專利名稱：廢氣控制催化劑及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于凈化包含于從燃燒發(fā)動(dòng)機(jī)例如內(nèi)燃機(jī)釋放的廢氣中組分的廢氣控制催化劑。
相關(guān)技術(shù)的描述從內(nèi)燃機(jī)例如汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)中釋放的廢氣包含氧化氮(NOx)、一氧化碳(CO)、烴(HC)等等。通常，通過(guò)氧化CO及HC并還原NOx的廢氣控制催化劑除去這些組分之后，所述廢氣釋放進(jìn)入大氣中。作為一種廢氣控制催化劑，NOx存儲(chǔ)還原催化劑是熟知的，其中貴金屬及一種NOx存儲(chǔ)材料負(fù)載于由多孔金屬氧化物例如γ-氧化鋁形成的載體上。所述貴金屬的例子是鉑(Pt)、銠(Rh)及鈀(Pd)。所述NOx存儲(chǔ)材料的例子是鋰、鉀及鋇。
當(dāng)使用所述NOx存儲(chǔ)還原催化劑時(shí)，通常，循環(huán)包含過(guò)度量氧的廢氣(即貧廢氣)，然后所述NOx存儲(chǔ)材料存儲(chǔ)NOx，通過(guò)所述貴金屬的催化作用氧化CO及HC。然后，間歇地進(jìn)行控制從而使廢氣含有過(guò)量的燃料(即實(shí)施富進(jìn)氣道錐體操縱)，由此存儲(chǔ)在NOx存儲(chǔ)材料中的所述NOx被還原。
已經(jīng)提出各種各樣的關(guān)于在基材中布置催化組分比如貴金屬及NOx存儲(chǔ)材料的方法。例如，日本專利申請(qǐng)JP(A)2003-245560公開(kāi)了一種方法，其中貴金屬例如鉑及NOx存儲(chǔ)材料，例如鉀及鋇負(fù)載于涂敷在微泡壁中及在微泡壁表面上形成的氣孔表面上的催化載體上。對(duì)于該催化載體結(jié)構(gòu)，有可能得到一種廢氣控制催化劑，可以實(shí)現(xiàn)所述廢氣小的壓力損失、具有高廢氣凈化能力及高耐用性。
日本專利申請(qǐng)JP(A)2002-95968、日本專利申請(qǐng)JP(A)2003-260353的每一個(gè)公開(kāi)了一種方法，其中當(dāng)使用由堿金屬制成的NOx存儲(chǔ)材料時(shí)，由不能容易地與堿金屬反應(yīng)的氧化物制成的膜，或者由氧化鋁制成的膜，插入在負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料的催化劑載體層及基材之間。依據(jù)這種方法，有可能阻止在使用催化劑時(shí)，堿金屬移動(dòng)到所述基材，由于所述堿金屬與包含于所述基材的二氧化硅組份例如堇青石反應(yīng)，因此導(dǎo)致基材劣化。
日本專利申請(qǐng)JP(A)2003-220342公開(kāi)了一種壁流類型的廢氣控制過(guò)濾器，其中催化組份負(fù)載于在微泡間壁物中形成的氣孔中。
用于上文提到的NOx存儲(chǔ)材料即NOx存儲(chǔ)元件比如堿金屬、堿土金屬，及具有相對(duì)低熔融點(diǎn)，有時(shí)具有高溶解度的化合物比如亞硝酸鹽與碳酸鹽。因此，甚至在催化劑使用的相對(duì)初期，所述NOx存儲(chǔ)材料往往移到所述基材的氣孔等。
在日本專利申請(qǐng)JP(A)2002-95968與日本專利申請(qǐng)JP(A)2003-260353中，關(guān)注的問(wèn)題是從長(zhǎng)遠(yuǎn)的觀點(diǎn)來(lái)看，所述堿金屬的移動(dòng)等引起所述基材的劣化，而且解決該問(wèn)題。然而，所述堿金屬的移動(dòng)等引起所述催化劑載體層中，特別在接近所述催化劑載體層表面主要接觸廢氣流的區(qū)域中，所述NOx存儲(chǔ)材料濃度的降低。如果所述NOx存儲(chǔ)材料接近貴金屬排列，則可充分實(shí)現(xiàn)所述NOx存儲(chǔ)材料的活性。因此，已經(jīng)從催化劑載體層移動(dòng)到基材的所述NOx催化劑的活性不能充分實(shí)現(xiàn)。
為了解決該問(wèn)題，考慮到所述NOx存儲(chǔ)材料的移動(dòng)，高濃度的NOx存儲(chǔ)材料可以預(yù)先負(fù)載于催化劑載體層。然而，過(guò)高濃度的NOx存儲(chǔ)材料可能降低，與所述NOx存儲(chǔ)材料一起負(fù)載于所述催化劑載體層的貴金屬例如鉑的活性。因此，需要一種NOx存儲(chǔ)還原催化劑，其在所述催化劑載體層中使NOx存儲(chǔ)還原材料的濃度保持在適當(dāng)?shù)闹怠?

