斜坡信號(hào)發(fā)生電路及信號(hào)發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路及信號(hào)發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置，涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，斜坡信號(hào)發(fā)生電路包括：第一移位寄存器、第二移位寄存器、壓降單元以及采集單元；壓降單元分別連接電源輸入端和接地端；第一移位寄存器與壓降單元相連接，用于控制壓降單元對(duì)電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低；采集單元具有輸出端，且采集單元連接壓降單元；第二移位寄存器與采集單元相連接，用于控制采集單元對(duì)壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。這樣一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路可以降低斜坡信號(hào)發(fā)生電路的面積，提高斜坡信號(hào)的線性度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】斜坡信號(hào)發(fā)生電路及信號(hào)發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路及信號(hào)發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，人們不僅對(duì)電子產(chǎn)品的外觀和質(zhì)量有苛刻的需求，而且對(duì)廣品的價(jià)格和實(shí)用性也有著更聞的關(guān)注。
[0003]為滿足大眾的需求，現(xiàn)有的電子產(chǎn)品已廣泛采用S0G(System on Glass)技術(shù)，SOG是指在基板上集成驅(qū)動(dòng)以及系統(tǒng)電路，這種技術(shù)的出現(xiàn)為產(chǎn)品的生產(chǎn)和設(shè)計(jì)提供了巨大的便利，開(kāi)發(fā)人員只需對(duì)基于TFT的系統(tǒng)電路進(jìn)行模擬仿真，便可通過(guò)一定的工藝進(jìn)行實(shí)施，從而大大地降低了電子產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，此外，通過(guò)高度集成化的電路設(shè)計(jì)還可以使得產(chǎn)品更加更小型化。
[0004]尤其是對(duì)于顯示面板，SOG可以有效集成包括行驅(qū)動(dòng)器(GateDriver)、源驅(qū)動(dòng)器(Data Driver)、多路選擇器(Mux)、直流電源轉(zhuǎn)換器(DC-DC)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)及時(shí)序控制器(TCON)等模塊的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在玻璃基板上，可極大降低成本，同時(shí)可最小化屏幕邊框，并解決由于不同驅(qū)動(dòng)芯片互連而帶來(lái)的電阻壓降(IR Drop)、噪聲、可靠性等問(wèn)題。為了完成更多的系統(tǒng)功能，SOG技術(shù)正朝著更加高度集成化和小型化發(fā)展，發(fā)展低成本、節(jié)能、重量輕、輕薄的顯示器的趨勢(shì)已經(jīng)勢(shì)不可擋。SOG技術(shù)是系統(tǒng)電路發(fā)展的必然趨勢(shì)。
[0005]在現(xiàn)有的顯示面板中，陣列基板上通常還包括數(shù)模-模數(shù)轉(zhuǎn)換器等在內(nèi)的多種需要采用斜坡信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的模塊，現(xiàn)階段的SOG技術(shù)尚難以有效集成斜坡信號(hào)發(fā)生器，而額外設(shè)置的斜坡信號(hào)發(fā)生器將大大增加驅(qū)動(dòng)電路的面積，限制了顯示裝置進(jìn)一步的小型化。另一方面，現(xiàn)有的斜坡信號(hào)發(fā)生器難以有效地產(chǎn)生線性度良好的斜坡信號(hào)輸出，這將大大限制顯示裝置產(chǎn)品的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路及信號(hào)發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置，可以降低斜坡信號(hào)發(fā)生電路的面積，提高斜坡信號(hào)的線性度。
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路，包括:
[0009]第一移位寄存器、第二移位寄存器、壓降單元以及采集單元；
[0010]所述壓降單元分別連接電源輸入端和接地端；
[0011]所述第一移位寄存器與所述壓降單元相連接，用于控制所述壓降單元對(duì)所述電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低；
[0012]所述采集單元具有輸出端，且連接所述壓降單元；
