一種分散納米SiC粉體的方法
【專利摘要】一種分散納米SiC粉體的方法，涉及一種納米SiC粉體的分散方法。本發(fā)明是要解決現(xiàn)有納米SiC粉體在水中容易團(tuán)聚的問題。方法：一、用堿滴定去離子水得到pH為12的溶劑；二、稱取SiC粉體和分散劑，將SiC粉體和分散劑先后加入到溶劑中，超聲14～16min，得到分散均勻的漿料，即完成納米SiC粉體的分散。本發(fā)明方法的分散效果好、分散均勻、漿料可24h不發(fā)生明顯沉淀。納米SiC粉體的團(tuán)聚尺寸較小，SiC粉體的團(tuán)聚尺寸小于100nm，Zeta電位約為40mv。本發(fā)明應(yīng)用于納米材料領(lǐng)域。
【專利說明】-種分散納米SiC粉體的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種納米SiC粉體的分散方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 納米材料由于其晶粒尺寸在納米量級，使其某些性能具有有別于傳統(tǒng)材料的特殊 優(yōu)勢，如高的力學(xué)性能、高硬度、超塑性、W及在聲光電熱磁方面的特殊性能。SiC由于其高 的耐高溫、抗氧化、抗燒蝕性能，被認(rèn)為是高超音速飛行，大氣再入和火箭推進(jìn)有關(guān)的極端 的化學(xué)環(huán)境和熱環(huán)境的最佳候選材料之一。通過凝膠注來制備陶瓷材料，具有可制備復(fù)雜 結(jié)構(gòu)件、巧體便于機(jī)加工的優(yōu)勢。凝膠注模制備納米SiC成為一種新的制備方法。在利用 凝膠注模制備納米SiC材料時，由于納米粉體的表面積比較大，在溶劑中很容易團(tuán)聚。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明是要解決現(xiàn)有納米SiC粉體在水中容易團(tuán)聚的問題，提供一種分散納米 SiC粉體的方法。
[0004] 本發(fā)明分散納米SiC粉體的方法，按W下步驟進(jìn)行：
[0005] 一、用堿滴定去離子水得到抑為12的溶劑；
[0006] 二稱取SiC粉體和分散劑，將SiC粉體和分散劑先后加入到溶劑中，超聲14? 16min，得到分散均勻的漿料，即完成納米SiC粉體的分散。
[0007] .本發(fā)明具有W下優(yōu)點(diǎn)：
[000引 1、本發(fā)明使用的溶劑為去離子水，廉價清潔無污染。
[0009] 2、本發(fā)明方法的分散效果好、分散均勻、漿料可2化不發(fā)生明顯沉淀。
[0010] 3、納米SiC粉體的團(tuán)聚尺寸較小，SiC粉體的團(tuán)聚尺寸小于100nm，Zeta電位約為 40mv。
[0011] 本發(fā)明方法分散后的SiC粉體用于凝膠注模制備納米ZrB2-SiC材料時，不易發(fā)生 團(tuán)聚。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1為分散有SiC的漿料的平均粒徑和Zeta電位隨分散劑含量的變化曲線。

【具體實(shí)施方式】
[0013] 本發(fā)明技術(shù)方案不局限于W下所列舉【具體實(shí)施方式】，還包括各【具體實(shí)施方式】間的 任意組合。

【具體實(shí)施方式】 [0014] 一；本實(shí)施方式分散納米SiC粉體的方法，按W下步驟進(jìn)行：
[0015] 一、用堿滴定去離子水得到抑為12的溶劑；
[0016] 二稱取SiC粉體和分散劑，將SiC粉體和分散劑先后加入到溶劑中，超聲14? 16min，得到分散均勻的漿料，即完成納米SiC粉體的分散。

