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      {001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法

      文檔序號:4926747閱讀:386來源:國知局
      {001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了{(lán)001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法,屬于納米光催化材料制備領(lǐng)域。其具體制備方法如下:將可溶于酸的鉍鹽加入到濃硝酸中,初步攪拌后加入去離子水進(jìn)行溶解稀釋。另外將離子液體[Bmin]Br加入到蒸餾水中攪拌溶解。然后將兩者混合,倒入高壓釜中,控制pH為1~4,水熱反應(yīng)后,離心,洗滌,烘干,即得BiOBr方形納米片。本發(fā)明通過簡單的合成方法和無毒試劑合成光催化材料,滿足綠色環(huán)保的要求,在水熱體系,通過離子液體控制晶體在生長過程中的表面能,提高了{(lán)001}晶面在所得催化劑表面所占的比重。所制備的BiOBr方形納米片在污染治理、環(huán)境保護(hù)、新能源制備等領(lǐng)域都有較高的應(yīng)用價(jià)值。
      【專利說明】{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于納米光催化材料制備領(lǐng)域,尤其涉及一種{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法。
      技術(shù)背景
      [0002]半世紀(jì)以來,隨著環(huán)境污染和能源危機(jī)日益嚴(yán)重,尋求高效、無害、方便、易得、環(huán)境友好的處理水污染技術(shù)成為目前科學(xué)研究的焦點(diǎn)。半導(dǎo)體可見光催化技術(shù)因其常溫反應(yīng)環(huán)境和使用太陽能作為光源等獨(dú)特性能而成為一種解決污染問題和能源問題的方法之一。由于傳統(tǒng)的TiO2量子產(chǎn)率低且僅通過紫外光激發(fā)使其產(chǎn)生電子空穴對,因此尋求高性能有效利用太陽能的可見光催化劑是光催化劑領(lǐng)域必然的發(fā)展趨勢。近些年來,BiOBr因其獨(dú)特優(yōu)良的電、磁和光學(xué)性能而受到越來越廣泛的關(guān)注,特別是其具有很好的可見光響應(yīng)而被作為一種新型的可見光光催化材料用于環(huán)境污染物的降解中。
      [0003]BiOBr是一種重要的V-V1-VII三元化合物,呈四方晶型結(jié)構(gòu),其晶體結(jié)構(gòu)是由[Bi2O2]層和交叉在其中的雙層鹵素原子構(gòu)成的層狀結(jié)構(gòu)[HF Cheng, BB Huang, ZY Wang,XY Qin, XY Zhang and Y Da1.Chem.Eur.J.2011, 17,8039 - 8043]。這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致[Bi2O2]與雙層鹵素之間存在著內(nèi)部電場,有利于電子和空穴對沿著[001]方向的有效分離。而且,(001)晶面上的高氧原子密度使其對染料有一個(gè)很高的吸附能力,有利于提高降解效率[J Jiang, K Zhao, XY Xiao, LZ Zhang.J.Am.Chem.Soc.2012, 134,4473-4476]。由于這些新穎獨(dú)特的性質(zhì),BiOBr被認(rèn)為是一種富有前景的光催化劑,因此受到了廣泛的研究,尤其是具有暴露(001)晶面的BiOBr的制備與應(yīng)用引起了科研工作者的強(qiáng)烈興趣。這是因?yàn)?,與BiOBr通常暴露的穩(wěn)定性較好的(010)晶面相比,(001)晶面因?yàn)榫哂懈叩谋砻婺芏@示出更為優(yōu)異的`光催化活性。但是目前只有一篇報(bào)道[D Zhang, JLi, QG Wang and QS ffu.J.Mater.Chem.A.2013,I, 8622 - 8629]是利用水一乙醇體系控制合成了暴露{001}晶面的BiOBr薄片,且薄片呈無規(guī)則形貌。我們首次利用離子液體輔助水熱法成功制備了暴露(001)系列晶面的BiOBr納米片,且納米片呈規(guī)則方形。由于離子液體與溴氧鉍(001)晶面上的高氧原子之間存在著強(qiáng)烈的靜電作用,降低了(001)晶面的表面能,最終提高了(001)晶面在BiOBr表面的比重。高度暴露的(001)系列晶面可以有效提高其對染料的吸附能力和促進(jìn)光生載流子的分離與遷移。因此,采用本發(fā)明方法所制備的{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片在光催化領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的目的是提供了一種{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法,并將其應(yīng)用于可見光下降解羅丹明B染料污染物。
