納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英TiO2納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，所述材料包括MoS2納米片和TiO2蒲公英納米球；其中，所述MoS2納米片均勻貫穿在所述TiO2蒲公英納米球上的納米棒中間，并與所述納米棒之間的間隙穩(wěn)定結(jié)合。本發(fā)明還公開了通過兩步溶劑熱法制備得到波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英TiO2納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的方法。本發(fā)明具有制備操作簡單、產(chǎn)量高、成本低等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明材料在光催化工業(yè)廢水和場發(fā)射領(lǐng)域有極大發(fā)展?jié)摿皯?yīng)用前景。
【專利說明】波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英Ti O2納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于光電子材料、半導(dǎo)體材料與器件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]MoS2是一種窄禁帶的金屬硫化物，也是一種典型的二維層狀半導(dǎo)體材料，層與層之間由微弱的范德華力結(jié)合在一起，使得MoS2在鋰離子電池，光催化，場發(fā)射和傳感器方面都有著廣泛的應(yīng)用。金紅石T12是一種寬禁帶的金屬氧化物，是一種易制備，易進(jìn)行結(jié)構(gòu)改造的三維狀半導(dǎo)體材料，T12蒲公英納米球因?yàn)樘厥馇驙罱Y(jié)構(gòu)，大面積的(001)活性面，使得它在光催化方便的應(yīng)用最為普遍。
[0003]近來，學(xué)界開始嘗試兩種半導(dǎo)體材料的復(fù)合，并在光催化和鋰離子電池方面取得了顯著地成果，但是現(xiàn)在制備的方法大多反應(yīng)條件苛刻，合成工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高昂，不適用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料及其制備方法。
[0005]本發(fā)明提出的一種波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，其包括MoS2納米片和T12蒲公英納米球；其中，所述的MoS2納米片非常均勻地貫穿在蒲公英T12納米球上的納米棒中間，并與納米棒之間的間隙有良好穩(wěn)定的結(jié)合，兩種材料MoS2納米片和T12蒲公英納米球在表面的高度保持大體一致。
[0006]本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，包括多層狀結(jié)構(gòu)的MoS2波浪形納米片和被包裹的由T12納米棒組成的三維蒲公英納米球，其中，所述的MoS2納米片垂直于T12中心呈波浪狀穿插在T12納米棍當(dāng)中，而T12的整體三維納米球結(jié)構(gòu)作為襯底復(fù)合了 MoS2。所述MoS2納米片是多層單片的波浪狀結(jié)構(gòu)；所述T12蒲公英納米球是由納米棒向中心聚合，對(duì)外輻射發(fā)散生長形成的三維納米球結(jié)構(gòu)。本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料整體為球狀，表面凹凸不平，間隙多，兩種材料MoS2納米片和T12蒲公英納米球均在表面有充分均勻的暴露。
[0007]本發(fā)明提出的一種波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，所述整體復(fù)合材料的直徑為I?1.5 μ m。優(yōu)選地，直徑為I μ m。
[0008]本發(fā)明中，所述MoS2波浪納米片是由5?9層MoS2單層疊加而成，層間距為0.6?0.7nm。優(yōu)選地,層間距為0.64nm。
[0009]本發(fā)明提出的一種波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，所述材料中的T12蒲公英納米球中的T12納米棒為金紅石晶像結(jié)構(gòu)，T12納米棒的頂尖為三角形突起，T12納米棒的側(cè)面是具有高光催化活性的T12的(001)特征面。
