專利名稱：處理氣體的方法
處理氣體的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種處理從工藝腔室排出的氣體的方法和一種用于處 理從工藝腔室排出的氣體的裝置。
在工藝腔室中形成半導(dǎo)體或平板顯示設(shè)備期間，各種不同的氣體可 被提供給工藝腔室。在化學(xué)汽相沉積方法中，提供氣體到裝有基板的工
藝腔室并反應(yīng)以在基材表面上形成薄膜。例如，LPCVD(低壓化學(xué)汽相 沉積)氮化物方法使用二氯硅烷(DCS)和氨以在晶片表面上形成氮化硅。 在蝕刻方法中，可提供氣體(如三氯化硼和氯)到所述腔室以除去不需要 的鋁，和在多晶硅蝕刻方法中，提供溴化氫和氯到所述腔室?？芍芷谛?地提供清洗氣體，如全氟化的化合物CF4、 C2F6、 N&和SF6,和氟(F。 到所述腔室，以把不需要的沉積物從所述腔室中清洗掉。
這些方法中的一些可以導(dǎo)致可冷凝的物質(zhì)的形成。LPCVD方法可 能產(chǎn)生HCl,其可以與過(guò)量氨反應(yīng)以形成氯化鋁，并且，金屬蝕刻方法 可能產(chǎn)生氯化鋁，各個(gè)可以容易地在從所述腔室出口延伸到真空泵的前 極管道(foreline)內(nèi)冷凝，所述真空泵用于泵送從所述腔室排出的氣體， 所述排出物管路從真空泵出發(fā)和/或在真空泵本身內(nèi)。多晶硅蝕刻方法還 可以導(dǎo)致可冷凝的物質(zhì)的形成，特別是四氯化硅。泵內(nèi)顆粒物的冷凝可
導(dǎo)致泵'送性能的損失和最終泵失效。鑒于此:通常的^t法、^以約 40-50slm的流速向排出物管路或真空泵的 一個(gè)或多個(gè)吹掃口 (purge port) 提供惰性吹掃氣體， 一般為氮?dú)?，以將泵?nèi)可冷凝的物質(zhì)的分壓減少到 一個(gè)值，在這個(gè)值上在泵內(nèi)基本上不發(fā)生冷凝。
全氟化(PFC)清洗氣體是溫室氣體，所以鑒于此，在將排出氣體排 放到大氣前，經(jīng)常提供消除設(shè)備(abatement device)來(lái)處理排出氣體，以 便將PFC轉(zhuǎn)化成那些可容易地被從排出氣體中除去的物質(zhì)，例如通過(guò)常 規(guī)的洗刷，和/或可被安全地排出到大氣的物質(zhì)。然而，由于與來(lái)自工藝 腔室的排出氣體的流速(一般約為5slm)相比，加入到排出氣體的吹掃氣 體的流速較高，所述吹掃氣體的加入可顯著降低所述消除設(shè)備的分解效 率(destruction efficiency)。消除技術(shù)可包括將排出氣體與反應(yīng)表面或高 能放電器(discharges)接觸，因此通過(guò)消除設(shè)備的質(zhì)量流速越高，排出氣體與這些表面或者放電器的接觸時(shí)間越短，因此分解效率越低。這對(duì)全氟化的清洗氣體特別重要，如CF4和SFs,所述全氟化的清洗氣體往往較難分解。在笫一方面中，本發(fā)明提供一種處理從工藝腔室排出的氣體的方法，該方法包括以下步驟將排出氣體傳送到真空泵，和將來(lái)自所述泵 的排出氣體傳送到消除設(shè)備，其中在消除設(shè)備的上游將吹掃氣體添加到 排出氣體，添加到排出氣體的吹掃氣體的量被控制從而優(yōu)化排出氣體的 消除。吹掃氣體(如氮?dú)饣驓鍤?的供應(yīng)，可根據(jù)排出氣體的組成或提供給 工藝腔室的氣體組成進(jìn)行優(yōu)化。例如，當(dāng)排出氣體的組成是如此以至排 出氣體包含一種或多種可冷凝的物質(zhì)，如氯化銨、氯化鋁和四氯化硅， 當(dāng)設(shè)備加工步驟正在所述腔室內(nèi)進(jìn)行，添加到排出氣體的吹掃氣體的量 可被提高或維持在較高水平上，以將可冷凝的物質(zhì)的分壓減少到一個(gè) 值，在這個(gè)值上可冷凝的物質(zhì)的冷凝基本上被抑制，由此保護(hù)泵。當(dāng)氣 體包含腐蝕物，如HBr或HCl,添加到排出氣體的吹掃氣體的量可被提 高或維持在較高水平上，以將所述腐蝕物從泵中沖洗掉。