專(zhuān)利名稱(chēng)：物質(zhì)改性裝置和空氣調(diào)節(jié)機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及生物體侵襲反應(yīng)降低方法、用于改性物質(zhì)以降低物質(zhì)的生物體侵襲反 應(yīng)的物質(zhì)改性裝置和具有物質(zhì)改性裝置的空氣調(diào)節(jié)機(jī)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，杉花粉癥患者人數(shù)的增加已成為問(wèn)題，關(guān)于杉花粉癥患者的增加，有報(bào)告 杉花粉癥患者人數(shù)的增加與柴油機(jī)裝載車(chē)數(shù)量的增加成正相關(guān)。從柴油機(jī)排出的氣體的微 粒成分被稱(chēng)為柴油機(jī)排氣微粒(DEP :Diesel Exhaust Particulates)。另一方面，在大氣 中的浮游顆粒中直徑為10 P m以下的被稱(chēng)為浮游顆粒狀物質(zhì)(SPM :SuspendedParticulate Matters)。據(jù)報(bào)告，在使用DEP的動(dòng)物實(shí)驗(yàn)中，當(dāng)將杉花粉與DEP —起致敏于小鼠時(shí)，可有意 地增強(qiáng)IgE抗體的產(chǎn)生(例如，參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。這樣，證明了 DEP的佐劑作用，另外，證 明了 SPM也具有佐劑作用。這里，對(duì)佐劑物質(zhì)產(chǎn)生的佐劑效應(yīng)進(jìn)行說(shuō)明。通過(guò)與抗原同時(shí)投與“增強(qiáng)抗體產(chǎn)生的現(xiàn)象”稱(chēng)為“佐劑效應(yīng)”。作為佐劑效應(yīng)的 機(jī)理可認(rèn)為是佐劑物質(zhì)使體內(nèi)的Thl/Th2平衡傾向于Th2優(yōu)勢(shì)。以下說(shuō)明考慮這種佐劑效 應(yīng)的機(jī)構(gòu)。體內(nèi)的防御反應(yīng)大致分為2個(gè)系統(tǒng)，分別擔(dān)任這些反應(yīng)的輔助性T細(xì)胞(Th)有1 型(Thl)和2型(Th2)。Thl和Th2都是從ThO (初始輔助性T細(xì)胞)分化，Thl輔助細(xì)胞 性免疫，Th2輔助液性免疫。對(duì)于哪種刺激，Thl和Th2的哪一種變動(dòng)，因人的體質(zhì)(遺傳的)和成長(zhǎng)的環(huán)境(過(guò) 去曝露的抗原的種類(lèi))而不同。在衛(wèi)生環(huán)境不太好的地域，由于患感染癥的人多，為T(mén)hl優(yōu) 勢(shì)，而在衛(wèi)生環(huán)境好的地域，由于感染的機(jī)會(huì)少，容易為T(mén)h2優(yōu)勢(shì)。由于這樣，在發(fā)達(dá)國(guó)家容 易出現(xiàn)過(guò)敏癥狀，這可能是在都市中花粉癥多的原因之一。使ThO分化為T(mén)hl或分化為T(mén)h2，由在最初的抗原刺激時(shí)的免疫應(yīng)答中哪種細(xì)胞因 子環(huán)境在體內(nèi)構(gòu)筑來(lái)決定。佐劑物質(zhì)在抗原刺激時(shí)，容易形成使Th2容易分化的細(xì)胞因子 環(huán)境，特別是會(huì)促進(jìn)作為T(mén)h2分化必需的細(xì)胞因子的IL-4(白細(xì)胞介素4)的產(chǎn)生。另一方面，開(kāi)發(fā)了能夠除去花粉等塵埃的空氣清潔裝置(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。 利用這種裝置，通過(guò)除去成為過(guò)敏反應(yīng)的原因的花粉等抗原，能夠預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)。另外，關(guān)于顆粒狀物質(zhì)(PM)，已知顆粒越小，毒性越大。例如，在將顆粒狀物質(zhì) (PM)分類(lèi)為粗的顆粒(直徑超過(guò)2. 5 y m)、微細(xì)顆粒(直徑為0. 1 2. 5 y m)、超微細(xì)顆粒 (直徑小于0. lym)的情況下，超微細(xì)顆粒(直徑小于0. lym)是最危險(xiǎn)的(參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。然而，近年來(lái)，納米技術(shù)引人注目，納米顆粒的生產(chǎn)量有可能飛躍增大。另外，在有 意不生產(chǎn)的情況下，上述的DED等的納米顆粒在環(huán)境中也存在。今后，預(yù)想因納米技術(shù)使納 米顆粒的生產(chǎn)增大，這樣可預(yù)想到納米顆粒曝露的可能性高。另一方面，有關(guān)納米顆粒的毒 性有各種報(bào)告。即，不論物質(zhì)種如何，納米顆粒因?yàn)榫哂屑{米尺寸的微細(xì)的結(jié)構(gòu)(納米結(jié) 構(gòu))而具有毒性。作為納米顆粒具有毒性的理由可舉出當(dāng)粒徑小時(shí)，在同質(zhì)量的情況下，表面積更 大(參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。作為表面積的大小和毒性的大小的相關(guān)性可舉出顆粒的表面性狀 與毒性相關(guān)，或者由于粒徑小、表面積大，毒性化學(xué)物質(zhì)吸著在顆粒表面多。另外，小的顆粒 中的化學(xué)物質(zhì)的毒性有可能比大的顆粒的毒性強(qiáng)。當(dāng)顆粒達(dá)到一定以下的大小時(shí)，化學(xué)性 狀可能變化大。另外，因顆粒的尺寸使體內(nèi)的動(dòng)態(tài)不同。例如，有報(bào)告納米顆粒沉積在肺中 的量多，該沉積量與顆粒尺寸有關(guān)(例如，參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)4)。另外，在吸入納米顆粒的情 況下，集聚在肺組織中的量變多，有可能移至淋巴節(jié)的量變多，納米顆粒有可能穿過(guò)肺，對(duì) 全身有影響。另外，生物體對(duì)納米顆粒的反應(yīng)可能與更大顆粒的情況不同。另外，有報(bào)告顆粒狀物質(zhì)(PM)的佐劑效應(yīng)是顆粒尺寸越小、越顯著(例如，參照非 專(zhuān)利文獻(xiàn)5)。在該文獻(xiàn)中表示，納米顆粒會(huì)使抗原相關(guān)性的氣管炎癥或免疫球蛋白的產(chǎn)生 惡化，以及該情況在小的顆粒中顯著。具體地講，將只有OVA(卵白蛋白)，只有納米顆粒， OVA和納米顆粒分別投與小鼠，研究氣管炎癥的狀況或免疫球蛋白的產(chǎn)生等。作為納米顆粒 使用CB(碳黑)，分別使用直徑為14nm的和直徑為56nm的。研究的結(jié)果作為全體的傾向， 在直徑為14nm的納米顆粒的情況下，比直徑為56nm的納米顆粒的情況惡化顯著。關(guān)于免 疫球蛋白的產(chǎn)生，在直徑為14nm的情況下，與投與只是OVA或只是納米顆粒的情況相比，投 與OVA和納米顆粒的情況，總IgE、抗原特異性Igh、抗原特異性IgE的水平顯著高。投與 OVA和納米顆粒情況下的總IgE、抗原特異性Igh、抗原特異性IgE的水平，與投與只是OVA 或只是納米顆粒的情況相比，直徑為14nm情況，比直徑為56nm的情況更顯著增大。非專(zhuān)利文獻(xiàn)1 森田寬、永倉(cāng)俊和、宮地良樹(shù)、同本美孝編“7 > > ￥ — f m — 夕一，，，第1版，株式會(huì)社乂 rM力卟 > 匕二 一社，2001年5月15日，p. 132-133非專(zhuān)利文獻(xiàn)2 Andre Nel、大氣污染相關(guān)性的疾病顆粒的影響(Air Pollution-Related Illness :Effects of Particles)、 Science、2005 年、308 卷、pp 804-806非專(zhuān)利文獻(xiàn)3 Brown DM, Wilson MR, MacNee ff, Stone V, Donaldson K.