本公開一般地涉及熱界面材料和導電層，其可以用作板級屏蔽件(BLS)的蓋或罩。

背景技術：

這個部分提供與本公開相關的但未必是現有技術的背景信息。

電子部件(諸如半導體、集成電路組件、晶體管等)通常具有預先設計的溫度，在這一溫度，電子部件以最優(yōu)狀態(tài)運行。理想條件下，預先設計的溫度接近周圍空氣的溫度。然而，電子部件的工作產生熱。如果不去除熱，則電子部件可能以顯著高于其正?；蚱谕墓ぷ鳒囟鹊臏囟冗\行。這樣過高的溫度會對電子部件的工作特性和所關聯(lián)的設備的運行帶來不利影響。

為避免或至少減少由于生熱帶來的不利的工作特性，應去除熱，例如通過將熱從工作的電子部件傳導到散熱片。隨后可以通過傳統(tǒng)的對流和/或輻射技術使散熱片冷卻。在傳導過程中，熱可通過電子部件與散熱片之間的直接表面接觸和/或電子部件與散熱片隔著中間介質或熱界面材料(TIM)的接觸而從工作中的電子部件傳導到散熱片。熱界面材料可以用來填充傳熱表面之間的間隙，以便與以空氣(相對不良的導熱體)填充的間隙相比提高傳熱效率。

另外，電子設備操作時常見的問題是設備的電子電路內產生電磁輻射。這種輻射可能導致電磁干擾(EMI)或射頻干擾(RFI)，這可能干擾一定距離內的其他電子設備的操作。在沒有充分屏蔽的情況下，EMI/RFI干擾可能引起重要信號的衰減或完全丟失，從而致使電子設備低效或無法操作。

減輕EMI/RFI影響的常見解決方案是借助使用能夠吸收和/或反射和/或重定向EMI能量的屏蔽件。這些屏蔽件典型地用于使EMI/RFI位于其源內，并且用于隔離EMI/RFI源附近的其他設備。

這里所使用的術語“EMI”應當被認為通常包括并指EMI發(fā)射和RFI發(fā)射，并且術語“電磁的”應當被認為通常包括并指來自外部源和內部源的電磁和射頻。因此，(這里所使用的)術語屏蔽廣泛地包括并指諸如通過吸收、反射、阻擋和/或重定向能量或其某一組合等來減輕(或限制)EMI和/或RFI，使得EMI和/或RFI例如對于政府法規(guī)和/或對于電子部件系統(tǒng)的內部功能不再干擾。

技術實現要素：

根據本發(fā)明的一個方面，提出了一種板級屏蔽件BLS，該BLS適合用于提供針對基板上的至少一個部件的電磁干擾EMI屏蔽，所述BLS包括：一個或更多個側壁，該一個或更多個側壁限定開口并且被配置用于以總體上圍繞所述基板上的所述至少一個部件的方式安裝于所述基板；蓋，該蓋被配置為覆蓋由所述一個或更多個側壁限定的所述開口，所述蓋包括：導電層，該導電層具有相反的第一側和第二側；第一熱界面材料，該第一熱界面材料沿著所述導電層的所述第一側并且被配置為延伸通過由所述一個或更多個側壁限定的所述開口；以及第二熱界面材料，該第二熱界面材料沿著所述導電層的所述第二側；其中，當所述一個或更多個側壁以總體上圍繞所述至少一個部件的方式被安裝于所述基板并且所述蓋覆蓋由所述一個或更多個側壁限定的所述開口時：所述第一熱界面材料、所述導電層以及所述第二熱界面材料合作以限定從所述至少一個部件的導熱熱量路徑；并且所述導電層以及所述一個或更多個側壁能夠進行操作用于提供針對所述至少一個部件的EMI屏蔽。

根據本發(fā)明的一個方面，提出了一種組件，該組件包括除熱/散熱結構、具有熱源的印刷電路板以及前述的BLS，其中：所述一個或更多個側壁安裝于所述印刷電路板，同時所述開口在所述熱源上方；所述蓋被定位在所述一個或更多個側壁上使得由所述一個或更多個側壁限定的所述開口被所述蓋覆蓋；所述第一熱界面材料、所述導電層以及所述第二熱界面材料合作以限定從所述熱源到所述除熱/散熱結構的導熱熱量路徑；并且所述BLS能夠進行操作用于提供針對所述熱源的EMI屏蔽。