      [0005]本發(fā)明包括以下步驟:
      I)將硝酸鉍溶解于酸溶液中,得到溶液A,將離子液體溴化1-丁基-3-甲基咪唑([Bmim]Br)溶于水中,其中[Bmim]Br:水=(0.35-0.8):30 g/mL, Bi (NO3)3 以質(zhì)量計(jì)算,蒸餾水以體積計(jì)算,加熱攪拌得到溶液B;
      2)將溶液A與溶液B (溶液A與溶液B的體積比為1:5)混合,控制pH為1_4,攪拌后倒入高壓釜中,水熱反應(yīng)后,洗滌,離心,烘干,即得{001}晶面暴露的BiOBr方片。
      [0006]步驟1)中所述的酸溶液為硝酸溶液,其中HNO3 = Bi (NO3)3的摩爾比為1: (2_8); 步驟2)中控制pH用2 mo I.L—1的NaOH溶液調(diào)節(jié);
      在步驟I)中,所述硝酸秘與離子液體溴化1-丁基-3-甲基咪唑([Bmim]Br)的用量比(摩爾比)為1:0.5-2 ;
      在步驟2)中,所述溶液A與溶液B混合條件是:在攪拌作用下,把溶液A逐滴加入到溶液B,并攪拌(1-2)小時(shí);水熱反應(yīng)是將混合溶液置于高壓反應(yīng)釜中,置于烘箱中反應(yīng);在烘箱中水熱反應(yīng)的溫度為120-180°C,反應(yīng)時(shí)間6-12小時(shí);洗滌、離心并烘干的步驟是離心收集BiOBr光催化劑,去離子水和乙醇洗滌樣品,60°C常溫烘干。
      [0007]采用上述方法所制備的{001}晶面暴露的BiOBr納米片,其晶型與標(biāo)準(zhǔn)粉末衍射卡片(JCPDS Card N0.09-0393)相吻合。形貌為方形的納米片,單片片層厚度為20nm—35 nm,寬為 120 nm一270 nm。
      [0008]所制備的BiOBr方形納米片在污染治理、環(huán)境保護(hù)、新能源制備等領(lǐng)域都有較高的應(yīng)用價(jià)值。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0009]圖1為所制備(001)晶面暴露的BiOBr方形納米片的XRD衍射譜圖,其晶型為純相的四方 BiCBr 晶相(JCPDS Card N0.09-0393)。
      [0010]圖2 (a, b)為所制備(001)晶面暴露的BiOBr方形納米片的透射電鏡(TEM)照片,圖2 (c,d)為所制備{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的HR-TEM和SAED圖。
      [0011]圖3為可見光下降解性能曲線圖;其中,(a)是光照時(shí)間與溶液中羅丹明B的紫外一可見吸收關(guān)于曲線圖;(b)是降解羅丹明B溶液的時(shí)間-降解率關(guān)系圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0012]下面結(jié)合具體實(shí)施實(shí)例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
      [0013]實(shí)施例1:
      將2 mmol Bi (NO3)3溶解于5 mL硝酸溶液中,得到溶液A ;將0.8g [Bmin]Br溶于30ml水中,得到溶液B ;再將溶液A與溶液B混合,用2 mol.L-1的NaOH溶液調(diào)節(jié)pH為I,攪拌得到均勻分布的溶液。將上述的溶液倒入50 ml高壓釜中,在120°C的溫度下水熱12 h。反應(yīng)結(jié)束后用蒸餾水和無水乙醇洗滌產(chǎn)物,過濾,烘干,即得到{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片。
      [0014]圖1 (a)為本發(fā)明實(shí)施例1合成的{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的XRD譜圖,從圖中可知所得到的BiOBr方形納米片為純相的四方BiOBr晶相(JCPDS Card N0.09-0393),無雜質(zhì)生成?!皑嫛北硎颈┞兜膡001}系列晶面。圖1(b)為BiOBr方形納米片的EDX譜圖,從圖中可知B1: Br近似為1: 1,與XRD結(jié)果一致。
      [0015]圖2(a,b)為本發(fā)明實(shí)施例1合成的{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的TEM圖,從圖中可知BiOBr納米片為規(guī)則方形,單片片層厚度為20 nm—35 nm,寬為120 nm—270 nm。圖2 (c,d)為本發(fā)明實(shí)施例1合成的{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的SAED和HRTEM圖,從圖中可知,BiOBr納米片是單晶結(jié)構(gòu),并且沿著[001]方向優(yōu)先生長。
