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      硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號(hào):5040871閱讀:935來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      硅粉過(guò)濾系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)工藝中三氯氫硅合成設(shè)備,尤其是硅粉過(guò)濾系統(tǒng)。
      技術(shù)背景[0002]三氯氫硅合成是改良西門(mén)子工藝生產(chǎn)多晶硅的重要一環(huán),硅粉過(guò)濾系統(tǒng)是在原有三氯氫硅合成工藝上新增的子系統(tǒng),用于過(guò)濾合成產(chǎn)品氣的細(xì)小硅粉。此系統(tǒng)所處工況較苛刻,合成產(chǎn)品氣含有三氯氫硅、四氯化硅、二氯二氫硅、氫氣、氯化氫、細(xì)硅粉等,所以必須要求該過(guò)濾系統(tǒng)耐腐蝕及耐沖刷,這要求硅粉過(guò)濾系統(tǒng)使用的閥門(mén)、儀表等配套設(shè)施都要耐腐蝕及耐沖刷。耐腐蝕問(wèn)題易造成系統(tǒng)出現(xiàn)泄漏,耐沖刷問(wèn)題易造成閥門(mén)出現(xiàn)內(nèi)漏,從而使兩個(gè)硅粉過(guò)濾系統(tǒng)無(wú)法正常切換,影響硅粉過(guò)濾系統(tǒng)正常運(yùn)行。[0003]傳統(tǒng)硅粉過(guò)濾系統(tǒng)在運(yùn)行中存在較多問(wèn)題,如氣動(dòng)切斷閥易內(nèi)漏、濾芯易堵塞、 管道堵塞、法蘭泄漏等等,這一系列問(wèn)題嚴(yán)重制約了三氯氫硅合成工序運(yùn)行。[0004]其中,傳統(tǒng)硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的工作原理是采用第一級(jí)重力沉降分離及第二級(jí)精密過(guò)濾分離。第一級(jí)重力沉降分離,主要采用沉降室的沉降效應(yīng)進(jìn)行分離當(dāng)含粉塵等的雜質(zhì)氣體由進(jìn)氣口進(jìn)入凈化裝置時(shí),首先進(jìn)入一個(gè)較大的沉降室,此時(shí)氣體流速大大降低,因此大顆粒液滴(如ΙΟΟμπι以上)由于沉降效應(yīng)被分離出來(lái),落入大筒體的下封頭處。第二級(jí)精密過(guò)濾分離,主要采用精密過(guò)濾器不銹鋼纖維濾芯過(guò)濾,經(jīng)過(guò)精密過(guò)濾分離后,合成產(chǎn)品氣達(dá)到對(duì)于彡1. 0 μ m的顆粒,過(guò)濾效率η彡99. 0%。[0005]系統(tǒng)控制整套設(shè)備由可編程控制器(PLC)對(duì)管路上氣動(dòng)閥門(mén)進(jìn)行控制,通過(guò)對(duì)兩臺(tái)并聯(lián)的硅粉過(guò)濾器控制分別進(jìn)行過(guò)濾和再生。如,當(dāng)設(shè)備A進(jìn)行過(guò)濾時(shí),連接此設(shè)備的 SiHCl3合成氣管路閥門(mén)打開(kāi),再生閥門(mén)關(guān)閉;而連接設(shè)備B的SiHCl3合成氣管路閥門(mén)關(guān)閉, 再生閥門(mén)打開(kāi),進(jìn)行再生,再生周期一般為8小時(shí)。一個(gè)周期過(guò)后,兩臺(tái)設(shè)備進(jìn)行切換,連接設(shè)備A的SiHCl3合成氣管路閥門(mén)關(guān)閉,再生閥門(mén)打開(kāi),進(jìn)行再生;而連接設(shè)備B的SiHCl3 合成氣管路閥門(mén)打開(kāi),再生閥門(mén)關(guān)閉,進(jìn)行過(guò)濾。通過(guò)PLC的控制,兩臺(tái)設(shè)備不斷循環(huán),最終達(dá)到對(duì)SiHCl3合成氣的連續(xù)過(guò)濾??刂葡到y(tǒng)完全由單獨(dú)PLC控制,但是該系統(tǒng)所處工況惡劣,氣動(dòng)切斷閥易內(nèi)漏、濾芯易堵塞、管道易堵塞等等,在運(yùn)行中會(huì)出現(xiàn)眾多異常情況,而且運(yùn)行人員不能操作干預(yù)該系統(tǒng)。實(shí)用新型內(nèi)容[0006]本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題,提供了新型的硅粉過(guò)濾系統(tǒng),特別是耐磨閥門(mén)的應(yīng)用,可以大大減少硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的檢修頻次,通過(guò)本系統(tǒng)壓差值實(shí)現(xiàn)兩臺(tái)硅粉過(guò)濾器自動(dòng)切換,控制系統(tǒng)的優(yōu)化使本系統(tǒng)的運(yùn)行和管理比較人性化,有利硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的連續(xù)運(yùn)行。