基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測方法與裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測方法與裝置，清液出口管道正中間的水平段處設(shè)有與清液出口管道緊密相連的磁珠檢測裝置，在磁珠檢測管道內(nèi)的中間徑向水平并排布置浸在清液中的正、負(fù)極電極片；兩個(gè)靠近但不接觸的金屬電極的下段均伸入到磁珠檢測管道內(nèi)的清液中、上段均伸出磁珠檢測管道之外且在上段上各纏繞有一個(gè)線圈；兩個(gè)二金屬電極的頂端均通過MCU采樣接口連接MCU主控單元，根據(jù)電壓和電流計(jì)算出清液的電阻R0，在原液中加入直徑大于膜孔徑的磁珠，采集此時(shí)兩個(gè)金屬電極之間的電壓并計(jì)算出此時(shí)的電阻R，比較電阻R和電阻R0，通過清液電阻的變化表征出過濾膜損壞的程度，檢測靈敏度高，不會(huì)被對(duì)膜造成破壞。
【專利說明】
基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測方法與裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及過濾膜損的檢測【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測方法與裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在生物、化工、核工業(yè)、冶金、食品、飲料、醫(yī)藥及環(huán)保等行業(yè)都需要用到膜分離技術(shù)。在膜分離的過程中，由于液體反復(fù)沖擊、有機(jī)化合物沉淀腐蝕膜管、加入助濾的超聲波等都會(huì)使膜孔徑發(fā)生變化，造成膜損傷，并且這些損傷都是不可逆不能修復(fù)的，使得該被過濾掉的雜質(zhì)透過膜進(jìn)入清液，提取出來的清液含有雜質(zhì)，影響了膜的過濾性能。因此，如何及時(shí)有效地檢測膜破損，確保膜完整性尤為重要。
[0003]在膜損壞檢測識(shí)別方面，目前常用的方法有:(I)泡點(diǎn)測試法。該方法的原理是檢測一個(gè)完全潤濕膜在緩慢加壓條件下，氣體沖破潤濕膜孔形成大量氣泡時(shí)能被檢測的最小壓力；(2)濁度檢測法。該方法基于膜破損前后透過液的濁度不同，通過檢測透過液的濁度反映膜是否完整；(3)微生物示蹤測試法。該方法是將噬菌體和孢囊投入到一個(gè)已知有機(jī)污染物濃度的原水中，在沒有加氯消毒前，測量濾過液中噬菌體數(shù)量。以上這些方法都存在自身缺陷，濁度檢測法雖然能夠連續(xù)在線檢測，但是檢測不靈敏并且受原液顆粒濃度和工藝條件的限制，應(yīng)用范圍較小。微生物示蹤測試法雖然靈敏度高，但是生物媒介具有破壞性，測試時(shí)間長，不能及時(shí)反映膜完整性且不能夠在線檢測。泡點(diǎn)測試法不依賴原液水質(zhì)，操作簡單，但是也不能在線檢測，測量時(shí)需要將膜從膜組件上移除。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服現(xiàn)有膜損壞檢測識(shí)別方法的不足，本發(fā)明提出一種基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測方法與裝置，不受原液濃度的影響，不需要將膜從膜組件上移除，不會(huì)被對(duì)膜造成破壞，能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)在線檢測，檢測靈敏度高且檢測結(jié)果準(zhǔn)確。