備選地，或另 外地，當(dāng)排出氣體包含氫氣，或至少預(yù)定量的氫氣，添加到排出氣體的 吹掃氣體的量可被調(diào)節(jié)到抑制泵內(nèi)氫氣朝泵的進(jìn)口反向流動(dòng)的值，由此 保持較高的氫氣泵送效率。當(dāng)排出氣體包含含氟組分，例如F2或全氟化的氣體如CF4、 NF3和 SF6，氣體物流將包含;[艮少或不包含腐蝕物或可冷凝的物質(zhì)，因此添加到 排出氣體的吹掃氣體的量可被降低，或被維持在較低的水平上，以提高 所述氣體的分解效率，由此在位于泵的下游的消除設(shè)備中優(yōu)化氣體的消 除。因此，在第二方面中，本發(fā)明提供處理從工藝腔室排出的氣體的方 法，在不同的時(shí)間向所述工藝腔室提供第一氣體和第二氣體，第二氣體 包括含氟組分，該方法包括以下步驟將排出氣體傳送到真空泵，和將 來(lái)自所述泵的排出氣體傳送到消除設(shè)備，其中在消除設(shè)備的上游將吹掃 氣體添加到排出氣體，添加到排出氣體的吹掃氣體的量具有當(dāng)?shù)?一 氣體 提供給工藝腔室時(shí)的第一值，和當(dāng)?shù)诙怏w提供給工藝腔室時(shí)的第二 值，第二值低于第一值。當(dāng)所述含氟組分不再被提供給所迷腔室或者被 從所述腔室排出時(shí)，例如當(dāng)排出氣體包含一種或多種可冷凝的物質(zhì)時(shí)， 添加到排出氣體的吹掃氣體的量可^皮隨后提高。響應(yīng)于接收到指示排出氣體的組成變化的數(shù)據(jù)，優(yōu)選調(diào)節(jié)添加到排 出氣體的吹掃氣體的量。在優(yōu)選實(shí)施方案中，排出氣體是來(lái)自加工工具 的腔室的排出物，其中加工工具提供了指示排出氣體化學(xué)變化的數(shù)據(jù)。 備選地，所述數(shù)據(jù)可由主計(jì)算機(jī)提供，所述主計(jì)算機(jī)接收來(lái)自加工工具 或來(lái)自位于腔室和泵之間的傳感器的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)可備選地指示提供給腔 室的氣體組成，因?yàn)閺倪@種數(shù)據(jù)可預(yù)知排出氣體的組成，以及因此，會(huì) 存在于排出氣體中的可冷凝的物質(zhì)的量。例如，控制器可接收指示氣體 組成變化的數(shù)據(jù)，所述數(shù)據(jù)是通過(guò)監(jiān)控用于向所述工藝腔室提供氣體的 一種或多種可變流量控制設(shè)備而獲得的。為向工藝腔室提供氣體而打開(kāi) 和關(guān)閉 一種或多種閥可^f皮檢測(cè)，和/或?yàn)榭刂铺峁┙o工藝腔室的氣體的速率而通導(dǎo)(conductance)—種或多種質(zhì)量流量控制器可被檢測(cè)，例如通過(guò) 監(jiān)控提供給這些設(shè)備的信號(hào)?？稍诒玫纳嫌魏?或下游將吹掃氣體添加到排出氣體。如果泵是多級(jí) 泵，在泵級(jí)之間可備選地或另外地將吹掃氣體添加到排出氣體。消除設(shè)備可使用任何適于以要求的效率消除排出氣體的技術(shù)。優(yōu)選 的技術(shù)是等離子體消除技術(shù)，使用微波等離子體設(shè)備或者dc等離子體 炬以消除排出氣體。取決于用于消除排出氣體的消除技術(shù)，添加到^J非出 氣體的吹掃氣體的量被優(yōu)選保持高于預(yù)定水平，例如在5-15slm之間， 以便保持通過(guò)所述消除設(shè)備的氣體流速高于這個(gè)最低水平。例如，如果 消除設(shè)備使用等離子體消除技術(shù)以消除氣體，允許通過(guò)所述消除設(shè)備的 氣體流速低于這個(gè)預(yù)定水平可能影響消除方法。因此，如果在泵的上游 或者在泵級(jí)之間，不足的吹掃氣體被添加到排出氣體，可調(diào)節(jié)在泵的下 游添加到排出氣體的吹掃氣體的量以保持通過(guò)所述消除設(shè)備的氣體流 速高于這個(gè)最低水平。體的吹掃氣體的量。例如，可提供可變流量控制設(shè)備(如閥)以改變吹掃 氣體提供給排出氣體的速率。