[0010]本發(fā)明還提供了所述的波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的制備方法，解決了現(xiàn)有MoS2和T12復(fù)合半導(dǎo)體材料制備方法存在的制備條件苛亥IJ、成本高等問題。本發(fā)明方法簡單方便、成本低、可重復(fù)性高，適用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。
[0011]本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的制備方法，利用兩步溶劑熱法快速合成，首先使用溶劑熱法制備純的T12蒲公英納米球，然后，用此作為基底材料，再次使用溶劑熱法在T12蒲公英納米球上均勻地生長出波浪狀的MoS2納米片，從而得到本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料。
[0012]本發(fā)明制備方法包括如下步驟:
[0013](I)將油酸、鈦酸四丁酯、鹽酸按比例混合在錐形瓶中，加入反應(yīng)釜，密封，充分反應(yīng)，，洗滌干燥后得到純T12蒲公英納米球。具體地，將35%的鹽酸以及鈦酸四丁酯在小錐形瓶里混合，待其反應(yīng)熱量完全散去，將混合溶液緩緩滴入油酸中，并充分?jǐn)嚢?。待顏色變?yōu)槌赛S色，將混合溶液移入反應(yīng)釜，充分反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后冷卻至室溫，收集瓶底白色沉淀，使用無水乙醇反復(fù)清洗，并干燥，得到的是純T12蒲公英納米球。
[0014](2)將硫脲，草酸，鑰酸鈉以及之前制備的純T12蒲公英納米球按比例混合在燒杯中，加入反應(yīng)釜，密封，充分反應(yīng)，經(jīng)洗滌干燥，在氬氣保護(hù)下進(jìn)行快速退火，得到目的產(chǎn)物。具體地，將上述制備得到的純T12蒲公英納米球以及鑰酸鈉，硫脲，草酸共同加入有去離子水作為溶劑的燒杯當(dāng)中，并充分?jǐn)嚢?，所得懸濁液共同加入反?yīng)釜，充分反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后冷卻至室溫，收集瓶底的黑色沉淀，使用去離子水反復(fù)清洗，并干燥，最后進(jìn)行退火處理，得到所述波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料。
[0015]步驟⑴中，所述油酸、鈦酸四丁酯和鹽酸的體積比為10?15: 2?4:1?2;優(yōu)選地，油酸、鈦酸四丁酯和鹽酸的體積比為10: 2:1。
[0016]步驟(I)中，所述反應(yīng)溫度為180°C?200°C，反應(yīng)時(shí)間為4?5小時(shí)。優(yōu)選地，反應(yīng)溫度為180°C，反應(yīng)時(shí)間為4小時(shí)。
[0017]步驟(I)中，洗滌劑為無水乙醇、去離子水，洗滌3?6次；優(yōu)選地，洗滌劑為無水乙醇，洗滌5次。干燥溫度為50°C?60°C，干燥時(shí)間為I?2小時(shí)；優(yōu)選地，干燥溫度為50°C，干燥時(shí)間為I小時(shí)，真空環(huán)境。
[0018]步驟(2)中，所述鑰酸鈉、硫脲、草酸和T12蒲公英納米球的用量質(zhì)量比為5?10: 7?14: 4?8: I?2。優(yōu)選地，鑰酸鈉、硫脲，草酸和T12蒲公英納米球的用量質(zhì)量比為5: 7: 4:1。
[0019]步驟⑵中，反應(yīng)溫度為180°C?200°C，反應(yīng)時(shí)間為20?24小時(shí)。優(yōu)選地，反應(yīng)溫度為200°C，反應(yīng)時(shí)間為24小時(shí)。
[0020]步驟(2)中，洗滌劑為無水乙醇、去離子水，洗滌3?6次；優(yōu)選地，洗滌劑為去離子水，洗滌5次。干燥溫度為50°C?60°C，干燥時(shí)間為6?8小時(shí)；干燥溫度為50°C，干燥時(shí)間為6小時(shí)，真空環(huán)境。
[0021]步驟(2)中，所述退火條件為800°C?850°C，100?120分鐘。優(yōu)選地，所述退火條件為850°C，120分鐘。
[0022]本發(fā)明制備方法中，硫脲的添加量對(duì)兩種半導(dǎo)體MoS2納米片和T12蒲公英納米球的復(fù)合情況以及所述波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的最終形貌都有重大影響。已有研究表明，硫脲在化學(xué)反應(yīng)中不僅可以當(dāng)做硫原，還能起到材料與材料間的復(fù)合劑的作用。當(dāng)在步驟⑵中，所加入硫脲由少到多，例如，0.4g、0.7g到Ig,其他條件定為優(yōu)選條件的情況下，T12蒲公英納米球上的MoS2附著，由零星的片狀附著，到均勻的波浪附著，最后到過量地將T12蒲公英納米球完全覆蓋。