、與超 微細(xì)聚苯乙烯顆粒的尺寸相關(guān)的炎癥誘發(fā)效應(yīng)表面積的作用和超微細(xì)聚苯乙烯顆粒被 ±曾強(qiáng)的？舌個(gè)生中的氧化應(yīng)力(Size-dependent proinflammatory effects of ultrafine polystyrene particles -.a role for surface area and oxidative stress in the enhanced activity ofultrafines. ) >Toxicol Appl Pharmacol.、2001 年、175 卷、3 號(hào)、pp 191-199非專(zhuān)利文獻(xiàn) 4 :Cassee FR, Muijser H, Duistermaat E, Freijer JJ, Geerse KB, Marijnissen JC, Arts JH.、與肺中的顆粒尺寸相關(guān)的總沉積量決定大鼠中的氯化鎘氣溶 膠的吸入毒性。多通道放射量測(cè)定模型的應(yīng)用(Particle size-dependent total mass deposition in lungs determinesinhalation toxicity of cadmium chloride aerosolsin rats. Application of amultiple path dosimetry model. )、Arch Toxicol.、2002 年、 76 卷、5-6 號(hào)、pp 277-286非專(zhuān)利文獻(xiàn) 5 :Ken_ichiro Inoue, Hirohisa Takano, Rie Yanagisawa, Miho Sakurai, Takamichi Ichinose, Kaori Sadakane and ToshikazuYoshikawa、納米微粒對(duì) 小鼠抗原相關(guān)性的氣管炎癥的影響(Effects ofnano particles on antigen-related airway inflammation in mice)、Respiratory Research、2005 年、6 卷、1 號(hào)、ppl06_117專(zhuān)利文獻(xiàn)1 特開(kāi)2001-349595號(hào)公報(bào)(第2_6頁(yè))

發(fā)明內(nèi)容
但是，由于花粉癥等的過(guò)敏反應(yīng)被佐劑物質(zhì)增強(qiáng)，即使分解花粉等變應(yīng)原，使空氣 中的變應(yīng)原減少，也由于佐劑物質(zhì)的存在，會(huì)使過(guò)敏反應(yīng)增強(qiáng)。由于這樣，通過(guò)不僅減少變 應(yīng)原，而且使空氣中的佐劑物質(zhì)失活，能夠更有效地預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)。但是，還沒(méi)有通過(guò)使空 氣中的佐劑物質(zhì)失活，預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)的方法或裝置的說(shuō)明。另外，如上所述，具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)可引起各種生物體侵襲反應(yīng)，但還沒(méi)有關(guān)于 降低具有這種納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)的方法或所用的裝置的報(bào)告。本發(fā)明的目的在于提供降低具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)的生物體侵 襲反應(yīng)降低方法，用于使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失，以降低具有納米結(jié)構(gòu)的物 質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)的物質(zhì)改性裝置和具有這種物質(zhì)改性裝置的空氣調(diào)節(jié)機(jī)。為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與由等離子 體放電產(chǎn)生并從上述等離子體放電的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種接觸，使上述物質(zhì)的納 米結(jié)構(gòu)消失，由此降低上述物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。采用上述結(jié)構(gòu)，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與由等離子體放電產(chǎn)生并從等離子體放電 的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種接觸，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失，由此能夠 降低該物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。所謂“具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)”為具有納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu) (納米結(jié)構(gòu))的物質(zhì)，除了納米尺寸的微細(xì)物質(zhì)以外，包括在物質(zhì)表面上具有納米尺寸的微 細(xì)結(jié)構(gòu)(納米結(jié)構(gòu))的物質(zhì)。所謂“納米結(jié)構(gòu)”為納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)，包括物質(zhì)表面的形 成凹凸的納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)。所謂“使納米結(jié)構(gòu)消失”是指對(duì)于具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的 納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)，緩和納米結(jié)構(gòu)的凹凸。將上述物質(zhì)作為佐劑物質(zhì)，使佐劑物質(zhì)與由等離子體放電產(chǎn)生并從等離子體放電 的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種接觸，通過(guò)使佐劑物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失而使其失活，由此 能夠降低佐劑物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。在這種情況下，通過(guò)使佐劑物質(zhì)失活，能夠抑制佐劑 效應(yīng)，預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)?？梢允股鲜龅入x子體放電為在線(xiàn)狀或針狀的正極與面狀的負(fù)極之間產(chǎn)生的流光 放電。