可提供控制器以隨著所述排出氣體組成變 化控制可變流量控制設(shè)備的通導(dǎo)(conductance)。吹掃氣體提供給排出氣 體的速率可在5-100slm之間變化，例如在10-40slm之間，取決于所述 排出氣體的組成。所述排出氣體可以是來(lái)自其中進(jìn)行化學(xué)汽相沉積方法的工藝腔室 的排出氣體，或是來(lái)自其中在金屬或半導(dǎo)體上進(jìn)行蝕刻方法的腔室的排出氣體。在第三方面中，本發(fā)明提供用于處理從工藝腔室排出的氣體的裝 置，該裝置包括用于接收來(lái)自工藝腔室的排出氣體的真空泵，用于接收 來(lái)自所述泵的排出氣體的消除設(shè)備，用于在消除設(shè)備的上游將吹掃氣體 添加到排出氣體的吹掃氣體供應(yīng)系統(tǒng)和用于調(diào)節(jié)添加到排出氣體的吹 掃氣體的量以優(yōu)化排出氣體的消除的控制系統(tǒng)。在第四方面中，本發(fā)明提供用于處理從工藝腔室排出的氣體的裝 置，在不同的時(shí)間向所述工藝腔室提供第一氣體和第二氣體，第二氣體 包括含氟組分，所述裝置包括用于接收來(lái)自工藝腔室的排出氣體的真空 泵，用于接收來(lái)自所述泵的排出氣體的消除設(shè)備，用于在消除設(shè)備的上 游將吹掃氣體添加到排出氣體的吹掃氣體供應(yīng)系統(tǒng)和用于調(diào)節(jié)添加到 排出氣體的吹掃氣體的量的控制系統(tǒng)，使得添加到排出氣體的吹掃氣體 的量具有當(dāng)?shù)?一 氣體提供給工藝腔室時(shí)的笫一值和當(dāng)笫二氣體提供給 工藝腔室時(shí)的第二值，第二值低于第一值。之亦然。參考附圖，現(xiàn)將描述本發(fā)明的優(yōu)選特征，其中

圖1舉例說(shuō)明用于處理來(lái)自工藝腔室的氣體排出物的裝置的第 一實(shí) 施方案；圖2舉例說(shuō)明用于處理來(lái)自工藝腔室的氣體排出物的裝置的第二實(shí) 施方案；和圖3舉例說(shuō)明用于處理來(lái)自工藝腔室的氣體排出物的裝置的第三實(shí) 施方案。根據(jù)圖1,用于加工，例如，半導(dǎo)體設(shè)備、平板顯示設(shè)備或太陽(yáng)能 電池板設(shè)備的工藝腔室IO接收各種第一工藝氣體用于在所述腔室10中 進(jìn)行所述加工。這些氣體從相應(yīng)的源傳送到所述腔室10，所述的源在圖 中一般性地以12和14表示，盡管可提供許多源。例如，可提供三氯化 硼和氯氣源以在腔室10中進(jìn)行金屬蝕刻方法，可提供氨氣和二氯硅烷 源以在腔室10中進(jìn)行LPCVD方法，和可提供溴化氫和氯氣源以蝕刻多 晶硅。為控制向所述腔室IO提供工藝氣體的速率，加工工具16通過(guò)向 閥18及其他流動(dòng)控制設(shè)備(未示出)提供控制信號(hào)來(lái)控制向所述腔室10 提供工藝氣體。排出氣體通過(guò)泵送系統(tǒng)從腔室10的出口抽出。在加工期間，在腔 室10中，僅僅一部分工藝氣體會(huì)被消耗，所以排出氣體將包含提供給腔室的工藝氣體和在腔室中加工所產(chǎn)生的副產(chǎn)物的混合物。泵送系統(tǒng)可包括二級(jí)泵20, —般地是渦輪分子泵或Roots增壓泵的形式，用于從腔 室中抽取排出氣體。渦輪分子泵可在腔室10中產(chǎn)生至少l(T3mbar的真 空。氣體一般地在約lmbar的壓力下從渦輪分子泵排出，所以泵送系統(tǒng) 還包括初級(jí)泵(primary pump)或前級(jí)泵(backing pump) 22,用于接受來(lái) 自渦輪分子泵20的氣體排出物以及將氣體壓力提高到約大氣壓力的壓 力。如上所述的，LPCVD和金屬蝕刻方法可導(dǎo)致產(chǎn)生作為所述方法的 副產(chǎn)物的可冷凝的物質(zhì)，并且HBr可在水分存在的情況下腐蝕不銹鋼。 