[0005]本發(fā)明提出的一種基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測裝置采用的技術(shù)方案是:包括裝原液的原液罐，原液罐底部中心處通過原液進(jìn)料管道連接膜組件上端，膜組件下端底部與清液出口管道一端相連，清液出口管道另一端伸入清液罐中，清液出口管道正中間為水平段，在該水平段處設(shè)有與清液出口管道緊密相連的磁珠檢測裝置；磁珠檢測裝置包括磁珠檢測管道及位于磁珠檢測管道外部的交流穩(wěn)壓電源，磁珠檢測管道的兩端與清液出口管道相連，在磁珠檢測管道內(nèi)的中間徑向水平并排布置浸在清液中的正、負(fù)極電極片；交流穩(wěn)壓電源經(jīng)正極輸出排線連接正極電極片、經(jīng)負(fù)極輸出排線連接負(fù)極電極片；兩個(gè)靠近但不接觸的金屬電極的下段均伸入到磁珠檢測管道內(nèi)的清液中、上段均伸出磁珠檢測管道之外且在上段上各纏繞有一個(gè)線圈，兩個(gè)所述線圈分別連接到正、負(fù)極輸出排線上；兩個(gè)二金屬電極的頂端均通過MCU采樣接口連接MCU主控單元。
[0006]本發(fā)明提出的一種基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測方法采用的技術(shù)方案是具有以下步驟: A、開啟交流穩(wěn)壓電源并設(shè)置其輸出電流，正、負(fù)極電極片給磁珠檢測管道內(nèi)的清液通電流，兩個(gè)通電的線圈使兩個(gè)金屬電極具有磁性，MCU主控單元通過MCU采樣接口采集兩個(gè)金屬電極之間的電壓，MCU主控單元根據(jù)電壓和電流計(jì)算出清液的電阻R0 ；
B、在原液中加入直徑大于膜孔徑的磁珠，在原液進(jìn)入膜組件中后，透過膜孔的清液經(jīng)過清液出口管道和磁珠檢測裝置從清液出口管道流出，采集此時(shí)兩個(gè)金屬電極之間的電壓并計(jì)算出此時(shí)的電阻R ;
C、比較電阻R和電阻Rtl，若電阻R等于電壓Rtl，則清液中沒有磁珠，膜完好；若電阻R符合Mlj ? 則清液中有少量磁珠，膜輕微破損；若電阻R符合則清液中有大量磁珠，膜嚴(yán)重破損。
[0007]本發(fā)明與已有方法和技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn):
1、本發(fā)明將定量的磁珠投入原液中，向清液中通入電流，通過金屬電極采集清液電壓，并在電極上端纏繞線圈構(gòu)成電磁鐵，將磁珠聚集在電極周圍，將檢測磁珠濃度轉(zhuǎn)化為檢測清液電阻，結(jié)合溶液與磁珠電阻差別較大的原理，通過清液電阻的變化表征出過濾膜損壞的程度。能夠?qū)⑺型高^膜孔的磁珠聚集起來，檢測靈敏度高，可靠性好；通過檢測清液中磁珠的濃度完成膜損檢測，因此不受原液濃度的影響，不需要將膜從膜組件上移除，不會(huì)被對(duì)膜造成破壞，能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)在線檢測。
[0008]2、本發(fā)明檢測出清液中磁珠濃度，并結(jié)合清液電阻與磁珠濃度呈線性關(guān)系的特點(diǎn)，通過清液電阻的變化表征出過濾膜損壞的程度，操作簡單，測量準(zhǔn)確。
[0009]3、本發(fā)明中的磁珠顆粒最小可以達(dá)到納米級(jí)，能夠檢測出各種類型過濾膜的損壞，應(yīng)用范圍廣。
[0010]4、本發(fā)明設(shè)計(jì)了膜損等級(jí)評(píng)判算法，在線評(píng)估膜的損壞等級(jí)，能夠檢測出過濾膜早期的輕微膜損，指導(dǎo)生產(chǎn)實(shí)踐。能夠最大化膜的利用率，提高生產(chǎn)效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明一種基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測裝置的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是圖1中電化學(xué)法磁珠檢測裝置12的側(cè)視結(jié)構(gòu)放大圖；
圖3是磁珠檢測裝置12中的清液電阻隨磁珠濃度變化圖；
圖4是本發(fā)明基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測方法的工作流程簡圖。