根據本發(fā)明的一個方面，提出了一種電子裝置，該電子裝置包括前述的組件。

根據本發(fā)明的一個方面，提出了一種方法，該方法包括：將導電層定位在由板級屏蔽件BLS的一個或更多個側壁限定的開口上方，其中：所述一個或更多個側壁以總體上圍繞基板上的熱源的方式被安裝于所述基板；第一熱界面材料沿著所述導電層的第一側并且延伸通過由所述一個或更多個側壁限定的所述開口以與所述熱源相接觸；第二熱界面材料沿著所述導電層的第二側并且與除熱/散熱結構相接觸；所述第一熱界面材料、所述導電層以及所述第二熱界面材料合作以限定從所述熱源到所述除熱/散熱結構的導熱熱量路徑；并且所述導電層以及所述一個或更多個側壁能夠進行操作用于提供針對所述熱源的EMI屏蔽。

附圖說明

本文所述的附圖僅為了說明所選擇的實施方式而不是所有可能的實施方式，并且并不旨在限制本公開內容的范圍。

圖1例示了根據示例性實施方式的包括進行對齊用于定位在由板級屏蔽件(BLS)框架限定的開口之上的蓋在內的BLS，其中，所述蓋包括沿著導電層的相對或背對的第一側和第二側的第一熱界面材料和第二熱界面材料(TIM1和TIM2)；

圖2例示了蓋被定位在由BLS框架限定的開口之上的圖1中所示的BLS；以及

圖3例示了TIM2與均熱器相接觸的圖2中所示的BLS。

具體實施方式

下面將參照附圖詳細描述示例實施方式。

本申請的發(fā)明人已經意識到在維持足夠的屏蔽效能的同時使得熱量從屏蔽了的集成電路(IC)或其它熱源傳遞到另一表面的難度。目前在移動裝置中，IC可以被封裝在板級屏蔽件(BLS)中以減少或消除電磁(EM)干擾。然而，從IC的熱傳遞可以受到通常為鋼的BLS蓋的較差傳導性的限制。

在意識到上述內容之后，本申請的發(fā)明人開發(fā)并在本文中公開了BLS蓋或罩包括沿著導電層(廣義地，導電材料)一側或兩側的熱界面材料(TIM1和/或TIM2)的示例性實施方式。在示例性實施方式中，BLS蓋可以在維持足夠的屏蔽效能和方便返工的同時使得從熱源的熱傳遞得到提高。

導電層可以被配置為，例如可以與鋼制BLS蓋等相比較地，維持屏蔽效能。因此，導電層還可以被稱為屏蔽層。

相同或不同熱界面材料中的一個或更多個可以沿著導電層的相對或背對的第一側和第二側或第一表面和第二表面中的一方或雙方而設置。例如，第一熱界面材料(TIM1)可以沿著導電層的第一側或下側設置，用于與要進行屏蔽的集成電路(IC)或其它部件或裝置(廣義地，熱源)相接觸。第二熱界面材料(TIM2)可以沿著導電層的第二側或上側設置，用于與均熱器(廣義地，除熱/散熱結構或部件)的表面相接觸。第一熱界面材料(TIM1)可以包括與第二熱界面材料(TIM2)相同或不同的熱界面材料。

另外，可以存在沿著導電層的一側或兩側的超過一個的熱界面材料。并且，沿著導電層的一側的多個熱界面材料可以與沿著導電層的另一側的多個熱界面材料相同或不同。

圖1至圖3例示了使本公開的一個或更多個方面具體化的板級屏蔽件(BLS)100的示例性實施方式。如圖1中所示，BLS 100包括蓋104和框架或圍欄108?？蚣?08包括配置用于以總體上圍繞PCB 116上的一個或更多個組件(例如，裝置120，等等)的方式安裝(例如，焊接，等等)于印刷電路板(PCB)116(廣義地，基板)的一個或更多個側壁。在該示例中，框架108包括從側壁112的頂部向內延伸的周邊凸緣124。周邊凸緣24限定開口128。另選地，框架可以是無凸緣的(沒有向內延伸的凸緣)。因此，本文中公開的BLS蓋不應當被限制為與具體配置有BLS框架、圍欄或側壁的任何一個使用。