在這種情況下，利用由流光放電產(chǎn)生的活性種，可以有效地使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的 納米結(jié)構(gòu)消失，可以更有效地降低這種物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與二次活性種接觸，該二次活性種為由上述等離子體放電 產(chǎn)生的具有10eV以上的電子溫度的活性種激發(fā)的二次活性種。這種情況下，通過(guò)使具有納 米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與由上述等離子體放電產(chǎn)生的具有10eV以上的電子溫度的活性種激發(fā)的二 次活性接觸，能夠有效地使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失。由此，能夠更有效地降低這種物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，物質(zhì)改性裝置具有進(jìn)行等離子體放電的等離子體放電單 元，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與由上述等離子體放電單元的等離子體放電產(chǎn)生并從上述等離 子體放電單元的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種接觸，使上述物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失。采用上述的結(jié)構(gòu)，利用具有進(jìn)行等離子體放電的等離子放電單元的物質(zhì)改性裝 置，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與由上述等離子體放電單元的等離子體放電產(chǎn)生并從等離子體 放電單元的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種接觸，由此使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消 失。這樣，通過(guò)使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失，能夠降低這種物質(zhì)的生物體侵襲反 應(yīng)。將上述物質(zhì)作為佐劑物質(zhì)，使佐劑物質(zhì)與由上述物質(zhì)改性裝置的等離子體放電單 元的等離子體放電產(chǎn)生并從等離子體放電單元的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種接觸，可以 使佐劑物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失而使其失活，在這種情況下，使佐劑物質(zhì)失活，由此能夠抑制佐 劑效應(yīng)，預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)。上述等離子體放電單元具有線(xiàn)狀或針狀的正極和面狀的負(fù)極，上述等離子體放電 為在上述正極和上述負(fù)極之間產(chǎn)生的流光放電。在這種情況下，利用流光放電產(chǎn)生的活性 種，能夠有效地使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失，能夠更有效地降低這種物質(zhì)的生 物體侵襲反應(yīng)。使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與二次活性種接觸，該二次活性種為由上述等離子體放電 產(chǎn)生的具有10eV以上的電子溫度的活性種激發(fā)的二次活性種。在這種情況下，通過(guò)使具有 納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與由上述等離子體放電產(chǎn)生的具有10eV以上的電子溫度的活性種激發(fā)的 二次活性種接觸，能夠有效地使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失。由于這樣，能夠更有 效地降低該物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。上述物質(zhì)改性裝置還可以具有除去變應(yīng)原的變應(yīng)原除去單元。在這種情況下，能 夠除去變應(yīng)原。利用物質(zhì)改性裝置，使佐劑物質(zhì)失活、除去變應(yīng)原，由此能夠有效地預(yù)防過(guò) 敏反應(yīng)。上述物質(zhì)改性裝置還可以具有送風(fēng)單元，通過(guò)上述送風(fēng)單元輔助活性種的擴(kuò)散。 在這種情況下，通過(guò)送風(fēng)單元輔助活性種的擴(kuò)散，由此能夠促進(jìn)活性種和物質(zhì)的有效接觸 機(jī)會(huì)。由此，即使在離開(kāi)等離子體放電部的地方也能夠促進(jìn)物質(zhì)改性，例如，能夠?qū)⒃谙掠?配置的過(guò)濾器上等捕捉的物質(zhì)在再飛散之前更可靠地改性。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，空氣調(diào)節(jié)機(jī)可以具有上述物質(zhì)改性裝置。


圖1為表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的物質(zhì)改性裝置的放電裝置的大致構(gòu)成的截面 圖。圖2為實(shí)施例1的實(shí)驗(yàn)裝置的說(shuō)明圖。圖3為表示實(shí)施例1的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖形。圖4為表示實(shí)施例2的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖形。圖5為未處理的柴油機(jī)排氣顆粒(DEP)的掃描電子顯微鏡照片。圖6為經(jīng)過(guò)流光處理的柴油機(jī)排氣顆粒(DEP)的掃描電子顯微鏡照片。
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圖7為放置在對(duì)置電極的放電電極側(cè)的面上進(jìn)行流光放電時(shí)的柴油機(jī)排氣顆粒 (DEP)的掃描電子顯微鏡照片。
具體實(shí)施例方式以下，利用圖1對(duì)使本發(fā)明具體化的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，對(duì) 降低具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)的生物體侵襲反應(yīng)降低方法、用于使具有納米 結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失以降低具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)的物質(zhì)改性裝 置進(jìn)行說(shuō)明。“生物體侵襲反應(yīng)”不只是對(duì)動(dòng)物，也包括對(duì)植物等任一種生物的生物體的生 物體侵襲反應(yīng)。如上所述，具有納米結(jié)構(gòu)(納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu))的物質(zhì)，由于具有納米尺寸的微 細(xì)結(jié)構(gòu)，引起生物體侵襲反應(yīng)。另外，如上所述，引起的生物體侵襲反應(yīng)，在納米結(jié)構(gòu)更微細(xì) 的情況下，更為顯著。