[0012]附圖中各部件的序號(hào)和名稱:1.原液罐；2.原液進(jìn)料管道；3.增壓泵；4.第一閥門；5.原液進(jìn)料管道法蘭；6.第二閥門；7.濃縮液出口管道；8.濃縮液出口管道法蘭；9.清液出口管道；10.清液出口管道法蘭；11.膜組件；12.磁珠檢測裝置；13.磁珠檢測裝置法蘭；14.第三閥門；15.清液罐；16.交流穩(wěn)壓電源；17.正極輸出排線；18.負(fù)極輸出排線；19.正極電極片；20.負(fù)極電極片；21.磁珠檢測管道；22.清液；23.第一金屬電極；24.第二金屬電極；25.線圈；26.磁珠；27.MCU采樣接口。

【具體實(shí)施方式】
[0013]參見圖1，本發(fā)明一種基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測裝置主要包括:原液罐
1、原液進(jìn)料管道2、增壓泵3、濃縮液出口管道7、清液出口管道9、膜組件11、磁珠檢測裝置12、清液罐15等。將待處理料液裝在原液罐I中，原液罐I底部中心處連接原液進(jìn)料管道2的一端，原液進(jìn)料管道2的另一端通過原液進(jìn)料管道法蘭5連接膜組件11上端。在靠近原液罐I底部處的原液進(jìn)料管道2上設(shè)置第一閥門4，第一閥門4用于控制原液的流通，在第一閥門4和膜組件11之間的原液進(jìn)料管道2上安裝增壓泵3，使原液罐I的料液充滿各路管道及膜組件11。膜組件11下端側(cè)部通過濃縮液出口管道法蘭8與濃縮液出口管道7的一端相連，濃縮液出口管道7的中間處設(shè)有第二閥門6，用于控制濃縮液的的排放，濃縮液出口管道7的另一端從原液罐I頂部通入原液罐I中，可以將濃縮液收集到原液罐I后便于繼續(xù)循環(huán)處理。膜組件11下端底部通過清液出口管道法蘭10與清液出口管道9的一端入口端相連，過濾后的清液從清液出口管道9流出。清液出口管道9正中間為水平段，清液出口管道9正中間水平段處設(shè)有磁珠檢測裝置12，磁珠檢測裝置12的兩端均通過磁珠檢測裝置法蘭13與清液出口管道9緊密相連，磁珠檢測裝置12用來檢測通過膜組件11的膜孔后進(jìn)入清液的磁珠。清液出口管道9的另一端出口端伸在清液罐15中，將排放的清液收集到清液罐15中，并且在清液出口管道9的另一端上設(shè)有第三閥門14，便于控制清液的排放。
[0014]工作時(shí)，先向原液罐I中注入需要過濾提純的原液，再給增壓泵3通電，在壓力作用下原液經(jīng)過原液進(jìn)料管道2后進(jìn)入膜組件11中，未能透過膜孔的濃縮液從濃縮液出口管道7流出返回原液罐I中進(jìn)行再次過濾，透過膜孔的清液經(jīng)過清液出口管道9和磁珠檢測裝置12，從清液出口管道9流出。如果向原液中加入磁珠的直徑大于膜孔徑，磁珠隨原液進(jìn)入膜組件11后不能透過膜孔，隨濃縮液從濃縮液出口管道7流出回到原液罐I中；如果向原液中加入磁珠的直徑小于膜孔徑，磁珠隨原液進(jìn)入膜組件11后能夠透過膜孔，隨清液從清液出口管道9流出，磁珠經(jīng)過磁珠檢測裝置12時(shí)被該裝置聚集起來。在同等單位下，要求磁珠的直徑大于膜孔徑，差值為10。如果膜孔徑為25nm，則選用直徑為35nm的磁珠，如果膜的孔徑為25um,則選用直徑為35um的磁珠。磁珠由氧化鐵金屬材料制成。
[0015]參見圖2所示的磁珠檢測裝置12的結(jié)構(gòu)，磁珠檢測裝置12包括磁珠檢測管道21、交流穩(wěn)壓電源16等，交流穩(wěn)壓電源16位于磁珠檢測管道21外部。磁珠檢測管道21的兩端位于清液出口管道9水平段的正中間，分別通過磁珠檢測裝置法蘭13與清液出口管道9相連。在磁珠檢測管道21內(nèi)流過清液22，在磁珠檢測管道21內(nèi)的中間徑向水平并排布置正極電極片19和負(fù)極電極片20，正極電極片19和負(fù)極電極片20浸在清液22中。