BLS蓋104包括沿著導電層148的相對或背對的第一側和第二側(下側和上側)或者第一表面和第二表面(下表面和上表面)140、144的第一熱界面材料132和第二熱界面材料136(TIM1和TIM2)。導電層148和開口128被配置(例如，規(guī)定尺寸和形狀，等等)為使得如圖2中所示，開口128將被導電層148覆蓋。導電層148優(yōu)選被配置為與BLS框架108的凸緣124直接接觸，而在凸緣124與導電層148之間不存在可能使得EMI泄露或逸出的任何空隙。導電層148和BLS框架108可以進行操作用于提供針對位于由導電層148和BLS框架108共同限定的內部或屏蔽殼體之內的裝置120的電磁干擾(EMI)屏蔽。

在該示例性實施方式中，第一熱界面材料(TIM1)132延伸通過BLS開口128，以與裝置120(廣義地，熱源或部件)相接觸。如圖3中所示，在導電層148上方，第二熱界面材料(TIM2)136向上延伸，以與均熱器152相接觸。

第一熱界面材料(TIM1)132的尺寸、導電層148的尺寸、第二熱界面材料(TIM2)136的尺寸、BLS框架108的尺寸以及開口128的尺寸取決于特定應用而不同。例如，TIM1和/或TIM2的尺寸可以取決于熱性能要求和/或其它部件的相對尺寸。例如，TIM1厚度可以取決于BLS框架和熱源的相對高度。另外，第一熱界面材料(TIM1)132可以具有小于裝置120的覆蓋范圍、與裝置120的覆蓋范圍的尺寸相同、或者大于裝置120的覆蓋范圍的覆蓋范圍或外周界。第二熱界面材料(TIM2)136可以具有與導電層148的覆蓋范圍大致相同或者比導電層148的覆蓋范圍小的覆蓋范圍或外周界，使得第二熱界面材料(TIM2)136不向外延伸到導電層148或BLS框架108的外部。導電層148可以具有與BLS框架108的覆蓋范圍大致相同或者比BLS框架108的覆蓋范圍小的覆蓋范圍或外周界，使得導電層148不向外延伸到BLS框架108的外部。導電層148優(yōu)選足夠大以覆蓋整個開口128。

BLS蓋104可以被配置為耦接(例如，粘合附接、機械地和/或可拆除地附接，等等)至BLS框架108。例如，導電層148可以例如通過使用導電或介電壓敏粘合劑(PSA)等被附接至BLS框架108的周邊凸緣124。另選地，BLS蓋104可以可拆除地附接(例如，經由閂鎖、微凹、棘爪，等等)至BLS框架108，使得BLS蓋104可以被去除以允許接近PCB 116上的裝置120或者其它部件，例如用于維修、測試、修理、更換電子部件，等等。

如圖1至圖3中所示，BLS蓋104可以被定位在由BLS框架108限定的開口128之上，從而覆蓋開口128。BLS框架108可以被耦接(例如，焊接等等)至PCB 116，使得該BLS框架108總體上圍繞或繞著裝置120來設置。當BLS蓋104被定位在開口128之上時，沿著或限定BLS蓋104的底部的TIM1 132與裝置120接觸(例如，直接接觸，而在TIM1 132與裝置120之間沒有任何中間部件或空隙，等等)。沿著或限定BLS蓋104的頂部的TIM2 136與均熱器152或其它除熱/散熱結構(例如，直接接觸，而在TIM2 136與均熱器152之間沒有任何中間部件或空隙，等等)。因此，第一熱界面材料(TIM1)132、導電層148和第二熱界面材料(TIM2)136合作以限定從裝置120(廣義地，熱源或部件)到均熱器152(廣義地，除熱/散熱結構)的導熱熱量路徑、熱聯(lián)結、界面或路徑，熱量可以沿著該導熱熱量路徑、熱聯(lián)結、界面或路徑從裝置120傳遞或傳導到均熱器152。另外，導電層148和BLS框架108可以進行操作，用于提供針對裝置120的電磁干擾(EMI)屏蔽。

