一種吸附柱的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種吸附柱，包括吸附柱柱體，所述吸附柱柱體內(nèi)部設(shè)有芯部，該吸附柱還包括微波加熱磁控管，所述微波加熱磁控管的一端設(shè)置在所述芯部，其另一端從所述吸附柱柱體的外壁中伸出。該吸附柱能保證吸附柱芯部上的吸附劑的溫度上升速度均勻。
【專利說(shuō)明】一種吸附柱

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，涉及一種吸附柱，具體是一種多晶硅尾氣回收用的吸附柱。

【背景技術(shù)】
[0002]在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中，由還原尾氣回收工序向還原車間提供合格的氫氣，而對(duì)氫氣的吸附情況會(huì)直接影響回收氫氣的品質(zhì)。
[0003]多晶硅尾氣回收系統(tǒng)具體是通過(guò)吸附柱完成對(duì)尾氣的提純，為下一步的回收利用提供純度較高的氫氣，而氫氣的質(zhì)量將直接影響還原爐硅棒的生成，對(duì)提高還原爐的收率起著至關(guān)重要的作用。
[0004]在傳統(tǒng)的吸附柱中，內(nèi)盤管水路管線及外盤管水路管線在吸附柱內(nèi)部的上部及下部的換熱面積是相同的，在吸附劑的活化過(guò)程中，吸附劑的溫度上升速度不均勻，其中吸附柱內(nèi)部的下部溫度上升速度較慢，而吸附柱內(nèi)部的上部溫度上升速度較快，導(dǎo)致吸附柱中的吸附劑的活化過(guò)程時(shí)間延長(zhǎng)，從而降低了吸附柱的使用效率，降低了吸附柱的處理能力，進(jìn)而制約了多晶硅的產(chǎn)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種吸附柱，該吸附柱能保證其芯部上的整體吸附劑的溫度上升速度均勻。
[0006]解決本實(shí)用新型技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:該吸附柱包括吸附柱柱體，所述吸附柱柱體內(nèi)部設(shè)有芯部，其中，該吸附柱還包括微波加熱磁控管，所述微波加熱磁控管的一端設(shè)置在所述芯部，其另一端從所述吸附柱柱體的外壁中伸出。
[0007]優(yōu)選的是，所述微波加熱磁控管采用多個(gè)，多個(gè)微波加熱磁控管在吸附柱柱體的外壁上排列為一列或平行的多列。
[0008]優(yōu)選的是，所述微波加熱磁控管位于吸附柱柱體外壁的中下部，以加快吸附柱下部的加熱速度。
[0009]優(yōu)選的是，所述微波加熱磁控管位于吸附柱柱體的外壁高度的60%以下的位置。
[0010]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述微波加熱磁控管與吸附柱柱體之間的傾斜角為30°?60° ,從而可使微波加熱面積最大化。
[0011]更優(yōu)選的是，所述吸附柱柱體的外壁上設(shè)置有微波折射板，所述微波折射板的位置與所述微波加熱磁控管的位置相應(yīng)，從而可加大微波的利用效率。
[0012]優(yōu)選的是，所述吸附柱柱體內(nèi)還設(shè)有芯部管線，所述芯部管線設(shè)于吸附柱柱體的芯部位置上。
[0013]優(yōu)選的是，所述吸附柱柱體外還設(shè)有外盤管水路管線，所述外盤管水路管線設(shè)置在吸附柱柱體的外壁上。
[0014]優(yōu)選的是，所述吸附柱柱體內(nèi)還設(shè)有內(nèi)盤管水路管線，所述內(nèi)盤管水路管線設(shè)置在芯部管線和外盤管水路管線之間。
[0015]本實(shí)用新型通過(guò)在吸附柱中增設(shè)新的加熱結(jié)構(gòu)，即增設(shè)微波加熱磁控管，以用于對(duì)吸附柱柱體的中下部額外進(jìn)行單獨(dú)加熱，可使得吸附劑在活化過(guò)程中，吸附柱柱體內(nèi)部的吸附劑的溫度上升速度保持均勻，從而可縮短吸附劑的活化時(shí)間，提高吸附柱的處理能力，并提聞了吸附柱的使用效率，最終可以提聞多晶娃的廣量。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例2中吸附柱的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖中:1-氫氣進(jìn)口管線；2_氫氣出口管線；3-芯部進(jìn)水管線；4_芯部出水管線；5-內(nèi)盤管水路進(jìn)口管線；6-內(nèi)盤管水路出口管線；7_外盤管水路進(jìn)口管線；8_外盤管水路出口管線；9_吸附柱柱體；10_微波加熱磁控管；11_微波折射板。