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種可以解決上述提到問(wèn)題的廢氣控制催化劑。所述廢氣控制催化劑包括基材；催化劑載體層(上層)，其在所述基材的表面形成，負(fù)載貴金屬與NOx存儲(chǔ)材料；及下層，其形成于所述基材中并在所述催化劑載體層下面的部分，下層負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料。在所述催化劑載體層與所述下層彼此接觸的部分，由所述下層負(fù)載的所述NOx存儲(chǔ)材料的濃度高于由所述催化劑載體層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度。優(yōu)選，由所述下層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度比由所述催化劑載體層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高10wt％或更多。更優(yōu)選，由所述下層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度比由所述催化劑載體層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高50wt％或更多。進(jìn)一步更優(yōu)選，由所述下層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度比由所述催化劑載體層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高100wt％或更多。
在該說(shuō)明書(shū)中，“NOx存儲(chǔ)材料的濃度”表示每個(gè)下層與所述催化劑載體層的每單位吸水量的NOx存儲(chǔ)材料量。同樣，所述NOx存儲(chǔ)材料是一種選自堿金屬、堿土金屬與稀土元素的元素。優(yōu)選，所述NOx存儲(chǔ)材料是一種選自堿金屬與堿土金屬的元素。進(jìn)一步優(yōu)選，所述NOx存儲(chǔ)材料是選自堿金屬的元素，或者由堿金屬與堿土金屬形成的化合物，例如K、Ca與Ba形成的化合物。所述“下層”是在所述基材中負(fù)載所述NOx存儲(chǔ)材料的部分。所述下層可以是在所述基材中具有預(yù)先確定厚度的部分，或者在所述基材的整個(gè)部分中形成。另外，所述“下層”可以與其他基材部分整體形成，或者獨(dú)立于其他部分形成。
對(duì)于本發(fā)明的廢氣控制催化劑，有可能阻止以下情形的發(fā)生當(dāng)使用催化劑時(shí)，所述催化劑載體層中的NOx存儲(chǔ)材料擴(kuò)散，因此所述催化劑載體層中的NOx存儲(chǔ)材料濃度減少，也就是說(shuō)，在主要接觸廢氣的催化劑載體層中NOx貯藏性降低的情形。
本發(fā)明的一種制造廢氣控制催化劑的方法涉及制造如下廢氣控制催化劑的方法，所述廢氣控制催化劑包括基材；催化劑載體層，其在所述基材的表面形成，負(fù)載貴金屬與NOx存儲(chǔ)材料；及下層，其在所述基材中而且在所述催化劑載體層下面的部分中形成，負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料。所述催化劑載體層在預(yù)先負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料的所述下層表面上形成。
根據(jù)本發(fā)明的制造廢氣控制催化劑的方法，有可能阻止如下情形的發(fā)生，其中當(dāng)使用催化劑時(shí)，催化劑載體層中的NOx存儲(chǔ)材料擴(kuò)散到所述基材中的，因此所述催化劑載體層中的NOx存儲(chǔ)材料濃度降低，也就是說(shuō)，在主要接觸廢氣的催化劑載體層中NOx貯藏性降低的情形。
在該制造方法中，優(yōu)選由所述下層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高于由所述催化劑載體層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度。
