專利名稱：三聚氰胺設(shè)備用碳化硅遠(yuǎn)紅外輻射加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種遠(yuǎn)紅外輻射電加熱裝置，特別涉及一種反應(yīng)釜用遠(yuǎn)紅外輻射電加熱裝置，屬于加熱裝置的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)化工類生產(chǎn)中大量使用的各種熱交換反應(yīng)釜大都是采用導(dǎo)熱油、蒸汽、明火、 電感等加熱方式，但這些方式均具有能耗高、安全隱患大、對環(huán)境污染嚴(yán)重等缺點(diǎn)。為了解決上述技術(shù)問題，中國專利文獻(xiàn)公開了一種反應(yīng)釜，該專利名稱為“遠(yuǎn)紅外電加熱反應(yīng)罐”，專利號為“ZL89213245. 0”，該反應(yīng)罐包括罐體、物料進(jìn)出口，電源接線盒，其中，所述罐體中、下和底部外表面與外套之間的環(huán)空中依次裝有其中嵌有電阻帶的遠(yuǎn)紅外輻射器，保溫層和反射罩，該罐體有普通型和防爆型兩種形式，用控溫裝置接通電源， 使裝在遠(yuǎn)紅外輻射器中的電阻帶產(chǎn)生熱能，從而激發(fā)遠(yuǎn)紅外輻射器釋放遠(yuǎn)紅外線輻射電磁波，以對被加熱物體進(jìn)行加熱交換，由于物質(zhì)對遠(yuǎn)紅外電磁波有良好的吸收率，物質(zhì)吸收遠(yuǎn)紅外電磁波的輻射后，物質(zhì)內(nèi)部分子產(chǎn)生自發(fā)熱效應(yīng)，加之電磁波具有一定的穿透力，故能使被加熱物質(zhì)表里同時(shí)升溫，從而提高了熱能的轉(zhuǎn)換效率。雖然該加熱方式具有升溫快、耗能小的優(yōu)點(diǎn)，但它的電阻帶為不銹鋼材質(zhì)的，長時(shí)間使用，由于不銹鋼不耐高溫，容易被損壞，且導(dǎo)電性能差，因此，影響了加熱裝置的整體性能。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種導(dǎo)電性能好、使用壽命長且耐高溫的三聚氰胺設(shè)備用碳化硅遠(yuǎn)紅外輻射加熱裝置。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型三聚氰胺設(shè)備用碳化硅遠(yuǎn)紅外輻射加熱裝置，包括殼體、電阻帶、接線柱，其中，所述電阻帶為鐵鉻鋁電熱合金加工而成的扁平發(fā)熱構(gòu)件。上述三聚氰胺設(shè)備用碳化硅遠(yuǎn)紅外輻射加熱裝置，其中，所述電阻帶與所述接線柱的電極采用氬弧焊接成一體。本實(shí)用新型可實(shí)現(xiàn)以下有益效果1、由于所述電阻帶為鐵鉻鋁電熱合金加工而成的扁平發(fā)熱構(gòu)件，使電阻帶具有較好的耐高溫性能、從而，延長了加熱裝置整體的使用壽命、提高了本實(shí)用新型的導(dǎo)電性和熱效率。2、由于所述電阻帶與所述接線柱的電極采用氨弧焊接成一體，使電阻帶的連接更加牢固，且加工簡單。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型的使用狀態(tài)示意圖。[0012]圖3是本實(shí)用新型的電阻帶的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。如圖所示，為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型三聚氰胺設(shè)備用碳化硅遠(yuǎn)紅外輻射加熱裝置，包括殼體1、電阻帶2、接線柱，電阻帶與殼體之間設(shè)有保溫層5及絕緣層4，電阻帶2呈距齒形的排列在殼體內(nèi)，使單面積的電熱面積增加，從而，使加熱裝置的加熱更加快，所述電阻帶外涂有遠(yuǎn)紅外涂層3，遠(yuǎn)紅外涂層3由可產(chǎn)生遠(yuǎn)紅外的涂料而形成。所述電阻帶2為鐵鉻鋁電熱合金加工而成的扁平發(fā)熱構(gòu)件，由于所述電阻帶2為鐵鉻鋁電熱合金加工而成的扁平發(fā)熱構(gòu)件，使電阻帶2具有較好的耐高溫性能、從而，延長了加熱裝置整體的使用壽命、提高了本實(shí)用新型的導(dǎo)電性，從而，大大提高了本實(shí)用新型的整體安全性。所述電阻帶2與所述殼體1之間采用氬弧焊接成一體。使用時(shí)，將加熱裝置通過法蘭10安裝在設(shè)備11外。為了使加熱裝置的加熱性能更好，可在外殼1內(nèi)設(shè)有遠(yuǎn)紅外碳化硅條6，遠(yuǎn)紅外碳化硅條通過焊接或其它方式固定在外殼1內(nèi)。綜上所述，本實(shí)用新型具有導(dǎo)電性能好、熱效率高、節(jié)能且環(huán)保、使用壽命長、耐高溫且結(jié)構(gòu)簡單的特點(diǎn)。這里本實(shí)用新型的描述和應(yīng)用是說明性的，并非想將本實(shí)用新型的范圍限制在上述實(shí)施例中，因此，本實(shí)用新型不受本實(shí)施例的限制，任何采用等效替換取得的技術(shù)方案均在本實(shí)用新型保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.三聚氰胺設(shè)備用碳化硅遠(yuǎn)紅外輻射加熱裝置，其特征在于，包括殼體、電阻帶、接線柱，所述電阻帶為鐵鉻鋁電熱合金加工而成的扁平發(fā)熱構(gòu)件。
2.如權(quán)利要求1所述三聚氰胺設(shè)備用碳化硅遠(yuǎn)紅外輻射加熱裝置，其特征在于，所述電阻帶采用氬弧焊接在所述接線柱的電極上。
專利摘要本實(shí)用新型提供了三聚氰胺設(shè)備用碳化硅遠(yuǎn)紅外輻射加熱裝置，包括殼體、電阻帶、接線柱，其中，所述電阻帶為鐵鉻鋁電熱合金加工而成的扁平發(fā)熱構(gòu)件，由于所述電阻帶為鐵鉻鋁電熱合金加工而成的扁平發(fā)熱構(gòu)件，使電阻帶具有較好的耐高溫性能、從而，延長了加熱裝置整體的使用壽命、提高了本實(shí)用新型的導(dǎo)電性和熱效率。
文檔編號B01J19/00GK202143840SQ201120135520
公開日2012年2月15日 申請日期2011年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月29日
發(fā)明者孫書榮 申請人:揚(yáng)中市榮達(dá)電器設(shè)備有限公司