【具體實(shí)施方式】
[0018]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0019]實(shí)施例1:
[0020]本實(shí)施例提供一種吸附柱，其包括吸附柱柱體，所述吸附柱柱體內(nèi)部設(shè)有芯部，該吸附柱還包括用于對(duì)吸附柱柱體的中下部單獨(dú)進(jìn)行加熱的加熱結(jié)構(gòu)，所述加熱結(jié)構(gòu)具體可采用微波加熱磁控管，所述微波加熱磁控管的一端設(shè)置在所述芯部，其另一端從所述吸附柱柱體的外壁中伸出。
[0021]實(shí)施例2:
[0022]如圖1所示，本實(shí)施例中提供的吸附柱包括吸附柱柱體9，吸附柱柱體9內(nèi)設(shè)有芯部，所述芯部設(shè)于吸附柱柱體的中心位置。該吸附柱還包括有微波加熱磁控管10。吸附柱柱體9的外壁上設(shè)有開(kāi)口，微波加熱磁控管10的一端設(shè)置在所述芯部，其另一端從吸附柱柱體的外壁中伸出。
[0023]其中，微波加熱磁控管10具體是對(duì)吸附柱柱體9進(jìn)行加熱，即將電能轉(zhuǎn)化為微波，并直接作用于被加熱物體，以使吸附柱柱體內(nèi)部的下部溫度得到快速上升(具體可由20°C上升至120°C以上)，從而保證吸附柱的芯部的吸附劑的溫度上升速度均勻。
[0024]優(yōu)選地，微波加熱磁控管10與吸附柱柱體9之間的傾斜角為30°?60°，從而可使微波加熱面積最大化。
[0025]優(yōu)選地，微波加熱磁控管10采用多個(gè)，多個(gè)微波加熱磁控管10在吸附柱柱體的外壁上排列為一列或平行的多列。
[0026]優(yōu)選地，多個(gè)微波加熱磁控管10位于吸附柱柱體外壁的中下部，以加快吸附柱下部的加熱速度。具體來(lái)說(shuō)，微波加熱磁控管10位于吸附柱柱體的外壁高度的60%以下的位置。
[0027]優(yōu)選地，所述吸附柱柱體的外壁上設(shè)置有微波折射板11，微波折射板11在吸附柱柱體外壁上的位置與微波加熱磁控管10的位置相應(yīng)，從而可加大微波的利用效率。因此，微波折射板11上與吸附柱柱體上的開(kāi)口對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有對(duì)應(yīng)口，以使得微波加熱磁控管10能從微波折射板11上的對(duì)應(yīng)口中伸出。
[0028]優(yōu)選地，所述吸附柱柱體9內(nèi)還設(shè)有氫氣進(jìn)口管線I和氫氣出口管線2，所述氫氣進(jìn)口管線I設(shè)置在吸附柱柱體的下部，氫氣出口管線2設(shè)置在吸附柱柱體的頂部。
[0029]優(yōu)選地，所述吸附柱柱體內(nèi)還設(shè)有芯部管線，所述芯部管線包括芯部進(jìn)水管線3和芯部出水管線4，所述芯部進(jìn)水管線3和芯部出水管線4設(shè)置在吸附柱柱體的芯部位置上。
[0030]優(yōu)選地，所述吸附柱柱體外還設(shè)有外盤管水路管線，所述外盤管水路管線包括外盤管水路進(jìn)口管線7和外盤管水路出口管線8，所述外盤管水路進(jìn)口管線7和外盤管水路出口管線8設(shè)置在吸附柱柱體的外壁上，并處于吸附柱柱體的外壁與微波折射板11之間。
[0031]優(yōu)選的是，所述吸附柱柱體內(nèi)還設(shè)有內(nèi)盤管水路管線，所述內(nèi)盤管水路管線包括內(nèi)盤管水路進(jìn)口管線5和內(nèi)盤管水路出口管線6，所述內(nèi)盤管水路進(jìn)口管線5和內(nèi)盤管水路出口管線6設(shè)置在芯部管線和外盤管水路管線之間。
[0032]其中，芯部管線、內(nèi)盤管水路管線以及外盤管水路管線均用于給所述芯部加熱。
[0033]通過(guò)采用本實(shí)施例中的吸附柱，從而縮短了吸附劑的活化時(shí)間，提高了吸附柱的處理能力，即提高了吸附柱的使用效率，最終提高了多晶硅的產(chǎn)量。
[0034]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種吸附柱，包括吸附柱柱體，所述吸附柱柱體內(nèi)部設(shè)有芯部，其特征在于，該吸附柱還包括微波加熱磁控管，所述微波加熱磁控管的一端設(shè)置在所述芯部，其另一端從所述吸附柱柱體的外壁中伸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附柱，其特征在于，所述微波加熱磁控管采用多個(gè)，多個(gè)微波加熱磁控管在吸附柱柱體的外壁上排列為一列或平行的多列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附柱，其特征在于，所述微波加熱磁控管位于吸附柱柱體外壁的中下部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的吸附柱，其特征在于，所述微波加熱磁控管位于吸附柱柱體的外壁高度的60%以下的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附柱，其特征在于，所述微波加熱磁控管與吸附柱柱體之間的傾斜角為30°?60°。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的吸附柱，其特征在于，所述吸附柱柱體的外壁上設(shè)置有微波折射板，所述微波折射板的位置與所述微波加熱磁控管的位置相應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的吸附柱，其特征在于，所述吸附柱柱體內(nèi)還設(shè)有芯部管線，所述芯部管線設(shè)于吸附柱柱體的芯部位置上。
【文檔編號(hào)】B01D53/04GK203916411SQ201420191219
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月18日
【發(fā)明者】王東, 陳文岳, 羅永君, 呂曉霞 申請(qǐng)人:新特能源股份有限公司