為抑制這些物質(zhì)在前級(jí)泵22內(nèi)的冷凝和清掃掉泵體積的任何腐蝕性氣 體，氮?dú)饣驓鍤獯祾邭怏w從其源24被提供到泵22的一個(gè)或多個(gè)吹掃口 26,以便與從腔室IO排出的氣體一起泵送。吹掃氣體可以備選地或另 外地在泵22排空時(shí)被添加到排出氣體，其中吹掃氣體反向流入泵22中。除了工藝氣體，第二清洗氣體定期從其合適的源32被提供到腔室 10。這些清洗氣體優(yōu)選是含氟氣體，如F2或全氟化的化合物，如CF4、 NFs或SF6。全氟化的化合物還可出于其它原因被傳送到腔室10,例如， 用于等離子體蝕刻開(kāi)口 (openings),例如在半導(dǎo)體基板上形成的材料中的 觸點(diǎn)(contacts)、通孑L(vias)和溝槽(trenches)。如圖中所舉例說(shuō)明的，力口工 工具16還通過(guò)向閥或其它可變流量控制設(shè)備34發(fā)出合適的控制信號(hào)來(lái) 控制清洗氣體32的供應(yīng)。已知，未消耗的全氟化的氣體具有較高溫室活性，因此在將來(lái)自泵 22的氣體排出物排放到大氣前，所述氣體被傳送到消除設(shè)備28以將所 述溫室氣體轉(zhuǎn)化成那些可容易地從氣體中除去的物質(zhì)，例如通過(guò)濕式或 干式洗滌器30,和/或可被安全地排放到大氣的物質(zhì)。令人期望的是消除設(shè)備28能以高分解速率效率來(lái)分解溫室氣體。 然而，這種效率可能被添加到排出氣體的吹掃氣體的量所危害，所述吹 掃氣體用于抑制在前級(jí)泵22內(nèi)可冷凝的物質(zhì)的冷凝和用于從前級(jí)泵22 除去腐蝕性氣體。鑒于此，提供控制系統(tǒng)以便調(diào)節(jié)添加到排出氣體的吹 掃氣體的量以優(yōu)化排出氣體的消除。在舉例說(shuō)明的實(shí)施方案中，控制系 統(tǒng)由控制器40提供，所述控制器40接收來(lái)自指示提供給腔室10的氣體組成的加工工具的數(shù)據(jù)，和輸出合適的控制信號(hào)給閥42或其它可變 流量控制設(shè)備以調(diào)節(jié)添加到排出氣體的吹掃氣體的量，在本實(shí)例中，根 據(jù)接收到的數(shù)據(jù)通過(guò)改變吹掃氣體的流速來(lái)實(shí)現(xiàn)的。備選地，數(shù)據(jù)可接 收自局域網(wǎng)的主機(jī)，其中控制器40和加工工具16的控制器構(gòu)成組成部 分，主機(jī)被配置以接收來(lái)自加工工具16的控制器的、有關(guān)提供給加工 工具的氣體組成的信息，并將這種信息提供給控制器40。作為另一備選 方案，可由加工工具16的控制器直接控制閥42。作為其它備選方案， 可從位于工藝腔室10出口和前級(jí)泵22之間的氣體傳感器接收與排出氣 體組成有關(guān)的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)工藝氣體如HBr和Cl2提供給多晶硅蝕刻方法中的腔室時(shí)， 從所述腔室中排出的氣體可能包含SiCU，其可以在前級(jí)泵22中冷凝， 而HBr在水分存在下可能腐蝕所述泵的不銹鋼組件。響應(yīng)于收到指示提 供給腔室的工藝氣體組成的數(shù)據(jù)，控制器40向閥42輸出命令，其使得 吹掃氣體以較高速率例如約40-50slm提供給排出氣體。當(dāng)全氟化的氣體 被提供給腔室時(shí)，出于腔室清洗或者由于工藝氣體，從腔室排出的氣體 可能包含很少或者不包含可冷凝的物質(zhì)。因此，響應(yīng)于收到指示全氟化 的或者其它含氟的氣體被提供給腔室的數(shù)據(jù)，控制器40向閥42輸出命 令，其使得吹掃氣體以較低速率(例如，約5slm)提供給排出氣體，以便 優(yōu)化消除設(shè)備28中那些氣體的消除。在圖2舉例說(shuō)明的實(shí)施方案中，控制器40與加工工具的控制器分 開(kāi)。為獲得指示提供給工藝腔室10的氣體組成變化的數(shù)據(jù)，控制器40 監(jiān)控閥18、 34及其他流動(dòng)控制裝置(用于控制氣體向工藝腔室的供應(yīng)) 的狀態(tài)?？