧造粒漿狀氧化鋯用高壓加壓，送入造粒噴嘴，噴出到高溫干燥塔中，利用塔內(nèi)高速熱流的熱空氣，將造粒噴嘴噴出的漿狀氧化鋯瞬間干燥成大小均勻的氧化鋯粒子；(4)冷卻成品將大小均勻的氧化鋯粒子利用重力原理收集，冷卻即成顆粒成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯濕法造粒工藝，其特征在于噴霧造粒工序中，漿狀氧化鋯用高壓裝置加壓，送入造粒噴嘴，噴出到高溫干燥塔中，高溫干燥塔中的溫度約為200-300℃，利用塔內(nèi)高速熱流的熱空氣，造粒噴嘴噴出的漿狀氧化鋯瞬間干燥成大小均勻的氧化鋯粒子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯濕法造粒工藝，其特征在于攪拌工序中，加入的溶劑可以是懸浮劑。
全文摘要
一種氧化鋯濕法造粒工藝，包括以下步驟研磨、攪拌、噴霧造粒、冷卻成品。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是制出的氧化鋯粒子大小均勻，制作過(guò)程中不會(huì)造成空氣污染；在使用于電子元件載具時(shí)，由于承載面顆粒高低起伏較為平均，不致造成電子元件的傾斜，且承載面具有流動(dòng)通風(fēng)效果，能夠達(dá)到燒結(jié)的氣氛環(huán)境及較平均的燒結(jié)溫度，故能降低殘次品率，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。
文檔編號(hào)B01J2/04GK1413764SQ0113673
公開(kāi)日2003年4月30日 申請(qǐng)日期2001年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月23日
發(fā)明者莊育豐 申請(qǐng)人:莊育豐