[0013]所述第二移位寄存器與所述采集單元相連接，用于控制所述采集單元對(duì)所述壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。[0014]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種斜坡信號(hào)發(fā)生器，包括如上所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路。
[0015]此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括:第一移位寄存器和第二移位寄存器，所述陣列基板還包括如上所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，所述斜坡信號(hào)發(fā)生電路包括:
[0016]壓降單元以及采集單元；
[0017]所述壓降單元分別連接電源輸入端和接地端；
[0018]所述第一移位寄存器與所述壓降單元相連接，用于控制所述壓降單元對(duì)所述電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低；
[0019]所述采集單元具有輸出端，且連接所述壓降單元；
[0020]所述第二移位寄存器與所述采集單元相連接，用于控制所述采集單元對(duì)所述壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供的斜坡信號(hào)發(fā)生電路及信號(hào)發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置，采用兩個(gè)移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計(jì)，通過(guò)不同的時(shí)序信號(hào)設(shè)計(jì)使得兩個(gè)移位寄存器單元分別對(duì)壓降單元以及采集單元的驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對(duì)電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低，同時(shí)第二移位寄存器控制采集單元對(duì)壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號(hào)發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號(hào)的線性度。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為斜坡信號(hào)發(fā)生電路中為N型晶體管時(shí)的信號(hào)時(shí)序示意圖；
[0027]圖4為圖2所示的斜坡信號(hào)發(fā)生電路輸出信號(hào)的仿真波形圖；
[0028]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一斜坡信號(hào)發(fā)生電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6為圖5所示的斜坡信號(hào)發(fā)生電路輸出信號(hào)的仿真波形圖；
[0030]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一斜坡信號(hào)發(fā)生電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一斜坡信號(hào)發(fā)生電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖9為斜坡信號(hào)發(fā)生電路中為P型晶體管時(shí)的信號(hào)時(shí)序示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路，如圖1所示，包括:
[0035]第一移位寄存器11、第二移位寄存器12、壓降單元13以及采集單元14。
[0036]其中，壓降單元13分別連接電源輸入端Vref和接地端。
[0037]第一移位寄存器11與壓降單元13相連接，用于控制壓降單元13對(duì)電源輸入端Vref輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低。
[0038]采集單元14具有輸出端Vo，且采集單元14連接壓降單元13。
[0039]第二移位寄存器12與采集單元14相連接，用于控制采集單元14對(duì)壓降單元13輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，采用兩個(gè)移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計(jì)，通過(guò)不同的時(shí)序信號(hào)設(shè)計(jì)使得兩個(gè)移位寄存器單元分別對(duì)壓降單元以及采集單元的驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對(duì)電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低，同時(shí)第二移位寄存器控制采集單元對(duì)壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號(hào)發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號(hào)的線性度。