可以配置另選實施方式，使得在TIM1與IC之間和/或TIM2與均熱器之間存在一個或更多個中間部件(例如，其它熱界面材料、其它散熱/除熱結構，等等)。另外，TIM1和/或TIM2還可以有助于提供諸如TIM1和/或TIM2具有導電性的示例性實施方式中的屏蔽。在TIM1將與IC或其它熱源接觸的示例性實施方式中，至少TIM1的底部可以是介電的且不導電，以避免當TIM1與IC接觸時使IC短路或者對PCB的性能造成不利影響。

雖然圖3示出了定位在裝置120與均熱器152之間的BLS蓋104，但是本文中公開的BLS蓋的示例性實施方式還可以利用大范圍的熱源、電子裝置、和/或除熱/散熱結構或部件(例如，均熱器、散熱器、熱管、裝置外殼或殼體等)來使用。例如，熱源可以包括一個或更多個發(fā)熱組件或設備(例如，CPU、底部填充劑內晶片、半導體設備、倒裝芯片裝置、圖形處理單元(GPU)、數字信號處理器(DSP)、多處理器系統(tǒng)、集成電路、多核處理器等)。通常，熱源可包括溫度高于熱界面材料或者以其它方式向熱界面材料提供或傳遞熱的任何部件或裝置，而不管所述熱是由熱源生成的還是僅通過或經由熱源傳遞。因此，本公開的方面不應當被限制為與任何單一類型的熱源、電子裝置、除熱/散熱結構等一起的任何特定用途。

大范圍的熱界面材料可以被用于針對第一熱界面材料(TIM1)和/或第二熱界面材料(TIM2)的示例性實施方式中，諸如熱間隙填料、熱相變材料、導熱EMI吸收劑或混合熱/EMI吸收劑、熱油脂、熱膠、熱油灰、可分配(dispensable)熱界面材料、熱墊，等等。示例性實施方式可以包括來自萊爾德技術有限公司(Laird)的一種或更多種熱界面材料，諸如以下材料中的任何一種或多種：Tputty^TM系列熱空隙填料(例如，Tputty^TM 403、504、506或508可分配熱界面材料等)、TflexTM系列空隙填料(例如，Tflex^TM 300系列熱空隙填料材料、Tflex^TM 600系列熱空隙填料材料、Tflex^TM 700系列熱空隙填料材料，等等)、Tpcm^TM系列熱相變材料(例如，Tpcm^TM 580系列相變材料，等等)、Tpli^TM系列空隙填料(例如，Tpli^TM 200系列間隙填料，等等)、IceKap^TMTM系列熱界面材料、和/或CoolZorb^TM系列導熱微波吸收劑材料(例如，CoolZorb^TM 400系列導熱微波吸收劑材料、CoolZorb^TM 500系列導熱微波吸收劑材料、CoolZorb^TM 600系列導熱微波吸收劑材料，等等)，等等。

在圖1至圖3中所示的示例性實施方式中，第一熱界面材料(TIM1)132可以是沿著導電層148的下表面或底表面140分配的可分配熱界面材料。第二熱界面材料(TIM2)136可以是沿著導電層148的上表面或頂表面144的具有高熱導率的適形(compliant)空隙填料。