刂破?0可以接收指示閥18、 34是打開(kāi)或是關(guān)閉的信號(hào)和/ 或指示用于調(diào)節(jié)提供給腔室的氣體的速率的質(zhì)量流量控制器的通導(dǎo) (conductance)的信號(hào)。響應(yīng)于這些信號(hào)，控制器40控制添加到排出氣體 的吹掃氣體的速率。消除設(shè)備28可以被配置以接收來(lái)自多個(gè)工藝腔室10的氣體物流排 出物。當(dāng)不使用工藝腔室時(shí)，通常的做法是降低用于排空工藝腔室的泵 20、 22的速度和降低提供給前級(jí)泵22的吹掃氣體的量，從而節(jié)約成本。 這將具有降低通過(guò)消除設(shè)備的總氣體流速的效果。然而，取決于在消除設(shè)備內(nèi)用于消除排出氣體的技術(shù)，可期望的是將通過(guò)消除設(shè)備的氣體流 速保持在最小水平以上，以便將消除設(shè)備的效率保持在高水平。例如，如果消除設(shè)備使用等離子體消除技術(shù)以消除氣體，允許通過(guò)消除設(shè)備的 氣體流速低于某 一最小水平可能影響消除方法。因此，如果一個(gè)或多個(gè)閥42被關(guān)閉或者提供給一個(gè)或多個(gè)前級(jí)泵 22的吹掃氣體的速率被另外降低，可期望的是選擇性地將吹掃氣體添加 到排出氣體。鑒于此，在圖3舉例說(shuō)明的實(shí)施方案中，吹掃氣體供應(yīng)系 統(tǒng)被配置以便在前級(jí)泵22的下游選擇性地將吹掃氣體添加到排出氣體， 這取決于閥42的狀態(tài)。例如，如果一個(gè)或多個(gè)閥42^皮關(guān)閉，可以通過(guò) 控制器40將閥44打開(kāi)，從而將吹掃氣體添加到排出氣體，使得至少最 低量的吹掃氣體，例如，5-15slm,存在于進(jìn)入消除設(shè)備28的排出氣體 中。
權(quán)利要求
1.一種處理從工藝腔室排出的氣體的方法，該方法包括以下步驟將排出氣體傳送到真空泵，和將來(lái)自所述泵的排出氣體傳送到消除裝置，其中在消除裝置的上游將吹掃氣體添加到排出氣體，添加到排出氣體的吹掃氣體的量被控制從而優(yōu)化排出氣體的消除。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中響應(yīng)于提供給工藝腔室的或者從 工藝腔室排出的氣體的組成的變化，調(diào)節(jié)添加到排出氣體的吹掃氣體的 量。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中當(dāng)提供給所述室的或者從所 述室排出的氣體包含含氟組分時(shí)，降低了添加到排出氣體的吹掃氣體的量。
4. 一種處理從工藝腔室排出的氣體的方法，在不同的時(shí)間向所述 工藝腔室提供第一氣體和第二氣體，第二氣體包括含氟組分，該方法包 括以下步驟將排出氣體傳送到真空泵，和將來(lái)自所述泵的排出氣體傳 送到消除裝置，其中在消除裝置的上游將吹掃氣體添加到排出氣體，添 加到排出氣體的吹掃氣體的量具有當(dāng)?shù)?一 氣體提供給工藝腔室時(shí)的第 一值，和當(dāng)笫二氣體提供給工藝腔室時(shí)的第二值，第二值低于第一值。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3或4的方法，其中含氟組分包括F2和全氟化合 物之一。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3-5中任一項(xiàng)的方法，其中當(dāng)所述含氟組分不再 提供給所述室或者從所述室排出時(shí)，隨后提高了添加到排出氣體的吹掃 氣體的量。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3-6中任一項(xiàng)的方法，其中當(dāng)排出氣體包含一種 或多種可冷凝的物質(zhì)時(shí)，隨后提高了添加到排出氣體的吹掃氣體的量。