[0023]本發(fā)明制備方法中，采用兩步溶劑熱法，并通過控制硫脲的投入量，制備出了良好復(fù)合形貌的波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料。本發(fā)明的發(fā)明點(diǎn)與創(chuàng)新點(diǎn)在于:首先，兩種材料在球狀材料的表明都有著充分的暴露；其次，本發(fā)明的復(fù)合利用到了金紅石的(001)活性反應(yīng)面，增強(qiáng)了其催化性能；最后，兩步水熱法的快速合成方式，大大縮短了反應(yīng)時(shí)間，降低了合成工藝的復(fù)雜度，同時(shí)又確保了材料的產(chǎn)量。在各個(gè)方面來說，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)水平都有顯著提高。
[0024]本發(fā)明制備方法中，對(duì)純T12蒲公英納米球的干燥應(yīng)保證真空環(huán)境，并盡量短時(shí)。
[0025]本發(fā)明制備方法中，應(yīng)將純T12蒲公英納米球、鑰酸鈉、草酸、硫脲依次加入燒杯中，最后加入去離子水，保證其在攪拌時(shí)能得到良好的懸濁液。
[0026]本發(fā)明制備方法及其制備得到的材料，相對(duì)于先前合成的納米結(jié)構(gòu)，其有益效果包括:僅需要兩步水熱合成，方法簡單方便，不會(huì)引入其它雜質(zhì)；不需要引入任何催化劑；生長溫度較低，最高的生長溫度僅為200°C，從而降低了對(duì)設(shè)備的要求；方法簡單，成本低，生長溫度低，重復(fù)性好。通過兩種半導(dǎo)體的復(fù)合，增大了光譜吸收范圍，比表面積，降低了電子重合率，本發(fā)明可結(jié)合目前迅速發(fā)展的光催化和場發(fā)射性能的研究，在光催化和場發(fā)射領(lǐng)域有著極大的發(fā)展及應(yīng)用潛力。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1是本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的X射線衍射圖；
[0028]圖2是本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的SEM 圖；
[0029]圖3是本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的放大SEM圖；
[0030]圖4是本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的TEM圖像的低倍以及中倍像；
[0031]圖5是本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的高倍TEM圖像以及電子衍射像；
[0032]圖6是表征本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的光催化性能的MB濃度比曲線。

【具體實(shí)施方式】
[0033]結(jié)合以下具體實(shí)施例和附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，本發(fā)明的保護(hù)內(nèi)容不局限于以下實(shí)施例。在不背離發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍下，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠想到的變化和優(yōu)點(diǎn)都被包括在本發(fā)明中，并且以所附的權(quán)利要求書為保護(hù)范圍。實(shí)施本發(fā)明的過程、條件、試劑、實(shí)驗(yàn)方法等，除以下專門提及的內(nèi)容之外，均為本領(lǐng)域的普遍知識(shí)和公知常識(shí)，本發(fā)明沒有特別限制內(nèi)容。
[0034]實(shí)施例1制備波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料
[0035]制備的具體步驟如下:
[0036](I)將2mL的35%鹽酸和4mL鈦酸四丁酯加入小錐形瓶中充分搖動(dòng)混合，發(fā)現(xiàn)該反應(yīng)產(chǎn)生高溫，此時(shí)將錐形瓶置入涼水中快速冷卻，待完全冷卻后，將混合溶液緩緩滴入盛有20mL油酸的燒杯當(dāng)中，同時(shí)伴隨攪拌。