通過僅示例的方式，第一熱界面材料(TIM1)132可以包括萊爾德技術有限公司(Laird)的可分配熱界面材料，諸如Tflex^TM CR200、Tputty^TM 403、Tputty^TM 504和/或Tputty^TM 506可分配熱空隙填料中的一種或多種。例如，第一熱界面材料(TIM1)132可以包括兩部分就地固化的填充有陶瓷的基于硅樹脂的熱空隙填料，其在室溫下是可固化的、具有低粘度(例如，在混合之前為260,000cps，等等)和良好熱導率(例如，大約2W/mk，等等)并且是柔軟且適形的(例如，3秒45的硬度(Shore 00)，等等)的。作為另一示例，第一熱界面材料(TIM1)132可以包括柔軟的、適形的且低磨損的并且具有良好熱導率(例如，大約2.3W/mk等)的單部分基于硅樹脂的熱空隙填料。作為又一示例，第一熱界面材料(TIM1)132可以包括作為填充有陶瓷的可分配硅凝膠的、柔軟的且適形的、具有良好熱導率(例如，大約1.8W/mk，等等)的、能夠如同油脂一樣涂覆的、并且可以容易地從諸如絲印、注射器和自動化設備之類的設備進行分配的柔軟的基于硅樹脂的熱空隙填料。作為又一示例，第一熱界面材料(TIM1)132可以包括不需要固化的、具有良好熱導率(例如，大約3.5W/mk，等等)并且柔軟的、適形的、無磨損且可分配的柔軟的單部分硅樹脂油灰熱空隙填料。

第二熱界面材料(TIM2)136還可以包括萊爾德技術有限公司(Laird)的熱界面材料，諸如以下各項中的一種或多種：Tflex^TM 200、Tflex^TM HR200、Tflex^TM 300、Tflex^TM300TG、Tflex^TM HR400、Tflex^TM 500、Tflex^TM 600、Tflex^TM HR600、Tflex^TM SF600、Tflex^TM700、Tflex^TM SF800熱空隙填料。例如，第二熱界面材料(TIM2)136可以包括柔軟的、適形的、獨立式的、和/或自然有粘性用于在組裝和運輸期間的粘合、并且具有良好熱導率(例如，大約1.1W/mk、1.2W/mK、1.6W/mk、2.8W/mK、3W/mK、5W/mK，等等)的(例如，氧化鋁、陶瓷、氮化硼，等等)填充的硅樹脂彈性體空隙填料。作為另一示例，第二熱界面材料(TIM2)136可以包括具有良好熱導率(例如，大約1.2W/mK、1.8W/mk，等等)并且還可以包括硅樹脂襯墊或其它介電阻擋物的填充的硅樹脂彈性體凝膠。作為又一示例，第二熱界面材料(TIM2)136可以包括具有良好熱導率(例如，大約7.8W/mk，等等)和UL94V0的可燃性等級和/或自然粘性的填充有陶瓷的不含硅樹脂的空隙填料。

大范圍的導電材料可以在本文中公開的示例性實施方式中被用于導電層，諸如金屬(例如，鋁、銅，等等)、合金、天然石墨、合成石墨或其它合適材料等等。在圖1至圖3中所示的示例性實施方式中，導電層148可以包括涂敷或鍍有鎳或其它合適的抗腐蝕材料以防止或抑制由于諸如當BLS框架108由鋼制成時鋁與BLS框架108之間的接觸而有可能發(fā)生的電化腐蝕的鋁。

在示例性實施方式中，BLS框架、圍欄或側壁(例如，圖1中的BLS框架108，等等)可以由大范圍的材料制成。例如，可以制備BLS的示例性材料的簡單列表包括冷軋鋼、鎳銀合金、銅鎳合金、不銹鋼、鍍錫冷軋鋼、鍍錫銅合金、碳鋼、黃銅、銅、鋁、銅鈹合金、磷青銅、鋼及其合金，涂覆有導電材料的塑料材料，或者任何其它合適的導電和/或磁性材料。本文中提供本申請中公開的材料僅用于例示的目的，這是因為例如根據具體應用(諸如要屏蔽的部件、整個裝置內的空間考慮、EMI屏蔽和散熱需要以及其他因素等)，可以使用不同的材料。

在示例性實施方式中，多層BLS蓋可以包括內導電層或核心，諸如由一種或多種金屬、金屬合金、石墨等形成的內部核心。導電層可以設置在一種或多種熱界面材料的層的內部或者被夾在中間。熱界面材料中的一個或更多個層可以被施加(例如，涂敷、分配、粘合附接，等等)于在導電屏蔽層的一側或兩側上的或者沿著該一側或兩側的導電層。

在一些示例性實施方式中，可以沿著導電層的一側或兩側設置多個不同的熱界面材料。沿著導電層的下側的多個不同的熱界面材料可以具有不同的厚度以適應將處于BLS的下面的裝置、部件等的不同高度。沿著導電屏蔽層的上側的多個不同的熱界面材料也可以具有不同的厚度以適應均熱器或其它除熱/散熱結構的不同厚度。