      [0016]將上述獲得的BiOBr納米光催化劑在可見光下(氙燈,300W, A≤420nm)催化降解有機(jī)染料進(jìn)行一組實(shí)驗(yàn):以羅丹明B水溶液為模型污水來評價(jià)該催化劑的高光催化活性。實(shí)驗(yàn)條件設(shè)置為:a)50mg的BiOBr光催化劑分散到IOOmL濃度為IOmg ? L—1的羅丹明B水溶液中,在黑暗條件下攪拌I小時(shí),使羅丹明B在催化劑表面達(dá)到吸附一脫附平衡;b)打開光源開始光照,每隔15min取樣,離心,檢測溶液中羅丹明B的紫外一可見吸收峰值的變化至無法檢測到羅丹明B的特征吸收峰。以達(dá)吸附平衡的溶液中的羅丹明B的濃度值定為Co。由圖3可見{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片具有優(yōu)異的光催化活性,暗反應(yīng)60min,對染料的吸附率已達(dá)到56.5 %,光照90 min降解率達(dá)到100 %。
      [0017]實(shí)施例2:
      將1.5 mmol Bi (NO3)3溶解于5 mL硝酸溶液中,得到溶液A ;將0.65g [Bmin]Br溶于30 ml水中,得到溶液B ;再將溶液A與溶液B混合,用2 mol七1的NaOH溶液調(diào)節(jié)pH為2,攪拌得到均勻分布的溶液。將上述的溶液倒入50 ml高壓釜中,在140°C的溫度下水熱10h。反應(yīng)結(jié)束后用蒸餾水和無水乙醇洗滌產(chǎn)物,過濾,烘干,即得到{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片。
      [0018]實(shí)施例3:
      將I mmol Bi (NO3)3溶解于5 mL硝酸溶液中,得到溶液A ;將0.5g [Bmin]Br溶于30ml水中,得到溶液B ;再將溶液A與溶液B混合,用2 mol ? L—1的NaOH溶液調(diào)節(jié)pH為3,攪拌得到均勻分布的溶液。將上述的溶液倒入50 ml高壓釜中,在160°C的溫度下水熱8 h。反應(yīng)結(jié)束后用蒸餾水和無水乙醇洗滌產(chǎn)物,過濾,烘干,即得到{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片。
      ·[0019]實(shí)施例4:
      將0.5 mmol Bi (NO3)3溶解于5 mL硝酸溶液中,得到溶液A ;將0.35g [Bmin]Br溶于30 ml水中,得到溶液B ;再將溶液A與溶液B混合,用2 mol ? L—1的NaOH溶液調(diào)節(jié)pH為4,攪拌得到均勻分布的溶液。將上述的溶液倒入50 ml高壓釜中,在180°C的溫度下水熱6h。反應(yīng)結(jié)束后用蒸餾水和無水乙醇洗滌產(chǎn)物,過濾,烘干,即得到{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片。
      【權(quán)利要求】
      1.{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法,按照下述步驟進(jìn)行:1)將硝酸鉍溶解于酸溶液中,得到溶液A,將離子液體溴化1- 丁基-3-甲基咪唑溶于水中,其中溴化1- 丁基-3-甲基咪唑:水=(0.35-0.8):30 g/mL,加熱攪拌得到溶液B; 2)將溶液A與溶液B混合,其中溶液A與溶液B的體積比為1:5,控制pH為1_4,攪拌后倒入高壓釜中,水熱反應(yīng)后,洗滌,離心,烘干,即得1001}晶面暴露的BiOBr方片。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法,其特征在于:步驟I)中所述的酸溶液為硝酸溶液,其中HNO3 = Bi(NO3)3的摩爾比為1: (2-8)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法,其特征在于:步驟2)中控制pH時(shí)用2 mol ? L—1的NaOH溶液調(diào)節(jié)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法,其特征在于:在步驟I)中,所述硝酸秘與離子液體溴化1-丁基-3-甲基咪唑([Bmim]Br)的用量比(摩爾比)為1:0.5-2。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的{001}晶面暴露的BiOBr方形納米片的制備方法,其特征在于:在步驟2)中,所述溶液A與溶液B混合條件是:在攪拌作用下,把溶液A逐滴加入到溶液B,并攪拌1-2小時(shí);水熱反應(yīng)是將混合溶液置于高壓反應(yīng)釜中,置于烘箱中反應(yīng);在烘箱中水熱反應(yīng)的溫度為120-180°C,反應(yīng)時(shí)間6-12小時(shí);洗滌、離心并烘干的步驟是離心收集BiOBr光催化劑,去離子水和乙`醇`洗滌樣品,60°C常溫烘干。
      【文檔編號】B01J27/06GK103708424SQ201310695651
      【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月18日
      【發(fā)明者】謝吉民, 茅丹俊, 呂曉萌, 姜志鋒, 魏巍 申請人:江蘇大學(xué)
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