[0041]其中，壓降單元13可以采用各種已知的能夠?qū)崿F(xiàn)輸入電壓逐漸降低的電路結(jié)構(gòu)或電子器件，本發(fā)明對(duì)此并不做限定。
[0042]具體的，如圖2所示，壓降單元13包括:呈矩陣形式排列的多個(gè)第一晶體管M。
[0043]位于同一行的第一晶體管M的柵極均與第一移位寄存器11的一個(gè)輸出端相連接。
[0044]位于同一列的第一晶體管M的第一極均與采集單元14的一個(gè)輸入端相連接。
[0045]位于同一行的第一晶體管M的第二極串聯(lián)，且如圖2所示，除過(guò)第一行和最后一行夕卜，位于任意一行最后一列的第一晶體管M的第二極均與其下一行第一列的第一晶體管M的第二極相串聯(lián)。
[0046]在串聯(lián)的第一晶體管M中，任意兩個(gè)相鄰的第一晶體管M的第二極之間均串聯(lián)有降壓電阻R。
[0047]進(jìn)一步地，如圖2所示，采集單元14具體包括:多個(gè)第二晶體管T。
[0048]第二晶體管T的柵極分別連接第二移位寄存器12的不同輸出端，第二晶體管T的第一極均連接采集單元14的輸出端Vo。
[0049]每一個(gè)第二晶體管T的第二極與位于同一列的第一晶體管M的第一極相連接。
[0050]進(jìn)一步地，在如圖2所示的斜坡信號(hào)發(fā)生電路中，第一移位寄存器11的輸入端可以分別連接第一時(shí)鐘信號(hào)CLK1、第二時(shí)鐘信號(hào)CLKBl和第一幀起始信號(hào)STV1，用于逐行開(kāi)
啟第一晶體管M。
[0051]第二移位寄存器12的輸入端可以分別連接第三時(shí)鐘信號(hào)CLK2、第四時(shí)鐘信號(hào)CLKB2和第二幀起始信號(hào)STV2，用于在一行第一晶體管M開(kāi)啟周期內(nèi)，控制采集單元14逐列采集每一個(gè)第一晶體管M的第一極的電壓。
[0052]在本發(fā)明實(shí)施例中，移位寄存器單元具體可以是GOA (Gate Driver on Array,陣列基板行驅(qū)動(dòng))電路，GOA電路是一種級(jí)聯(lián)移位寄存器，它接收始發(fā)輸入的幀起始信號(hào)STV,并通常由兩個(gè)時(shí)鐘信號(hào)(CLK、CLKB)控制GOA內(nèi)部電路TFT (Thin Film Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的開(kāi)啟或關(guān)閉，將輸入信號(hào)一級(jí)級(jí)傳遞，其中CLKB信號(hào)控制每級(jí)的信號(hào)輸出。
[0053]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，第一晶體管M和第二晶體管T均可以為N型晶體管，當(dāng)?shù)谝痪w管M和第二晶體管T均為N型晶體管時(shí)，晶體管的第一極可以為源極、第二極可以為漏極。
[0054]本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性相同的器件，由于這里采用的晶體管的源極、漏極是對(duì)稱的，所以其源極、漏極是沒(méi)有區(qū)別的。在本發(fā)明實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為源極，另一極稱為漏極。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為N型和P型，以下實(shí)施例均以N性晶體管為里進(jìn)行說(shuō)明，可以想到的是在采用P型晶體管實(shí)現(xiàn)時(shí)是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下輕易想到的，因此也是在本發(fā)明的實(shí)施例保護(hù)范圍內(nèi)的。
[0055]從如圖2所示的斜坡信號(hào)發(fā)生電路中可以看出，壓降單元13可以由η行電路組成，每行電路又包括η個(gè)電阻和η個(gè)TFT管M串聯(lián)，TFT管M的柵極連接外部GOAl電路的輸出信號(hào)，每?jī)蓚€(gè)電阻之間連接一個(gè)TFT管M的漏極，同列TFT管M的源極短接在一起連接到TFT管T的漏極，TFT管T的柵極連接G0A2電路的輸出信號(hào)，TFT管T的源極連接輸出端Vo。
[0056]采用這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路產(chǎn)生斜坡信號(hào)，其中，驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)序可以如圖3所示，產(chǎn)生斜坡信號(hào)的過(guò)程具體可以包括傳遞信號(hào)以及采集信號(hào)兩個(gè)步驟。具體描述如下:
[0057]傳遞信號(hào):輸入信號(hào)由直流信號(hào)Vref從第一行的電阻Rl—端輸入。如附圖3所示，由時(shí)鐘信號(hào)CLKl、CLKBl控制GOAl電路，其中CLKl與CLKBl的相位相反，GOAl電路的第一行首先給出輸出信號(hào)VoRl，給第一行的TFT管Ml?Mn，將這行的TFT打開(kāi)。GOAl的時(shí)鐘周期是G0A2時(shí)鐘周期的η倍，這樣在第一行TFT管M被GOAl打開(kāi)的同時(shí)，由CLK2、CLKB2控制的G0A2電路依次將Tl?Tn管子打開(kāi)，其中CLK2與CLKB2的相位相反。由于各個(gè)電阻和TFT管均相同，電壓信號(hào)將依次降低。當(dāng)?shù)谝恍袙呙杞Y(jié)束時(shí)，GOAl電路為第二行TFT管M輸出VoR2信號(hào)，將第二行TFT管M打開(kāi)，第一行的電阻Rn將電壓信號(hào)傳遞給第二行的電阻R1，第二行TFT管M被打開(kāi)的同時(shí)，G0A2電路又依次將Tl?Tn管子打開(kāi)。就這樣，信號(hào)一行一行地被傳遞到第η行，直到第η行的電阻Rn的末端接地。