通過又一示例的方式，第一和/或第二熱界面材料可以包括彈性體和/或陶瓷顆粒、金屬顆粒、鐵氧體EMI/RFI吸收顆粒、基于橡膠、凝膠或蠟的金屬或玻璃纖維網等。第一和/或第二熱界面材料可以包括順從的或適形的硅樹脂襯墊、非基于硅樹脂的材料(例如，非基于硅樹脂的空隙填料、熱塑性和/或熱固性聚合物、彈性物質等)、絲印材料、聚氨酯泡沫塑料或凝膠、導熱添加劑等。第一和/或第二熱界面材料可被配置為具有足夠的順從性、適形性和/或柔軟度(例如，不必經歷相變或回流等)以在低溫(例如，20℃至25℃的室溫等)下通過撓曲針對容差或間隙進行調節(jié)和/或允許第一和/或第二熱界面材料在被設置為與配合表面(包括非平坦、彎曲或者不平的配合表面)接觸(例如，壓緊，等等)時緊密地適形于配合表面(例如，按照相對緊密地貼合和包封的方式等)。

第一和/或第二熱界面材料可包括由彈性體和至少一種導熱金屬、氮化硼和/或陶瓷填料形成的軟質熱界面材料，使得該軟質熱界面材料即使不經歷相變或回流也可適形。在一些示例性實施方式種，第一和/或第二熱界面材料可包括陶瓷填充硅樹脂彈性體、氮化硼填充硅樹脂彈性體、玻璃纖維加強間隙填料或者包括大致非加強膜的熱相變材料。第一和/或第二熱界面材料可具有相對低的楊氏模量和肖氏硬度值(例如，25、40、70、75、小于100、小于25、大于75、介于25和75之間的Shore 00等的Shore 00硬度)。

根據用于制備熱界面材料的具體材料以及導熱填料(如果存在的話)的加載百分比，示例性實施方式可包括具有高熱導率(例如，1W/mK(瓦特每米開爾文)、1.1W/mK、1.2W/mK、2.8W/mK、3W/mK、3.1W/mK、3.8W/mK、4W/mK、4.7W/mK、5W/mK、5.4W/mK、6W/mK、7.8W/mK等)的一種或多種熱界面材料。這些熱導率僅是示例，因為其它實施方式可包括具有高于7.8W/mK、小于1W/mK或者介于1和6W/mk之間的其它值的熱導率的熱界面材料。因此，本公開的各方面不應限于與任何特定熱界面材料一起使用，示例性實施方式可包括多種多樣的熱界面材料。

本文中還公開了示例性方法。例如，一種方法通?？梢园ǎ簩щ妼佣ㄎ辉谟砂寮壠帘渭囊粋€或更多個側壁限定的開口之上。一個或更多個側壁以大致圍繞基板上的熱源的方式被安裝于基板。第一熱界面材料沿著導電層的第一側并且延伸通過由一個或更多個側壁限定的開口以與熱源相接觸。第二熱界面材料沿著導電層的與除熱/散熱結構相接觸的第二側。第一熱界面材料、導電層以及第二熱界面材料合作以限定從熱源到除熱/散熱結構的導熱熱量路徑。導電層以及一個或更多個側壁可以進行操作用于提供針對熱源的EMI屏蔽。

提供示例實施方式旨在使本公開將徹底并且將向本領域技術人員充分傳達本公開的范圍。闡述許多具體細節(jié)(例如，特定部件、裝置和方法的示例)以提供對本公開的實施方式的徹底理解。對于本領域技術人員而言將顯而易見的是，無需采用所述具體細節(jié)，示例實施方式可以按照許多不同的形式實施，不應被解釋為限制本公開的范圍。在一些示例實施方式中，沒有詳細描述公知的處理、裝置結構和技術。另外，通過本公開的一個或更多個示例性實施方式可以實現的優(yōu)點和改進僅為了說明而提供，并不限制本公開的范圍，因為本文公開的示例性實施方式可提供所有上述優(yōu)點和改進或不提供上述優(yōu)點和改進，而仍落入本公開的范圍內。