在具有這種納米結(jié)構(gòu)(納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu))的物質(zhì)中也包括柴油機(jī)排氣微粒 (DEP)等佐劑物質(zhì)。佐劑物質(zhì)修飾對(duì)抗原的免疫應(yīng)答，增強(qiáng)IgE抗體的產(chǎn)生。因此，花粉癥 等過(guò)敏反應(yīng)也被佐劑物質(zhì)增強(qiáng)。如上所述，佐劑物質(zhì)容易形成在抗原刺激時(shí)容易使Th2分化的細(xì)胞因子環(huán)境，特 別是促進(jìn)作為T(mén)h2分化所必需的細(xì)胞因子的IL-4(白細(xì)胞介素4)的產(chǎn)生。作為IL-4的產(chǎn)生源有用的細(xì)胞是被稱(chēng)為NK1. 1+T細(xì)胞的T細(xì)胞的一種。佐劑物 質(zhì)使該NK1. 1-T細(xì)胞活化，產(chǎn)生IL-4。由佐劑物質(zhì)使NK1. 1+T細(xì)胞活化的機(jī)理現(xiàn)在還不清 楚，但認(rèn)為使活化NK1. 1+T細(xì)胞的佐劑物質(zhì)的部位失活，由此能夠妨礙佐劑物質(zhì)使NK1. 1+T 細(xì)胞活化。(利用等離子體放電使納米結(jié)構(gòu)消失)本發(fā)明的特征在于，利用由等離子體放電產(chǎn)生的活性種，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì) 的納米結(jié)構(gòu)消失，由此降低具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。即，利用等離子體放 電，產(chǎn)生反應(yīng)性高的活性種(高速電子、離子、自由基、其他激發(fā)分子等)，通過(guò)使具有納米 結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與上述活性種通氣接觸，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)(納米 結(jié)構(gòu))消失。另外，使納米結(jié)構(gòu)消失，由此降低由納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)引起的生物體侵襲反 應(yīng)。例如，通過(guò)使佐劑物質(zhì)與上述活性種通氣接觸，使佐劑物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失而使其失 活，由此抑制佐劑效應(yīng)。為了有效地使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失，使從等離子體 放電的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種與具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)接觸。該等離子體放電，為了使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失以降低具有納米結(jié) 構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)(例如，為了使佐劑物質(zhì)失活)，優(yōu)選有效地產(chǎn)生上述活性種。 這種等離子體放電為線(xiàn)狀或針狀的正極與面狀的負(fù)極之間的放電，可以使用在正極的某個(gè) 位置和負(fù)極上的多個(gè)位置之間的放電大致同時(shí)穩(wěn)定地引起的流光放電。另外，為了使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失以降低具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的 生物體侵襲反應(yīng)(例如，為了使佐劑物質(zhì)失活)，優(yōu)選由上述等離子體放電產(chǎn)生的活性種包 括高速電子等具有10eV以上的電子溫度的活性種。利用由等離子體放電產(chǎn)生的高速電子 等具有10eV以上的電子溫度的活性種激發(fā)，再次產(chǎn)生激發(fā)氮分子等二次活性種。為了使納 米結(jié)構(gòu)消失，優(yōu)選主要使用這種二次產(chǎn)生的活性種。即，為了使納米結(jié)構(gòu)消失，優(yōu)選不使高
7速電子等高能量的活性種直接踫撞具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與由高速 電子等高能量的活性種激發(fā)的二次活性種接觸。在等離子體放電部，流光放電直接照射在 具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)上時(shí)，高能量的活性種的濃度高，由于激烈的反應(yīng)，可看見(jiàn)物質(zhì)的形狀 發(fā)生變化，但不能使納米結(jié)構(gòu)消失，而在離開(kāi)放電部的地方，高能量的活性種濃度低，由于 氧化分解反應(yīng)比在放電部更溫和地進(jìn)行，只使納米結(jié)構(gòu)消失。另外，利用流光放電大量產(chǎn)生能量高的高速電子，由此激發(fā)氮分子等能量高的二 次活性種大量產(chǎn)生，在離開(kāi)等離子體放電部一定程度的地方，可得到很好的效果。為了使具 有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與這種二次產(chǎn)生的活性種接觸，使這種二次活性種從等離子體放電的正 極和負(fù)極之間擴(kuò)散，與具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)接觸。以下，對(duì)利用流光放電使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失以降低具有納米結(jié) 構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)的物質(zhì)改性裝置的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。為了利用等離子體放電使納 米結(jié)構(gòu)消失，只要能有效地產(chǎn)生上述活性種就可以，本發(fā)明的等離子體放電，不限于流光放電。(本實(shí)施方式的物質(zhì)改性裝置的構(gòu)成)本實(shí)施方式的物質(zhì)改性裝置具有箱形的殼體本體，在該殼體本體中形成有用于導(dǎo) 入被處理氣體的空氣吸入口和被處理氣體流出的空氣輸出口。另外，在上述殼體本體中設(shè) 置有用于使被處理氣體流通的風(fēng)扇；上述被處理氣體的流通路徑；和作為等離子體放電 單元的放電裝置20。接著，對(duì)上述放電裝置20進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖1為表示本實(shí)施方式的物質(zhì)改性裝置的放電裝置20的大致構(gòu)成的截面圖。該放電裝置20具有用于生成低溫等離子體的放電電極21和對(duì)置電極22。放電 電極21由放電基板21a和與該放電基板21a大致垂直而被固定的多個(gè)放電端21b (正極) 構(gòu)成。放電基板21a在平面直角方向具有通過(guò)空氣的多個(gè)開(kāi)口部。在本實(shí)施方式中，放電 端21b為針狀。放電端21b為線(xiàn)狀也可以，可以使線(xiàn)狀或針狀的放電端21b減薄成平板狀。 與上述放電電極21的放電端21b對(duì)置的對(duì)置電極22(負(fù)極)為板狀(面狀)，在平面直角 方向具有通過(guò)空氣的多個(gè)開(kāi)口部。