[0037](2)攪拌超過15分鐘后會(huì)發(fā)現(xiàn)溶液顏色由蛋黃色漸漸變?yōu)槌赛S色并保持不變，此時(shí)將混合溶液加入50mL的反應(yīng)釜中，密封，之后放入真空烘箱在180°C下加熱4小時(shí)，反應(yīng)結(jié)束冷卻至室溫。
[0038](3)將反應(yīng)釜底白色沉淀物用無水乙醇反復(fù)洗凈，至沉淀物純白為止。
[0039](4)將上清液倒掉，把純凈的樣品放在真空烘箱中50°C干燥I小時(shí)后取出，得到純白色粉末。
[0040](5)將1.5g制得的白色粉末，0.5g鑰酸鈉，0.7g硫脲和0.3g草酸加入10mL的燒杯當(dāng)中，加入SOmL的去離子水充分?jǐn)嚢?5分鐘，得到均勻的乳白狀懸濁液。
[0041](6)將混合溶液加入10mL的反應(yīng)釜中，密封，之后放入真空烘箱在200°C下加熱24小時(shí)，反應(yīng)結(jié)束冷卻至室溫。
[0042](7)將反應(yīng)釜底以及內(nèi)壁的黑色沉淀物取出，用去離子水反復(fù)洗凈，至沉淀物上清液完全澄清為止。
[0043](8)將得到的黑色沉淀物放在真空烘箱中50°C干燥6小時(shí)后取出，得到黑色粉末。
[0044](9)將黑色粉末放置在有純凈氬氣保護(hù)的真空爐中，850°C退火120分鐘，對(duì)其進(jìn)行高溫退火。退火后將其在氬氣保護(hù)的環(huán)境中冷卻至室溫，得到純凈黑色樣品。此樣品為波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料。
[0045]實(shí)施例2本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的光催化性能測試
[0046]上述實(shí)施例1制備得到的本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，由于其具有較大的比表面積，并且在結(jié)合處形成P-η結(jié)，使其相比純T12蒲公英納米球的光催化性能具有顯著提高。本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料與T12蒲公英納米球的光催化性能測試，包括具體步驟:
[0047](I)取兩個(gè)完全相同的棕色廣口瓶，每個(gè)瓶中都放入10ml的亞甲基藍(lán)溶液，溶液濃度為1mg L'
[0048](2)分別取本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料與Ti02蒲公英納米球樣品各0.0lg，分別放入兩個(gè)盛有步驟I中的兩個(gè)廣口瓶中。
[0049](3)將兩個(gè)光口瓶用鋁箔紙包裹嚴(yán)密，放入磁子，使其在黑暗環(huán)境中以相同速率攪拌攪拌30min。
[0050](4)取兩個(gè)相同的20W齒鎢燈，分別以相同距離對(duì)兩個(gè)廣口瓶進(jìn)行照射，每20min取兩個(gè)廣口瓶中溶液，用紫外可見光譜儀對(duì)其進(jìn)行檢測。
[0051](5)總共取4次溶液并對(duì)其檢測，對(duì)所得數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。
[0052]實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在無光照條件下，20min后亞甲基藍(lán)的剩余率分別為0.89和0.50。120min光照后亞甲基藍(lán)的剩余率分別為0.15和0.10。足以見本發(fā)明波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料比純T12蒲公英納米球的物理吸附特性和光催化特性要好很多。本發(fā)明材料的物理吸附特性和光催化特性的顯著提高是由于其具有較大的比表面積，并且在結(jié)合處形成p-n結(jié)，導(dǎo)致電子空穴負(fù)荷率大大提高，從而提升了光催化性能。
[0053]本發(fā)明中，所述用于制備的原料全部均為分析純，可直接使用。
[0054]如圖1所示波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的X射線衍射圖，可見在兩種半導(dǎo)體材料的衍射峰中，即六方晶系的MoS2結(jié)構(gòu)(JCPDS 37-1492)，和金紅石的T12結(jié)構(gòu)(JCPDS 21-1276)，T12的峰值比較突出，MoS2峰值不明顯，但也能夠清晰地觀察到，表明了兩種材料的高純度復(fù)合。
[0055]如圖2和圖3所示的波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的SEM照片，其包括MoS2納米片和T12蒲公英納米球；其中，所述的納米片非常均勻地貫穿在納米球上的納米棒中間，兩種材料在表面的高度保持大體一致。