交流穩(wěn)壓電源16兩路輸出，分別連接正極輸出排線17和負(fù)極輸出排線18，正極電極片19與正極輸出排線17連接，負(fù)極電極片20與負(fù)極輸出排線18連接，用來給磁珠檢測管道21內(nèi)的清液22通電流。第一金屬電極23和第二金屬電極24的下段都伸入到磁珠檢測管道21內(nèi)的清液22中，上段伸出磁珠檢測管道21之外，并且在兩個(gè)金屬電極23、24的上段上各纏繞一個(gè)線圈25，兩個(gè)線圈25分別連接到正極輸出排線17和負(fù)極輸出排線18上。第一金屬電極23和第二金屬電極24的的頂端均連接到MCU采樣接口 27上，用來采集第一金屬電極23和第二金屬電極24之間的電壓。MCU采樣接口 27連接MCU主控單元(圖2中省略了 MCU主控單兀)，米集的第一金屬電極23和第二金屬電極24之間的電壓輸入MCU主控單兀中。
[0016]第一金屬電極23和第二金屬電極24距離很靠近，但不接觸，均靠近磁珠檢測管道21的正中間。兩個(gè)線圈25通電后,第一金屬電極23和第二金屬電極24都具有磁性,只要原液中有磁珠26透過了膜孔進(jìn)入清液22中，在磁力作用下，所有磁珠26都會(huì)聚集在第一金屬電極23和第二金屬電極24的下段，磁珠26檢測的靈敏度很高。隨著磁珠26的不斷吸附，第一金屬電極23和第二金屬電極24之間的距離越來越近，在清液22中的電流一定的前提下，MCU采樣接口 27采集的第一金屬電極23和第二金屬電極24之間清液的電壓也會(huì)越來越小。當(dāng)聚集的磁珠26較多后，就能夠使第一金屬電極23和第二金屬電極24、正極電極片19及負(fù)極電極片20連通，構(gòu)成一個(gè)回路，此時(shí)MCU采樣接口 27采集的是第一金屬電極23和第二金屬電極24之間聚集的磁珠26的電壓。當(dāng)線圈25斷電后,第一金屬電極23和第二金屬電極24失去磁性，磁珠26隨清液流入清液罐15中，在清液罐15中將磁珠26聚集起來，以備下次使用。
[0017]打開交流穩(wěn)壓電源16開關(guān)后，正極輸出排線17和負(fù)極輸出排線18之間具有電勢(shì)差，正極電極片19和負(fù)極電極片20通電后，磁珠檢測管道21內(nèi)的清液22有電流通過。當(dāng)過濾膜完好時(shí)，原液中的磁珠透不過膜孔，磁珠隨濃縮液重新回到原液罐I中。此時(shí)清液中沒有磁珠，MCU采樣接口 27采集的是第一金屬電極23和第二金屬電極24之間清液的電壓，已知交流穩(wěn)壓電源16的輸出電流為I，由歐姆定律R=U/I可以通過MCU主控單元計(jì)算出第一金屬電極23和第二金屬電極24之間清液的電阻如果過濾膜有輕微破損，原液中會(huì)有少量的磁珠26透過膜孔進(jìn)入清液22中，磁珠26流經(jīng)磁珠檢測管道21時(shí)在磁力作用下會(huì)吸附在第一金屬電極23和第二金屬電極24上，由于透過的磁珠26數(shù)量較少，不能夠使第一金屬電極23和第二金屬電極24、正極電極片19及負(fù)極電極片20連通，MCU主控單元計(jì)算出第一金屬電極23和第二金屬電極24之間清液和磁珠共同的電阻R1，此時(shí)由于第一金屬電極23和第二金屬電極24上吸附了少量的磁珠26,而磁珠26是由氧化鐵金屬材料制成，在相同溫度下，溶液的電阻率是金屬磁珠電阻率的幾十倍到幾百倍，則R1小于％。如果過濾膜嚴(yán)重破損，原液中會(huì)有大量的磁珠26透過膜孔進(jìn)入清液22中，磁珠26流經(jīng)磁珠檢測管道21時(shí)在磁力作用下吸附會(huì)在第一金屬電極23和第二金屬電極24上，由于透過的磁珠26數(shù)量較多,此時(shí)第一金屬電極23和第二金屬電極24、正極電極片19及負(fù)極電極片20連通，構(gòu)成一個(gè)回路，MCU主控單元計(jì)算出第一金屬電極23和第二金屬電極24之間磁珠的電阻R2,由于磁珠26的電阻要遠(yuǎn)小于清液22的電阻，則R2遠(yuǎn)小于％。