配置放電電極21，使放電基板2la與對(duì)置電極22大致平 行，放電端21b與對(duì)置電極22大致成直角。另外，放電裝置具有用于向上述放電電極21和對(duì)置電極22施加放電電壓的電源 單元。利用由施加放電電壓在放電電極21與對(duì)置電極22之間產(chǎn)生的流光放電，在放電場(chǎng)中 生成低溫等離子體。利用低溫等離子體，生成高速電子、離子、臭氧、羥基自由基等自由基、 或其他激發(fā)分子(激發(fā)氧分子、激發(fā)氮分子、激發(fā)水分子等)等。接著，對(duì)流光放電的機(jī)理進(jìn)行說(shuō)明。這里，對(duì)流光放電中的電子和帶電粒子(正離 子)的移動(dòng)概念進(jìn)行說(shuō)明。流光放電時(shí)，從放電電極21向?qū)χ秒姌O22產(chǎn)生稱(chēng)為導(dǎo)引的微小電弧。在導(dǎo)引的 前端部分，通過(guò)強(qiáng)的電位梯度將空氣電離成電子和帶電粒子。帶電粒子到達(dá)對(duì)置電極22側(cè) 時(shí)，結(jié)束一次放電。這時(shí)，由電離產(chǎn)生的電子向著放電電極21移動(dòng)，帶電粒子向著對(duì)置電極22移動(dòng) (A)。電離產(chǎn)生的上述帶電粒子的質(zhì)量比上述電子的質(zhì)量相對(duì)地大，由此帶電粒子的移動(dòng)速 度比電子的移動(dòng)速度慢。因此，一次放電時(shí)，帶電荷粒子暫時(shí)殘留在兩電極21、22之間(B)。另外，當(dāng)殘留的帶電粒子完全移動(dòng)至對(duì)置電極22時(shí)，兩電極21、22之間恢復(fù)到原來(lái)的電場(chǎng)， 再開(kāi)始放電(C)。流光放電時(shí)，反復(fù)進(jìn)行這種(A) — (B) — (C)的循環(huán)，通過(guò)該循環(huán)產(chǎn)生的 帶電粒子的間歇移動(dòng)，在流光放電中使電流呈脈沖狀流動(dòng)。(運(yùn)轉(zhuǎn)動(dòng)作)接著，對(duì)該物質(zhì)改性裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。向該物質(zhì)改性裝置通電時(shí)，風(fēng)扇啟動(dòng)，從空氣吸引口吸引空氣(被處理氣體)，并 導(dǎo)入流通路徑。另外，導(dǎo)入流通路徑中的被處理氣體被導(dǎo)入放電裝置20。在放電裝置20的放電電 極21和對(duì)置電極22之間，由流光放電產(chǎn)生低溫等離子體，由上述低溫等離子體產(chǎn)生反應(yīng)性 高的活性種(高速電子、離子、自由基、其他激發(fā)分子等)。另外，還產(chǎn)生由高速電子等高能 量的活性種激發(fā)的二次活性種。這種由流光放電產(chǎn)生的活性種，從放電電極21和對(duì)置電極 22之間向放電裝置20的下游側(cè)擴(kuò)散。特別是，高速電子等高能量的活性種中，二次產(chǎn)生的 活性種從放電電極21和對(duì)置電極22之間向放電裝置20的下游側(cè)擴(kuò)散。另一方面，被處理 氣體通過(guò)該低溫等離子體發(fā)生區(qū)域(放電場(chǎng))，被處理氣體中的具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)在放 電裝置20的下游側(cè)附近，與由流光放電產(chǎn)生并從放電電極21和對(duì)置電極22之間擴(kuò)散的活 性種通氣接觸。特別是，在放電裝置20產(chǎn)生的高速電子等高能量的活性種中，不與這種高 能量的活性種直接踫撞，與二次產(chǎn)生的活性種接觸。這樣，納米結(jié)構(gòu)消失，降低具有納米結(jié) 構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。例如，被處理氣體中的佐劑物質(zhì)，通過(guò)與上述活性種通氣接觸，納米結(jié)構(gòu)消失而使 其失活。這樣，可以抑制佐劑物質(zhì)的佐劑效應(yīng)。在被導(dǎo)入的空氣(被處理氣體)中含有佐 劑物質(zhì)的情況下，該物質(zhì)改性裝置使佐劑物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失而使其失活，降低佐劑物質(zhì) 的生物體侵襲反應(yīng)，由此作為過(guò)敏反應(yīng)預(yù)防裝置發(fā)揮作用。通過(guò)與活性種通氣接觸，后述的圖5 (未處理DEP)所示的納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)如 圖6(流光處理后的DEP(納米結(jié)構(gòu)消失))所示得到緩和。這樣，上述物質(zhì)改性裝置，通過(guò) 使用由流光放電產(chǎn)生的活性種，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)緩和，由此 使納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)消失。由以上處理而被凈化的被處理氣體，從殼體本體的空氣輸出口排出。以上，采用本實(shí)施方式，可以得到以下所示的效果。在上述實(shí)施方式中，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與由等離子體放電產(chǎn)生并從等離子體 放電的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種接觸，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失，由此 降低這種物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。由此能夠降低因具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)引起的 生物體侵襲反應(yīng)。這樣，使用由等離子體放電產(chǎn)生的活性種使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米 結(jié)構(gòu)消失，由此能夠降低具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。在上述實(shí)施方式中，利用由等離子體放電產(chǎn)生的活性種，使佐劑物質(zhì)失活。由此， 通過(guò)使佐劑物質(zhì)失活，能夠預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)。即，通過(guò)使佐劑物質(zhì)與由等離子體放電產(chǎn)生并從 等離子體放電的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種接觸，能夠使佐劑物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失而使 其失活。這樣，能夠抑制佐劑效應(yīng)，預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)。在上述實(shí)施方式中，物質(zhì)改性裝置的放電裝置具有線(xiàn)狀或針狀的正極(放電電極 21的放電端21b)和面狀的負(fù)極(對(duì)置電極22)。為在該正極(放電端21b)和負(fù)極(對(duì)置電極22)之間的放電，利用在正極(放電端21b)的某個(gè)位置和負(fù)極(對(duì)置電極22)上的多 個(gè)位置之間的放電大致同時(shí)穩(wěn)定地引起的流光放電產(chǎn)生的活性種，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì) 的納米結(jié)構(gòu)消失。