一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱的制作方法
【專利摘要】一種一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，包括第一層振蕩培養(yǎng)箱、第二層振蕩培養(yǎng)箱與外殼。第二層振蕩培養(yǎng)箱疊加固定于第一層振蕩培養(yǎng)箱上，且兩層振蕩培養(yǎng)箱共用同一外殼。上述一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，第二層振蕩培養(yǎng)箱與第一層振蕩培養(yǎng)箱疊加固定，且兩層振蕩培養(yǎng)箱共用同一外殼，用戶使用時(shí)，無需進(jìn)行疊加安裝。同時(shí)，由于兩層振蕩培養(yǎng)箱之間固定，連接比較穩(wěn)固，振蕩器振蕩時(shí)不會(huì)導(dǎo)致兩層振蕩培養(yǎng)箱之間的位置的偏移及因振蕩產(chǎn)生的噪音，可提高振蕩器的振蕩速度。
【專利說明】一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及培養(yǎng)箱生產(chǎn)領(lǐng)域，特別是涉及一種一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱。
【背景技術(shù)】
[0002]振蕩培養(yǎng)箱是一種水質(zhì)分析,BOD (Biochemical Oxygen Demand,生化需氧量)測定，細(xì)菌、微生物的培養(yǎng)、保存，以及植物的栽培、育種實(shí)驗(yàn)的專用恒溫設(shè)備。通常，振蕩培養(yǎng)箱具有一個(gè)培養(yǎng)室，并配備一套振蕩器，培養(yǎng)室可分隔成多層區(qū)域，以放置更多的培養(yǎng)瓶。但是，由于僅具有一套振蕩器且每層區(qū)域之間相連通，因此，一臺(tái)振蕩培養(yǎng)箱僅能提供一種培養(yǎng)環(huán)境。為了獲取較多的培養(yǎng)環(huán)境，需要添加振蕩培養(yǎng)箱。為了減小振蕩培養(yǎng)箱的占地面積，用戶通常將兩臺(tái)以上振蕩培養(yǎng)箱進(jìn)行疊加安裝后使用。
[0003]但是，每臺(tái)振蕩培養(yǎng)箱都具有獨(dú)立的振蕩器，用戶在疊加安裝時(shí)需要考慮因振蕩產(chǎn)生的偏移及噪音的因素，疊加安裝操作較復(fù)雜，且需要限制振蕩器的振蕩速度，以免產(chǎn)生較強(qiáng)烈的振動(dòng)導(dǎo)致相鄰振蕩培養(yǎng)箱之間位置的偏移及因振蕩產(chǎn)生的噪音。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]基于此，有必要針對(duì)振蕩培養(yǎng)箱的疊加安裝操作復(fù)雜，以及需要限制振蕩器的振蕩速度的問題，提供一種無需用戶進(jìn)行疊加安裝，以及可提高振蕩器的振蕩速度的一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱。
[0005]—種一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，包括第一層振蕩培養(yǎng)箱、第二層振蕩培養(yǎng)箱與外殼，所述第二層振蕩培養(yǎng)箱疊加固定于所述第一層振蕩培養(yǎng)箱上，且兩層振蕩培養(yǎng)箱共用所述外殼。
·[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二層振蕩培養(yǎng)箱與所述第一層振蕩培養(yǎng)箱焊接連接。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括四個(gè)可調(diào)支腳與四個(gè)萬向輪，所述四個(gè)可調(diào)支腳安裝于所述外殼的底部的四個(gè)角處。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述可調(diào)支腳包括支架、螺桿與底座，所述支架具有螺帽，所述支架固定于所述外殼的底部，所述底座固定于所述螺桿的一端，所述螺桿的另一端旋擰于所述螺帽中。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一層振蕩培養(yǎng)箱具有第一箱門與第一控制面板，所述第一箱門具有第一觀察窗，所述第一控制面板設(shè)置于所述外殼上并位于所述第一箱門的右側(cè)；所述第二層振蕩培養(yǎng)箱具有第二箱門與第二控制面板，所述第二箱門具有第二觀察窗，所述第二控制面板設(shè)置于所述外殼上并位于所述第二箱門的右側(cè)。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述外殼的側(cè)面設(shè)置有分別用于控制啟閉所述第一層振蕩培養(yǎng)箱與所述第二層振蕩培養(yǎng)箱的第一電源開關(guān)與第二電源開關(guān)。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述外殼的側(cè)面還設(shè)置有通風(fēng)孔。[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱的高度為1140.2毫米，寬度為756毫米，厚度為817毫米。
[0013]上述一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱,第二層振蕩培養(yǎng)箱與第一層振蕩培養(yǎng)箱疊加固定，且兩層振蕩培養(yǎng)箱共用同一外殼，用戶使用時(shí)，無需進(jìn)行疊加安裝。同時(shí)，由于兩層振蕩培養(yǎng)箱之間固定，連接比較穩(wěn)固，振蕩器振蕩時(shí)不會(huì)導(dǎo)致兩層振蕩培養(yǎng)箱之間的位置的偏移及因振蕩廣生的噪首，可提聞?wù)袷幤鞯恼袷幩俣取?br> 【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為一個(gè)實(shí)施例的一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱的立體圖；