本文公開的具體尺寸、具體材料和/或具體形狀本質上是示例性的，并不限制本公開的范圍。本文針對給定參數的特定值和特定值范圍的公開不排除本文公開的一個或更多個示例中有用的其它值或值范圍。而且，可預見，本文所述的具體參數的任何兩個具體的值均可限定可適于給定參數的值范圍的端點(即，對于給定參數的第一值和第二值的公開可被解釋為公開了也能被用于給定參數的第一值和第二值之間的任何值)。例如，如果本文中參數X被舉例為具有值A，并且還被舉例為具有值Z，則可預見，參數X可具有從大約A至大約Z的值范圍。類似地，可預見，參數的兩個或更多個值范圍的公開(無論這些范圍是否嵌套、交疊或截然不同)包含利用所公開的范圍的端點可要求保護的值范圍的所有可能組合。例如，如果本文中參數X被舉例為具有1-10或2-9或3-8的范圍中的值，也可預見，參數X可具有包括1-9、1-8、1-3、1-2、2-10、2-8、2-3、3-10和3-9在內的其它值范圍。

本文使用的術語僅是用來描述特定的示例實施方式，并非旨在進行限制。如本文所用，除非上下文另外明確指示，否則單數形式的描述可旨在包括復數形式。術語“包括”、“包含”和“具有”僅指含有，因此表明存在所述的特征、要件、步驟、操作、元件和/或部件，但不排除存在或增加一個或更多個其它特征、要件、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。本文描述的方法步驟、處理和操作不一定要按照本文所討論或示出的特定順序執(zhí)行，除非具體指明執(zhí)行順序。還將理解的是，可采用附加的或另選的步驟。

當元件或層被稱為“在……上”、“接合到”、“連接到”、或“耦接到”另一元件或層時，它可以直接在所述另一元件或層上、或直接接合、連接或耦接到所述另一元件或層，或者也可存在中間元件或層。相反，當元件被稱為“直接在……上”、“直接接合到”、“直接連接到”、或“直接耦接到”另一元件或層時，可不存在中間元件或層。用于描述元件之間的關系的其它詞語也應按此解釋(例如，“之間”與“直接在……之間”、“相鄰”與“直接相鄰”)等。如本文所用，術語“和/或”包括任何一個或更多個相關條目及其所有組合。

術語“大約”在應用于值時表示計算或測量允許值的一些微小的不精確性(值接近精確；大約近似或合理近似；差不多)。如果因為一些原因，由“大約”提供的不精確性在本領域中不以別的方式以普通意義來理解，那么如本文所用的“大約”表示可能由普通測量方法引起或利用這些參數引起的至少變量。例如，術語“大致”、“大約”和“基本上”在本文中可用來表示在制造公差內。

盡管本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應受這些術語限制。這些術語可僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分。除非上下文清楚指示，否則本文所使用的諸如“第一”、“第二”以及其它數字術語的術語不暗示次序或順序。因此，在不脫離示例實施方式的教導的情況下，第一元件、部件、區(qū)域、層或部分也可稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。

為了易于描述，本文可能使用空間相對術語如“內”、“外”、“下面”、“下方”、“下部”、“上面”、“上部”等來描述圖中所示的一個元件或特征與另一元件或特征的關系。除了圖中描述的取向之外，空間相對術語可旨在涵蓋裝置在使用或操作中的不同取向。例如，如果圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件將被取向為在所述其它元件或特征“上面”。因此，示例術語“下方”可涵蓋上方和下方兩個取向。裝置也可另行取向(旋轉90度或其它取向)，那么本文所使用的空間相對描述也要相應解釋。

提供以上描述的實施方式是為了說明和描述。其并非旨在窮盡或限制本公開。特定實施方式的各個元件或特征通常不限于該特定實施方式，而是在適用的情況下可以互換，并且可用在選定的實施方式中(即使沒有具體示出或描述)。這些實施方式還可以按照許多方式變化。這些變化不應視作脫離本公開，所有這些修改均旨在被包括在本公開的范圍內。