這樣，利用由流光放電產(chǎn)生的活性種，能夠有效地使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì) 的納米結(jié)構(gòu)消失，能夠更有效地降低這種物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。例如，利用由這種流光放 電產(chǎn)生的活性種，使佐劑物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失而使其失活，能夠抑制佐劑效應(yīng)。這樣，利用 由流光放電產(chǎn)生的活性種，使佐劑物質(zhì)失活，由此能夠預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)。在上述實(shí)施方式中，由等離子體放電產(chǎn)生的活性種包括高速電子等具有10eV以 上的電子溫度的活性種，通過(guò)具有10eV以上的非常高的電子溫度的活性種的作用，能夠有 效地使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失。即，使由等離子體放電產(chǎn)生的具有10eV以上 的電子溫度的活性種激發(fā)的二次活性種，與具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)接觸，能夠有效地使具有 納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失。這樣，能夠更有效地降低這種物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。例 如，通過(guò)這種活性種的作用，更有效地使佐劑物質(zhì)失活，能夠抑制佐劑物質(zhì)的佐劑效應(yīng)。這 樣，能夠有效地預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)。在上述實(shí)施方式中，被導(dǎo)入流通路徑的空氣(非處理氣體)不通過(guò)過(guò)濾器等而被 導(dǎo)入放電裝置20中，空氣中的具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)被導(dǎo)入放電裝置20中。在放電裝置20 附近，使空氣中的具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與活性種通氣接觸。這樣，能夠使空氣中的具有納米 結(jié)構(gòu)的物質(zhì)與活性種通氣接觸，通過(guò)使空氣中的具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失，能 夠降低這種物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。在上述實(shí)施方式中，利用作為送風(fēng)單元的風(fēng)扇輔助活性種的擴(kuò)散，能夠促進(jìn)活性 種和物質(zhì)的有效接觸機(jī)會(huì)。由于這樣，即使在離開(kāi)等離子體放電部的地方，也能夠促進(jìn)物質(zhì) 改性。這樣，能夠更有效地使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失，能夠更有效地降低這種 物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。另外，上述實(shí)施方式可以按照下述變化。在上述實(shí)施方式中，對(duì)用于使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失以降低具有納 米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)的物質(zhì)改性裝置進(jìn)行說(shuō)明。該物質(zhì)改性裝置通過(guò)使佐劑物 質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失而使其失活，抑制佐劑物質(zhì)的佐劑效應(yīng)，預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)，這樣，就作為過(guò) 敏反應(yīng)預(yù)防裝置發(fā)揮作用。作為過(guò)敏反應(yīng)預(yù)防裝置發(fā)揮作用的物質(zhì)改性裝置，可以使佐劑 物質(zhì)失活，同時(shí)除去變應(yīng)原，由此來(lái)預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)。如上所述，過(guò)敏反應(yīng)是由變應(yīng)原引起的， 因此如果使佐劑物質(zhì)失活，同時(shí)除去變應(yīng)原，能夠更有效地預(yù)防過(guò)敏反應(yīng)。以下具體說(shuō)明這種物質(zhì)改性裝置的例子。另外，以下說(shuō)明的物質(zhì)改性裝置的變應(yīng) 原除去單元為一個(gè)例子，不限于此。例如，在上述物質(zhì)改性裝置中還具有離子化部和集塵過(guò)濾器(靜電過(guò)濾器)作為 變應(yīng)原除去單元。離子化部是用于使塵埃帶電，利用配置在離子化部的下游側(cè)的靜電過(guò)濾器捕集這 種塵埃。靜電過(guò)濾器在上游側(cè)的面上，捕集利用離子化部帶電的塵埃。空氣被導(dǎo)入物質(zhì)改性裝置的殼體本體內(nèi)時(shí)，空氣向離子化部流動(dòng)，在離子化部中， 利用在離子化線(xiàn)和它的對(duì)置電極之間的放電，使塵埃帶正電。由該離子化部使變應(yīng)原(螨 蟲(chóng)、花粉等)帶正電。含有這種帶電塵埃的室內(nèi)空氣流入靜電過(guò)濾器。在靜電過(guò)濾器中，捕 集這些帶電的塵埃。即，在靜電過(guò)濾器中捕集變應(yīng)原。
另外，可以將離子化部和靜電過(guò)濾器與上述實(shí)施方式的放電裝置組合配置，同時(shí) 進(jìn)行除去變應(yīng)原和使佐劑物質(zhì)失活。具體地講，將離子化部配置在放電裝置的上游，將靜電 過(guò)濾器配置在放電裝置的對(duì)應(yīng)電極側(cè)。在這種情況下，由流光放電產(chǎn)生的低溫等離子體中 含有的活性種，與室內(nèi)空氣接觸，分解室內(nèi)空氣中的有害物質(zhì)或臭氣物質(zhì)。這時(shí)，佐劑物質(zhì) 被分解。另外，帶正電的變應(yīng)原也在一定程度上被分解。帶正電的變應(yīng)原在靜電過(guò)濾器中 被捕集。還可以使用由流光放電產(chǎn)生的活性種被活化的催化劑，使變應(yīng)原再分解?？梢栽谖镔|(zhì)改性裝置中，在有效地與活性種通氣接觸的地方設(shè)置用于捕捉具有納 米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的結(jié)構(gòu)，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)在一定程度的長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)與在上述實(shí)施方式中 產(chǎn)生的活性種通氣接觸。例如，在離開(kāi)放電裝置的下游側(cè)，設(shè)置能夠捕捉具有納米結(jié)構(gòu)的物 質(zhì)的過(guò)濾器等。另外，在配置在下游的過(guò)濾器上等捕捉具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)，同時(shí)利用送風(fēng) 單元，輔助活性種的擴(kuò)散。