[0058]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，GOA電路的時(shí)鐘周期具體是指持續(xù)輸出一個(gè)高電平或一個(gè)低電平的時(shí)間長(zhǎng)度。GOAl的時(shí)鐘周期是G0A2時(shí)鐘周期的η倍可以理解為，GOAl持續(xù)輸出一個(gè)高電平的時(shí)間長(zhǎng)度是G0A2持續(xù)輸出一個(gè)高電平的時(shí)間長(zhǎng)度的η倍。即在GOAl向一行或一列持續(xù)輸出一個(gè)高電平的時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)，G0A2能夠完成對(duì)η行或η列依次輸出一個(gè)高電平。
[0059]采集信號(hào):當(dāng)?shù)贗行的電阻Rl?Rn和TFT管Ml?Mn工作時(shí)，G0A2依次將TFT管Tl?Tn打開(kāi)，T管的漏極連接各列的M管的源極，T管的源極連接輸出信號(hào)Vo，這樣No按照時(shí)間順序采集了第一行呈線性下降的斜坡電壓信號(hào)；當(dāng)?shù)?行的電阻Rl?Rn和TFT管Ml?Mn工作時(shí)，G0A2又依次將TFT管Tl?Tn打開(kāi)，Vo繼續(xù)采集第二行呈線性下降的斜坡電壓信號(hào)；直至采集第η行的斜坡下降信號(hào)到0，采集一個(gè)下降斜坡信號(hào)的工作完成，這樣可以循環(huán)采集斜坡信號(hào)。
[0060]這樣一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路的輸出信號(hào)Vo的信號(hào)仿真情況可以如圖4所示，從圖4可以看到，GOAl的第一行的輸出VoRl在兩個(gè)高電平之間，即完整的一幀掃描周期之間完成了一個(gè)完整的斜坡信號(hào)的采集，G0A2的輸出信號(hào)VoCl?VoCn在VoRl第一個(gè)高電平內(nèi)依次完成一次掃描，并在VoR2來(lái)臨時(shí),VoCl?VoCn進(jìn)行第二次掃描,直至一巾貞掃描周期結(jié)束。信號(hào)仿真圖中顯示，本發(fā)明實(shí)施例提供的斜坡信號(hào)發(fā)生電路能夠產(chǎn)生一個(gè)具有良好線性的下降斜坡波形。
[0061 ] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的晶體管M陣列可以根據(jù)實(shí)際情況選擇陣列的行列數(shù)，應(yīng)當(dāng)容易想到的是，當(dāng)晶體管M的行列數(shù)增加時(shí)，通過(guò)增加GOA電路的掃描輸出端，可以進(jìn)一步提高對(duì)于電壓信號(hào)的采樣頻率，從而能夠進(jìn)一步提高斜坡信號(hào)的線性度。
[0062]在上述實(shí)施例中，是以電源輸入端Vref連接位于第一行第一列的第一晶體管Ml的漏極，位于最后一行最后一列的第一晶體管Mn的漏極連接接地端為例進(jìn)行的說(shuō)明。
[0063]其中，降壓電阻R可以用ITO等導(dǎo)電材料制作，每?jī)尚兄g的跨接線連接可以采用金屬導(dǎo)電材料制作，盡管金屬的電阻較小，但仍會(huì)存在一定的跨接線電阻，為了得到具有良好線性的斜坡信號(hào)，在本發(fā)明實(shí)施例中，從第一行至最后一行，相鄰兩行降壓電阻R的阻值可以按跨接線電阻等值減小，這樣可以形成線性度更高的下降斜坡信號(hào)。在實(shí)際應(yīng)用的過(guò)程中，相鄰兩行降壓電阻R的阻值減小的值可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的面板工藝通過(guò)相應(yīng)的計(jì)算得到。
[0064]例如，可以根據(jù)工藝資料查到金屬導(dǎo)電材料的方塊電阻Rs，再根據(jù)導(dǎo)線的長(zhǎng)(L)和寬(W)求出方塊數(shù)N=L/W，那么N*Rs即為連接兩電阻行之間的跨接線的跨接線電阻值。在本發(fā)明實(shí)施例中，從第一行至最后一行，相鄰兩行降壓電阻R的阻值可以依次減小N*Rs，這樣一來(lái)，可以有效克服跨接線電阻對(duì)電壓壓降產(chǎn)生的影響，形成線性度更高的下降斜坡信號(hào)。
[0065]或者，電源輸入端Vref還可以連接位于最后一行最后一列的第一晶體管M的漏極，位于第一行第一列的第一晶體管的漏極還可以連接接地端。
[0066]具體的，如圖5所示，第一行的Rl的輸入端接地，第η行的Rn的輸出端接直流輸入信號(hào)Vref，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路可以形成上升斜坡波形信號(hào)。其驅(qū)動(dòng)信號(hào)同樣可以采用如圖3所示的信號(hào)，工作過(guò)程同樣可以分為傳遞信號(hào)和采集信號(hào)兩個(gè)過(guò)程，工作原理和如圖2所示的下降斜坡信號(hào)發(fā)生電路類(lèi)似，只不過(guò)是電壓處在上升的過(guò)程。