應(yīng)理解本發(fā)明使用的“存儲(chǔ)”意思是以吸附、粘著、吸收、收集、吸留及其他形式的至少一種形式保留物質(zhì)(固體、液體、氣體分子)。


結(jié)合所述附圖，通過(guò)閱讀本發(fā)明以下典型實(shí)施方式的詳細(xì)說(shuō)明將更好地理解本發(fā)明的上述提到的實(shí)施方式及其他實(shí)施方式、目的、特征、優(yōu)點(diǎn)、技術(shù)上及工業(yè)的重要性，其中圖1A和1B是表示本發(fā)明廢氣控制催化劑每一個(gè)截面的側(cè)視圖，及表示與所述截面?zhèn)纫晥D中催化劑表面的距離和NOx存儲(chǔ)材料濃度之間的關(guān)系曲線圖；圖2A和2B是表示相關(guān)領(lǐng)域廢氣控制催化劑每一個(gè)截面的側(cè)視圖，及表示與所述截面?zhèn)纫晥D中催化劑表面的距離和NOx存儲(chǔ)材料濃度之間的關(guān)系曲線圖；
圖3是表示本發(fā)明催化劑和相關(guān)領(lǐng)域催化劑每一個(gè)的NOx還原速率的曲線圖。
典型的實(shí)施方式的描述參考圖1描述本發(fā)明的廢氣控制催化劑。注意圖1用于概念上描述本發(fā)明的廢氣控制催化劑，本發(fā)明不局限于圖1所示的廢氣控制催化劑。
圖1A是說(shuō)明在進(jìn)行耐久性試驗(yàn)以前本發(fā)明廢氣控制催化劑的截面?zhèn)纫晥D。圖1B是說(shuō)明在進(jìn)行耐久性試驗(yàn)之后本發(fā)明廢氣控制催化劑的截面?zhèn)纫晥D。在每一個(gè)截面的側(cè)視圖的右側(cè)，具有表示距截面?zhèn)纫晥D中所示所述催化劑表面的距離與NOx存儲(chǔ)材料濃度之間關(guān)系的曲線圖。
如在圖1A與1B中的每一個(gè)截面?zhèn)纫晥D所示，本發(fā)明的NOx存儲(chǔ)還原催化劑包括催化劑載體層與位于所述催化劑載體層之下的基材。所述催化劑載體層負(fù)載貴金屬與NOx存儲(chǔ)材料。負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料的下層位于基材的表面部分中。如圖1A所示，在使用之前或者在進(jìn)行耐久性試驗(yàn)之前的催化劑中，在所述基材表面部分的NOx存儲(chǔ)材料的濃度，也就是說(shuō)在所述下部NOx存儲(chǔ)材料的濃度高于在所述催化劑載體層底部NOx存儲(chǔ)材料的濃度。
如圖1A所示，位于所述催化劑載體層之下的所述下層負(fù)載高濃度的NOx存儲(chǔ)材料。因此，即使由于在高溫使用催化劑導(dǎo)致所述NOx存儲(chǔ)材料移動(dòng)，如圖1B所示，所述NOx存儲(chǔ)材料從所述下層移動(dòng)。因此，可以在所述催化劑載體層保持所述NOx存儲(chǔ)材料的濃度。
作為對(duì)比，顯示于圖2A與2B中的現(xiàn)有技術(shù)的廢氣控制催化劑，在使用該催化劑之前或者在實(shí)施耐久性試驗(yàn)之前，由基材表面部分負(fù)載的的NOx存儲(chǔ)材料的濃度等于在催化劑載體層底部NOx存儲(chǔ)材料的濃度，如圖2A所示。在這種情況下，如果所述催化劑在高溫下使用，因此所述NOx存儲(chǔ)材料移動(dòng)，所述NOx存儲(chǔ)材料從所述催化劑載體層移動(dòng)，如圖2B所示，這樣減少了所述催化劑載體層中所述NOx存儲(chǔ)材料的濃度。
本發(fā)明一種制造廢氣控制催化劑的方法的特征在于催化劑載體層在預(yù)先負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料的下層表面上形成，特別是，用于形成所述催化劑載體層的多孔材料涂層施加到所述下層的表面上，貴金屬與NOx存儲(chǔ)材料由所述涂層部分負(fù)載。與此相反，在現(xiàn)有技術(shù)制造廢氣控制催化劑的方法中，用于形成所述催化劑載體層的多孔材料涂層施加在沒(méi)有負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料的基材上，貴金屬與NOx存儲(chǔ)材料由所述涂層部分負(fù)載。即，本發(fā)明的制造所述廢氣控制催化劑的方法與現(xiàn)有技術(shù)制造廢氣控制催化劑方法的不同之處在于，在形成催化劑載體層以前，NOx存儲(chǔ)材料由所述基材負(fù)載。