這樣，能夠進(jìn)一步促進(jìn)活性種和物質(zhì)的有效接觸機(jī)會(huì)，使在配置 在下游的過(guò)濾器上等被捕捉的物質(zhì)在再飛散前，能夠更可靠地改性。這樣，能夠更有效地使 納米結(jié)構(gòu)消失，更有效地降低具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)。可以構(gòu)成具有上述實(shí)施方式的物質(zhì)改性裝置的空氣調(diào)節(jié)機(jī)。在這種空氣調(diào)節(jié)機(jī) 中，物質(zhì)改性裝置可以具有變應(yīng)原除去單元。另外，在這種空氣調(diào)節(jié)機(jī)中，物質(zhì)改性裝置 可以具有送風(fēng)單元，并在離開(kāi)放電裝置的下游側(cè)設(shè)置能夠捕捉具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的過(guò)濾 器?？諝庹{(diào)節(jié)機(jī)包括空氣清潔機(jī)或加濕器。實(shí)施例以下，利用實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不是限于以下的實(shí)施例。<實(shí)施例1>以下，對(duì)使上述實(shí)施方式具體化的實(shí)施例(利用等離子體放電的佐劑效應(yīng)抑制實(shí) 驗(yàn))和比較例進(jìn)行說(shuō)明。在該佐劑效應(yīng)抑制實(shí)驗(yàn)中，在等離子體放電中，使用上述的流光放
^^ o(實(shí)驗(yàn)裝置)在實(shí)驗(yàn)中，使用圖2所示的實(shí)驗(yàn)裝置30。在該實(shí)驗(yàn)裝置30內(nèi)具有圖1所示的上 述放電裝置20。在上方，設(shè)置放電電極21，使放電基板21a大致為水平，放電端21b朝向下 方。與此相對(duì)，在下方大致水平地設(shè)置對(duì)置電極22。在實(shí)驗(yàn)裝置30的上部設(shè)置有送風(fēng)裝置 31，空氣從該送風(fēng)裝置31被壓入實(shí)驗(yàn)裝置30內(nèi)。進(jìn)入實(shí)驗(yàn)裝置30內(nèi)的空氣，通過(guò)實(shí)驗(yàn)裝 置30內(nèi)的放電裝置20，從實(shí)驗(yàn)裝置30的下側(cè)壓出。使該實(shí)驗(yàn)裝置30在透明的丙烯酸樹(shù)脂 制的腔室內(nèi)運(yùn)轉(zhuǎn)。在該實(shí)驗(yàn)裝置30中，在放電裝置20的下游側(cè)，可以設(shè)置實(shí)驗(yàn)用的皿35。如后所 述，在本實(shí)施例中，設(shè)置放有氫氧化鋁凝膠的干燥粉末的皿35。(佐劑物質(zhì)的流光處理)在該佐劑效應(yīng)抑制實(shí)驗(yàn)中，使用氫氧化鋁凝膠的干燥粉末作為佐劑物質(zhì)。將放有 氫氧化鋁凝膠的干燥粉末的皿35設(shè)置在實(shí)驗(yàn)裝置30中，進(jìn)行16小時(shí)的流光放電。流光放 電在電壓為5. 4kV、電流為5. 5 y A的條件下進(jìn)行。(制敏動(dòng)物的制作)使用5周齡的雌BDFI系小鼠作為免疫動(dòng)物。另外，使用卵白蛋白(OVA)作為變應(yīng)原。
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組1 (5個(gè))是將20 ii g卵白蛋白溶解于1ml的生理鹽水中而得到溶液向空腹內(nèi)給 藥。組2 (6個(gè))是將20 P g卵白蛋白和2mg氫氧化鋁凝膠的干燥粉末溶解于1ml的生理鹽 水中而得到的溶液向空腹內(nèi)(比較例)給藥，組3(5個(gè))是將20 yg卵白蛋白和經(jīng)過(guò)上述 流光處理的2mg氫氧化鋁凝膠的干燥粉末溶解于1ml的生理鹽水中而得到的溶液向空腹內(nèi) 給藥(實(shí)施例)。在各組中，以2周的間隔時(shí)間，進(jìn)行2次上述的給藥。(免疫測(cè)定)另外，在2周后采血，利用ELISA法測(cè)定血清中的總IgE量。在ELISA法中，使用 BD公司制的OptEIA成套儀器。以下，表示方案。(1)將用PBS (磷酸緩沖液pH7. 2)稀釋至5 u g/mL的Capture抗體(抗小鼠IgE 抗體)添加到板上，使其為lOOyL/well，在室溫下靜置1小時(shí)。然后，利用PBS-T(含有 0. 05% Tween-20的磷酸緩沖液pH7. 2)洗凈板3次。(2)將封閉液(blocking buffer)(含有1 % BSA的PBS)添加到板上，使其為 250ii L/well，在室溫下靜置1小時(shí)。然后，用PBS-T洗凈板1次。(3)調(diào)制用PBS 二倍稀釋系列的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)(standard)和稀釋成各種濃度的樣品 (被驗(yàn)物(血清))，分別在孔中添加100 yL，在室溫下靜置1小時(shí)。然后，用PBS-T洗凈板 3次。(4)分別用2 u g/mL的PBS稀釋標(biāo)識(shí)抗體(生物素標(biāo)識(shí)抗小鼠IgE抗體)和過(guò)氧 化物酶標(biāo)識(shí)抗生物素蛋白(Avidin-IIRP)，并添加到板上，使其為100 u L/well，在室溫下 靜置1小時(shí)。然后，用PBS-T洗凈板3次。(5)添加TMB(100iiL/Well)，在室溫下反應(yīng)40分鐘后，添加停止液(2M鹽酸) (lOOil L/well)，終止呈色反應(yīng)。另外，在波長(zhǎng)450nm下測(cè)定吸光度，根據(jù)添加有標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的 孔的測(cè)定值制作標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，基于該標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)定量樣品。表1為血清中的總IgE濃度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。數(shù)據(jù)表示各樣品的總IgE濃度、各組的 平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。圖3為表示各組的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖形。數(shù)據(jù)表示各組的平均值士標(biāo)準(zhǔn)偏差。表 1總IgE(ng/ml) 如表1和圖3所示，用組2 (比較例)的20y g卵白蛋白和2mg氫氧化鋁凝膠的干 燥粉末致敏的小鼠顯示比用組1的只有20 y g卵白蛋白致敏的小鼠高的IgE濃度。相對(duì)于 組2(比較例)的小鼠的IgE濃度，用組3(實(shí)施例)的20 yg卵白蛋白和經(jīng)過(guò)流光處理的 2mg氫氧化鋁凝膠的干燥粉末致敏的小鼠顯示更低的IgE濃度。由此表明，在對(duì)氫氧化鋁凝 膠的干燥粉末進(jìn)行流光處理時(shí)，能夠減少氫氧化鋁凝膠的干燥粉末的佐劑效應(yīng)?！磳?shí)施例2>檢驗(yàn)向柴油機(jī)排氣顆粒(DEP)照射由流光放電產(chǎn)生的流光，能夠降低DEP所具有 的佐劑效應(yīng)。作為實(shí)驗(yàn)裝置，使用與上述實(shí)施例1所示的實(shí)驗(yàn)裝置30相同的裝置。在本實(shí)施例 中，在設(shè)置在放電裝置20的下游側(cè)的皿35中，如后述，放入DEP。(作為佐劑物質(zhì)的DEP的流光處理)在該佐劑效應(yīng)抑制實(shí)驗(yàn)中，使用DEP作為佐劑物質(zhì)。