源自于四官能酰鹵單體的薄膜復合膜的制作方法
【專利摘要】制造包括多孔載體和薄膜聚酰胺層的復合聚酰胺膜的方法，其中所述方法包括向多孔載體表面施加多官能胺單體和由式(I)表示的四酰鹵單體并界面聚合所述單體以形成薄膜聚酰胺層的步驟；其中A選自：氧(-O-)；碳(-C-)；硅(-Si-)；其各自可以是未取代或例如用1-4個碳原子的烷基取代；或羰基(-C(O)-)，X是相同或不同的并選自鹵素，和Y選自鹵素和羥基。
【專利說明】源自于四官能酰鹵單體的薄膜復合膜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及薄膜復合膜及其制造和使用方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜復合（TFC)膜用于各種流體分離。所述薄膜層可以通過將多官能胺（例 如間苯二胺）和多官能酰鹵（例如均苯三甲酰氯）單體用不混溶溶液順序涂布在載體 上后二者之間界面縮聚反應而形成，參見例如Cadotte的US4277344。已經(jīng)研宄了各種 多官能酰鹵單體和單體組合。例如，Cadotte的US4259183描述了二和三官能酰鹵單體 的組合，例如間苯二酰氯或?qū)Ρ蕉Ｂ扰c均苯三甲酰氯的組合。四酰鹵單體也在文獻中 描述，參見例如：i)Lei，Li等，PolyamideThinFilmCompositeMembranesPrepared fromIsomericBiphenylTetraacylChlorideandm-Phenylenediamine，Journalof MembraneScience，315(2008)，20-27 ;ii)R.J.Peterson，CompositeReverseOsmosisand NanofiltrationMembranes，JournalofMembraneScience，83(1993)，81_150頁（參見例 如116-117頁）和US6162358,這二者描述了使用金剛烷-2, 6二酮-1，3, 5, 7-四碳酰氯， 和1^)0價02219673，其描述了利用5,5'-亞甲基二間苯二酰氯、均苯三酰氯和哌嗪的組合 形成納米過濾膜。
[0003] 膜的特征通常在于它們的水和NaCl滲透系數(shù)、S卩"A"和"B"值；參見MUlder，BasiC PrinciplesofMembraneTechnology，第二版，KluwerAcademicPublishers(1996) 〇 雖 然反滲透（R〇)膜對于NaCl的B值通常小于0. 3GFD，但在特殊應用中需要低得多的值（例 如小于0. 04GFD)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 制造包括多孔載體和薄膜聚酰胺層的復合聚酰胺膜的方法，其中所述方法包括向 多孔載體表面施加多官能胺單體和由式（I)表示的四酰鹵單體并界面聚合所述單體以形 成薄膜聚酰胺層的步驟；
[0005]
【權(quán)利要求】
1. 用于制造包括多孔載體和薄膜聚酰胺層的復合聚酰胺膜的方法，其中所述方法包括 向多孔載體的表面施加多官能胺單體和由式（I)表示的四酰鹵單體并界面聚合所述單體 以形成薄膜聚酰胺層的步驟； 式⑴：
其中A選自：氧（-〇-);碳（-C-);娃（-Si-);其各自可以是未取代或被具有1_4個碳原 子的烷基取代的；或羰基（-C(O)-)，X是相同或不同的并選自鹵素，和Y選自鹵素和羥基。
2. 任一前述權(quán)利要求的方法，其中所述復合膜具有小于或等于0. 04GFD的B值。
3. 任一前述權(quán)利要求的方法，其中所述復合膜具有小于或等于0. 03GFD的B值。
4. 任一前述權(quán)利要求的方法，其中所述多官能胺單體包含伯氨基官能團。
5. 任一前述權(quán)利要求的方法，其中所述多官能胺單體是芳族的。
6. 任一前述權(quán)利要求的方法，其中所述多官能胺單體包括間苯二胺。
7. 任一前述權(quán)利要求的方法，其中式（I)的四酰鹵單體從非極性溶液涂布在所述多孔 載體的表面上，其中所述溶液包含選自烷基化苯、鏈烷烴和異鏈烷烴中至少一種的溶劑。
8. 權(quán)利要求7的方法，其中所述非極性溶液還包含不同于式（I)表示的單體的多官能 酰鹵單體。
9. 權(quán)利要求7的方法，其中所述非極性溶液還包含均苯三甲酰氯。
10. 任一前述權(quán)利要求的方法，其中所述四酰鹵單體由式（V)表示： 式（V):
其中X是相同或不同的并選自鹵素，和Y選自鹵素和羥基。
【文檔編號】B01D69/12GK104470628SQ201380038531
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月19日
【發(fā)明者】T·L·阿羅伍德, A·A·德塞, S·D·瓊斯, M·保羅, A·羅伊 申請人:陶氏環(huán)球技術(shù)有限責任公司