[0007]本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下[0008]硅粉過(guò)濾系統(tǒng),包括兩臺(tái)硅粉過(guò)濾器及相應(yīng)的儀表、閥門(mén)及控制系統(tǒng),兩臺(tái)硅粉過(guò)濾器為并聯(lián)關(guān)系,一開(kāi)一備,通過(guò)相關(guān)程序自動(dòng)切換,每臺(tái)硅粉過(guò)濾器的上端均設(shè)置有SiHCl3合成氣出氣口和氮?dú)膺M(jìn)口,下端均設(shè)置有SiHCl3合成氣進(jìn)氣口,底端均設(shè)置有廢氣及廢硅粉出口、吹掃氣進(jìn)口,所述SiHCl3合成氣進(jìn)氣口、SiHCl3合成氣出氣口、氮?dú)膺M(jìn)口和吹掃氣進(jìn)口均連接設(shè)置有閥門(mén),其特征在于所述閥門(mén)均為反吹閥門(mén),均采用氣動(dòng)硬密封偏心半球閥;所述廢氣及廢硅粉出口處設(shè)置有雙盤(pán)結(jié)構(gòu)的氣動(dòng)圓盤(pán)閥。[0009]為實(shí)現(xiàn)自動(dòng)反吹硅粉過(guò)濾器,硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的吹掃氣進(jìn)口連接的氫氣管線的止回閥前設(shè)置有一個(gè)DN25的氣動(dòng)軟密封球閥,同時(shí)氮?dú)膺M(jìn)口連接的氮?dú)庵Ч芄芫€的止回閥前設(shè)置有一個(gè)DN25的氣動(dòng)軟密封球閥,便于與DCS (集散控制系統(tǒng))連接,實(shí)現(xiàn)硅粉過(guò)濾器自動(dòng)切換。[0010]在硅粉過(guò)濾器內(nèi),SiHCl3合成氣進(jìn)氣口和SiHCl3合成氣出氣口之間的連接管線上設(shè)置有壓差計(jì)。也就是把原傳統(tǒng)用的壓差開(kāi)關(guān)改為壓差計(jì),用于檢測(cè)硅粉過(guò)濾器進(jìn)出口壓力,安裝在硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的合成氣進(jìn)出口管線上,通過(guò)相關(guān)程序計(jì)算出壓差,可以利用壓差值實(shí)現(xiàn)兩臺(tái)硅粉過(guò)濾器自動(dòng)切換。[0011]所有的氣動(dòng)切斷閥信號(hào)、硅粉過(guò)濾器進(jìn)出口壓力信號(hào)都被引入集散控制系統(tǒng)DCS, 由DCS來(lái)完成整個(gè)硅粉過(guò)濾器系統(tǒng)的全自動(dòng)控制功能。該DCS也可以切換為手動(dòng)狀態(tài),運(yùn)行管理比較人性化。[0012]本實(shí)用新型的有益效果如下[0013]1)氣動(dòng)閥更換為硬密偏心半球閥及圓盤(pán)閥選用雙盤(pán)結(jié)構(gòu)的氣動(dòng)圓盤(pán)閥后,閥門(mén)的使用壽命會(huì)增長(zhǎng),有利于硅粉過(guò)濾系統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行;[0014]2)硅粉過(guò)濾器的切換時(shí)間可由DCS靈活調(diào)整,有利于提高SiHCI3合成氣體的過(guò)濾效果,保證整套合成系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行;[0015]3)自控系統(tǒng)改進(jìn)后,中控運(yùn)行人員能觀察到硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài),并實(shí)時(shí)在 DCS上進(jìn)行操作干預(yù),以提高三氯氫硅合成的產(chǎn)量和質(zhì)量。


      [0016]圖1為本實(shí)用新型硅粉過(guò)濾系統(tǒng)流程圖[0017]其中附圖標(biāo)記為1、SiHCl3合成氣進(jìn)氣口,2、SiHCl3合成氣出氣口,3、氮?dú)膺M(jìn)口, 4、吹掃氣進(jìn)口,5、廢氣及廢硅粉出口,6、氣動(dòng)硬密封偏心半球閥,7、雙盤(pán)結(jié)構(gòu)的氣動(dòng)圓盤(pán)閥,8、氣動(dòng)軟密封球閥,9、壓差計(jì)。
      具體實(shí)施方式