[0067]這樣一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路的輸出信號(hào)Vo的信號(hào)仿真情況可以如圖6所不,從仿真結(jié)果來(lái)看，在GOAl的第一行的輸出VoRl在兩個(gè)高電平之間完成了一個(gè)完整的上升斜坡信號(hào)的采集，信號(hào)仿真圖中顯示，本發(fā)明實(shí)施例提供的斜坡信號(hào)發(fā)生電路能夠產(chǎn)生一個(gè)具有良好線性的上升斜坡波形。
[0068]與圖2所示的下降斜坡信號(hào)發(fā)生電路類(lèi)似的，在圖5所示的斜坡信號(hào)發(fā)生電路中，其中，降壓電阻R可以用ITO等導(dǎo)電材料制作，每?jī)尚兄g的跨接線連接可以采用金屬導(dǎo)電材料制作，盡管金屬的電阻較小，但仍會(huì)存在一定的跨接線電阻，為了得到具有良好線性的斜坡信號(hào)，在本發(fā)明實(shí)施例中，從第一行至最后一行，相鄰兩行降壓電阻R的阻值可以按跨接線電阻等值增大，這樣可以形成線性度更高的下降斜坡信號(hào)。在實(shí)際應(yīng)用的過(guò)程中，相鄰兩行降壓電阻R的阻值增大的值可以根據(jù)實(shí)際上所用的面板工藝得到。具體方法可以參見(jiàn)前述實(shí)施例，此處不再贅述。
[0069]在上述實(shí)施例中，均是以第一晶體管M和第二晶體管T為N型晶體管為例進(jìn)行的說(shuō)明。除此之外，本發(fā)明實(shí)施例提供的斜坡信號(hào)發(fā)生電路還可以用于P型TFT中。當(dāng)?shù)谝痪w管M和第二晶體管T均為P型晶體管時(shí)，相應(yīng)的下降斜坡信號(hào)發(fā)生電路和上升斜坡信號(hào)發(fā)生電路圖分別如附圖7、8所示，圖9為用于驅(qū)動(dòng)如圖7或圖8所示的斜坡信號(hào)發(fā)生電路的相應(yīng)的電路時(shí)序圖，相應(yīng)的原理可以參照上述關(guān)于N型TFT結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路的說(shuō)明，此處不再贅述。
[0070]本發(fā)明實(shí)施例提供的這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號(hào)發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號(hào)的線性度。
[0071 ] 進(jìn)一步地，在上述斜坡信號(hào)發(fā)生電路中，考慮到采集單元14的輸出端Vo所輸出信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力有限，因此可以在斜坡信號(hào)發(fā)生電路的內(nèi)部或外部額外設(shè)置放大單元15，該放大單元15的輸入端可以連接采集單元14的輸出端Vo，用于對(duì)采集單元14輸出的電壓進(jìn)行功率放大。
[0072]例如，在如圖2所示的斜坡信號(hào)發(fā)生電路中，放大單元15具體可以采用功率放大器或其他具有相同功能的電路，本發(fā)明對(duì)此并不做限制。
[0073]本發(fā)明實(shí)施例提供的斜坡信號(hào)發(fā)生電路的優(yōu)點(diǎn)還在于，通過(guò)設(shè)置含有走線的矩陣電阻結(jié)構(gòu)進(jìn)行斜坡信號(hào)的采集，G0A2的驅(qū)動(dòng)方式只需要單向掃描即可，此外G0A2的電路結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，且整個(gè)電路的面積也相對(duì)較小。
[0074]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種斜坡信號(hào)發(fā)生器，包括如上所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路。
[0075]這樣一種斜坡信號(hào)發(fā)生器可以單獨(dú)或與其他器件組合作為信號(hào)源，廣泛地應(yīng)用于各種需要進(jìn)行斜坡信號(hào)驅(qū)動(dòng)的器件或電路結(jié)構(gòu)中。其中，斜坡信號(hào)發(fā)生電路的結(jié)構(gòu)已在前述實(shí)施例中做了詳細(xì)的描述，此處不做贅述。
[0076]本發(fā)明實(shí)施例提供的斜坡信號(hào)發(fā)生器，包括斜坡信號(hào)發(fā)生電路，該電路采用兩個(gè)移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計(jì)，通過(guò)不同的時(shí)序信號(hào)設(shè)計(jì)使得兩個(gè)移位寄存器單元分別對(duì)壓降單元以及采集單元的驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對(duì)電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低，同時(shí)第二移位寄存器控制采集單元對(duì)壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號(hào)發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號(hào)的線性度。