[0056]如圖4和圖5所示的波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的TEM圖像以及電子衍射像，清晰地分別表征了兩種材料。
【權(quán)利要求】
1.一種波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，其特征在于，所述材料包括MoS2納米片和T12蒲公英納米球；其中，所述MoS2納米片均勻貫穿在所述T12蒲公英納米球上的納米棒中間，并與所述納米棒之間的間隙穩(wěn)定結(jié)合；所述MoS2納米片和T12蒲公英納米球在表面的高度保持一致。
2.如權(quán)利要求1所述的波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，其特征在于，所述的MoS2納米片是多層單片的波浪狀結(jié)構(gòu)；所述T12蒲公英納米球是由納米棒向中心聚合，對(duì)外輻射發(fā)散生長形成的三維納米球結(jié)構(gòu)；所述復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料整體為球狀，表面凹凸不平，間隙多，所述兩種材料MoS2納米片和T12蒲公英納米球均在表面有充分均勻的暴露。
3.如權(quán)利要求1所述的波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，其特征在于，所述整體復(fù)合材料的直徑為I?1.5 μ m。
4.如權(quán)利要求1所述的波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，其特征在于，所述MoS2納米片是由5?9層MoS2單層疊加而成，層間距為0.6?0.7nm。
5.如權(quán)利要求1所述的波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，其特征在于，所述T12蒲公英納米球中的T12納米棒為金紅石晶像結(jié)構(gòu),所述T12納米棒的頂尖為三角形突起，所述T12納米棒的側(cè)面是具有高光催化活性的T12的(001)特征面。
6.一種波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料的制備方法，其特征在于，利用兩步溶劑熱法快速合成，包括步驟如下: (1)將油酸、鈦酸四丁酯、鹽酸按比例混合在錐形瓶中，加入反應(yīng)釜，密封，充分反應(yīng)，洗滌干燥后得到純T12蒲公英納米球； (2)將硫脲，草酸，鑰酸鈉以及之前制備的純T12蒲公英納米球按比例混合在燒杯中，加入反應(yīng)釜，密封，充分反應(yīng)；經(jīng)洗滌、干燥，在氬氣保護(hù)下進(jìn)行快速退火，得到如權(quán)利要求1所述的波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟(I)中，所述油酸、鈦酸四丁酯和鹽酸的體積比為10?15: 2?4: I?2 ;步驟⑵中，所述鑰酸鈉、硫脲、草酸和T12蒲公英納米球的用量質(zhì)量比為5?10: 7?14: 4?8: I?2。
8.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟(I)中，所述反應(yīng)溫度為180°C?200°C，反應(yīng)時(shí)間為4?5小時(shí)。
9.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，反應(yīng)溫度為180°C?200°C，反應(yīng)時(shí)間為20?24小時(shí)。
10.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述退火條件為800°C?850。。，100 ?120 分鐘。
11.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟(I)中，需使用無水乙醇洗滌純T12蒲公英納米球并在50°C?60°環(huán)境下干燥I?2小時(shí)；步驟(2)中，需使用去離子水洗滌波浪MoS2納米片鑲嵌蒲公英T12納米球復(fù)合異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料，并在50°C?60°環(huán)境下干燥6?8小時(shí)。
【文檔編號(hào)】B01J35/02GK104437555SQ201410598619
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】傅豪, 郁可, 朱自強(qiáng) 申請(qǐng)人:華東師范大學(xué)