      [0018]如圖1所示,硅粉過(guò)濾系統(tǒng),包括兩臺(tái)硅粉過(guò)濾器,每臺(tái)硅粉過(guò)濾器的上端均設(shè)置有SiHC13合成氣出氣口 2和氮?dú)膺M(jìn)口 3,下端均設(shè)置有SiHC13合成氣進(jìn)氣口 1,底端均設(shè)置有廢氣及廢硅粉出口 5、吹掃氣進(jìn)口 4,所述SiHC13合成氣進(jìn)氣口 1、SiHC13合成氣出氣口 2、氮?dú)膺M(jìn)口 3和吹掃氣進(jìn)口 4均連接設(shè)置有閥門(mén),其特征在于所述閥門(mén)均為反吹閥門(mén), 均采用氣動(dòng)硬密封偏心半球閥6 ;所述廢氣及廢硅粉出口 5處設(shè)置有雙盤(pán)結(jié)構(gòu)的氣動(dòng)圓盤(pán)閥7。[0019]為實(shí)現(xiàn)自動(dòng)反吹硅粉過(guò)濾器,硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的吹掃氣進(jìn)口 4連接的氫氣管線的止回閥前設(shè)置有一個(gè)DN25的氣動(dòng)軟密封球閥8,同時(shí)氮?dú)膺M(jìn)口 3連接的氮?dú)庵Ч芄芫€的止回閥前設(shè)置有一個(gè)DN25的氣動(dòng)軟密封球閥8 (詳細(xì)見(jiàn)圖1),便于與DCS (集散控制系統(tǒng))連3/4頁(yè)接,實(shí)現(xiàn)硅粉過(guò)濾器自動(dòng)切換。[0020]所采用的閥門(mén)類(lèi)型如下表[0021]
      權(quán)利要求1.硅粉過(guò)濾系統(tǒng),包括兩臺(tái)并聯(lián)硅粉過(guò)濾器,通過(guò)程序控制自動(dòng)切換,每臺(tái)硅粉過(guò)濾器的上端均設(shè)置有SiHC13合成氣出氣口(2)和氮?dú)膺M(jìn)口(3),下端均設(shè)置有SiHC13合成氣進(jìn)氣口( 1 ),底端均設(shè)置有廢氣及廢硅粉出口(5)、吹掃氣進(jìn)口(4),所述SiHC13合成氣進(jìn)氣口 (1)、SiHC13合成氣出氣口(2)、氮?dú)膺M(jìn)口(3)和吹掃氣進(jìn)口(4)均連接設(shè)置有閥門(mén),其特征在于所述閥門(mén)均為反吹閥門(mén),均采用氣動(dòng)硬密封偏心半球閥(6);所述廢氣及廢硅粉出口 (5)處設(shè)置有雙盤(pán)結(jié)構(gòu)的氣動(dòng)圓盤(pán)閥(7)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅粉過(guò)濾系統(tǒng),其特征在于所述硅粉過(guò)濾系統(tǒng)的吹掃氣進(jìn)口(4)連接的氫氣管線的止回閥前設(shè)置有一個(gè)DN25的氣動(dòng)軟密封球閥(8),同時(shí)氮?dú)膺M(jìn)口 (3 )連接的氮?dú)庵Ч芄芫€的止回閥前設(shè)置有一個(gè)DN25的氣動(dòng)軟密封球閥(8 )。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅粉過(guò)濾系統(tǒng),其特征在于在硅粉過(guò)濾器內(nèi),SiHC13合成氣進(jìn)氣口(1)和SiHCl3合成氣出氣口(2)之間的連接管線上設(shè)置有壓差計(jì)(9)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅粉過(guò)濾系統(tǒng),其特征在于所述系統(tǒng)采用集散控制系統(tǒng)DCS 全自動(dòng)控制硅粉過(guò)濾系統(tǒng)。
      專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)工藝中三氯氫硅合成設(shè)備,尤其是硅粉過(guò)濾系統(tǒng),包括兩臺(tái)硅粉過(guò)濾器,每臺(tái)硅粉過(guò)濾器的上端均設(shè)置有SiHCl3合成氣出氣口和氮?dú)膺M(jìn)口,下端均設(shè)置有SiHCl3合成氣進(jìn)氣口,底端均設(shè)置有廢氣及廢硅粉出口、吹掃氣進(jìn)口,SiHCl3合成氣出氣口、氮?dú)膺M(jìn)口、吹掃氣進(jìn)口均連接設(shè)置有氣動(dòng)硬密封偏心半球閥;所述廢氣及廢硅粉出口處設(shè)置有雙盤(pán)結(jié)構(gòu)的氣動(dòng)圓盤(pán)閥;本實(shí)用新型采用硬密封偏心半球閥及雙盤(pán)結(jié)構(gòu)的氣動(dòng)圓盤(pán)閥,使用壽命長(zhǎng),有利于系統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行;采用DCS全自動(dòng)控制,可靈活調(diào)整硅粉過(guò)濾器的切換時(shí)間,提高合成氣體的過(guò)濾效果,便于工作人員觀察進(jìn)行實(shí)時(shí)操作,以提高SiHCl3合成的產(chǎn)量和質(zhì)量。
      文檔編號(hào)B01D46/46GK202237649SQ20112038353
      公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月11日
      發(fā)明者劉國(guó)成, 劉科, 夏志科, 諶亮, 郭紅兵 申請(qǐng)人:天威四川硅業(yè)有限責(zé)任公司
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