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中響應(yīng)于接收到指示提 供給工藝腔室的或者從工藝腔室排出的氣體的組成變化的數(shù)據(jù)，調(diào)節(jié)添 加到排出氣體的吹掃氣體的量。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中排出氣體從加工工具的工藝腔室 排出，加工工具提供了指示所述組成變化的數(shù)據(jù)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9的方法，其中指示所述組成變化的數(shù)據(jù)是 通過(guò)監(jiān)控用于向所述工藝腔室提供氣體的一種或多種可變流量控制設(shè) 備而獲得的。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中通過(guò)改變吹掃氣體提 供給排出氣體的速率而調(diào)節(jié)添加到排出氣體的吹掃氣體的量。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中添加到排出氣體的吹 掃氣體的量保持高于5-15slm之間的值。
13. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中在泵的上游將吹掃氣 體添加到排出氣體。
14. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中所述的泵是多級(jí)泵， 在泵級(jí)之間將吹掃氣體添加到排出氣體。
15. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中在泵的下游將吹掃氣 體添加到排出氣體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中取決于在泵的上游或者泵級(jí)之間 的添加到排出氣體的吹掃氣體的量，調(diào)節(jié)在泵的下游添加到排出氣體的 吹掃氣體的量。
17. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中消除裝置是等離子體 消除裝置。
18. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中工藝腔室是化學(xué)汽相 沉積室。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1-17中任一項(xiàng)的方法，其中工藝腔室是蝕刻室。
20. —種用于處理從工藝腔室排出的氣體的設(shè)備，所述設(shè)備包括用 于接收來(lái)自工藝腔室的排出氣體的真空泵，用于接收來(lái)自所述泵的排出 氣體的消除裝置，用于在消除裝置的上游將吹掃氣體添加到排出氣體的 吹掃氣體供應(yīng)系統(tǒng)，和用于調(diào)節(jié)添加到排出氣體的吹掃氣體的量以優(yōu)化 排出氣體的消除的控制系統(tǒng)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20的設(shè)備，其中控制系統(tǒng)被配置以響應(yīng)于提供給 工藝腔室的或者從工藝腔室排出的氣體的組成變化調(diào)節(jié)添加到排出氣 體的吹掃氣體的量。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20或21的設(shè)備，其中控制系統(tǒng)被配置以當(dāng)排出 氣體包含含氟組分時(shí)，降低吹掃氣體提供給排出氣體的速率。