[0077]本發(fā)明實(shí)施例提供的斜坡信號(hào)發(fā)生電路還可以應(yīng)用于顯示面板中的陣列基板結(jié)構(gòu)。其中，現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板中多采用包括第一移位寄存器和第二移位寄存器在內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)。
[0078]其中，第一移位寄存器和第二移位寄存器分別用于向顯示區(qū)域像素單元輸入柵極行掃描信號(hào)或數(shù)據(jù)線掃描信號(hào)。采用這樣一種像素陣列結(jié)構(gòu)可以有效減少顯示裝置的外圍走線，實(shí)現(xiàn)顯示裝置的窄邊框設(shè)計(jì)。
[0079]進(jìn)一步地，該陣列基板還可以包括如上所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，其中，該斜坡信號(hào)發(fā)生電路具體包括:[0080]壓降單元以及采集單元；
[0081]壓降單元分別連接電源輸入端和接地端；
[0082]第一移位寄存器與壓降單元相連接，用于控制壓降單元對(duì)電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低；
[0083]采集單元具有輸出端，且連接壓降單元；
[0084]第二移位寄存器與采集單元相連接，用于控制采集單元對(duì)壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。
[0085]采用這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板，通過(guò)將壓降單元以及采集單元集成于陣列基板上，并利用陣列基板上已有的兩個(gè)移位寄存器，從而形成斜坡信號(hào)發(fā)生電路。這樣一來(lái)，在陣列基板的表面無(wú)需額外增設(shè)大量的元件即可以實(shí)現(xiàn)斜坡信號(hào)發(fā)生功能，從而能夠有效控制顯示面板驅(qū)動(dòng)電路的面積，保證了顯示裝置能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框的設(shè)計(jì)。
[0086]其中，斜坡信號(hào)發(fā)生電路的結(jié)構(gòu)已在前述實(shí)施例中做了詳細(xì)的描述，此處不做贅述。
[0087]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括斜坡信號(hào)發(fā)生電路，該斜坡信號(hào)發(fā)生電路采用兩個(gè)移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計(jì)，通過(guò)不同的時(shí)序信號(hào)設(shè)計(jì)使得兩個(gè)移位寄存器單元分別對(duì)壓降單元以及采集單元的驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對(duì)電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低，同時(shí)第二移位寄存器控制采集單元對(duì)壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號(hào)發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號(hào)的線性度。
[0088]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0089]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所提供的顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0090]其中，陣列基板的結(jié)構(gòu)已在前述實(shí)施例中做了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。
[0091]這樣一種結(jié)構(gòu)的顯示裝置，包括陣列基板，該陣列基板包括斜坡信號(hào)發(fā)生電路，該斜坡信號(hào)發(fā)生電路采用兩個(gè)移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計(jì)，通過(guò)不同的時(shí)序信號(hào)設(shè)計(jì)使得兩個(gè)移位寄存器單元分別對(duì)壓降單元以及采集單元的驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對(duì)電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低，同時(shí)第二移位寄存器控制采集單元對(duì)壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號(hào)發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號(hào)發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號(hào)的線性度。