放有DEP的皿35設(shè)置在實(shí)驗(yàn) 裝置30中，進(jìn)行16小時(shí)的流光放電。該流光放電在電壓為5. 4kV、電流為5. 5 y A的條件下 進(jìn)行。(致敏動(dòng)物的制作)使用5周齡的雌BDF1系小鼠(日本々> 7公司制)作為免疫動(dòng)物。使用卵白蛋 白(OVA) ( ^ ^ ^ 才公司制)作為變應(yīng)原。另外，如上所述，使用DEP(從國(guó)立環(huán)境研究 所得到)作為佐劑物質(zhì)。作為給藥組，在以下的3組(4個(gè)/組)中，通過(guò)在麻醉狀態(tài)下腹腔內(nèi)注射，分別 按如下進(jìn)行給藥。組1將20 y g卵白蛋白溶解于1ml生理鹽水中而得到的溶液進(jìn)行給藥。 組2將20 ii g卵白蛋白和2mg未處理的DEP溶解于1ml生理鹽水中而得到的溶液進(jìn)行給藥 (比較例)。組3將20 y g卵白蛋白和2mg經(jīng)過(guò)上述流光處理的DEP溶解于1ml生理鹽水 中而得到的溶液進(jìn)行給藥(實(shí)施例)。作為免疫程序，在各組中，進(jìn)行1周的小鼠預(yù)備飼養(yǎng)后，進(jìn)行上述給藥(初次免 疫)，2周后進(jìn)行第二次上述給藥(免疫)和采血，2周后進(jìn)行第三次上述給藥(免疫)和采 血。另外，在2周后進(jìn)行總采血。(免疫測(cè)定)進(jìn)行上述總采血后，利用ELISA法測(cè)定血清中的總IgE量。利用ELISA法的測(cè)定， 使用BD公司制的OptEIA成套儀器，利用上述實(shí)施例1所示的方案進(jìn)行。表2為血清中的總IgE濃度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。數(shù)據(jù)表示各樣品的總IgE濃度、各組的 平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。圖4為表示各組中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖形。數(shù)據(jù)表示各組的平均值士標(biāo) 準(zhǔn)偏差。表2
總IgE(ng/ml) 如表2和圖4所示，利用組2 (比較例)的卵白蛋白(20 u g)和未處理的DEP (2mg) 致敏時(shí)，顯示比組1的只有卵白蛋白(20iig)致敏的情況高的IgE濃度。相對(duì)于組2 (比較 例)的IgE濃度，在利用組3(實(shí)施例)的卵白蛋白(20iig)和經(jīng)過(guò)流光處理的DEP(2mg) 致敏的情況下，顯示更低的IgE濃度。其是與組1的情況大致相同的水平。這樣，利用流光 處理，顯示降低DEP所具有的佐劑效應(yīng)。(表示納米結(jié)構(gòu)消失的掃描電子顯微鏡照片)如上所述，在進(jìn)行流光處理前后，拍攝柴油機(jī)排氣顆粒(DEP)的掃描電子顯微鏡 照片。表示于圖5(未處理DEP)、圖6(流光處理后的DEP)中。可以看出，在圖5的未處理 DEP中形成能夠觀(guān)察到的DEP表面的凹凸的微細(xì)結(jié)構(gòu)(納米結(jié)構(gòu))，在圖6的流光處理后的 DEP中消失。即，在流光處理后的DEP中，由納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)形成的凹凸被緩和，納米結(jié) 構(gòu)消失?！幢容^例〉將柴油機(jī)排氣顆粒(DEP)直接放置在對(duì)置電極22的放電電極21側(cè)的面上，進(jìn)行 流光放電(15分鐘)，拍攝處理后的掃描電子顯微鏡照片。將該照片表示于圖7中。在這種 情況下，DEP成為破裂的狀態(tài)，相比于處理前，具有微細(xì)的結(jié)構(gòu)。將DEP放置在對(duì)置電極22 的放電電極21側(cè)的面上時(shí)，成為高能量的高速電子直接碰撞該DEP的狀態(tài)。這樣，通過(guò)高 能量的高速電子直接踫撞，DEP破裂，不但納米結(jié)構(gòu)沒(méi)有消失，還成為更微細(xì)的結(jié)構(gòu)。另外，在上述實(shí)施例2中，當(dāng)進(jìn)行流光放電時(shí)，離開(kāi)放電裝置20的下游側(cè)放置DEP， 高能量的高速電子不直接踫撞。在這種情況下，對(duì)DEP的影響為利用高速電子二次產(chǎn)生的 活性種擴(kuò)散與DEP接觸。在這種情況下，如圖6所示，納米結(jié)構(gòu)消失。
權(quán)利要求
一種物質(zhì)改性裝置，用于對(duì)具有納米結(jié)構(gòu)的佐劑物質(zhì)進(jìn)行改性，以降低具有納米結(jié)構(gòu)的佐劑物質(zhì)的生物體侵襲反應(yīng)，其特征在于具有進(jìn)行等離子體放電的等離子體放電單元，使具有納米結(jié)構(gòu)的佐劑物質(zhì)與由所述等離子體放電單元的等離子體放電產(chǎn)生并從所述等離子體放電單元的正極和負(fù)極之間擴(kuò)散的活性種接觸，由此使所述佐劑物質(zhì)的納米尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)形成的凹凸被緩和，使所述佐劑物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失。
2.如權(quán)利要求1所述的物質(zhì)改性裝置，其特征在于 所述等離子體放電單元具有線(xiàn)狀或針狀的正極和面狀的負(fù)極， 所述等離子體放電為在所述正極和所述負(fù)極之間產(chǎn)生的流光放電。
3.如權(quán)利要求1所述的物質(zhì)改性裝置，其特征在于使所述佐劑物質(zhì)與二次活性種接觸，該二次活性種為通過(guò)由所述等離子體放電產(chǎn)生的 具有10eV以上的電子溫度的活性種激發(fā)的二次活性種。
4.如權(quán)利要求1所述的物質(zhì)改性裝置，其特征在于 還具有除去變應(yīng)原的變應(yīng)原除去單元。
5.如權(quán)利要求1所述的物質(zhì)改性裝置，其特征在于還具有送風(fēng)單元，通過(guò)所述送風(fēng)單元輔助活性種的擴(kuò)散。
6.一種空氣調(diào)節(jié)機(jī)，其特征在于具有權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)改性裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及的物質(zhì)改性裝置的放電裝置(20)具有線(xiàn)狀或針狀的正極(放電電極(21)的放電端(21b))和面狀的負(fù)極(對(duì)置電極(22))。在該正極(放電端(21b)和負(fù)極(對(duì)置電極(22))之間放電，通過(guò)與活性種接觸，使具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)消失，該活性種由在正極(放電端(21b))的某個(gè)位置和負(fù)極(對(duì)置電極(22))上的多個(gè)位置之間的放電大致同時(shí)穩(wěn)定地引起的流光放電產(chǎn)生并從正極和負(fù)極之間擴(kuò)散。通過(guò)使納米結(jié)構(gòu)消失，降低由具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)引起的生物體侵襲反應(yīng)。
文檔編號(hào)B01J19/08GK101850234SQ20101018900
公開(kāi)日2010年10月6日 申請(qǐng)日期2006年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月28日
發(fā)明者仲田悟基, 岡本譽(yù)士夫, 小澤智, 新井潤(rùn)一郎, 香川謙吉 申請(qǐng)人:大金工業(yè)株式會(huì)社