當(dāng)在所述相關(guān)領(lǐng)域中制造所述廢氣控制催化劑方法的情況下，在由涂層形成所述催化劑載體層以后，所述NOx存儲(chǔ)材料由所述基材負(fù)載的情況下，由所述基材負(fù)載的、位于所述催化劑載體層以下的NOx存儲(chǔ)材料的濃度等于或者低于由所述催化劑載體層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度。進(jìn)一步，可能有一種情況，其中所述基材基本上沒(méi)有負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料。與此相反，當(dāng)在本發(fā)明的制造廢氣控制催化劑方法的情況下，所述NOx存儲(chǔ)材料由所述基材預(yù)先負(fù)載和形成包含所述NOx存儲(chǔ)材料下層的情況下，由位于所述催化劑載體層以下的所述下層負(fù)載的所述NOx存儲(chǔ)材料的濃度可高于在所述催化劑載體層底部的所述NOx存儲(chǔ)材料的濃度，和/或適量的NOx存儲(chǔ)材料可以由所述下層負(fù)載。
所述用于本發(fā)明的基材可以是通常使用的陶瓷基材例如堇青石蜂巢式基材。
當(dāng)所述基材的主要部分和負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料從而形成下層的其他部分由不同材料組成時(shí)，所述下層可以由如氧化鋁、二氧化鋯、二氧化鈦、氧化釔、二氧化硅及二氧化鈰的材料制成。下層例如用下述方法得到，通過(guò)混合這些材料的粉末和粘結(jié)劑例如溶膠制備淤漿；陶瓷或者金屬蜂巢式材料浸入在所述淤漿中；然后干燥及烘焙所述陶瓷或者金屬蜂巢式材料。在這種情況下，所述下層在大約350℃溫度下烘焙，當(dāng)烘焙催化劑載體層時(shí)通常使用該值。然而，不必要這樣形成用作催化劑層的下層。因此，所述下層可以在更高的溫度下烘焙以致形成為更致密的層。同樣，所述下層可以通過(guò)使用金屬鹽類在所述基材表面上累積氫氧化物，并烘焙所述聚集的氫氧化物得到。所述下層可以根據(jù)PVD方法或者CVD方法得到。所述下層可以是公開(kāi)在日本專利申請(qǐng)JP(A)2002-95968及日本專利申請(qǐng)JP(A)2003-260353中的層。
根據(jù)現(xiàn)有方法可以將所述NOx存儲(chǔ)材料負(fù)載于所述下層。例如，所述NOx存儲(chǔ)材料可以用下述方法負(fù)載于所述下層，將基材浸入鹽溶液例如硝酸鉀溶液，并且干燥及烘焙用所述鹽溶液浸漬的所述基材。同樣，所述下層可以由預(yù)先負(fù)載所述NOx存儲(chǔ)材料的粒子形成。負(fù)載于所述下層的NOx存儲(chǔ)材料的量可以是任意值。優(yōu)選，由所述下層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度比由所述催化劑載體層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高10wt％或更多。更優(yōu)選，由所述下層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度比由所述催化劑載體層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高50wt％或更多。更進(jìn)一步優(yōu)選，由所述下層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度比由所述催化劑載體層負(fù)載的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高100wt％或更多。