[0018]參見圖3，為清液22電阻隨磁珠26濃度變化圖。清液電阻與磁珠濃度呈線性關(guān)系，磁珠聚集分為三個(gè)過程:(I)在h時(shí)刻，清液中磁珠26的濃度為O時(shí)，即清液中沒有磁珠26，MCU采樣接口 27采集的電壓為第一金屬電極23和第二金屬電極24之間清液22的電壓，電壓送至MCU主控單元處理，由MCU主控單元計(jì)算轉(zhuǎn)換成阻值，所得電阻為清液22的電阻％。由于清液22阻抗大，所得R0數(shù)值很大，此時(shí)過濾膜未損壞；(2)在h時(shí)刻，清液22中磁珠26的濃度為C1,即清液22中有少許磁珠26，MCU采樣接口 27采集的電壓為第一金屬電極23和第二金屬電極24之間清液22和少量磁珠26共同電壓，計(jì)算所得電阻為清液22和少量磁珠26的電阻R1,由于磁珠26阻抗小于清液22阻抗，所得R1略小于R。，此時(shí)過濾膜輕微破損；(3)在t2時(shí)刻，清液22中磁珠26濃度為C2,即清液22中有大量磁珠26，MCU采樣接口 27采集的電壓為第一金屬電極23和第二金屬電極24之間磁珠26的電壓，計(jì)算所得電阻為聚集起來磁珠26的電阻R2,由于磁珠26阻抗遠(yuǎn)小于清液22阻抗，所得R2遠(yuǎn)小于Rtl，此時(shí)過濾膜嚴(yán)重破損。由此提出膜損程度等級(jí)評(píng)判方法，將膜損程度劃分為完好、輕微破損、嚴(yán)重破損三個(gè)等級(jí)，并用分?jǐn)?shù)來代替，完好為3分，輕微破損為2分，嚴(yán)重破損為I分。當(dāng)被測量的等級(jí)為嚴(yán)重破損時(shí)代表該膜不能繼續(xù)使用，要立即更換新膜。
Γ3 R: Rq
[0019]P:: "j 2 ￠).9Zf0 < R < Rq ，
[l M < 0.9 R0
上式中Rtl為沒有投入磁珠之前清液的電阻，R為投入磁珠之后所測的電阻。當(dāng)P=3時(shí)，磁珠檢測裝置12沒有檢測到透過膜孔的磁珠26，說明膜沒有破損，可以繼續(xù)使用；P=2時(shí)，磁珠檢測裝置12檢測到少量透過膜孔的磁珠26，說明膜輕微破損，可以繼續(xù)使用一段時(shí)間；P=1時(shí)，磁珠檢測裝置12檢測到大量透過膜孔的磁珠26，說明膜嚴(yán)重破損，要立即更換新月旲。
[0020]參見圖4，為本發(fā)明基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測方法的工作流程圖，整個(gè)系統(tǒng)的操作步驟如下:
(I)向原液罐I內(nèi)注入需要過濾提純的原液，打開第一、第二、第三閥門4、6、14，開啟膜過濾裝置。
[0021](2)開啟交流穩(wěn)壓電源16，設(shè)置交流穩(wěn)壓電源16的輸出電流I，MCU主控單元通過MCU采樣接口 27采集第一金屬電極23和第二金屬電極24之間的電壓，MCU主控單元計(jì)算出清液22的電阻Rtl。
[0022](3)根據(jù)膜孔徑大小向原液罐I內(nèi)注入直徑比膜孔徑稍大的磁珠，MCU主控單元通過MCU采樣接口 27采集此時(shí)的第一、第二金屬電極23、24之間的電壓，MCU主控單元根據(jù)計(jì)算的投入磁珠之后所得電阻R值，比較電阻R和電阻Rtl,并應(yīng)用膜損等級(jí)判斷方法判斷該膜的膜損程度。若電阻R等于電壓Rtl,則清液中沒有磁珠，說明膜完好未破損；若電阻R小于并接近Rtl，即符合OJIji 1<1^,則清液中有少量磁珠，說明膜輕微破損；若電阻R遠(yuǎn)小于R0,符合I<11^,則清液中有大量磁珠，說明膜嚴(yán)重破損。
【權(quán)利要求】
1.一種基于電化學(xué)與磁珠技術(shù)的膜損檢測裝置，包括裝原液的原液罐(I)，原液罐(I)底部中心處通過原液進(jìn)料管道(2 )連接膜組件(11)上端，膜組件(11)下端底部與清液出口管道(9) 