高純無氧硒真空精餾制備裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種高純無氧硒真空精餾制備裝置，包括相互獨(dú)立的蒸餾坩堝（1）和冷凝結(jié)晶管（2），蒸餾坩堝（1）和冷凝結(jié)晶管（2）之間設(shè)置雜質(zhì)阻擋層；雜質(zhì)阻擋層包括阻擋層外環(huán)（3）和內(nèi)置板（4），其中，所述內(nèi)置板（4）上放置表面粗糙的石英阻擋環(huán)或石英阻擋層（5），硒蒸氣通過雜質(zhì)阻擋層，其中的雜質(zhì)元素被有效阻擋或吸附過濾，從而大大降低了硒蒸氣中的雜質(zhì)含量，純化后的硒蒸氣在上部的冷凝結(jié)晶管（2）中結(jié)晶析出，該產(chǎn)品在常溫下可以直接從冷凝結(jié)晶管中輕松取出，這樣既保證了產(chǎn)品質(zhì)量又嚴(yán)格控制了產(chǎn)品硒中非常低的氧含量，從而大大提高了高純無氧硒制備的成品合格率，節(jié)約生產(chǎn)成本。
【專利說明】高純無氧砸真空精餾制備裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及高純無氧砸制備設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種高純無氧砸真空精餾制備裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的真空精餾制備高純?cè)业脑O(shè)備主要包括三溫區(qū)原料蒸發(fā)釜、傾斜式過渡管及產(chǎn)品收集釜。制備高純?cè)視r(shí)，產(chǎn)品釜中的高純?cè)冶仨毥?jīng)過外部加熱熔化后從產(chǎn)品收集釜下部的出料口流出，由于該過程是在空氣中進(jìn)行的，導(dǎo)致砸產(chǎn)品含氧量高，達(dá)不到制備高純無氧砸產(chǎn)品的要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]針對(duì)上述不足，本實(shí)用新型提供一種高純無氧砸真空精餾制備裝置，其生產(chǎn)出的高純?cè)覠o需經(jīng)過高溫熔化即可取出，可嚴(yán)格控制高純?cè)耶a(chǎn)品的含氧量，提高了高純無氧砸制備的成品合格率。
[0004]本實(shí)用新型是通過這樣的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:
[0005]高純無氧砸真空精餾制備裝置，包括相互獨(dú)立的蒸餾坩禍和冷凝結(jié)晶管，蒸餾坩禍和冷凝結(jié)晶管之間設(shè)置雜質(zhì)阻擋層，用于對(duì)原料砸中的雜質(zhì)進(jìn)行阻擋、吸附過濾。
[0006]所述雜質(zhì)阻擋層包括阻擋層外環(huán)、內(nèi)置板及阻擋介質(zhì)，其中，所述內(nèi)置板上放置表面粗糙的石英阻擋環(huán)或石英阻擋層，該阻擋環(huán)粗糙表面通過化學(xué)腐蝕溶液浸泡處理后獲得，其粗糙度可根據(jù)需要確定液浸泡處理的具體時(shí)間；石英阻擋層可采用石英碎片或石英碎塊堆積壓制而成。
[0007]進(jìn)一步的是，所述阻擋層外環(huán)置于蒸餾坩禍上端設(shè)置的臺(tái)階上。
[0008]本實(shí)用新型的有益效果是:在相互獨(dú)立的蒸餾坩禍和冷凝結(jié)晶管之間設(shè)置表面粗糙的雜質(zhì)阻擋層，如表面粗糙的石英阻擋環(huán)或石英阻擋層，該石英阻擋環(huán)或石英阻擋層可有效降阻擋、吸附原料砸中的雜質(zhì)元素，純化了從下部蒸發(fā)起來的砸蒸氣，從而在冷凝結(jié)晶管中獲得高純無氧砸產(chǎn)品，該產(chǎn)品在常溫下可以直接從冷凝結(jié)晶管中輕松取出，且保證了產(chǎn)品質(zhì)量和非常低的氧含量，從而大大提高了高純無氧砸制備的成品合格率，節(jié)約生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型高純無氧砸真空精餾制備裝置的結(jié)構(gòu)示意簡圖。
[0010]圖中標(biāo)記為:蒸餾坩禍1，冷凝結(jié)晶管2，阻擋層外環(huán)3，內(nèi)置板4，石英阻擋環(huán)或石英阻擋層5，原料砸6。

【具體實(shí)施方式】
[0011]為了更加清楚地理解本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及有益效果，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明，但并不將本實(shí)用新型的保護(hù)范圍限定在以下實(shí)施例中。本發(fā)明專利技術(shù)還可以用來制備高純無氧碲、高純無氧鎂、高純無氧銻、高純無氧砷、高純無氧梓及尚純無氧錦等其它尚純材料廣品。
[0012]如圖1所示，本實(shí)用新型的高純無氧砸真空精餾制備裝置包括相互獨(dú)立的蒸餾坩禍I和冷凝結(jié)晶管2，并且在蒸餾坩禍I和冷凝結(jié)晶管2之間設(shè)置雜質(zhì)阻擋層。
[0013]所述雜質(zhì)阻擋層包括阻擋層外環(huán)3、內(nèi)置板4和內(nèi)置板4上放置的表面粗糙的石英阻擋環(huán)或石英阻擋層5 ;阻擋層外環(huán)3置于蒸餾坩禍I上端設(shè)置的臺(tái)階上，原料砸6置于蒸餾坩禍I中。在進(jìn)行真空精餾時(shí)，原料砸6的砸蒸氣通過阻擋層外環(huán)3和內(nèi)置板4，尤其是表面粗糙的石英阻擋環(huán)或石英阻擋層5對(duì)其中的雜質(zhì)進(jìn)行阻擋、吸附過濾，從而大大降低了砸蒸氣中的雜質(zhì)含量，純化后的砸蒸氣在上部的冷凝結(jié)晶管2中結(jié)晶析出，該產(chǎn)品在常溫下可以直接從冷凝結(jié)晶管2中輕松取出，這樣既保證了產(chǎn)品質(zhì)量又嚴(yán)格控制了成品砸中非常低的氧含量，從而大大提高了高純無氧砸制備的成品合格率，節(jié)約生產(chǎn)成本。
【權(quán)利要求】
1.高純無氧砸真空精餾制備裝置，包括相互獨(dú)立的蒸餾坩禍(I)和冷凝結(jié)晶管(2)，其特征在于:蒸餾坩禍(I)和冷凝結(jié)晶管(2)之間設(shè)置雜質(zhì)阻擋層。
2.如權(quán)利要求1所述的高純無氧砸真空精餾制備裝置，其特征在于:所述雜質(zhì)阻擋層包括阻擋層外環(huán)(3)和內(nèi)置板(4)，其中，所述內(nèi)置板(4)上放置表面粗糙的石英阻擋環(huán)或石英阻擋層(5)。
3.如權(quán)利要求2所述的高純無氧砸真空精餾制備裝置，其特征在于:所述阻擋層外環(huán)(3 )置于蒸餾坩禍(I)上端設(shè)置的臺(tái)階上。
【文檔編號(hào)】B01D3/10GK204198422SQ201420696282
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】陳直, 鄭林, 李公權(quán) 申請(qǐng)人:四川鑫龍碲業(yè)科技開發(fā)有限責(zé)任公司