同樣，基于所述下層的吸水率和/或所述下層中形成的孔容決定負(fù)載于所述下層NOx存儲(chǔ)材料的量。例如，負(fù)載于所述下層的NOx存儲(chǔ)材料的量以使通過(guò)所述孔充滿所述NOx存儲(chǔ)材料來(lái)決定。在整料載體情況下，吸水率(可吸收水的重量/所述基材的重量)是15％，孔容是0.15-0.25cm3/g。在柴油機(jī)微粒過(guò)濾器情況下，吸水率是55％，孔容是0.75cm3/g。
所述催化劑載體層可以由用于三效尾氣凈化催化劑、NOx存儲(chǔ)還原催化劑等等熟知的材料形成。所述催化劑載體可以由比如氧化鋁、二氧化鋯、二氧化鈦、氧化釔、二氧化硅及二氧化鈰材料制成。所述催化劑載體例如用如下方法得到，通過(guò)混合這些材料的粉末和粘結(jié)劑例如溶膠制備淤漿；基材浸入在所述淤漿中；然后干燥及烘焙所述基材。所述催化劑載體層在大約350℃溫度下烘焙，當(dāng)烘焙催化劑載體層時(shí)通常使用該值。
負(fù)載于所述催化劑載體層的貴金屬例如是鉑(Pt)、銠(Rh)和/或鈀(Pd)。所述貴金屬可以根據(jù)通常使用的方法負(fù)載于所述催化劑載體層。例如，所述貴金屬可以根據(jù)下述方法負(fù)載于所述催化劑載體層，其中所述催化劑載體層用一種貴金屬鹽溶液例如二硝基二氨合鉑溶液和/或一種硝酸銠溶液浸漬；然后干燥及烘焙用所述貴金屬鹽溶液浸漬的所述催化劑載體層。負(fù)載于所述催化劑載體層的貴金屬量可以是廢氣控制催化劑的常用值。優(yōu)選，負(fù)載于所述催化劑載體層的貴金屬量是每一升基底材料1到5克。更優(yōu)選，負(fù)載于所述催化劑載體層的貴金屬量是每一升基底材料1到2克。
根據(jù)熟知的方法所述NOx存儲(chǔ)材料可以負(fù)載于所述催化劑載體層。例如，所述NOx存儲(chǔ)材料可以用下述方法負(fù)載于所述催化劑載體層，其中所述催化劑載體層用鹽溶液例如硝酸鉀溶液浸漬，并且干燥及烘焙用所述鹽溶液浸漬的所述催化劑載體層。負(fù)載于所述催化劑載體層的NOx存儲(chǔ)材料的量可以是任意值。例如，負(fù)載于所述催化劑載體層NOx存儲(chǔ)材料量為每一升基底材料0.01到1.0mol。如果負(fù)載于所述催化劑載體層NOx存儲(chǔ)材料的濃度過(guò)高，則所述貴金屬的催化活性可能降低。另一方面，如果所述NOx存儲(chǔ)材料的濃度過(guò)低，則所述催化劑的NOx貯藏性變得不充足。
以下，描述本發(fā)明的實(shí)施方式。注意本發(fā)明不局限于以下實(shí)施方式。
描述所述實(shí)施方式。用預(yù)先確定量的具有預(yù)定濃度的硝酸鉀溶液浸漬由堇青石(2MgO·2A2O3·5SiO2)制成的蜂巢式材料，然后在250℃溫度下干燥20分鐘。然后，用所述硝酸鉀溶液浸漬的蜂巢式材料在500℃溫度下烘焙30分鐘，因此鉀負(fù)載于所述基材上，由此形成所述下層。負(fù)載于所述基材鉀的量為每一升基底材料0.3mol。然后，用下述方法形成所述催化劑載體層，主要成分是氧化鋁粉的***淤漿浸涂施加到所述基材，在250℃溫度下干燥所述涂層部分，在350℃溫度下烘焙兩小時(shí)。催化劑載體層的量為每一升基底材料為180克。
然后，鉑用下述方法負(fù)載于所述催化劑載體層，具有催化劑載體層的基材浸漬在二硝基二氨合鉑硝酸溶液中，從溶液中取出，在350℃溫度下烘焙兩小時(shí)。負(fù)載于所述催化劑載體層的鉑量是每一升基底材料1克。然后，用一種方法將鉀負(fù)載于所述基材，其中所述基材用預(yù)先確定量的具有預(yù)先確定濃度的硝酸鉀溶液浸漬，在250℃溫度下干燥20分鐘，及在350℃溫度下烘焙兩小時(shí)。負(fù)載于所述基材的鉀量為每一升基底材料0.3mol。這樣得到的催化劑是所述實(shí)施方式中的催化劑。
然后，描述比較例。用與所述實(shí)施方式相同的方法得到比較例的催化劑，不同之處在于在催化劑載體層的涂層施加到蜂巢式基材以前，鉀沒(méi)有負(fù)載于所述基材上。
在650℃溫度下對(duì)于所述實(shí)施方式的催化劑和比較例的催化劑每一個(gè)進(jìn)行50小時(shí)的耐久性試驗(yàn)。當(dāng)進(jìn)行所述耐久性試驗(yàn)時(shí)，富氣和貧氣，每一個(gè)包含表1所示的組分，每5分鐘交替循環(huán)。在所述耐久性試驗(yàn)完成以后，在所述催化劑中循環(huán)貧氣因此所述催化劑存儲(chǔ)NOx，在所述催化劑中循環(huán)富氣20秒，然后在所述催化劑中循環(huán)所述貧氣，由此測(cè)定在60秒期間NOx的還原速率?？账俦３衷?0000/h。測(cè)量結(jié)果顯示于圖3中。