一端相連，清液出口管道(9)另一端伸入清液罐(15)中，其特征是:清液出口管道(9)正中間為水平段，在該水平段處設(shè)有與清液出口管道(9)緊密相連的磁珠檢測裝置(12);磁珠檢測裝置(12)包括磁珠檢測管道(21)及位于磁珠檢測管道(21)外部的交流穩(wěn)壓電源(16)，磁珠檢測管道(21)的兩端與清液出口管道(9)相連，在磁珠檢測管道(21)內(nèi)的中間徑向水平并排布置浸在清液中的正、負(fù)極電極片(19、20);交流穩(wěn)壓電源(16)經(jīng)正極輸出排線(17)連接正極電極片(19)、經(jīng)負(fù)極輸出排線(18)連接負(fù)極電極片(20);兩個(gè)靠近但不接觸的金屬電極(23、24)的下段均伸入到磁珠檢測管道(21)內(nèi)的清液中、上段均伸出磁珠檢測管道(21)之外且在上段上各纏繞有一個(gè)線圈(25 )，兩個(gè)所述線圈(25 )分別連接至IJ正、負(fù)極輸出排線(17、18);兩個(gè)二金屬電極(23、24)的頂端均通過MCU采樣接口連接MCU主控單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述膜損檢測裝置，其特征是:膜組件(11)下端側(cè)部通過濃縮液出口管道法蘭與濃縮液出口管道(7)的一端相連，濃縮液出口管道(7)的中間處設(shè)有第二閥門(6)，濃縮液出口管道(7)的另一端從原液罐(I)頂部通入原液罐(I)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述膜損檢測裝置，其特征是:在原液進(jìn)料管道(2)上設(shè)置第一閥門(4)，在第一閥門(4)和膜組件(11)之間的原液進(jìn)料管道(2)上設(shè)有增壓泵(3)，在清液出口管道(9)的另一端上設(shè)有第三閥門(14)。
4.一種如權(quán)利要求1所述膜損檢測裝置的膜損檢測方法，其特征是具有以下步驟: A、開啟交流穩(wěn)壓電源(16)并設(shè)置其輸出電流，正、負(fù)極電極片(19、20)給磁珠檢測管道(21)內(nèi)的清液通電流，兩個(gè)通電的線圈(25)使兩個(gè)金屬電極(23、24)具有磁性，MCU主控單元通過MCU采樣接口采集兩個(gè)金屬電極(23、24 )之間的電壓，MCU主控單元根據(jù)電壓和電流計(jì)算出清液的電阻R0 ; B、在原液中加入直徑大于膜孔徑的磁珠，在原液進(jìn)入膜組件(11)中后，透過膜孔的清液經(jīng)過清液出口管道(9)和磁珠檢測裝置(12)從清液出口管道(9)流出，采集此時(shí)兩個(gè)金屬電極(23、24)之間的電壓并計(jì)算出此時(shí)的電阻R ; C、比較電阻R和電阻Rtl，若電阻R等于電壓Rtl，則清液中沒有磁珠，膜完好；若電阻R符合^RkM0,則清液中有少量磁珠，膜輕微破損；若電阻R符合ΛCOJW0,則清液中有大量磁珠，膜嚴(yán)重破損。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜損檢測方法，其特征是:步驟B中加入的磁珠由氧化鐵金屬材料制成，在同等單位下，磁珠的直徑大于膜孔徑，差值為10。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜損檢測方法，其特征是:步驟B中，若原液中有磁珠透過了膜孔進(jìn)入清液中，在磁力作用下，所有磁珠都聚集在兩個(gè)金屬電極(23、24)的下段，隨著磁珠的不斷吸附，兩個(gè)金屬電極(23、24)之間的距離越來越近，當(dāng)聚集的磁珠較多后，兩個(gè)金屬電極(23、24)、正、負(fù)極電極片(19、20)連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜損檢測方法，其特征是:步驟C中，清液中有少量磁珠時(shí)，所采集的電壓為兩個(gè)金屬電極(23、24)之間清液和少量磁珠共同電壓；清液中有大量磁珠時(shí)，所采集的電壓為兩個(gè)金屬電極(23、24)之間磁珠的電壓。
【文檔編號(hào)】B01D65/10GK104162368SQ201410369126
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月30日
【發(fā)明者】張榮標(biāo), 王鵬, 孫健, 李文勝 申請(qǐng)人:江蘇大學(xué)