【具體實(shí)施方式】 [0017] 二；本實(shí)施方式與一不同的是；步驟一中堿為氨水。 其它與一相同。

【具體實(shí)施方式】 [0018] 本實(shí)施方式與一或二不同的是：步驟二中SiC粉 體的粒徑為50nm，純度大于99%。其它與一或二相同。

【具體實(shí)施方式】 [0019] 四；本實(shí)施方式與一至=之一不同的是：步驟二中分 散劑為聚丙締酸氨（PAA-NH4)。其它與一至S之一相同。

【具體實(shí)施方式】 [0020] 五；本實(shí)施方式與一至四之一不同的是：步驟二中 SiC粉體的質(zhì)量為溶劑質(zhì)量的2%，分散劑的質(zhì)量為SiC粉體質(zhì)量的2%?6%。其它與具 體實(shí)施方式一至四之一相同。
[0021] 實(shí)施例1 ;
[0022] 本實(shí)施例分散納米SiC粉體的方法，按W下步驟進(jìn)行：
[002引一、用氨水滴定去離子水得到抑為12的溶劑；
[0024] 二、稱取0. 2g SiC粉體和0. 004g聚丙締酸氨，將SiC粉體和聚丙締酸氨先后加入 到lOmL溶劑中，超聲15min，得到分散均勻的漿料，即完成納米SiC粉體的分散。
[002引步驟一中使用抑測試儀測試溶劑的pH值，精度為0. 1。
[0026] 步驟二中SiC粉體的粒徑為50皿，純度大于99%。
[0027] 步驟二中分散劑聚丙締酸氨為分析純等級。
[002引步驟二所述超聲波功率為lOOw，頻率為180化Z。
[0029] 實(shí)施例2 ;
[0030] 本實(shí)施例分散納米SiC粉體的方法，按W下步驟進(jìn)行：
[003U -、用氨水滴定去離子水得到抑為12的溶劑；
[0032] 二、稱取0. 2g SiC粉體和0. 008g聚丙締酸氨，將SiC粉體和聚丙締酸氨先后加入 到lOmL溶劑中，超聲15min，得到分散均勻的漿料，即完成納米SiC粉體的分散。
[003引步驟一中使用抑測試儀測試溶劑的pH值，精度為0. 1。
[0034] 步驟二中SiC粉體的粒徑為50皿，純度大于99%。
[0035] 步驟二中分散劑聚丙締酸氨為分析純等級。
[0036] 步驟二所述超聲波功率為lOOw，頻率為180化Z。
[0037] 實(shí)施例3 ;
[003引本實(shí)施例分散納米SiC粉體的方法，按W下步驟進(jìn)行：
[0039] 一、用氨水滴定去離子水得到抑為12的溶劑；
[0040] 二、稱取0. 2g SiC粉體和0. 012g聚丙締酸氨，將SiC粉體和聚丙締酸氨先后加入 到lOmL溶劑中，超聲15min，得到分散均勻的漿料，即完成納米SiC粉體的分散。
[004U 步驟一中使用抑測試儀測試溶劑的pH值，精度為0. 1。
[00創(chuàng)步驟二中SiC粉體的粒徑為50皿，純度大于99%。
[0043] 步驟二中分散劑聚丙締酸氨為分析純等級。
[0044] 步驟二所述超聲波功率為lOOw，頻率為180化Z。
[0045] 對實(shí)施例1-3得到的分散有SiC的漿料進(jìn)行粒徑測量和Zeta電位的測試，其結(jié)果 表1和圖1所示。圖1為分散有SiC的漿料的平均粒徑和Zeta電位隨分散劑含量的變化 曲線，圖1中a表示Zeta電位，b表示平均粒徑。
[0046] 表 1
[0047]

【權(quán)利要求】
1. 一種分散納米Sic粉體的方法，其特征在于該方法按以下步驟進(jìn)行： 一、 用堿滴定去離子水得到pH為12的溶劑； 二、 稱取SiC粉體和分散劑，將SiC粉體和分散劑先后加入到溶劑中，超聲14?16min， 得到分散均勻的漿料，即完成納米SiC粉體的分散。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分散納米SiC粉體的方法，其特征在于步驟一中堿為氨 水。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種分散納米SiC粉體的方法，其特征在于步驟二中SiC 粉體的粒徑為50nm，純度大于99%。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種分散納米SiC粉體的方法，其特征在于步驟二中分散劑 為聚丙烯酸氨。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種分散納米SiC粉體的方法，其特征在于步驟二中SiC粉 體的質(zhì)量為溶劑質(zhì)量的2%，分散劑的質(zhì)量為SiC粉體質(zhì)量的2%?6%。
【文檔編號】B01F3/12GK104437154SQ201410631871
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月11日
【發(fā)明者】程業(yè)紅, 韓文波, 張幸紅, 胡平, 洪長青, 安家東, 王鵬, 趙廣東 申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)