表1

在所述比較例中，其中在溫度為300℃或者更高溫度的區(qū)域NOx還原速率降低。NOx還原速率的減少認(rèn)為是由所述催化劑載體層中NOx存儲(chǔ)材料量的減少所引起。由于所述NOx存儲(chǔ)材料從接近所述催化劑載體層表面的部分移動(dòng)到所述基材一側(cè)，所述NOx存儲(chǔ)材料溶解進(jìn)入所述催化劑載體層材料和所述基材中，因此NOx存儲(chǔ)材料的量減少。與所述比較例相比較，在本發(fā)明實(shí)施方式中，改進(jìn)了溫度為300℃或者更高區(qū)域的所述NOx還原速率。被認(rèn)為是由于在所述催化劑載體層保持相對(duì)穩(wěn)定的NOx存儲(chǔ)材料濃度，因此得到適當(dāng)?shù)腘Ox還原速率。
在溫度為300℃或者更低的區(qū)域中，所述實(shí)施方式和比較例之間的NOx還原速率沒(méi)有區(qū)別。被認(rèn)為是在該區(qū)域中的NOx還原速率不依賴于所述催化劑載體層中的NOx存儲(chǔ)材料濃度，而取決于鉑的活性。即，在該區(qū)域中在耐久性試驗(yàn)以后所述NOx還原速率的減少被認(rèn)為是由鉑的燒結(jié)所引起。
權(quán)利要求
1.一種廢氣控制催化劑，特征在于包括基材；催化劑載體層，其在所述基材表面上形成并負(fù)載貴金屬和NOx存儲(chǔ)材料；和下層，其在所述基材中而且在所述催化劑載體層之下的部分中形成，并負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料，其中負(fù)載于所述下層的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高于負(fù)載于所述催化劑載體層的所述NOx存儲(chǔ)材料的濃度。
2.一種制造廢氣控制催化劑的方法，所述的催化劑包括基材；催化劑載體層，其在所述基材表面上形成并負(fù)載貴金屬和NOx存儲(chǔ)材料；和下層，在所述基材中而且在所述催化劑載體層之下的部分中形成，并負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料，特征在于所述催化劑載體層在預(yù)先負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料的所述下層表面上形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的廢氣控制催化劑的制造方法，其中負(fù)載于所述下層的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高于負(fù)載于所述催化劑載體層NOx存儲(chǔ)材料的濃度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在催化劑載體層中保持NOx存儲(chǔ)材料濃度為適當(dāng)值的催化劑。本發(fā)明提供一種廢氣控制催化劑，包括基材；催化劑載體層，其在所述基材表面上形成并負(fù)載貴金屬和NOx存儲(chǔ)材料；和下層，其在所述基材中而且在所述催化劑載體層之下的部分中形成，并負(fù)載NOx存儲(chǔ)材料。負(fù)載于所述下層的NOx存儲(chǔ)材料的濃度高于負(fù)載于所述催化劑載體層NOx存儲(chǔ)材料的濃度。本發(fā)明同樣提供一種制造所述廢氣控制催化劑的方法。
文檔編號(hào)B01J37/02GK1805791SQ200580000507
公開(kāi)日2006年7月19日 申請(qǐng)日期2005年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月22日
發(fā)明者林孝太郎 申請(qǐng)人:豐田自動(dòng)車(chē)株式會(huì)社