[0092]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分流程可以通過(guò)計(jì)算機(jī)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0093]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種斜坡信號(hào)發(fā)生電路，其特征在于，包括: 第一移位寄存器、第二移位寄存器、壓降單元以及采集單元； 所述壓降單元分別連接電源輸入端和接地端； 所述第一移位寄存器與所述壓降單元相連接，用于控制所述壓降單元對(duì)所述電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低； 所述采集單元具有輸出端，且所述采集單元連接所述壓降單元； 所述第二移位寄存器與所述采集單元相連接，用于控制所述采集單元對(duì)所述壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，其特征在于，所述壓降單元包括:呈矩陣形式排列的多個(gè)第一晶體管； 位于同一行的所述第一晶體管的柵極均與所述第一移位寄存器的一個(gè)輸出端相連接; 位于同一列的所述第一晶體管的第一極均與所述采集單元的一個(gè)輸入端相連接；位于同一行的所述第一晶體管的第二極串聯(lián)，且位于任意一行最后一列的所述第一晶體管的第二極均與其下一行第一列的所述第一晶體管的第二極相串聯(lián)； 在串聯(lián)的所述第一晶體管中，任意兩個(gè)相鄰的所述第一晶體管的第二極之間均串聯(lián)有降壓電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，其特征在于，所述采集單元包括:多個(gè)第二晶體管； 所述第二晶體管的柵極分別連接所述第二移位寄存器的不同輸出端，所述第二晶體管的第一極均連接所述采集單元的輸出端； 每一個(gè)所述第二晶體管的第二極與位于同一列的所述第一晶體管的第一極相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，其特征在于， 所述第一晶體管和所述第二晶體管均為N型晶體管，或所述第一晶體管和所述第二晶體管均為P型晶體管； 當(dāng)所述第一晶體管和所述第二晶體管均為N型晶體管時(shí)，晶體管的第一極為源極、第二極為漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，其特征在于， 所述電源輸入端連接位于第一行第一列的所述第一晶體管的第二極，位于最后一行最后一列的所述第一晶體管的第二極連接所述接地端；或， 所述電源輸入端連接位于最后一行最后一列的所述第一晶體管的第二極，位于第一行第一列的所述第一晶體管的第二極連接所述接地端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，其特征在于， 串聯(lián)于同一行的所述降壓電阻的阻值相同； 且當(dāng)所述電源輸入端連接位于第一行第一列的所述第一晶體管的第二極，位于最后一行最后一列的所述第一晶體管的第二極連接所述接地端時(shí)，從第一行至最后一行，相鄰兩行所述降壓電阻的阻值等比例減??； 當(dāng)所述電源輸入端連接位于最后一行最后一列的所述第一晶體管的第二極，位于第一行第一列的所述第一晶體管的第二極連接所述接地端時(shí)，從第一行至最后一行，相鄰兩行所述降壓電阻的阻值等比例增大。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，其特征在于， 所述第一移位寄存器的輸入端分別連接第一時(shí)鐘信號(hào)、第二時(shí)鐘信號(hào)和第一幀起始信號(hào)，用于逐行開(kāi)啟所述第一晶體管； 所述第二移位寄存器的輸入端分別連接第三時(shí)鐘信號(hào)、第四時(shí)鐘信號(hào)和第二幀起始信號(hào)，用于在一行第一晶體管開(kāi)啟周期內(nèi)，控制所述采集單元逐列采集每一個(gè)所述第一晶體管的第一極的電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，其特征在于，所述斜坡信號(hào)發(fā)生電路還包括: 放大單元，所述放大單元的輸入端連接所述采集單元的輸出端，用于對(duì)所述采集單元輸出的電壓進(jìn)行功率放大。
9.一種斜坡信號(hào)發(fā)生器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路。
10.一種陣列基板，包括:第一移位寄存器和第二移位寄存器，其特征在于，所述陣列基板還包括如權(quán)利要求1-8任一所述的斜坡信號(hào)發(fā)生電路，所述斜坡信號(hào)發(fā)生電路包括: 壓降單元以及采集單元； 所述壓降單元分別連接電源輸入端和接地端；· 所述第一移位寄存器與所述壓降單元相連接，用于控制所述壓降單元對(duì)所述電源輸入端輸入的電壓進(jìn)行逐級(jí)連續(xù)地電壓降低； 所述采集單元具有輸出端，且連接所述壓降單元； 所述第二移位寄存器與所述采集單元相連接，用于控制所述采集單元對(duì)所述壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進(jìn)行采集并輸出。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G09G3/20GK103714773SQ201310703124
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月19日
【發(fā)明者】王儷蓉, 段立業(yè), 吳仲遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司