23. —種用于處理從工藝腔室排出的氣體的設(shè)備，在不同的時(shí)間向 所述工藝腔室提供第一氣體和笫二氣體，第二氣體包括含氟組分，該設(shè) 備包括用于接收來(lái)自工藝腔皇的排出氣體的真空泵，用于接收來(lái)自所 述泵的排出氣體的消除裝置，用于在消除裝置的上游將吹掃氣體添加到排出氣體的吹掃氣體供應(yīng)系統(tǒng)，和用于調(diào)節(jié)添加到排出氣體的吹掃氣體 的量的控制系統(tǒng)，使得添加到排出氣體的吹掃氣體的量具有當(dāng)?shù)?一 氣體 提供給工藝腔室時(shí)的笫一值，和當(dāng)?shù)诙怏w提供給工藝腔室時(shí)的第二 值，第二值低于第一值。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22或23的設(shè)備，其中控制系統(tǒng)被配置以當(dāng)排出 氣體包含一種或多種可冷凝的物質(zhì)時(shí)，提高吹掃氣體提供給排出氣體的 速率。
25. 根據(jù)權(quán)利要求20-24中任一項(xiàng)的設(shè)備，其中控制系統(tǒng)包括控制 器，所述控制器用于接收指示提供給工藝腔室的或者從工藝腔室排出的 氣體的組成變化的數(shù)據(jù)，以及用于響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)添加到排出氣體 的吹掃氣體的量。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25的設(shè)備，其中該控制系統(tǒng)包括用于改變吹掃氣 體提供給排出氣體的速率的可變流量控制設(shè)備，和其中控制器被配置以 隨著所述組成變化控制可變流量控制設(shè)備。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25或26的設(shè)備，其中控制系統(tǒng)被配置以在10和 40slm之間，取決于所述組成，改變吹掃氣體提供給排出氣體的速率。
28. 根據(jù)權(quán)利要求20-27中任一項(xiàng)的設(shè)備，其中控制系統(tǒng)被配置以 將由消除裝置收到的排出氣體中的吹掃氣體的量保持高于5-15slm之間 的值。
29. 根據(jù)權(quán)利要求20-28中任一項(xiàng)的設(shè)備，其中吹掃氣體供應(yīng)系統(tǒng) 被配置以在泵的上游將吹掃氣體添加到排出氣體。
30. 根據(jù)權(quán)利要求20-29中任一項(xiàng)的設(shè)備，其中所述的泵是多級(jí)泵， 和吹掃氣體供應(yīng)系統(tǒng)被配置以在泵級(jí)之間將吹掃氣體添加到排出氣體。
31. 根據(jù)權(quán)利要求20-30中任一項(xiàng)的設(shè)備，其中吹掃氣體供應(yīng)系統(tǒng) 被配置以在泵的下游將吹掃氣體添加到排出氣體。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31的設(shè)備，其中控制系統(tǒng)被配置以取決于在泵的 上游或者泵內(nèi)添加到排出氣體的吹掃氣體的量，調(diào)節(jié)在泵的下游添加到 排出氣體的吹掃氣體的量。
33. 根據(jù)權(quán)利要求20-32中任一項(xiàng)的設(shè)備，其中消除裝置是等離子 體消除裝置。
全文摘要
在處理從工藝腔室排出的氣體的方法中，排出氣體被傳送到真空泵(20)，氮?dú)獯祾邭怏w被添加到排出氣體以便隨排出氣體泵送。來(lái)自泵的氣體排出物被傳送到消除裝置(28)用于消除排出氣體。響應(yīng)于排出氣體的組成的變化或提供給工藝腔室的氣體組成的變化調(diào)節(jié)添加到排出氣體的吹掃氣體的量以優(yōu)化排出氣體的消除。
文檔編號(hào)B01D53/32GK101297063SQ200680040153
公開(kāi)日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2006年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月27日
發(fā)明者J·R·史密斯, M·雷多郁, S·J·科斯 申請(qǐng)人:愛(ài)德華茲有限公司