[0015]圖2為圖1中一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱的主視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0017]如圖1與圖2所不,在一個(gè)實(shí)施例中，一種一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱,包括第一振蕩培養(yǎng)箱110、第二振蕩培養(yǎng)箱120與外殼130。第二振蕩培養(yǎng)箱120疊加固定于第一振蕩培養(yǎng)箱110上，兩層振蕩培養(yǎng)箱共用同一外殼130,即將外殼130套設(shè)于第一層振蕩培養(yǎng)箱110與第二層振蕩培養(yǎng)箱120的外部。具體的，第二層振蕩培養(yǎng)箱120與第一層振蕩培養(yǎng)箱110焊接連接。
[0018]上述一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，第二層振蕩培養(yǎng)箱120與第一層振蕩培養(yǎng)箱110疊加固定，且兩層振蕩培養(yǎng)箱共用同一外殼130，用戶使用時(shí)，無需進(jìn)行疊加安裝。同時(shí)，由于兩層振蕩培養(yǎng)箱120之間固定，連接比較穩(wěn)固，振蕩器振蕩時(shí)不會(huì)導(dǎo)致兩層振蕩培養(yǎng)箱120之間的位置的偏移及因振蕩產(chǎn)生的噪音，可提高振蕩器的振蕩速度。
[0019]在本實(shí)施例中，一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱還包括四個(gè)可調(diào)支腳140與四個(gè)萬向輪150。四個(gè)可調(diào)支腳140安裝于外殼130的底部的四個(gè)角處。具體的，可調(diào)支腳140包括支架、螺桿與底座。支架具有螺帽，支架固定于外殼的底部，底座固定于螺桿的一端，螺桿的另一端旋擰于螺帽中。四個(gè)可調(diào)支腳140的設(shè)置，一方面便于調(diào)整一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱的高度，另一方面便于在水平面較差的地面保持一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱的穩(wěn)定。萬向輪150的設(shè)置,便于一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱的移動(dòng)。
[0020]在本實(shí)施例中，第一層振蕩培養(yǎng)箱110具有第一箱門112與第一控制面板114。第一箱門112具有第一觀察窗，第一控制面板114設(shè)置于外殼130上并位于第一箱門112的右側(cè)。第二層振蕩培養(yǎng)箱120具有第二箱門122與第二控制面板124。第二箱門122具有第二觀察窗，第二控制面板124設(shè)置于外殼130上并位于第二箱門122的右側(cè)。
[0021]在本實(shí)施例中，夕卜殼130的側(cè)面設(shè)置有分別用于控制啟閉第一層振蕩培養(yǎng)箱110與第二層振蕩培養(yǎng)箱120的第一電源開關(guān)116與第二電源開關(guān)126。外殼130的側(cè)面還設(shè)置有通風(fēng)孔。在具體的實(shí)施例中，一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱的高度為1140.2毫米，寬度為756毫米，厚度為817毫米。
[0022]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱,其特征在于,包括第一層振蕩培養(yǎng)箱、第二層振蕩培養(yǎng)箱與外殼，所述第二層振蕩培養(yǎng)箱疊加固定于所述第一層振蕩培養(yǎng)箱上，且兩層振蕩培養(yǎng)箱共用所述外殼。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，其特征在于，所述第二層振蕩培養(yǎng)箱與所述第一層振蕩培養(yǎng)箱焊接連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，其特征在于，還包括四個(gè)可調(diào)支腳與四個(gè)萬向輪，所述四個(gè)可調(diào)支腳安裝于所述外殼的底部的四個(gè)角處。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，其特征在于，所述可調(diào)支腳包括支架、螺桿與底座，所述支架具有螺帽，所述支架固定于所述外殼的底部，所述底座固定于所述螺桿的一端，所述螺桿的另一端旋擰于所述螺帽中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，其特征在于，所述第一層振蕩培養(yǎng)箱具有第一箱門與第一控制面板，所述第一箱門具有第一觀察窗，所述第一控制面板設(shè)置于所述外殼上并位于所述第一箱門的右側(cè)；所述第二層振蕩培養(yǎng)箱具有第二箱門與第二控制面板，所述第二箱門具有第二觀察窗，所述第二控制面板設(shè)置于所述外殼上并位于所述第二箱門的右側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，其特征在于，所述外殼的側(cè)面設(shè)置有分別用于控制啟閉所述第一層振蕩培養(yǎng)箱與所述第二層振蕩培養(yǎng)箱的第一電源開關(guān)與第二電源開關(guān)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，其特征在于，所述外殼的側(cè)面還設(shè)置有通風(fēng)孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱，其特征在于，所述一體雙層單獨(dú)控溫的振蕩培養(yǎng)箱的高度為1140.2毫米，寬度為756毫米，厚度為817毫米。
【文檔編號(hào)】B01L7/00GK203400735SQ201320487618
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年8月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月9日
【發(fā)明者】錢俊, 錢兵, 章龍杰 申請(qǐng)人:上海知楚儀器有限公司